CH643303A5

CH643303A5 - Appliance for coating surfaces by means of cathode sputtering

Info

Publication number: CH643303A5
Application number: CH1147879A
Authority: CH
Inventors: Chikara Hayashi
Original assignee: Ulvac Corp
Priority date: 1979-12-18
Filing date: 1979-12-27
Publication date: 1984-05-30
Also published as: FR2472619B1; FR2472619A1; DE2950997C2; DE2950997A1

Description

Die vorliegende Erfindung betrifft eine Vorrichtung zum Beschichten von Oberflächen mittels Kathodenzerstäubung gemäss dem Oberbegriff des unabhängigen Patentanspruchs 1. The present invention relates to a device for coating surfaces by means of sputtering according to the preamble of independent patent claim 1.

Der grundlegende Aufbau einer solchen Kathodenzerstäubungsanlage ist an sich bekannt. The basic structure of such a cathode sputtering system is known per se.

In bekannten Zerstäubungsanlagen liegen die zu zerstäubende Kathodenschicht und die zu beschichtende Substratoberfläche horizontal und parallel zueinander in einem als geschlossene Kammer ausgebildeten Entladungsraum. Bei einer derartigen Anordnung und wenn die Kathode über dem Substrat angeordnet ist, so dass die Kathodenoberfläche nach unten gerichtet ist und die Oberfläche des Substrates entsprechend nach oben schaut, können Körner von Kathodenmaterial das durch Schlackenbildung, beispielsweise durch die mit der Glimmentladung erzeugten Hitze, auf das Substrat fallen und bei mehreren solchen verbundenen Körnchen ergeben sich Erhöhungen, die zu einer abnormalen Entladung führen, so dass im Überzugsfilm auf dem Substrat Poren und ähnliches entstehen können, was zu einem schlechteren Endprodukt führt. Im Gegensatz dazu, wenn die Kathode unterhalb dem Substrat angeordnet ist, so dass die Kathodenfläche nach oben schaut und die Substratfläche entsprechend nach unten, dann fallen Klümpchen von zerstäubtem und abgelagertem Kathodenmaterial vom Substrat auf die Kathode zurück, und diese Klümpchen führen dann auch zu abnormaler Entladung. In known sputtering systems, the cathode layer to be sputtered and the substrate surface to be coated lie horizontally and parallel to one another in a discharge space designed as a closed chamber. With such an arrangement and when the cathode is arranged over the substrate so that the cathode surface is directed downward and the surface of the substrate looks upwards accordingly, grains of cathode material can be caused by slag formation, for example by the heat generated by the glow discharge the substrate falls, and with several such bonded granules, ridges result which lead to an abnormal discharge, so that pores and the like can form in the coating film on the substrate, which leads to a poorer end product. In contrast, if the cathode is located below the substrate so that the cathode surface looks up and the substrate surface looks down accordingly, lumps of sputtered and deposited cathode material fall back from the substrate onto the cathode, and these lumps then also lead to abnormal ones Discharge.

Wenn bei bekannten Anordnungen Materialien wie metallisches Chrom (Cr), ein Metall und Siliciumoxid (SÌO2), Aluminiumoxid (AI2O3) usw. als zu zerstäubendes Kathoden-schichtmaterial benützt wurden, und wenn die Kathode aus einem Grundkörper z.B. aus Kupfer (Cu) und der genannten Schicht bestand, wurden die Kathode und das Substrat auf der Anode derart angeordnet, dass die Kathodenoberfläche und die Substratoberfläche vertikal und parallel zueinander standen. Nachteilig an dieser Anordnung war, dass die Kathodenschicht möglicherweise durch Hitze brechen und die Schicht in Stücke fallen konnte, so dass das Trägermaterial der Kathode offen da lag, derart, dass keine homogene Schicht von Kathodenmaterial auf dem Substrat erzeugt wurde. If, in known arrangements, materials such as metallic chromium (Cr), a metal and silicon oxide (SÌO2), aluminum oxide (AI2O3) etc. were used as the cathode layer material to be atomized, and if the cathode was made from a base body, e.g. consisted of copper (Cu) and the layer mentioned, the cathode and the substrate were arranged on the anode in such a way that the cathode surface and the substrate surface were vertical and parallel to one another. A disadvantage of this arrangement was that the cathode layer could possibly break due to heat and the layer could fall into pieces, so that the carrier material of the cathode was exposed, such that no homogeneous layer of cathode material was produced on the substrate.

Es ist deshalb eine Aufgabe der Erfindung, eine Vorrichtung zu schaffen, mit der Oberflächen von Substraten beschichtet werden können und die Nachteile der bekannten Anordnungen vermieden sind. It is therefore an object of the invention to provide a device with which surfaces of substrates can be coated and the disadvantages of the known arrangements are avoided.

Erfindungsgemäss wird dies durch die Merkmale im kennzeichnenden Teil des unabhängigen Patentanspruchs 1 erreicht. According to the invention this is achieved by the features in the characterizing part of independent claim 1.

Wenn sich in einer derartigen Anordnung das Kathodenmaterial ablöst und/oder springt, können die Teile nicht nach unten fallen und daher ist die Funktionsweise der Kathode nicht beeinträchtigt. If the cathode material detaches and / or jumps in such an arrangement, the parts cannot fall down and therefore the functioning of the cathode is not impaired.

Um auch zu verhindern, dass die durch Zerstäubung angelagerte Schicht von Kathodenmaterial nicht von der Substratoberfläche fallen können, wird das Substrat vorteilhafterweise derart angeordnet, dass die Oberfläche nach unten schaut und einen spitzen Winkel mit einer horizontalen Ebene einschliesst. In order to also prevent the sputtered layer of cathode material from falling off the substrate surface, the substrate is advantageously arranged such that the surface looks down and includes an acute angle with a horizontal plane.

Vorzugsweise werden wenigstens zwei Substrate V-förmig angeordnet, so dass die Substratoberflächen von beiden Substraten einen spitzen Winkel mit einer horizontalen Ebene einschliessen und nach unten schauen. Eine solche Anordnung bewirkt, dass der für den Betrieb erforderliche Raum verkleinert werden kann, und dadurch der Wirkungsgrad der Anlage vergrössert wird. At least two substrates are preferably arranged in a V-shape, so that the substrate surfaces of both substrates form an acute angle with a horizontal plane and look downward. Such an arrangement has the effect that the space required for operation can be reduced, and the efficiency of the system is thereby increased.

Eine Vorrichtung nach der Erfindung kann auch für die Massenproduktion ausgebaut werden, wenn die Kathode oder mehrere Kathoden fest in einem Entladungsraum angeordnet sind und die Substrate durch ein Fördersystem durch diesen Entladungsraum geführt werden, in der die Kathode oder Kathoden angeordnet ist/sind. In diesem Falle können die Substrate schrittweise bewegt werden. A device according to the invention can also be expanded for mass production if the cathode or a plurality of cathodes are fixedly arranged in a discharge space and the substrates are guided through this discharge space by a conveyor system in which the cathode or cathodes are arranged. In this case, the substrates can be moved step by step.

Gemäss einer besonderen Ausführungsform weist das Fördersystem Schienen auf, und eine Anzahl Anoden werden auf diesen Schienen bewegt, wobei wenigstens ein Substrat entfernbar auf jedem Anodenkörper befestigt ist. Um eine kontinuierliche oder halbkontinuierliche Verarbeitung zu haben, wird das Fördersystem vorzugsweise als geschlossene Bahn angeordnet, welche Bahn eine Beladesteile und auch eine Entladestelle für die Substrate umfassen. According to a particular embodiment, the conveyor system has rails and a number of anodes are moved on these rails, at least one substrate being removably attached to each anode body. In order to have continuous or semi-continuous processing, the conveyor system is preferably arranged as a closed path, which path comprises a loading part and also an unloading point for the substrates.

Ausführungsbeispiele der Erfindung werden nachstehend anhand der Zeichnungen beschrieben. Es zeigen: Embodiments of the invention are described below with reference to the drawings. Show it:

Fig. 1 eine schematische Darstellung eines Ausführungsbeispiels nach der Erfindung, 1 is a schematic representation of an embodiment according to the invention,

2 2nd

5 5

10 10th

15 15

20 20th

25 25th

30 30th

35 35

40 40

45 45

50 50

55 55

60 60

65 65

3 3rd

643303 643303

Fig. 2 eine schematische Darstellung der Hauptbestandteile gemäss einer zweiten Ausführungsform, 2 shows a schematic representation of the main components according to a second embodiment,

Fig. 3a und 3b eine perspektivische Ansicht einer dritten Ausführungsform der Erfindung, wobei jedoch aus Gründen der besseren Übersichtlichkeit die Kathodenflächen und die Substratflächen vertikal gezeichnet sind, obwohl sie mit der Grundfläche einen spitzen Winkel einschliessen, wie in Fig. 4 gezeigt ist, und 3a and 3b is a perspective view of a third embodiment of the invention, but for the sake of clarity, the cathode surfaces and the substrate surfaces are drawn vertically, although they form an acute angle with the base surface, as shown in FIG. 4, and

Fig. 4 eine schematische Darstellung eines Kathodenpaares und eines Anodenkörpers, auf welchem die Substrate einer Anlage nach Fig. 3a und 3b befestigt sind. Fig. 4 is a schematic representation of a pair of cathodes and an anode body, on which the substrates of a system according to Fig. 3a and 3b are attached.

Die Vorrichtung nach Fig. 1 zeigt die den Entladungsraum bildende Kammer 10, die über eine Vakuumleitung 14 mit einer Vakuumpumpe 12 verbunden ist. Zur Einführung von Gas ist eine Gasquelle 16 und eine Leitung 18 vorhanden. In der Kammer 10 befindet sich eine Kathode 20 mit einem Trägerkörper 22 aus elektrisch leitendem Material wie Kupfer. Diese Kathode ist an der Kammerwand mittels Isolatoren befestigt. Die Kathode 20 ist mit einer Schicht des zu zerstäubenden Materials 24 wie Chrom, Metall + SiCh oder Al:03 versehen und elektrisch leitend mit dem Körper 22 verbunden. Eine Anode 26 ist elektrisch leitend mit der Kammerwand verbunden. Ein zu beschichtendes Substrat 28 ist auf der Anode 26 befestigt. The device according to FIG. 1 shows the chamber 10 forming the discharge space, which is connected to a vacuum pump 12 via a vacuum line 14. A gas source 16 and a line 18 are provided for introducing gas. In the chamber 10 there is a cathode 20 with a carrier body 22 made of an electrically conductive material such as copper. This cathode is attached to the chamber wall by means of insulators. The cathode 20 is provided with a layer of the material 24 to be atomized, such as chromium, metal + SiCh or Al: 03, and is connected to the body 22 in an electrically conductive manner. An anode 26 is electrically conductively connected to the chamber wall. A substrate 28 to be coated is attached to the anode 26.

Die Kathode 20, die Anode 26 und das Substrat 28 sind derart angeordnet, dass die Oberfläche 30 der Kathodenschicht 24 um einen Winkel von beispielsweise 60° geneigt ist und nach oben schaut, und eine Substratoberfläche 32 des Substrats 28 liegt parallel zur Kathodenoberfläche 30 und ist nach unten gerichtet. The cathode 20, the anode 26 and the substrate 28 are arranged such that the surface 30 of the cathode layer 24 is inclined by an angle of, for example, 60 ° and looks upwards, and a substrate surface 32 of the substrate 28 lies parallel to the cathode surface 30 and is directed downwards.

Die Kammerwand und damit auch die Anode 26 sind bei 34 geerdet und die Kathode 20 ist elektrisch leitend mit einem Anschluss einer Stromquelle 36 verbunden, von der der andere Anschluss an Erde 38 geführt ist. The chamber wall and thus also the anode 26 are grounded at 34 and the cathode 20 is electrically conductively connected to a connection of a current source 36, from which the other connection is connected to earth 38.

Im Betrieb wird zuerst der Innenraum der Kammer 10 evakuiert bis zu einem Druck von etwa 10~6 mbar durch die Vakuumpumpe 12 und dann wird inertes Gas, z.B. Argon bis zu einem geeigneten Druck von 6.5-1.3 • IO-3 mbar eingefüllt. In operation, the interior of chamber 10 is first evacuated to a pressure of about 10 ~ 6 mbar by vacuum pump 12 and then inert gas, e.g. Argon filled up to a suitable pressure of 6.5-1.3 • IO-3 mbar.

Danach wird eine elektrische Spannung von rund 800 V zwischen die Kathode 20 und die Anode 26 angelegt und entsprechend entsteht eine Glimmentladung dazwischen. Damit wird das Material von der Schicht 24 auf der Kathode zerstäubt und auf der Substratoberfläche 32 abgelagert, um einen Überzugsfilm auf dieser Oberfläche 32 zu bilden. Then an electrical voltage of around 800 V is applied between the cathode 20 and the anode 26 and accordingly a glow discharge is created between them. Thus, the material is sputtered from the layer 24 on the cathode and deposited on the substrate surface 32 to form a coating film on this surface 32.

Beim Beschichten der Oberfläche in einem derartigen Apparat fiel das zerstäubte und auf der Substratoberfläche 32 abgelagerte Material nicht hinunter. Der Betrieb wird mit der gleichen Kathodenschicht 24 solange durchgeführt, bis die Schicht 24 praktisch vollständig verbraucht ist. In diesem Fall bildeten sich Risse in der Kathodenschicht 24 nach ungefähr 24 Stunden. Jedoch fiel die Schicht nicht in Stücke und der Zerstäubungseffekt der Kathode änderte sich nicht. When coating the surface in such an apparatus, the sputtered material deposited on the substrate surface 32 did not fall down. The operation is carried out with the same cathode layer 24 until the layer 24 is practically completely used up. In this case, cracks formed in the cathode layer 24 after about 24 hours. However, the layer did not fall into pieces and the sputtering effect of the cathode did not change.

Die zweite Ausführungsform gemäss Fig. 2 entspricht grundsätzlich derjenigen nach Fig. 1, nur dass hier zwei Kathoden 20 und zwei Substrate 28 V-förmig angeordnet wurden und zudem die Substrate 28 auf einer einzigen V-för-migen Anode 26' angeordnet waren. Die detaillierte Konstruktion und der Betrieb dieser Anordnung ergeben sich aus der Beschreibung der Ausführungsform gemäss Fig. 1, und die Vorteile dieser zweiten Anordnung sind dieselben wie die vorerwähnten. The second embodiment according to FIG. 2 basically corresponds to that according to FIG. 1, only that here two cathodes 20 and two substrates 28 were arranged in a V-shape and the substrates 28 were also arranged on a single V-shaped anode 26 '. The detailed construction and operation of this arrangement will be apparent from the description of the embodiment of Fig. 1, and the advantages of this second arrangement are the same as the aforementioned.

Wie in der Beschreibung zur Fig. 1 erläutert, können die Vorrichtungen nach der Erfindung für einen kontinuierlichen oder halbkontinuierlichen Betrieb ausgebaut werden, ohne dass die Kathode nach jedem Zerstäbungsvorgang erneuert werden müsste. Ein Ausführungsbeispiel für einen solchen Betrieb ist in Fig. 3A und 3B dargestellt, bei dem die As explained in the description of FIG. 1, the devices according to the invention can be expanded for continuous or semi-continuous operation without the cathode having to be replaced after each atomization process. An embodiment for such an operation is shown in Fig. 3A and 3B, in which the

Substratoberflächen und die Seitenflächen der Anoden zur leichteren Darstellung senkrecht gezeichnet sind und in Wirklichkeit aber gemäss Fig. 4 angeordnet sind. Substrate surfaces and the side surfaces of the anodes are drawn vertically for easier illustration and are actually arranged according to FIG. 4.

In diesem Ausführungsbeispiel ist ein Fördersystem 100 zur Förderung von Anoden 102 vorgesehen. Das Fördersystem 100 besteht aus oberen Schienen 104, entlang denen die Anoden 102 von rechts nach links bewegt werden. Untere Schienen 106 dienen für den Transport der Anoden 102 von links nach rechts in einer unteren Lage. Links befindet sich eine Hebevorrichtung 108, mit der die Anoden 102 von den oberen Schienen an ihrem linken Ende entnommen werden und mit dem diese Anoden von der oberen Hochlage in eine untere Lage transportiert werden und dort dann den unten liegenden Schienen 106 übergeben werden. Eine Hebevorrichtung 110 befindet sich rechts und empfängt die Anoden 102 von den unteren Schienen 106 an ihrem rechten Ende in der unteren Lage, hebt diese Anoden von dieser unteren Lage zu den oberen Schienen hoch. Dieses Fördersystem 100 kann somit die Anoden 102 in einem geschlossenen Umlauf transportieren. In this exemplary embodiment, a conveyor system 100 is provided for conveying anodes 102. The conveyor system 100 consists of upper rails 104, along which the anodes 102 are moved from right to left. Lower rails 106 are used to transport the anodes 102 from left to right in a lower position. On the left is a lifting device 108, with which the anodes 102 are removed from the upper rails at their left end and with which these anodes are transported from the upper high position to a lower position and then transferred to the rails 106 located below. A lifter 110 is on the right and receives the anodes 102 from the lower rails 106 at their right end in the lower position, lifts these anodes from this lower position to the upper rails. This conveyor system 100 can thus transport the anodes 102 in a closed circuit.

Jede Anode 102 weist einen rahmenähnlichen Körper 112 mit V-förmigem Querschnitt auf und besitzt zwei Montageöffnungen 114 auf jeder Seite, die mit einer Neigung nach unten gerichtet sind, wie Fig. 4 zeigt. Der Anodenkörper 112 kann an die Schienen 104,106 mittels einer Zahl von Laufwalzen 116 aufgehängt werden, welche Laufwalzen an einem L-förmigen Hängeglied 118 am oberen Schenkel befestigt sind und von welchem Hängeglied der andere Schenkel am Anodenkörper 112 befestigt ist. Each anode 102 has a frame-like body 112 with a V-shaped cross section and has two mounting openings 114 on each side, which are directed with a downward inclination, as shown in FIG. 4. The anode body 112 can be suspended from the rails 104, 106 by means of a number of running rollers 116, which running rollers are attached to an L-shaped hanging member 118 on the upper leg and from which hanging member the other leg is attached to the anode body 112.

Vier Substrate 120 können an einem Anodenkörper 112 montiert werden, genauer gesagt, zwei Substrate 120 können in den beiden Montageöffnungen 114 auf jeder Seite des Anodenkörpers 112 befestigt werden. In dieser Befestigungslage ist eine Substratoberfläche 122 von jedem Substrat geneigt angeordnet und schaut nach unten, derart, dass die vier Substrate in einer V-förmigen Lage angeordnet sind. Four substrates 120 can be mounted on an anode body 112, more specifically, two substrates 120 can be attached in the two mounting openings 114 on each side of the anode body 112. In this mounting position, a substrate surface 122 is inclined from each substrate and looks downward such that the four substrates are arranged in a V-shaped position.

In einer Partie der oberen Schienen 104 befindet sich eine Beladestelle 124, bei der die Anode 102 mit den Substraten 120 beladen werden, und bei einer Entladestation 126 werden die Anoden 102 wieder abgenommen. In a part of the upper rails 104 there is a loading point 124, at which the anode 102 is loaded with the substrates 120, and at an unloading station 126, the anodes 102 are removed again.

Ein Hauptabschnitt im Bereich der unteren Schienenpartie ist als Zerstäubungsstation 128 ausgebildet. An dieser Stelle 128 führt der Durchgang durch ein rohrförmiges Gehäuse 130, das die Behandlungskammer 132 umschliesst, in der das Beschichten der Substrate mittels Zerstäubung durchgeführt wird. Eine Anzahl Kathodeneinheiten 134 befinden sich an den Seitenwänden des rohrförmigen Gehäuses 130. Die Kathodenoberflächen 136 jeder Kathodeneinheit 134 sind geneigt angeordnet und schauen nach oben, wie Fig. 4 zeigt. A main section in the area of the lower rail section is designed as an atomization station 128. At this point 128, the passage leads through a tubular housing 130 which surrounds the treatment chamber 132, in which the coating of the substrates is carried out by means of atomization. A number of cathode units 134 are located on the side walls of the tubular housing 130. The cathode surfaces 136 of each cathode unit 134 are inclined and look upwards, as shown in FIG. 4.

Um eine Atmosphäre von geeignetem Gas mit genügend tiefem Druck in der Behandlungskammer 132 aufrechtzuerhalten, weist das rohrförmige Gehäuse 130 Pumpenanschlüsse 138 auf, an die eine Vakuumpumpe (nicht dargestellt) anschliessbar ist, ferner sind noch Anschlüsse (nicht dargestellt) vorhanden, um aus einer Gasquelle Gas in die Behandlungskammer 132 einzuführen. In Fig. 3 A und 3B deutet die Zahl 142 eine Heizung an, die auf einer Partie des Umlaufes des Fördersystems vor der Behandlungskammer 132 angeordnet ist. Die Zahlen 144 und 146 deuten ein Steuergerät und eine Gleichstromverdampfersteuerung für Kupfer an. Mit 140 sind die Steuerorgane für Ventilklappen bezeichnet, welche die Behandlungskammer für den Ein- und Austritt der Anoden zu öffnen gestatten. Im Betrieb werden die Anoden 102 intermittierend auf dem geschlossenen Umlaufweg durch das Fördersystem 100 bewegt. In der Ladestation 124 werden die Anoden 102 mit Substraten 120 beladen und bei der Entladestation 126 wieder entladen. In der Behandlungskammer 132 wird die Beschichtung mittels In order to maintain an atmosphere of suitable gas at a sufficiently low pressure in the treatment chamber 132, the tubular housing 130 has pump connections 138 to which a vacuum pump (not shown) can be connected, furthermore connections (not shown) are also available for coming from a gas source Introduce gas into the treatment chamber 132. In FIGS. 3A and 3B, the number 142 indicates a heater which is arranged on a part of the circulation of the conveyor system in front of the treatment chamber 132. Numbers 144 and 146 indicate a control unit and a DC evaporator control for copper. The control elements for valve flaps are designated by 140, which allow the treatment chamber to be opened for the entry and exit of the anodes. In operation, the anodes 102 are moved intermittently on the closed circulation path by the conveyor system 100. The anodes 102 are loaded with substrates 120 in the charging station 124 and discharged again at the unloading station 126. The coating is applied in the treatment chamber 132

5 5

10 10th

15 15

20 20th

25 25th

30 30th

35 35

40 40

45 45

50 50

55 55

60 60

65 65

643303 643303

4 4th

Kathodenzerstäubung durchgeführt, wie es schon anlässlich der Beschreibung von Fig. 1 erläutert wurde. Cathode sputtering carried out, as already explained on the occasion of the description of FIG. 1.

Die Vorrichtung gemäss Fig. 3 A, 3B und 4 wurde in der Weise betrieben, dass jede Kathode 134 aus einem Kathodenkörper aus Kupfer und aus einer Kathodenschicht wie Chrom zusammengesetzt ist und eine Abmessung von 12,5 cmx37,5 cm besitzt. Der Abstand zwischen der Kathode 134 und dem Substrat 120 war 60-100 mm. Die Neigung der The device according to FIGS. 3A, 3B and 4 was operated in such a way that each cathode 134 is composed of a cathode body made of copper and a cathode layer such as chrome and has a dimension of 12.5 cm × 37.5 cm. The distance between the cathode 134 and the substrate 120 was 60-100 mm. The inclination of the

Kathodenfläche und Substratfläche betrug etwa 60°. Die Spannung, die zwischen den Elektroden 134 und 102 angelegt wurde, betrug 100 V. Als Gasfüllung in der Behandlungskammer 132 wurde Argon verwendet mit einem Druck von s 6.5-1.3 • IO-3 mbar. In dieser Anordnung arbeitete die Kathode mit der gleichen Schicht 136 in zufriedenstellender Weise während etwa 36 Stunden, bis die Schicht praktisch vollständig aufgebraucht war. The cathode area and substrate area was approximately 60 °. The voltage that was applied between the electrodes 134 and 102 was 100 V. Argon was used as the gas filling in the treatment chamber 132 with a pressure of s 6.5-1.3 • IO-3 mbar. In this arrangement, the cathode worked with the same layer 136 satisfactorily for about 36 hours until the layer was practically completely used up.

B B

2 Blatt Zeichnungen 2 sheets of drawings

Claims

643303

PATENT CLAIMS

1. Device for coating surfaces by means of cathode sputtering, with a chamber (10; 132) which contains an inert gas under vacuum, at least one anode (26; 102) and at least one cathode (20; 134) within the gas atmosphere and means for applying an electrical voltage between the anode and cathode to produce a glow discharge in order to bring atomized material from the surface (30; 136) of the cathode onto the surface (32) of at least one substrate (28; 120) attached to the anode, which surface is arranged to face the surface of the cathode to form a coating film of the sputtered material on the substrate surface, characterized in that the surface of the cathode is upward and an acute angle with the base surface of the Chamber (10; 132) includes.

2. Device according to claim 1, characterized in that a holder for the substrate is arranged on the anode, that the substrate surface to be coated (32) is directed downward and forms an acute angle with the base surface of the chamber.

3. Device according to claim 2, characterized in that in the presence of brackets for two substrates, the brackets are arranged such that the substrate surfaces in a V-shaped arrangement are directed downward and each include an acute angle with the base surface of the chamber.

4. Device according to one of claims 1 to 3, characterized in that the cathode (134) or the cathodes are fixedly mounted and that a conveyor (100) is present to the substrates (120) through the chamber (132) promote in which the cathode or cathodes is housed.

5. The device according to claim 4, characterized in that the conveyor comprises rails (104, 106) to move a number of anodes along the rails and that means are provided on each anode for removably holding at least one substrate.

6. The device according to claim 4 or 5, characterized in that the conveyor is designed such that the substrates are guided in an at least almost closed path, which includes both the treatment chamber (132) and a loading parts (124) for loading Includes substrates and an unloading point (126) for removing the coated substrates.