DE4443785C2 - Gasabscheidegerät - Google Patents
GasabscheidegerätInfo
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Description
Die Erfindung bezieht sich auf ein Gasabscheidegerät und insbesondere
auf ein solches, bei dem ultrafeine Partikel mit einem Inertgas transpor
tiert werden, wobei sie mit hoher Geschwindigkeit aus einer Düse in
Richtung eines Substrats ausgegeben werden, auf das die Düse gerichtet
ist, um einen aus den ultrafeinen Partikeln bestehenden Dickfilm auf dem
Substrat zu bilden oder dort zu kondensieren.
In letzter Zeit wurde ein neues und maskenloses Filmher
stellungsverfahren vorgestellt, bei dem ultrafeine Partikel verwendet wer
den. Dieses Verfahren wird als Gasabscheideverfahren bezeichnet. Es
weist im Vergleich zum konventionellen Verfahren folgende Eigenschaften
auf: 1. es erfolgt eine Trockenverarbeitung; 2. es erfolgt ein Direktschreib
prozeß, der maskenlos durchgeführt wird (z. B. mit 50 µm Breite); 3. der
Prozeß erfolgt bei hoher Abscheiderate (etwa 100 µm/Sekunde); 4. der
Prozeß kann bei relativ niedriger Temperatur durchgeführt werden (bei
etwa 250°C).
Ultrafeine Partikel (UFP) aus organischen oder anorganischen Materialien
lassen sich durch Gasverdampfungsverfahren (Gaskondensationsver
fahren) bilden. Beim Gasabscheideverfahren werden durch das Gasver
dampfungsverfahren in einer Verdampfungskammer gebildete Partikel in
eine andere Kammer (Abscheidekammer) transportiert, und zwar durch
ein Rohr hindurch. Die Partikel werden innerhalb des Rohres durch einen
Gasstrom beschleunigt und treten aus einer Düse aus, die sich in der
Abscheidekammer befindet. Diese Abscheidekammer ist evakuiert bis
herunter zu einem Druck < als 103 Pa. Die aus der Düse ausgegebenen
Partikel werden dann auf einem Substrat abgeschieden, um einen UFP-
Film zu bilden. Die Endgeschwindigkeit der Partikel hängt von der Druck
differenz zwischen der Verdampfungskammer und der Abscheidekammer
ab.
Die Partikelgeschwindigkeit überschreitet den Wert 500 m/Sekunde und
Adhäsionskräfte der Filme erreichen den Wert 20 kgf/mm2 (≈ 2 × 9,80665
× 107 Pa) wie bei elektroplattierten Filmen unter der Bedingung, daß der
Druck in der Verdampfungskammer
bei 2 Atmosphären (≈ 2 × 105 Pa) liegt, und die Temperatur
des Ni-Substrats 200°C beträgt. Muster von Punkten und Linien mit 50 µm
Größe bzw. Breite und auch ausgedehntere Filme können auf einem Substrat
ohne Maskierungssystem hergestellt werden. Die Abscheiderate überschreitet
100 µm/Sekunde bei Verwendung einer Düse mit einem Innendurchmesser
von 600 µm.
Im allgemeinen werden ultrafeine Partikel durch ein Gasverdampfungs
verfahren gebildet. Beim Gasverdampfungsverfahren werden Metallatome
verdampft, und zwar innerhalb eines Inertgases, wie z. B. Helium oder
Argon. Die Metallatome kollidieren dabei mit den Gasatomen, werden
gekühlt und kondensieren zu Partikeln. Die Partikelgröße läßt sich durch
Änderung der Verdampfungstemperatur oder des Gasdruckes einstellen.
Größere Partikel werden dann erhalten, wenn höhere Temperaturen oder
höhere Drucke vorherrschen.
Die durch das Gasverdampfungsverfahren gebildeten Partikel werden
durch ein Rohr hindurch in eine andere Kammer transportiert, während
sie sich in einem aerosolen Zustand befinden. Innerhalb des Rohrs werden
die Partikel beschleunigt und mittels einer engen Düse in Richtung eines
Substrats gesprüht, um auf dem Substrat unter Bildung eines UFP-Films
abgeschieden zu werden. Dieses Verfahren wird als Gasniederschlagsver
fahren bezeichnet. Bezüglich der zu verwendenden Materialien oder der zu
bildenden Formen auf dem Substrat gibt es praktisch keine Beschränkun
gen. Glas. Keramiken, usw. können verwendet werden. Dieses Verfahren
kann auch dazu dienen, elektrisch leitfähige Filme. Widerstandsfilme und
dielektrische Filme für hybride Mikroelektroniken zu bilden, da es mehre
re Vorteile gegenüber konventionellen Verfahren aufweist, beispielsweise
den Vorteil des direkten Schreibens, den Vorteil die Arbeitsgänge bei
niedriger Temperatur auszuführen, und außerdem geeignet ist, gleichför
mig gemischte UFP-Filme aus mehr als zwei Elementen zu bilden.
Ein schematischer Aufbau eines Gasabscheidegerätes nach dem Stand
der Technik ist in Fig. 1 gezeigt. In diesem Zusammenhang sei insbe
sondere auf das Dokument EP 0 187 913 verwiesen. Das Gasabscheide
gerät trägt das Bezugszeichen
100 und enthält hauptsächlich eine UFP-Verdampfungskammer
11, eine Abscheidekammer (Sprühkammer) 18, ein Verbindungsrohr 16
zwischen den Kammern 11 und 18, sowie ein Gaszirkulationssystem. Die
Kammern 11 und 18, mit denen jeweils Druckmesser 6 und 7 verbunden
sind, sind bis herunter auf 10-4 Pa evakuiert. Sodann wird Heliumgas
über ein einstellbares Strömungsventil 3 aus einer Vorratsflasche 2 zuge
führt. Dieses Gas gelangt auch in die Abscheidekammer 18, und zwar nach
Durchströmung des Übertragungsrohres 16. Der Gasdruck in der
Verdampfungskammer 11 wird auf einen Wert von 1 Atmoshäre (≈ 105 Pa)
bis 4 Atmoshären (≈ 4 × 105 Pa) eingestellt, und zwar durch Änderung der
Heliumgas-Zuführgeschwindigkeit und der Gaspumpengeschwindigkeit.
Metallatome werden aus einem Tiegel heraus verdampft, in dem sich z. B.
Au (Gold) befindet. Dieser Tiegel wird durch Widerstandsheizung erhitzt,
wobei durch den Tiegel hindurch ein Wechselstrom (AC) fließt, der von
einer Stromquelle 13 kommt. Verdampfte Atome kollidieren mit den
Gasatomen und werden gekühlt, wobei sie zu Partikeln kondensieren.
Im Falle einer Au-Filmbildung wird die Verdampfungstemperatur so ein
gestellt, daß sie in einem Bereich zwischen 1500°C und 1700°C zu liegen
kommt. Im Falle einer Ag-Filmbildung liegt die Verdampfungstemperatur
etwa im Bereich zwischen 1300°C und 1500°C. Sollen Cu- und Pd-Filme
gebildet werden, so wird eine Verdampfungstemperatur gewählt, die bei
1450°C bzw. 1550°C liegt.
Die gebildeten Partikel werden mit dem Gasstrom durch das Übertra
gungsrohr 16 hindurchtransportiert, wie durch den Pfeil angegeben ist.
Sie werden dann durch die Düse 17 ausgegeben, die sich in der Abscheide
kammer 18 befindet und mit dem Ende des Übertragungsrohres 16 in
Verbindung steht. Nach Ausgabe der Partikel aus der Düse 17 gelangen
diese auf ein Substrat 19, das der Düsenspitze gegenüberliegt und sich in
der Kammer 18 befindet. Die Niederschlagskammer 18 ist evakuiert bis
herunter zu einem Druck < als 103 Pa, und zwar unter Zuhilfenahme eines
Pumpsystems 5, das über ein Vakuumventil 4 mit der Kammer 18 in
Verbindung steht. Das Pumpsystem 5 kann aus einem mechanischen
Pumpverstärker und einer Rotationspumpe bestehen, beispielsweise
einer Drehkolbenpumpe.
Ein Substrathalter 9 kann sich entlang einer X-Richtung in Fig. 1
bewegen, sowie entlang einer Y-Richtung und einer Z-Richtung, die alle in
rechtem Winkel zueinander stehen. Dabei kann die Bewegung durch eine
digital programmierbare Steuerung erfolgen. Die Abtastgeschwindigkeit
des Substrats 19 wird dabei so eingestellt, daß sie zwischen
0,01 mm/Sekunde und 2 mm/Sekunde liegt. Hierbei handelt es sich um
die Relativgeschwindigkeit zwischen feststehender Düse 17 und bewegtem
Substrat 19. Das Substrat liegt dabei fest auf dem Substrathalter 9.
Der durch das Gasabscheideverfahren hergestellte Dickfilm beinhaltet
nur Au, was den Vorteil hat, daß er keinen hochpolymeren Binder zu ent
halten braucht, was im Gegensatz zu anderen Verfahren steht.
Allerdings gibt es bei dem herkömmlichen Gasabscheideverfahren nach
dem Stand der Technik noch einige Probleme. Diese beziehen sich
insbesondere auf die im Film noch auftretenden Zusammenklumpen
von UFP-Partikeln, wodurch sich die Filmeigenschaften verschlechtern.
Insbesondere ergeben sich dadurch auch geringere Adhäsionskräfte
zwischen Film und Substrat. Infolge von Zusammenklumpen kann die
Düse auch häufig verstopfen. Insofern lassen sich gute Filme mit
stabilen Eigenschaften nur während relativ kurzer Zeitspannen erzeugen.
Die Dokumente JP 02-070058 A und JP 05-044019 A zeigen jeweils
Gasabscheidegeräte mit: einer Verdampfungskammer mit Inertgaseinlass
und darin angeordneter Verdampfungsquelle, einer Abscheidekammer
mit darin angeordnetem Substrat, einem zwischen den Kammern ange
ordneten Transportrohr zur Dampfüberführung, welches beidseitig in die
Kammern hereinragt und einen Einlass sowie einen
düsenförmigen Auslass besitzt, der der Verdampfungsquelle bzw. dem Sub
strat gegenüberliegt.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein Gasabscheidegerät der eingangs ge
nannten Art so weiterzubilden, daß sich gute Filme ohne Zusammenklumpen ultra
feiner Partikel mit stabilen Eigenschaften auch über längere Zeitspannen herstel
len lassen.
Die Lösung der gestellten Aufgabe ist im kennzeichnenden Teil des Patentan
spruchs 1 angegeben. Vorteilhafte Ausgestaltungen der Erfindung sind den Un
teransprüchen zu entnehmen.
In Übereinstimmung mit der Erfindung enthält ein Gasabscheidegerät folgende
Einrichtungen:
- A) eine Ultrafeinpartikel-Verdampfungskammer
- B) eine in der Verdampfungskammer angeordnete Verdampfungsquelle;
- C) eine Abscheidekammer;
- D) ein in der Abscheidekammer vorhandenes Substrat;
- E) ein Übertragungsrohr, das die Verdampfungskammer mit der Ab scheidekammer verbindet, wobei ein Einlaß des Übertragungsrohrs direkt der Verdampfungsquelle innerhalb der Verdampfungskammer gegenüberliegt, und wobei ferner ein Auslaß des Übertragungsrohrs innerhalb der Abscheidekam mer zu liegen kommt;
- F) eine Düse, die mit dem Auslaß des Übertragungsrohrs verbunden ist, und die auf das in der Abscheidekammer vorhandene Substrat gerichtet ist und
- G) ein Einlaß zur Einleitung eines Inertgases in die Ultrafeinpartikel-
Verdampfungskammer, wobei
Heizeinrichtungen vorgesehen sind, um entweder nur das Übertragungs rohr oder das Übertragungsrohr und die Düse zu erwärmen, und
die Abscheidekammer, das Übertragungsrohr und die Verdampfungs kammer in dieser Reihenfolge von oben nach unten entlang einer im wesentli chen vertikal verlaufenden Linie übereinanderliegend angeordnet sind.
Wird die Verdampfungsquelle innerhalb der Verdampfungskammer erwärmt, so
gibt die Verdampfungsquelle ultrafeine Partikel durch Verdampfung ab. Diese ul
trafeinen Partikel werden zusammen mit dem Inertgas durch das Übertragungs
rohr und dann durch die Düse hindurchtransportiert und treffen in der Abscheide
kammer auf das Substrat auf, um auf dem Substrat einen Film zu bilden bzw. zu
kondensieren.
Die Erfindung wird nachfolgend unter Bezugnahme auf die Zeichnungen näher be
schrieben. Es zeigen:
Fig. 1 eine schematische Darstellung eines Gasabscheidegerätes
nach dem Stand der Technik,
Fig. 2 eine schematische Darstellung eines Gasabscheidegerätes
nach einem ersten Ausführungsbeispiel der Erfindung,
Fig. 3 eine schematische Darstellung eins Gasabscheidegerätes
nach einem zweiten Ausführungsbeispiel der Erfindung.
Fig. 4 einen vergrößerten Querschnitt einer Düse, die bei den
obigen Ausführungsbeispielen nach der Erfindung ver
wendet wird.
Fig. 5 eine Modifikation einer elektrischen Schaltung zur
Erhitzung des Übertragungsrohrs beim Gasabscheide
gerät nach der Erfindung.
Fig. 6 eine schematische Darstellung eines tauchsiederartig
ausgebildeten Heizers, bei dem ein Heizdraht um die Düse
herumgewickelt ist.
Fig. 7 eine schematische Darstellung einer ein Vakuum er
zeugenden Verbindung, wobei das Übertragungsrohr und
ein Inhalationsrohr mit einer Verdampfungskammer für
ultrafeine Partikel verbunden sind, und wobei ein Metall
faltenbalg zum Einsatz kommt, und
Fig. 8 eine Rasterelektronenmikroskopaufnahme (SEM-Auf
nahme) eines Au-Films auf einem Substrat, der mit dem
Gerät nach dem ersten Ausführungsbeispiel hergestellt
wurde.
Im nachfolgenden wird ein Gasabscheidegerät nach einem ersten Ausfüh
rungsbeispiel der Erfindung unter Bezugnahme auf die Zeichnung näher
beschrieben.
Die Fig. 2 zeigt ein solches Gasabscheidegerät 1 nach dem ersten Ausfüh
rungsbeispiel. Dieses Gerät enthält eine Verdampfungskammer 21 zur
Bildung ultrafeiner Partikel, ein Übertragungsrohr 31 sowie eine Abschei
dekammer 41, die mit der Verdampfungskammer 21 über das Übertra
gungsrohr 31 in Verbindung steht. Dabei liegt die Abscheidekammer 41
vertikal oberhalb der Verdampfungskammer 21, wobei sich auch das
Übertragungsrohr 31 in Vertikalrichtung erstreckt.
Innerhalb der Verdampfungskammer 21 für ultrafeine Partikel befindet
sich ein Kohlenstofftiegel 22, dessen Innendurchmesser bei 5,0 mm liegt.
Zu verdampfendes Material ist Au und befindet sich innerhalb des Kohlen
stofftiegels 22. Eine Elektrowicklung 23 zur induktiven Erhitzung des
Kohlenstofftiegels 22 ist um diesen herumgewickelt. Die Wicklung 23 ist
mit einer Hochfrequenz(Radiofrequenz)-Leistungsquelle 24 verbunden,
die sich außerhalb der Verdampfungskammer 21 befindet. Verbindungs
kabel sind durch eine Seitenwand der Verdampfungskammer 21 hin
durchgeführt. Der Grund, warum der als Verdampfungsquelle dienende
Kohlenstofftiegel 22, in dem sich Au befindet, durch Induktionserhitzung
und nicht durch Widerstandserhitzung erwärmt wird, wird nachfolgend
beschrieben. Beispielsweise sei ein Wolframtiegel erwähnt, der durch
Widerstandserhitzung erwärmt wird. Dabei wird nur der Tiegel durch
Joulsche Wärme erhitzt. Das Verdampfungsmaterial Au schmilzt somit in
folge der Übertragung der Wärme durch den Tiegel hindurch. Dabei wird
das geschmolzene Metall (Au) im Tiegel verwirbelt. Allerdings ist die Wär
meübertragung nicht gleichförmig, so daß sich in weiten Bereichen Körner
aus ultrafeinen Partikeln bilden. Manchmal kollidiert auch Au-Material.
Wird dagegen Au im Kohlenstofftiegel 22 durch Induktionserhitzung er
wärmt, treten Wirbelströme im geschmolzenen Metall Au auf und Wirbel
stromverluste erhitzen dieses Material. Dabei wird es gleichmäßig
erwärmt im Gegensatz zur Widerstandsheizung. Körner von ultrafeinen
Partikeln bilden sich daher praktisch nicht mehr aus.
Nachfolgend wird der weitere Aufbau der erfindungsgemäßen Einrichtung
näher beschrieben. Helium(He)-Gas strömt in die Ultrafeinpartikel-Ver
dampfungskammer 21 durch einen Einlaß 25 ein, das vom Maschen-
bzw. Netzfiltertyp (im Folgenden als Maschinenfiltertyp bezeichnet) ist.
Auf diese Weise wird dafür gesorgt, daß ein vorbestimmter Druck inner
halb der Ultrafeinpartikel-Verdampfungskammer 21 aufrechterhalten
bleibt. Dieses Heliumgas dient zum Transport der erzeugten ultrafeinen
Partikel. Der Einlaß 25 vom Maschenfiltertyp ist so ausgebildet, daß der
Filter und das Aperturverhältnis verändert werden können. Zugeführt
wird das Heliumgas aus einer Vorratsflasche 2 durch ein einstellbares
Durchflußventil 3, um zum Einlaß 25 zu gelangen. Das Gas strömt durch
den Einlaß 25 zum Maschenfiltertyp hindurch in die Ultrafeinpartikel-
Verdampfungskammer 21, wobei das Gas auch den Tiegel 22 umströmt.
Dabei ist die Gasströmungsgeschwindigkeit geeignet eingestellt, bei
spielsweise durch Ausbildung des Einlasses 25 vom Maschenfiltertyp.
Ein Druckmeßgerät 6 ist außerdem mit der Ultrafeinpartikel-Verdamp
fungskammer 21 verbunden.
Gemäß dem Ausführungsbeispiel nach Fig. 2 strömt das Heliumgas nach
Durchtritt durch den Einlaß von unten gegen den Kohlenstofftie
gel 25 und gleichmäßig seitlich an diesem vorbei und umströmt dabei auch
die Wicklung 23.
Das Übertragungsrohr 31 ist gerade ausgebildet und verläuft in Vertikal
richtung. Der Innendurchmesser des Übertragungsrohres 31 liegt im Aus
führungsbeispiel bei 4,3 mm. Das untere Ende des Übertragungsrohres 31
ist in die Ultrafeinpartikel-Verdampfungskammer 21 eingesetzt und endet
im Abstand oberhalb des Kohlenstofftiegels 22. Ein Einlaß 31a des
Übertragungsrohres 31 weist somit auf den Kohlenstofftiegel 22 zu. Der
Abstand zwischen der Öffnung des Kohlenstofftiegels 22 und dem Einlaß
31a des Übertragungsrohres 31 beträgt 30 mm. Der obere Teil des
Übertragungsrohres 31 ist in die Niederschlagskammer 41 bzw. Abschei
dekammer eingesetzt. Eine Düse 32 gibt ultrafeine Partikel aus und ist mit
einem Auslaß 31b des Übertragungsrohres 31 verbunden. Dabei er
streckt sich die Düse 32 ebenfalls in Vertikalrichtung bzw. Längsrichtung
des Übertragungsrohres 31.
Die Düse 32 weist eine Kehle bzw. einen schmalen Düsenkanal 33 auf,
dessen Innendurchmesser bei 0,6 mm liegt. Wie die Fig. 4 erkennen läßt,
die einen Querschnitt entlang der Zentrumslinie 32 zeigt, befindet sich
eine Übergangsöffnung 32b zwischen dem Verbindungsteil (Auslaß)
31b, wo das Transferrohr 31 mit der Düse 32 verbunden Ist, und einem
Einlaß 33a des kehlenartig ausgebildeten Düsenkanals 33, wobei diese
Übergangsöffnung 33b bzw. der Übergangskanal trochoidförmig ausgebil
det ist. Es gibt mit anderen Worten keine Stufe im Verbindungsbereich
zwischen der Übergangsöffnung 33b der Düse 32 und der Öffnung des
Übertragungsrohres 31.
Das Übertragungsrohr 31 (Transferrohr) ist geradlinig und weist keine
Krümmungen auf. Demzufolge treten auch keine Turbulenzen auf, wenn
die ultrafeinen Partikel durch das Übertragungsrohr 31 hindurch
strömen.
Weiterhin werden das Übertragungsrohr 31 und die Düse 32 erhitzt, wie
nachfolgend beschrieben. Gemäß Fig. 2 ist eine Gleichstromquelle 55 (DC-
Quelle) mit dem unteren Bodenteil und dem oberen Spitzenteil des Über
tragungsrohres 31 verbunden. Das Übertragungsrohr 31 ist ein Wider
standskörper und wird demzufolge bei Stromfluß erwärmt. Die Fig. 5 zeigt
eine weitere Möglichkeit einer elektrischen Verbindung. Das untere Ende
des Übertragungsrohres 31 ist mit einer Elektrode der Gleichstromquelle
55 verbünden. Dagegen ist die Abscheidekammer 41 geerdet. Ein Wider
stand R ist parallel zum Übertragungsrohr 31 geschaltet. Der Widerstand
R ist genauer gesagt mit einem freiliegenden Teil des Übertragungsrohres
31 verbunden, und zwar an der Seite bzw. in der Nähe der Ultrafeinparti
kel-Verdampungskammer 21, während das andere Ende des Widerstan
des R mit der Abscheidekammer 21, verbunden ist, beispielsweise in ihrem
Bodenbereich. Das Übertragungsrohr 31 läßt sich mit einem Temperatur
gradienten entlang der Achse des Übertragungsrohrs 31 erwärmen.
Weiterhin kann gemäß Fig. 6 ein tauchsiederartig ausgebildeter Heizer 56
verwendet werden, der um die Düse 32 herumgewickelt ist. Mit anderen
Worten ist hier ein Heizdraht um die Düse 32 herumgewickelt. Dieser Heiz
draht 56 ist mit einer anderen Stromquelle 57 verbunden, die eine Wech
selstromquelle (AC-Quelle) ist.
Entsprechend der Fig. 2 liegt ein Inhalations- oder Evakuierungsrohr 34
konzentrisch außen um das Übertragungsrohr 31 herum. Dieses
Evakuierungsrohr 34 befindet sich oberhalb des Einlasses 31a des Über
tragungsrohres 31 und ragt ebenfalls in die Ultrafeinpartikel-Ver
dampfungskammer 21 hinein. Auf diese Weise wird ein ringförmiger Raum
zwischen dem Übertragungsrohr 31 und dem Evakuierungsrohr 34 erhal
ten. Dabei liegt das untere Ende des Evakuierungsrohres 34 etwas höher
als das untere Ende des Übertragungsrohres 31. Das Evakuierungsrohr
34 ist so angeordnet, daß es ultrafeine Partikel absaugt, die um den in der
Ultrafeinpartikel-Verdampfungskammer 21 vorhandenen Kohlenstofftie
gel 22 herumdriften. Dieses Evakuierungrohr 34 ist an seinem vom Tiegel
22 wegweisenden Ende gegenüber dem Übertragungsrohr 31 nach außen
abgebogen, und zwar in einem Bereich außerhalb der Ultrafeinpartikel-
Verdampfungskammer 21. Dieses abgebogene Ende des Evakuierungs
rohres 34 ist mit einer Vakuumpumpe 36 über ein Vakuumventil 35
verbunden.
Ein Vakuumverbindungsbereich, über den ein aus dem Übertragungsrohr
31 und dem Evakuierungsrohr 34 bestehendes Doppelrohr in die Ultra
feinpartikel-Verdampfungskammer 21 eingesetzt ist, besteht aus einem
metallischen Faltenbalg 37, wie die Fig. 7 erkennen läßt. Ein Flansch 38a
ist fest an einem Ende des metallischen Faltenbalgs 37 angeordnet und
befindet sich oberhalb einer Öffnung 27 in der oberen Wand der Ultrafein
partikel-Verdampfungskammer 21. Genauer gesagt umgibt der Flansch
38a diese Öffnung 27. Ein anderer Flansch 38b ist fest am anderen Ende
des metallischen Faltenbalgs 37 angeordnet. Weiterhin ist ein Flansch 39
am Evakuierungsrohr 34 befestigt und umgibt dieses Evakuierungsrohr
dichtend. Dabei sind die Flansche 38b und 39 dichtend miteinander ver
bunden, während der Flansch 38a dichtend mit der oberen Wand des
Gehäuses 21 verbunden ist. Die Verbindung der jeweiligen Flansche kann
z. B. über Schrauben erfolgen, wobei zwischen den Flanschen 38b und 39
einerseits sowie zwischen dem Flansch 31a und der Wand des Gehäuses 21
Dichtungsringe liegen können. Auf diese Weise ist es möglich, das aus dem
Transferrohr 31 und dem Evakuierungsrohr 34 bestehende Doppelrohr et
was zu neigen, um die Position des Einlasses 31a des Übertragungsroh
res 31 relativ zum Kohlenstofftiegel 21 einstellen bzw. auf diesen ausrich
ten zu können.
Wie die Fig. 2 außerdem zeigt, befindet sich ein Ni/Ti/Si-Waferstubstrat
innerhalb der Abscheidekammer 41, wobei die Elementreihenfolge den
Rang des Pegels bzw. der Höhe angibt. Dieses Wafersubstrat 42 liegt unter
rechtem Winkel zur Düse 32. Der Abstand zwischen der Düse 32 und dem
Wafersubstrat 42 beträgt 2 mm. Die Ni-Oberfläche des Wafersubstrats 42
liegt der Düse 32 am nächsten, ist also diejenige Fläche, die der Düse 32
direkt zugewandt ist. Das Wafersubstrat 42 wird vom Aufnahmetisch 9 ge
tragen, also vom Substratträger, der in X-Richtung, Y-Richtung und Z-
Richtung bewegbar ist, also in drei senkrecht zueinander stehenden Rich
tungen, wie durch den Pfeil angegeben ist. Darüber hinaus kann auch der
Substratträger 9 über einen nicht dargestellten Heizmechanismus
erwärmt werden, um das Substrat 42 zu erwärmen. Die Abscheidekammer
41 ist mit einer Vakuumpumpe 5 verbunden, und zwar über ein Vakuum
ventil 4. Ferner ist ein Vakuummeßgerät mit der Abscheidekammer 41 ver
bunden.
Nachfolgend wird der Betrieb des in Fig. 2 gezeigten Gerätes näher erläu
tert.
Zunächst wird beim Gerät nach Fig. 2 das Vakuumventil geöffnet, und die
Abscheidekammer 41 wird mittels der Vakuumpumpe 5 evakuiert. Zur
selben Zeit wird das Vakuumventil 35 geöffnet, und es wird die Ultrafein
partikel-Verdampungskammer 21 mittels der Vakuumpumpe 36 eva
kuiert, und zwar über das Evakuierungsrohr 34 und das Vakuumventil 35.
Sodann wird das einstellbare Strömungsventil 3 geöffnet und es strömt
Heliumgas in die Ultrafeinpartikel-Verdampungskammer 21 über den ma
schenfilterartig ausgebildeten Einlaß 25 hinein, wobei ein Druck von 2
Atmosphären aufrechterhalten bleibt. Das Öffnungsverhältnis des
Maschenfilters ist gleich 50%, während die Fläche des Maschenfilters
gleich 85 cm2 beträgt. Auf diese Weise ergibt sich eine Flußrate des
Heliumgases von 40 SLM (Liter im Normalzustand pro Minute) im Bereich
des maschenfilterartig ausgebildeten Einlasses 25, wobei sich eine
Gasströmungsgeschwindigkeit in der Nähe der Verdampfungsquelle 22
einstellt, die bei etwa 0,2 m/Sekunde liegt.
Etwa 10 SLM der 40 SLM des Heliumgases, das in die Kammer 21 gelangt,
werden durch das Übertragungsrohr 31 hindurchgeführt und über die
Düse 32 ausgegeben. Dagegen werden etwa 30 SLM der 40 SLM vom
Evakuierungsrohr 34 abgesaugt und nach außen abgegeben. Der Grund,
warum die Menge des über das Evakuierungsrohr 34 abgesaugten Helium
gases größer ist als die Menge des durch das Übertragungsrohr 31 hin
durchströmenden Heliumgases wird nachfolgend beschrieben: Werden
die ultrafeinen Partikel im stationären Zustand gebildet, so werden einige
von ihnen nicht vom Übertragungsrohr 31 abgesaugt und driften um den
Tiegel 22 herum, der sich in der Ultrafeinpartikel-Verdampungskammer
21 befindet. Einige von ihnen werden sich während des Driftens zusam
menlagern und Klumpen innerhalb der Ultrafeinpartikel-Ver
dampfungskammer 21 bilden. Werden diese vom Übertragungsrohr 31
abgesaugt, so kann dies zu schädlichen Einflüssen bei der Filmbildung auf
dem Substrat 42 führen. Es ist daher erforderlich, diese Klumpen
bzw. Ansammlungen von ultrafeinen Partikeln so schnell wie möglich zu
beseitigen bzw. abzusaugen.
Unter den gegebenen Bedingungen zeigt das Vakuummeßgerät 7 einen
Druck von 0,3 Torr (≈ 40 Pa) in der Abscheidekammer 41 an, wobei der
Differenzdruck von etwa 2 Atmosphären (≈ 2 × 105 Pa) zwischen der
Ultrafeinpartikel-Verdampfungskammer 21 und der Abscheidekammer
41 aufrechterhalten bleibt.
Elektrische Leistung wird darüber hinaus dem tauchsiederartig ausgebil
deten Heizer 50 zugeführt, der um die Düse 32 herumgewickelt ist. Das
Übertragungsrohr 31, mit dem die Düse 32 verbunden ist, wird ebenfalls
erwärmt. Die Temperatur in der Nähe des Einlasses 21a des Übertra
gungsrohres 31 liegt bei etwa 300°C, während sie bei etwa 500°C im
Bereich der Düse 32 liegt. Insofern wird ein Temperaturgradient im Über
tragungsrohr 31 und der Düse 32 erhalten. Die Temperatur wird in der
oben angegebenen Weise gesteuert. Ferner wird das Substrat 42 auf eine
Temperatur von etwa 200°C erwärmt.
Als nächstes wird der Kohlenstofftiegel 22, in dem sich 5 g Au befinden
induktiv erwärmt, und zwar auf eine Temperatur von etwa 1500°C durch
Hochfrequenzerhitzung bei etwa 150 kHz. Das Material Au schmilzt dabei
und dampft aus dem Kohlenstofftiegel 22 bzw. Graphittiegel 22 heraus.
Die ihn umgebende Atmosphäre besteht aus Heliumgas, das unter einem
Druck von 2 Atmosphären steht. Daher bilden sich bei der Verdampfung
von Au ultrafeine Partikel. Die erzeugten ultrafeinen Partikel strömen auf
wärts aus der Öffnung des Graphittiegels 22 heraus. Sie werden dann in
Richtung des Einlaßtores 31a des Übertragungsrohres 31 abgesaugt, und
zwar infolge der Druckdifferenz von 2 Atmosphären. Da die Gas
strömungsgeschwindigkeit des Heliumgases um die Verdampfungsquelle
22 herum (Tiegel mit Au-Material) bei etwa 0,2 m/Sekunde liegt, wird der
Verdampfungsstrom der ultrafeinen Partikel nicht gestört. Sie werden
daher nach wie vor stetig in den Einlaß 31a des Übertragungsrohres 31
hineingesaugt.
Zu dieser Zeit wird der Betrieb des Übertragungsrohres 31 optimiert,
welches aufgrund des metallischen Faltenbalgs 37 relativ zur Ver
dampfungskammer 21 geneigt werden kann. Dabei wird die Position des
Einlasses 31a des Übertragungsrohres 31 relativ zum Graphittiegel 22
eingestellt, derart, daß die transportierte Menge an ultrafeinen Partikeln
durch das Übertragungsrohr maximal wird. Gleichzeitig soll dabei die
Menge an ultrafeinen Partikeln, die nicht in das Übertragungsrohr 31
hineingesaugt werden, so eingestellt werden, daß sie minimal wird. Der
Grund, warum die Relativpositionen von Einlaß 31a und Graphittiegel
22 eingestellt werden müssen, liegt daran, daß die Menge der durch das
Übertragungsrohr 31 hindurchtransportierten Teilchen von der Art des
Inertgases abhängt, von der Menge des eingeleiteten Gases sowie vom
Differenzdruck zwischen der Ultrafeinpartikel-Verdampfungskammer 21
und der Abscheidekammer 41. Tatsächlich wird die durch das Übertra
gungsrohr 31 hindurchtransportierte Menge an ultrafeinen Partikeln
durch die Abscheidegeschwindigkeit (µm/Sekunde) gemessen, während
das Substrat 42 fest in der Abscheidekammer 41 liegt.
Ultrafeine Partikel aus Au werden in das Übertragungsrohr 31 hineinge
saugt und durch dieses Rohr 31 hindurchtransportiert, und zwar zusam
men mit dem Heliumgas. Dabei wird das Rohr 31 selbst erwärmt, wie be
reits beschrieben. Die Partikel werden dann in Richtung der Oberfläche
des Substrats 32 über die ebenfalls geheizte Düse 32 ausgegeben, wobei
auch das Substrat erhitzt wird, und zwar auf eine Temperatur von 200°C.
Die Ausgabe der Partikel aus der Düse 32 erfolgt daher bei relativ hoher
Geschwindigkeit.
Unter den obenbeschriebenen Bedingungen, wird der Substrattisch 9 und
mit ihm das Substrat 42 in gewünschte Richtungen X bzw. Y bewegt. Diese
Richtungen stehen senkrecht zueinander und senkrecht zur Längsrich
tung des Rohres 31. Auch eine Bewegung in Längsrichtung 31 ist möglich,
also in Z-Richtung, falls gewünscht. Während dieser Bewegungen treffen
die ultrafeinen Partikel aus Au auf die Substratoberfläche 42 auf. Dabei
wird ein stabiler Film aus den genannten Partikeln gebildet, und zwar mit
einer vorbestimmten Rate von 60 µm/Sekunde und z. B. über 10 Stunden.
Die Korngröße im Film liegt unterhalb von 0,1 µm Durchmesser und es
treten keine Klumpen im Film auf. Ein derart guter Film aus Au wird
auf der Ni-Oberfläche des Wafermaterials 42 gebildet, das aus dem
Schichtsystem Ni/Ti/Si besteht. Die Fig. 8 zeigt eine photographische
Aufnahme des Au-Films, aufgenommen durch ein Rasterelektronen
mikroskop. Wie zu erkennen, sind keine Klumpen vorhanden.
Um die Adhäsionskraft zwischen dem Au-Film und der Ni-Oberfläche zu
messen, wird das Substrat 42 fixiert, und es werden Säulen von Klumpen
der ultrafeinen Partikel auf dem Substrat 42 gebildet. Sodann wird
eine horizontal gerichtete Kraft an den Film angelegt, wobei die Scherkraft
gemessen und daraus die Adhäsionskraft bzw. Adhäsionsstärke hergelei
tet wird. Die Scherkraft liegt bei etwa 20 kgf/mm2 (≈ 2 × 9,80665 × 107 Pa).
Allerdings wurde bei der Messung der Au-Film bereichsweise zerstört. Die
gemessene Scherkraft ist größer als die Kraft von 10 kgf/mm2 (≈ 1 ×
9,80665 × 107 Pa), die bei Verwendung des Gasabscheidegeräts nach dem
Stand der Technik erhalten wird.
Als nächstes wird nur das Übertragungsrohr 31 erwärmt, ohne daß auch
noch die Düse 32 erwärmt wird, um einen dicken Film aus Au auf dem
Substrat 42 zu bilden. Es wurde bei einer kontinuierlichen Bearbeitungs
dauer von 3 Stunden ein Film ohne Klumpen erhalten, und zwar unter
der Bedingung, daß die Abscheiderate unterhalb von 1 µm/Sekunde liegt.
Ist die Abscheiderate größer als 1 µm/Sekunde, so bilden sich Klumpen
im Film nach etwa 30 Minuten.
Werden dagegen sowohl das Übertragungsrohr 31 und die Düse 32 nicht
erwärmt, werden Klumpen von Partikeln im Film schon innerhalb
von 15 Minuten erhalten, und zwar auch dann, wenn die Abscheiderate bei
etwa 0,5 µm/Sekunde liegt.
Der Grund für die obigen Ergebnisse liegt in folgendem: Es wird angenom
men, daß das Übertragungsrohr 31 und die Düse 32 erwärmt werden. Das
als Trägergas dienende Heliumgas wird dann auch erwärmt, und zwar in
der Nähe der Innenwand von Übertragungsrohr 31 und Düse 32, so daß der
Innenraum staubfrei wird. Die Anlagerung von ultrafeinen Partikeln an
der Innenseite des Übertragungsrohres 31 und der Düse 32 wird auf diese
Weise unterdrückt, so daß Klumpen gar nicht erst entstehen.
Darüber hinaus können dann auch keine Klumpen von Partikeln von
der Innenwandoberfläche gestreut werden. Es läßt sich somit ein Au-Film
ohne Klumpen über eine recht lange Zeit stabil herstellen.
Andererseits ist der Innenkanal der Düse 32 trochoidförmig an der Einlaß
seite ausgebildet, so daß im Verbindungsbereich zwischen der Düse 32
und dem Übertragungsrohr 31 keine Stufe am Innenwandbereich vorhan
den ist. Auch das Übertragungsrohr 31 verläuft geradlinig und genau
senkrecht und weist keine Abbiegungen auf. Mit anderen Worten ist dieses
Gasabscheidegerät so ausgestaltet, daß in ihm keine Turbulenzen inner
halb des Gasstromes auftreten, in welchem sich die ultrafeinen Partikel
befinden. Dadurch wird eine Anlagerung von Partikeln an den Innenwän
den von Übertragungsrohr 31 und Düse 32 noch weiter verhindert.
Im nachfolgenden werden weitere Maßnahmen bezüglich diese Punktes
näher beschrieben. Wie bereits erwähnt, wird ein Graphittiegel 22 verwen
det und durch Hochfrequenz-Induktionsheizung erwärmt. Andererseits
läßt sich die relative Position des Einlasses 31a des Übertragungs
rohres 31 bezüglich des Graphittiegels 22 einstellen. Hierdurch wird es
möglich, daß die ultrafeinen Partikel, die in der Ultrafeinpartikel-Ver
dampfungskammer 21 herumdriften sofort durch das Evakuierungsrohr
34 hindurch abgesaugt werden können.
Als nächstes wird unter Bezugnahme auf die Fig. 3 ein Gasabscheidegerät
nach einem zweiten Ausführungsbeispiel der Erfindung näher beschrie
ben. Es trägt das Bezugszeichen 1'. Gleiche Teile wie die in Fig. 2 sind
dabei mit den gleichen Bezugszeichen versehen und werden nicht noch
mals erläutert.
Das Gasabscheidegerät 1' nach dem zweiten Ausführungsbeispiel unter
scheidet sich vom Gasabscheidegerät 1 nach dem ersten Ausführungsbei
spiel dadurch, daß jetzt das Übertragungsrohr 31 vollständig in einem
metallischen Faltenbalg 51 zu liegen kommt. Mit anderen Worten ist jetzt
ein Vakuumverbindungsteil des Übertragungsrohres 31 nur am Wand
bereich der Abscheidekammer 41 vorhanden. In der oberen Wand der
Ultrafeinpartikel-Verdampfungskammer 21 befindet sich ein Öffnungsbe
reich 52, durch den hindurch das untere Ende des Übertragungsrohres 31
ins Innere der Ultrafeinpartikel-Verdampfungskammer 21 hineinragt. Der
metallische Faltenbalg 51 ist an einem Vorsprung 21a der Kammer 21 an
seinem unteren Ende fixiert. Somit sind die Atmosphäre und die Tempera
tur im Inneren des metallischen Faltenbalgs 51 dieselben wie in der Ultra
feinpartikel-Verdampfungskammer 21. Das Übertragungsrohr 31 hat kei
nen unmittelbaren Kontakt mit der äußeren Atmosphäre. Es ist daher ein
fach, das Übertragungsrohr 31 zu erwärmen. Darüber hinaus befindet
sich der Vakuumverbindungsbereich des Übertagungsrohres 31, welches
erwärmt wird, nur am Bodenbereich der Abscheidekammer 41. Das Eva
kuierungsrohr 34 ist mit dem Vorsprung 21a der Kammer 21 verbunden
und geht seitlich durch eine Öffnung im Vorsprung 21a von diesem ab in
Richtung zum Ventil 35.
Der aus Au bestehende Dickfilm auf dem Substrat 42 wird im Gasabschei
degerät nach dem zweiten Ausführungsbeispiel unter denselben Bedin
gungen wie im Gasabscheidegerät nach dem ersten Ausführungsbeispiel
gebildet. Auch beim Gerät nach dem zweiten Ausführungsbeispiel bilden
sich keine Klumpen von Partikeln innerhalb des Au-Films, auch
wenn dieses Gerät kontinuierlich über 10 Stunden in Betrieb ist. Ebenso
liegen auch hier die Scherkräfte beim erhaltenen Film etwa bei 20 kgf/mm2
(≈ 2 × 9,80665 × 107 Pa).
Im vorstehenden wurden bevorzugte Ausführungsbeispiele näher be
schrieben, worauf die Erfindung jedoch nicht beschränkt ist.
Wie erwähnt, wird beim Heizen Joulsche Wärme zum Übertragungsrohr 31
dadurch übertragen, daß eine Gleichspannung an das Übertragungsrohr
31 angelegt wird, das als Heizwiderstand dient. Statt dessen kann das
Übertragungsrohr 31 auch in anderer Weise erwärmt werden. Hierzu kann
z. B. ein Heizdraht um das Übertragungsrohr 31 herumgewickelt und mit
einer Spannung beaufschlagt werden.
Ferner war es nach den obigen Ausführungsbeispielen möglich, das Über
tragungsrohr 31 zu neigen, um die Lage des Einlasses 31 des Übertra
gungsrohres 31 relativ zum Graphittiegel 22 einzustellen. Statt dessen
kann aber auch der Graphittiegel 22, um den die Spule 23 herumgewickelt
ist, relativ zum festen Übertragungsrohr bewegt werden, um die Relativ
position zwischen Einlaß 31a und dem Graphittiegel 22 einzustellen.
Wie ferner bereits erwähnt, verläuft bei den obigen Ausführungsbeispielen
das Übertragungsrohr geradlinig. Es kann aber auch leicht gebogen sein,
allerdings nur soweit, daß der Strom des Heliumgases, der die ultrafeinen
Partikel enthält, nicht gestört wird.
Andererseits wurde bei den obigen Ausführungsbeispielen Au als Material
zur Bildung der ultrafeinen Partikel verwendet. Selbstverständlich kön
nen zu diesem Zweck auch andere Metalle zum Einsatz kommen, beispiels
weise Ag (Silber), Cu (Kupfer), usw. Hier werden dieselben Effekte hin
sichtlich der Schichtbildung beobachtet.
Schließlich muß nicht unbedingt Heliumgas als Inertgas bzw. Trägergas
zum Einsatz kommen. Auch andere Gase können verwendet werden, um
die ultrafeinen Partikel zu transportieren, beispielsweise Ne (Neon), Ar
(Argon), und dergleichen.
Claims (7)
1. Gasabscheidegerät, mit:
- A) einer Ultrafeinpartikel-Verdampfungskammer (21);
- B) einer in der Verdampfungskammer (21) angeordneten Verdampfungs quelle (22);
- C) einer Abscheidekammer (41);
- D) einem in der Abscheidekammer (41) angeordneten Substrat (42);
- E) einem Übertragungsrohr (31), das die Verdampfungskammer (21) mit der Abscheidekammer (41) verbindet, wobei ein Einlaß (31a) des Übertragungs rohrs (31) direkt der Verdampfungsquelle (22) in der Verdampfungskammer (21) gegenüberliegt, und wobei ferner ein Auslaß des Übertragungsrohrs (31) innerhalb der Abscheidekammer (41) liegt;
- F) einer Düse (32), die mit dem Auslaß des Übertragungsrohrs (31) verbunden ist, und die auf das in der Abscheidekammer (41) liegende Substrat (42) gerichtet ist; und
- G) einem Einlaß (25) zur Einleitung eines Inertgases in die Ultrafein
partikel-Verdampfungskammer (21), dadurch gekennzeichnet, daß
Heizeinrichtungen vorgesehen sind, um entweder nur das Übertragungs rohr (31) oder das Übertragungsrohr (31) und die Düse (32) zu erwärmen, und
die Abscheidekammer (41), das Übertragungsrohr (31) und die Ver dampfungskammer (21) in dieser Reihenfolge von oben nach unten entlang einer im wesentlichen vertikal verlaufenden Linie übereinanderliegend ange ordnet sind.
2. Gasabscheidegerät nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß ein
metallischer Faltenbalg (51, 37) so mit der Abscheidekammer (41) und der
Verdampfungskammer (21) verbunden ist, daß er das Übertragungsrohr (31)
entlang dessen Achse umgibt.
3. Gasabscheidegerät nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet,
daß die Verdampfungsquelle (22) unter Verwendung einer Hochfrequenz-
Leistungsquelle induktiv erwärmt wird.
4. Gasabscheidegerät nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekenn
zeichnet, daß die Position des Einlasses (31a) des Übertragungsrohrs (31)
relativ zur Verdampfungsquelle (21) einstellbar ist.
5. Gasabscheidegerät nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekenn
zeichnet, daß ein Evakuierungsrohr (34) mit größerem Durchmesser als der
des Übertragungsrohres (31) das Übertragungsrohr (31) so konzentrisch
umgibt, daß der Einlaß des Evakuierungsrohres (34) oberhalb des Einlasses
(31a) des Übertragungsrohres (31) zu liegen kommt, und daß ein ringförmiger
Raum zwischen dem Übertragungsrohr (31) und dem Evakuierungsrohr (35, 36)
verbunden ist.
6. Gasabscheidegerät nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekenn
zeichnet, daß die Düse (32) einen Düsenkanal aufweist, der an der Ausgangs
seite kehlförmig und an der Eingangsseite trochoidal ausgebildet ist, wobei der
eingangsseitige Teil des Düsenkanals mit dem Auslaß des Übertragungsrohres
(31) verbunden ist.
7. Gasabscheidegerät nach einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekenn
zeichnet, daß im Einlaß (25) der Verdampfungskammer (21) ein Netzfilter
angeordnet ist.
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