DE2950997C2 - Vorrichtung zum Beschichten - Google Patents
Vorrichtung zum BeschichtenInfo
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- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
- C23C14/3464—Sputtering using more than one target
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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- C23C14/568—Transferring the substrates through a series of coating stations
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Description
ne lange Zeitspanne in Betrieb stand, bis die Schicht 24
im wesentlichen vollständig verbraucht war. In diesem Fall entstanden zwar in der Target-Materialschicht 24 in
etwa 24 Stunden Risse, Brüche oder dergleichen, jedoch trat ein Zerfallen in Stücke nicht auf, und wurde der
Bedampfungseffekt der Kathodeneinrichtung 20 nicht verändert.
Die zweite Ausführungsform gemäß F i g. 2 ist im wesentlichen dieselbe wie diejenige der F i g. 1 mit der
Ausnahme, daß zwei Kathoden- oder Targeteinrichiangen
20 und iwei Substrate 28 in V-förmiger Anordnung und angebracht an einer einzigen V-förmigen Anode 26'
vorgesehen sind. Die Detailgestaltung und die Arbeitsweise dieser Vorrichtung ergeben sich aus der Beschreibung
betreffend die Ausführungsform der Fig. 1, und die Vorteile dieser zweiten Ausführungsform sind die
bereits genannten.
Wie unter Bezugnahme auf F i g. 1 erläutert worden ist, kann die Vorrichtung für einen kontinuierlichen oder
semikontinuierlichen Betrieb ohne Erneuerung des Target geeignet und bestimmt sein.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen
25
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45
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55
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65
Claims (1)
1. Vorrichtung zum Beschichten eines Substrats, Glimmentladung zerstäubter Materialpartikel auf die
bei der in einem Gehäuse eine Atmosphäre eines 5 unterhalb des Substrates angeordnete Targetfläche
geeigneten Gases unter Niederdruck enthalten ist, weitgehend vermieden wird. Diese Aufgabe wird ernnbei
der mindestens eine Anode jeweils ein mit ebe- dungsgemäß durch die im kennzeichnenden Teil des Paner
Oberfläche versehenes Substrat und mindestens tentanspruchs 1 ausgegebenen Mittel gelöst
eine darunter angeordnete Kathode jeweils ein mit Weitere Vorteile ergeben sich, wenn mindestens zwei
ebener Oberfläche versehenes Target tragen, bei der 10 Substrate V-förmig angeordnet sind und die Oberfläche
die Oberflächen von Substrat und Target einander jedes der Substrate schräg nach unten zeigt Diese Ausgegenüberstehen
und im wesentlichen parallel zu- bildung bewirkt, daß der für den Betrieb erforderliche
einander ausgerichtet sind, bei der durch Anlegen Raum verkleinert wird und daß die Produktivität erhöht
einer Spannung zwischen Kathode und Anode eine wird.
Glimmentladung erzeugt und bei der Materialparti- 15 Im folgenden werden Ausführungsbeispiele der Erfin-
kel vom Target als Beschichtungsfilm auf dem Sub- dung anhand der Zeichnungen weiter ins einzelne ge-
strat abgelagert werden, dadurch gekenn- hend erläutert; in den Zeichnungen zeigt
zeichnet, daß die Glimmentladung eine Zerstäu- F i g. ί eine schematische Ansicht einer ersten Aus-
bung des Targetmaterials von dem Target bewirkt, führungsform,
daß die parallel einander zugewandt angeordneten 20 F i g. 2 eine schematische Ansicht der hauptsächlichen
Oberflächen von Target (24) und Substrat (28) Teile einer zweiten Ausführungsform,
schräg zur Vertikalen ausgerichtet sind, wobei die Die Vorrichtung der F i g. 1 verfügt über ein Gehäuse
Targetoberfläche (30) schräg nach oben und die Sub- 10, das an ein Vakuumpumpensystem 12 über eine Va-
stratoberfläche (32) schräg nach unten weisen, und kuumleitung 14 und auch an eine Gaseinführungsein-
daß nur ein Teil der gesamten Targetfläche (30) di- 25 richtung 16 über eine Gasleitung 18 angeschlossen ist
rekt vertikal unterhalb der Substratfläche (32) ange- Im Gehäuse 10 ist eine Kathodeneinrichtung 20 mit ei-
ordnetist nem Target-Basiskörper 22 aus elektrisch leitfähigem
2. Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekenn- Material, wie beispielsweise Cu, angeordnet der am Gezeichnet,
daß mindestens zwei Substrate (28) V-för- häuse 10 befestigt und gegenüber diesem elektrisch isomig
angeordnet sind und die Oberfläche (32) jedes 30 liert ist Die Kathodeneinrichtung 20 verfügt des weite-Substrats
(28) schräg nach unten zeigt ren über eine Target-Materialschicht 24 aus Targetmaterial,
wie beispielsweise Cr-Metall, Metall + S1O2 oder
AbOi die an dem Target-Basiskörper 22 befestigt und
mit diesem elektrisch in Verbindung steht Eine im Ge-
35 häuse 10 angeordnete Anode 26 ist an diesem befestigt
Die Erfindung betrifft eine Vorrichtung zum Be- und elektrisch mit diesem verbunden. Ein Substrat 28 ist
schichten eines Substrats gemäß dem Oberbegriff des an der Anode 26 angeordnet
Patentanspruchs 1. Die Kathodeneinrichtung 20, die Anode 26 und das
Solche Vorrichtungen sind bereits bekannt (DE-AS Substrat 28 sind so angeordnet, daß eine Targetfläche 30
22 04 652); dort ist das Target in paralleler and horizon- 40 der Targetschicht 24 beispielsweise unter einem Winkel
taler Ausrichtung unterhalb des Substrats angeordnet, von etwa 60° geneigt ist und nach oben zeigt und eine
wobei die Targetfläche nach oben und die Substratflä- Substratfiäche 22 des Substrats 28 parallel zu der Tarche
nach unten zeigt, so daß Klümpchen der verdampf- getfläche 30 verläuft und nach unten zeigt
ten und niedergeschlagenen Partikel des Targetmateri- Das Gehäuse 10 und somit die Anode 26 sind bei 34 als von dem Substrat herunter auf das Target fallen 45 geerdet, während die Kathodeneinrichtung 20 elekkönnen, was wiederum zu anormalen Entladungen füh- trisch an einen Anschluß einer Stromquelle 36 angeren kann. Dieses auf die Targetfläche heruntergetropfte schlossen ist, deren anderer Anschluß bei 38 geerdet ist. Material enthält häufig Fremdmaterial, das dann wieder Zum Betrieb der Vorrichtung der F i g. 1 wird zuzerstäubt und auf dem Substrat niedergeschlagen wird. nächst der Raum innerhalb des Gehäuses 10 auf einen In diesem Falle weist der Beschichtungsfilm des Sub- 50 Druck von etwa 10~6 Torr mittels des Vakuumpumpenstrates Verunreinigungen auf. Wenn bei dieser Anord- systems 12 evakuiert, wonach Inertgas, beispielsweise nung das Target oberhalb des Substrats angeordnet ist, Argongas, in den Raum bis zu einem geeigneten Druck, so daß die Targetfläche nach unten und die Substratflä- wie beispielsweise einem Druck von 5 — 1 · ΙΟ-3 Torr ehe nach oben zeigt, dann können Granulen des Target- eingeführt wird. Danach wird eine elektrische Spannung materials, die durch Lockerung dieses Materials bei- 55 von etwa 800 V zwischen der Kathodeneinrichtung 20 spielsweise infolge der bei der Glimmentladung entste- und der Anode 26 mittels der Stromversorgung 36 angehenden Wärme gebildet werden, auf das Substrat her- legt, wodurch eine Glimmentladung zwischen der Kaunterfallen, wodurch vereinigte Granulenvorsprünge thodeneinrichtung 20 und der Anode 26 entsteht. Somit gebildet werden, die anormale Entladungen induzieren, wird das Material der Schicht 24 der Kathodeneinrichdie ihrerseits Ursache für kleine Löcher und dergleichen 60 tung von dieser Einrichtung aus verdampft und auf der
ten und niedergeschlagenen Partikel des Targetmateri- Das Gehäuse 10 und somit die Anode 26 sind bei 34 als von dem Substrat herunter auf das Target fallen 45 geerdet, während die Kathodeneinrichtung 20 elekkönnen, was wiederum zu anormalen Entladungen füh- trisch an einen Anschluß einer Stromquelle 36 angeren kann. Dieses auf die Targetfläche heruntergetropfte schlossen ist, deren anderer Anschluß bei 38 geerdet ist. Material enthält häufig Fremdmaterial, das dann wieder Zum Betrieb der Vorrichtung der F i g. 1 wird zuzerstäubt und auf dem Substrat niedergeschlagen wird. nächst der Raum innerhalb des Gehäuses 10 auf einen In diesem Falle weist der Beschichtungsfilm des Sub- 50 Druck von etwa 10~6 Torr mittels des Vakuumpumpenstrates Verunreinigungen auf. Wenn bei dieser Anord- systems 12 evakuiert, wonach Inertgas, beispielsweise nung das Target oberhalb des Substrats angeordnet ist, Argongas, in den Raum bis zu einem geeigneten Druck, so daß die Targetfläche nach unten und die Substratflä- wie beispielsweise einem Druck von 5 — 1 · ΙΟ-3 Torr ehe nach oben zeigt, dann können Granulen des Target- eingeführt wird. Danach wird eine elektrische Spannung materials, die durch Lockerung dieses Materials bei- 55 von etwa 800 V zwischen der Kathodeneinrichtung 20 spielsweise infolge der bei der Glimmentladung entste- und der Anode 26 mittels der Stromversorgung 36 angehenden Wärme gebildet werden, auf das Substrat her- legt, wodurch eine Glimmentladung zwischen der Kaunterfallen, wodurch vereinigte Granulenvorsprünge thodeneinrichtung 20 und der Anode 26 entsteht. Somit gebildet werden, die anormale Entladungen induzieren, wird das Material der Schicht 24 der Kathodeneinrichdie ihrerseits Ursache für kleine Löcher und dergleichen 60 tung von dieser Einrichtung aus verdampft und auf der
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Fehler des Produkts sind. Beschichtungsfilms auf dieser Fläche 32 abgelagert.
Bekannt ist auch bereits eine Kathodenzerstäubungs- Bei der Durchführung einer solchen Arbeitsweise in
anlage, bei der die Kathode parallel zu dem senkrecht einer solchen Vorrichtung tropft das verdampfte und
stehenden zu beschichtenden Substrat angeordnet ist, 65 auf der Substratfläche 32 niedergeschlagene Targetmawobei
Aufheiz-, Bestäubungs- und Kühlkammer durch terial nicht. Eine solche Arbeitsweise ist auch wiederholt
besondere Verbindungs- und Transportmittel miteinan- worden ohne Erneuerung des Targets, wobei die Kathoder
verbunden sind (DE-OS 25 22 352). deneinrichtung 20 in zufriedenstellender Weise über ei-
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19792950997 DE2950997C2 (de) | 1979-12-18 | 1979-12-18 | Vorrichtung zum Beschichten |
CH1147879A CH643303A5 (en) | 1979-12-18 | 1979-12-27 | Appliance for coating surfaces by means of cathode sputtering |
FR7932152A FR2472619A1 (fr) | 1979-12-18 | 1979-12-27 | Appareil de revetement par pulverisation sous vide |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19792950997 DE2950997C2 (de) | 1979-12-18 | 1979-12-18 | Vorrichtung zum Beschichten |
CH1147879A CH643303A5 (en) | 1979-12-18 | 1979-12-27 | Appliance for coating surfaces by means of cathode sputtering |
FR7932152A FR2472619A1 (fr) | 1979-12-18 | 1979-12-27 | Appareil de revetement par pulverisation sous vide |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE2950997A1 DE2950997A1 (de) | 1981-06-25 |
DE2950997C2 true DE2950997C2 (de) | 1986-10-09 |
Family
ID=27176630
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19792950997 Expired DE2950997C2 (de) | 1979-12-18 | 1979-12-18 | Vorrichtung zum Beschichten |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
CH (1) | CH643303A5 (de) |
DE (1) | DE2950997C2 (de) |
FR (1) | FR2472619A1 (de) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4423701A (en) * | 1982-03-29 | 1984-01-03 | Energy Conversion Devices, Inc. | Glow discharge deposition apparatus including a non-horizontally disposed cathode |
Family Cites Families (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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DE1419289A1 (de) * | 1961-01-26 | 1968-12-12 | Siemens Ag | Verfahren zum Herstellen dotierter Halbleiterkoerper |
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-
1979
- 1979-12-18 DE DE19792950997 patent/DE2950997C2/de not_active Expired
- 1979-12-27 FR FR7932152A patent/FR2472619A1/fr active Granted
- 1979-12-27 CH CH1147879A patent/CH643303A5/de not_active IP Right Cessation
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
FR2472619A1 (fr) | 1981-07-03 |
DE2950997A1 (de) | 1981-06-25 |
FR2472619B1 (de) | 1984-11-02 |
CH643303A5 (en) | 1984-05-30 |
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Legal Events
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8110 | Request for examination paragraph 44 | ||
8128 | New person/name/address of the agent |
Representative=s name: LEDERER, F., DIPL.-CHEM. DR., PAT.-ANW., 8000 MUEN |
|
D2 | Grant after examination | ||
8363 | Opposition against the patent | ||
8331 | Complete revocation |