JPH07166332A - ガスデポジション装置 - Google Patents
ガスデポジション装置Info
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- JPH07166332A JPH07166332A JP5341484A JP34148493A JPH07166332A JP H07166332 A JPH07166332 A JP H07166332A JP 5341484 A JP5341484 A JP 5341484A JP 34148493 A JP34148493 A JP 34148493A JP H07166332 A JPH07166332 A JP H07166332A
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Classifications
-
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- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
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- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/228—Gas flow assisted PVD deposition
-
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- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
Abstract
(57)【要約】
［目的］ 超微粒子の凝集体を含まない超微粒子膜を長
時間、安定して形成させ得るガスデポジション装置を提
供すること。 ［構成］ 超微粒子生成室２１から膜形成室４１へ超微
粒子を搬送する搬送管３１と超微粒子を噴射するノズル
２７とを加熱すると共に、Ａｕを収容するルツボ２２を
誘導加熱し、ルツボ２２と搬送管３１の入口端３１ａと
の位置合せ機構を設け、搬送管３１に吸引されない超微
粒子の吸込管３４を設け、更にＨｅガスはメッシュ・フ
ィルタ式ガス導入口２５を経由させて導入する。
時間、安定して形成させ得るガスデポジション装置を提
供すること。 ［構成］ 超微粒子生成室２１から膜形成室４１へ超微
粒子を搬送する搬送管３１と超微粒子を噴射するノズル
２７とを加熱すると共に、Ａｕを収容するルツボ２２を
誘導加熱し、ルツボ２２と搬送管３１の入口端３１ａと
の位置合せ機構を設け、搬送管３１に吸引されない超微
粒子の吸込管３４を設け、更にＨｅガスはメッシュ・フ
ィルタ式ガス導入口２５を経由させて導入する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はガスデポジション装置に
関するものであり、更に詳しくは超微粒子を不活性ガス
によって搬送し、ノズルから高速で噴射させて、対向す
る基板上に超微粒子の厚膜、あるいは圧粉体を形成させ
るガスデポジション装置に関する。
関するものであり、更に詳しくは超微粒子を不活性ガス
によって搬送し、ノズルから高速で噴射させて、対向す
る基板上に超微粒子の厚膜、あるいは圧粉体を形成させ
るガスデポジション装置に関する。
【０００２】
【従来の技術及びその問題点】従来例によるガスデポジ
ション装置１”の概略を図８に示した。ガスデポジショ
ン装置１”は概しては超微粒子生成室１１、搬送管１
６、膜形成室１８から構成されている。
ション装置１”の概略を図８に示した。ガスデポジショ
ン装置１”は概しては超微粒子生成室１１、搬送管１
６、膜形成室１８から構成されている。
【０００３】超微粒子生成室１１には、蒸発源として蒸
発させるべき材料、例えばＡｕ（金）を入れたルツボ１
２が配設され、これに交流電源１３を接続し、ルツボ１
２を抵抗加熱することによってＡｕを溶かし蒸発させる
ようになっている。また超微粒子生成室１１には可変流
量バルブ３を介しＨｅ（ヘリウム）ガスのボンベ２が接
続され、かつ圧力計６が取り付けられている。更には、
搬送管１６の一端が挿入され、その入口部がルツボ１２
の直上に配置されている。
発させるべき材料、例えばＡｕ（金）を入れたルツボ１
２が配設され、これに交流電源１３を接続し、ルツボ１
２を抵抗加熱することによってＡｕを溶かし蒸発させる
ようになっている。また超微粒子生成室１１には可変流
量バルブ３を介しＨｅ（ヘリウム）ガスのボンベ２が接
続され、かつ圧力計６が取り付けられている。更には、
搬送管１６の一端が挿入され、その入口部がルツボ１２
の直上に配置されている。
【０００４】搬送管１６の他端は膜形成室１８に挿入さ
れて、その出口部にはノズル１７が接続されている。膜
形成室１８においては、ノズル１７の直下に厚膜又は圧
粉体を形成させるべき基板１９が操作板９上に固定され
て配置され、操作板９は矢印のＸ軸方向、これと直角な
Ｙ軸方向、Ｚ軸方向に移動可能となっている。又、膜形
成室１８には真空バルブ４を介して真空ポンプ５が接続
され、又真空計７が取り付けられている。
れて、その出口部にはノズル１７が接続されている。膜
形成室１８においては、ノズル１７の直下に厚膜又は圧
粉体を形成させるべき基板１９が操作板９上に固定され
て配置され、操作板９は矢印のＸ軸方向、これと直角な
Ｙ軸方向、Ｚ軸方向に移動可能となっている。又、膜形
成室１８には真空バルブ４を介して真空ポンプ５が接続
され、又真空計７が取り付けられている。
【０００５】真空ポンプ５によって膜形成室１８を真空
引きし、超微粒子生成室１１へボンベ２から所定圧力に
なるようにＨｅガスを導入すると、膜形成室１８と超微
粒子生成室１１との間には差圧が生ずる。ルツボ１２を
加熱することによりＡｕが溶けて蒸発し、Ｈｅガス雰囲
気中で超微粒子となるが、生成したＡｕの超微粒子は、
上記の差圧があることにより、Ｈｅをキャリアガスとし
て搬送管１６の入口部へ吸引される。そして搬送管１６
内を図において矢印の方向へ進み膜形成室１８へ搬送さ
れる。膜形成室１８内では超微粒子はノズル１７から高
速で基板１９上へ噴射されて、基板１９が定速でＸ軸方
向へ移動している場合は線状の厚膜を、基板１９が固定
されている場合は柱状の圧粉体を形成する。
引きし、超微粒子生成室１１へボンベ２から所定圧力に
なるようにＨｅガスを導入すると、膜形成室１８と超微
粒子生成室１１との間には差圧が生ずる。ルツボ１２を
加熱することによりＡｕが溶けて蒸発し、Ｈｅガス雰囲
気中で超微粒子となるが、生成したＡｕの超微粒子は、
上記の差圧があることにより、Ｈｅをキャリアガスとし
て搬送管１６の入口部へ吸引される。そして搬送管１６
内を図において矢印の方向へ進み膜形成室１８へ搬送さ
れる。膜形成室１８内では超微粒子はノズル１７から高
速で基板１９上へ噴射されて、基板１９が定速でＸ軸方
向へ移動している場合は線状の厚膜を、基板１９が固定
されている場合は柱状の圧粉体を形成する。
【０００６】この方法によって形成される厚膜はＡｕの
みからなり、他の方法で形成される厚膜に含まれるよう
な高分子バインダを含まないという特長を有している
が、なお次のような問題点がある。すなわち、従来のガ
スデポジション装置では、形成される膜に超微粒子の凝
集体が含まれ易く、それによって膜質の低下や膜と基板
との間の密着強度の低下を招き易く、時には凝集体によ
ってノズル詰りを生じるなど、良好な膜を安定して得ら
れる時間が比較的短いのである。
みからなり、他の方法で形成される厚膜に含まれるよう
な高分子バインダを含まないという特長を有している
が、なお次のような問題点がある。すなわち、従来のガ
スデポジション装置では、形成される膜に超微粒子の凝
集体が含まれ易く、それによって膜質の低下や膜と基板
との間の密着強度の低下を招き易く、時には凝集体によ
ってノズル詰りを生じるなど、良好な膜を安定して得ら
れる時間が比較的短いのである。
【０００７】
【発明が解決しようとする問題点】本発明は上述の問題
に鑑みてなされ、凝集体を含まない良好な超微粒子膜を
長時間安定して形成させ得るガスデポジション装置を提
供することを目的とする。
に鑑みてなされ、凝集体を含まない良好な超微粒子膜を
長時間安定して形成させ得るガスデポジション装置を提
供することを目的とする。
【０００８】
【問題点を解決するための手段】以上の目的は、蒸発
源、その上方に位置する搬送管の入口部及び不活性ガス
の導入部を内蔵する超微粒子生成室と、前記搬送管と、
前記搬送管の出口部、それに接続されるノズル及び該ノ
ズルに対向して配置される基板を内蔵する膜形成室とか
らなり、前記蒸発源から加熱蒸発されて生成する超微粒
子を前記不活性ガスと共に前記搬送管中を搬送し、前記
ノズルから噴射させて、前記基板上に超微粒子の膜、あ
るいは圧粉体を形成させるようにしたガスデポジション
装置において、前記搬送管単独、または前記搬送管と前
記ノズルとの両者に加熱手段が設けられていることを特
徴とするガスデポジション装置、によって達成される。
源、その上方に位置する搬送管の入口部及び不活性ガス
の導入部を内蔵する超微粒子生成室と、前記搬送管と、
前記搬送管の出口部、それに接続されるノズル及び該ノ
ズルに対向して配置される基板を内蔵する膜形成室とか
らなり、前記蒸発源から加熱蒸発されて生成する超微粒
子を前記不活性ガスと共に前記搬送管中を搬送し、前記
ノズルから噴射させて、前記基板上に超微粒子の膜、あ
るいは圧粉体を形成させるようにしたガスデポジション
装置において、前記搬送管単独、または前記搬送管と前
記ノズルとの両者に加熱手段が設けられていることを特
徴とするガスデポジション装置、によって達成される。
【０００９】
【作用】搬送管単独、又は搬送管とノズルとの両者を加
熱しているので、その内壁に超微粒子が付着凝集せず、
従って凝集体が再飛散することによる、凝集体を含んだ
膜の形成やノズル詰りが抑制される。
熱しているので、その内壁に超微粒子が付着凝集せず、
従って凝集体が再飛散することによる、凝集体を含んだ
膜の形成やノズル詰りが抑制される。
【００１０】
【実施例】以下、本発明の実施例によるガスデポジショ
ン装置について、図面を参照して説明する。
ン装置について、図面を参照して説明する。
【００１１】図１は第１実施例によるガスデポジション
装置１の全体を示し、概しては、超微粒子生成室２１、
搬送管３１、膜形成室４１がほぼ垂直方向に配置されて
いる。
装置１の全体を示し、概しては、超微粒子生成室２１、
搬送管３１、膜形成室４１がほぼ垂直方向に配置されて
いる。
【００１２】超微粒子生成室２１内には、蒸発源として
の蒸発材料Ａｕを入れた開口径５．０ｍｍφのカーボン
ルツボ２２が配設されている。カーボン・ルツボ２２の
周囲には高周波誘導加熱のためのコイル２３が巻装さ
れ、コイル２３は超微粒子生成室２１の外部に設置され
た高周波電源２４と接続されている。ここで、蒸発源の
加熱方式を従来例の抵抗加熱から誘導加熱に変更してい
るのは次の理由による。抵抗加熱の場合、ルツボ材料に
は例えばタングステンが使用されるが、ルツボ１２のみ
をジュール熱で加熱し、内部のＡｕはルツボ１２からの
伝熱によって溶かす方式であり、Ａｕの溶湯は対流する
ものの加熱は不均一であり、生成される超微粒子は粒径
分布が大きいほか、Ａｕが突沸することもある。これに
対して、誘導加熱は、導体であるカーボン・ルツボ２
２、Ａｕに渦電流を発生させ、その損失熱によって加熱
してＡｕを溶かす方式であるために、抵抗加熱方式に比
較して、Ａｕの加熱が均一で、生成される超微粒子の粒
径分布も均一なためである。
の蒸発材料Ａｕを入れた開口径５．０ｍｍφのカーボン
ルツボ２２が配設されている。カーボン・ルツボ２２の
周囲には高周波誘導加熱のためのコイル２３が巻装さ
れ、コイル２３は超微粒子生成室２１の外部に設置され
た高周波電源２４と接続されている。ここで、蒸発源の
加熱方式を従来例の抵抗加熱から誘導加熱に変更してい
るのは次の理由による。抵抗加熱の場合、ルツボ材料に
は例えばタングステンが使用されるが、ルツボ１２のみ
をジュール熱で加熱し、内部のＡｕはルツボ１２からの
伝熱によって溶かす方式であり、Ａｕの溶湯は対流する
ものの加熱は不均一であり、生成される超微粒子は粒径
分布が大きいほか、Ａｕが突沸することもある。これに
対して、誘導加熱は、導体であるカーボン・ルツボ２
２、Ａｕに渦電流を発生させ、その損失熱によって加熱
してＡｕを溶かす方式であるために、抵抗加熱方式に比
較して、Ａｕの加熱が均一で、生成される超微粒子の粒
径分布も均一なためである。
【００１３】又、超微粒子生成室２１には室内を所定の
圧力に維持し、かつ生成した超微粒子を搬送するための
Ｈｅガスが、メッシュ・フィルタ式導入口２５を経て導
入される。すなわち、ボンベ２から可変流量バルブ３を
経たＨｅガスは、フィルタの面積と開口率とを変更し得
るメッシュ・フィルタ式導入口２５により、蒸発源周囲
のガス流速を調節されて、超微粒子生成室２１へ導入さ
れるようになっている。更に超微粒子生成室２１には圧
力計６が取り付けられている。
圧力に維持し、かつ生成した超微粒子を搬送するための
Ｈｅガスが、メッシュ・フィルタ式導入口２５を経て導
入される。すなわち、ボンベ２から可変流量バルブ３を
経たＨｅガスは、フィルタの面積と開口率とを変更し得
るメッシュ・フィルタ式導入口２５により、蒸発源周囲
のガス流速を調節されて、超微粒子生成室２１へ導入さ
れるようになっている。更に超微粒子生成室２１には圧
力計６が取り付けられている。
【００１４】搬送管３１はほぼ垂直に配設された内径
４．３ｍｍφの直管である。その下端部は超微粒子生成
室２１に挿入されて、入口端３１ａをカーボン・ルツボ
２２の開口端の直上方３０ｍｍに位置させ、上端部は膜
形成室４１に挿入されている。搬送管３１の出口端３１
ｂには超微粒子を噴射させるノズル３２が接続されてい
る。
４．３ｍｍφの直管である。その下端部は超微粒子生成
室２１に挿入されて、入口端３１ａをカーボン・ルツボ
２２の開口端の直上方３０ｍｍに位置させ、上端部は膜
形成室４１に挿入されている。搬送管３１の出口端３１
ｂには超微粒子を噴射させるノズル３２が接続されてい
る。
【００１５】ノズル３２は内径０．６ｍｍφの細孔部３
３を有しており、図３に示すように、ノズル３２の軸心
を通る断面において、内径４．３ｍｍφの搬送管３１の
出口端３１ｂとの接続個所から細孔部３３の入口３３ａ
までの間がトロコイド曲線に沿う形状で絞られており、
かつ搬送管３１とノズル３２との接続個所の内面間に段
差をなくし、搬送管３１自体も屈曲部を持たない直管と
していることも合わせて、搬送する超微粒子の流れに乱
れが生じないようにされている。
３を有しており、図３に示すように、ノズル３２の軸心
を通る断面において、内径４．３ｍｍφの搬送管３１の
出口端３１ｂとの接続個所から細孔部３３の入口３３ａ
までの間がトロコイド曲線に沿う形状で絞られており、
かつ搬送管３１とノズル３２との接続個所の内面間に段
差をなくし、搬送管３１自体も屈曲部を持たない直管と
していることも合わせて、搬送する超微粒子の流れに乱
れが生じないようにされている。
【００１６】更には、搬送管３１とノズル３２とは加熱
されるようになっている。図１に戻り、搬送管３１はそ
れ自体が抵抗体として発熱するように上端部と下端部と
の間に直流電源５５が接続されている。図４は搬送管３
１と直流電源５５との他の結線例であり、膜形成室４１
をアースとし、かつ搬送管３１の外気露出部の超微粒子
生成室２１に近い個所と膜形成室４１との間に抵抗Ｒを
並列に接続して、搬送管３１に温度勾配を付して加熱す
ることを可能ならしめている。後述する第１実施例、第
２実施例ではこの結線を採用した。又、図５に示すよう
に、ノズル３２には他の交流電源５７と接続したシース
ヒータ５６が巻装されている。
されるようになっている。図１に戻り、搬送管３１はそ
れ自体が抵抗体として発熱するように上端部と下端部と
の間に直流電源５５が接続されている。図４は搬送管３
１と直流電源５５との他の結線例であり、膜形成室４１
をアースとし、かつ搬送管３１の外気露出部の超微粒子
生成室２１に近い個所と膜形成室４１との間に抵抗Ｒを
並列に接続して、搬送管３１に温度勾配を付して加熱す
ることを可能ならしめている。後述する第１実施例、第
２実施例ではこの結線を採用した。又、図５に示すよう
に、ノズル３２には他の交流電源５７と接続したシース
ヒータ５６が巻装されている。
【００１７】更には、図１を参照して、超微粒子生成室
２１内において、搬送管３１の入口端３１ａより上方
に、搬送管３１と軸心を共有する大径の吸込管３４が二
重管として設けられ、搬送管３１との間に環状空間が形
成されている。この吸込管３４はカーボン・ルツボ２２
の直上部以外の超微粒子生成室２１内に滞留する超微粒
子を吸込むべく設けられている。吸込管３４は超微粒子
生成室２１の外側において搬送管３１と分離され、真空
バルブ３５を介し真空ポンプ３６に接続されている。
２１内において、搬送管３１の入口端３１ａより上方
に、搬送管３１と軸心を共有する大径の吸込管３４が二
重管として設けられ、搬送管３１との間に環状空間が形
成されている。この吸込管３４はカーボン・ルツボ２２
の直上部以外の超微粒子生成室２１内に滞留する超微粒
子を吸込むべく設けられている。吸込管３４は超微粒子
生成室２１の外側において搬送管３１と分離され、真空
バルブ３５を介し真空ポンプ３６に接続されている。
【００１８】又更には、搬送管３１と吸込管３４との二
重管が超微粒子生成室２１の壁を貫通する真空接続部
は、図６に示すように、金属ベローズ３７を介在させた
接続としている。金属ベローズ３７の一方のフランジ３
８ａは超微粒子生成室２１の外壁の開口部２７の外周部
に固定し、他方のフランジ３８ｂは吸込管３４に設けた
フランジ３９に固定することによって、搬送管３１の入
口端３１ａのカーボン・ルツボ２２上の位置調整のため
に、二重管、すなわち搬送管３１を若干傾けることので
きる真空接続としている。
重管が超微粒子生成室２１の壁を貫通する真空接続部
は、図６に示すように、金属ベローズ３７を介在させた
接続としている。金属ベローズ３７の一方のフランジ３
８ａは超微粒子生成室２１の外壁の開口部２７の外周部
に固定し、他方のフランジ３８ｂは吸込管３４に設けた
フランジ３９に固定することによって、搬送管３１の入
口端３１ａのカーボン・ルツボ２２上の位置調整のため
に、二重管、すなわち搬送管３１を若干傾けることので
きる真空接続としている。
【００１９】図１へ戻り、膜形成室４１内にはノズル３
２に直角な面として対向し２ｍｍ離れた位置に、Ｎｉ／
Ｔｉ／Ｓｉウエハ基材が、Ｎｉ面をノズル３２に向け、
基板４２として配置されている。基板４２はこれを取り
付けている操作板９によって矢印に示すＸ軸方向、これ
と直角なＹ軸方向、Ｚ軸方向に移動されるようになって
いる。そして、操作板９は基板４２を加熱するための図
示しない加熱機構を備えている。又膜形成室４１には真
空バルブ４を介して真空ポンプ５が接続されており、更
には真空計７が取り付けられている。
２に直角な面として対向し２ｍｍ離れた位置に、Ｎｉ／
Ｔｉ／Ｓｉウエハ基材が、Ｎｉ面をノズル３２に向け、
基板４２として配置されている。基板４２はこれを取り
付けている操作板９によって矢印に示すＸ軸方向、これ
と直角なＹ軸方向、Ｚ軸方向に移動されるようになって
いる。そして、操作板９は基板４２を加熱するための図
示しない加熱機構を備えている。又膜形成室４１には真
空バルブ４を介して真空ポンプ５が接続されており、更
には真空計７が取り付けられている。
【００２０】第１実施例は以上のように構成されるが、
次にその作用について説明する。
次にその作用について説明する。
【００２１】図１を参照して、真空バルブ４を開とし、
真空ポンプ５によって膜形成室４１を真空引きする。同
時に真空バルブ３５を開とし真空ポンプ３６によって吸
込管３４からの真空引きも開始する。一方、可変流量バ
ルブ３を開としボンベ２のＨｅガスをメッシュ・フィル
タ式導入口２５から超微粒子生成室２１へ２ａｔｍの圧
力を維持するように導入する。なお、メッシュ・フィル
タ式導入口２５には、Ｈｅガスの流量を４０ＳＬＭ（１
分間当りの標準状態リットル数）としても蒸発源近傍の
流速が０．２ｍ／ｓｅｃ程度であるように、開口率５０
％、面積８５ｃｍ2 のフィルタが使用されている。
真空ポンプ５によって膜形成室４１を真空引きする。同
時に真空バルブ３５を開とし真空ポンプ３６によって吸
込管３４からの真空引きも開始する。一方、可変流量バ
ルブ３を開としボンベ２のＨｅガスをメッシュ・フィル
タ式導入口２５から超微粒子生成室２１へ２ａｔｍの圧
力を維持するように導入する。なお、メッシュ・フィル
タ式導入口２５には、Ｈｅガスの流量を４０ＳＬＭ（１
分間当りの標準状態リットル数）としても蒸発源近傍の
流速が０．２ｍ／ｓｅｃ程度であるように、開口率５０
％、面積８５ｃｍ2 のフィルタが使用されている。
【００２２】導入するＨｅガスの流量４０ＳＬＭのう
ち、搬送管３１を経由してノズル３２から噴出されるＨ
ｅガスを約１０ＳＬＭ、吸込管３４によって吸込まれ系
外へ排出されるＨｅガスを約３０ＳＬＭとなるようにす
る。吸込管３４へのＨｅガス量を大としているのは次の
理由による。すなわち超微粒子の生成が定常状態にあっ
ても、搬送管３１に吸引されずに超微粒子生成室２１内
に放出され滞留する超微粒子が存在し、これら余分の超
微粒子は滞留中に凝集体となって何時かは搬送管３１に
吸引され、形成される膜に悪影響を与える。従ってこれ
らを可及的に早く排出する必要があるからである。
ち、搬送管３１を経由してノズル３２から噴出されるＨ
ｅガスを約１０ＳＬＭ、吸込管３４によって吸込まれ系
外へ排出されるＨｅガスを約３０ＳＬＭとなるようにす
る。吸込管３４へのＨｅガス量を大としているのは次の
理由による。すなわち超微粒子の生成が定常状態にあっ
ても、搬送管３１に吸引されずに超微粒子生成室２１内
に放出され滞留する超微粒子が存在し、これら余分の超
微粒子は滞留中に凝集体となって何時かは搬送管３１に
吸引され、形成される膜に悪影響を与える。従ってこれ
らを可及的に早く排出する必要があるからである。
【００２３】このような条件下で、膜形成室４１の真空
計７は０．３Ｔｏｒｒを示し、超微粒子生成室２１と膜
形成室４１との間に約２ａｔｍの差圧が形成される。
計７は０．３Ｔｏｒｒを示し、超微粒子生成室２１と膜
形成室４１との間に約２ａｔｍの差圧が形成される。
【００２４】更には、搬送管３１自体及びノズル２７を
巻装するシースヒータに通電してそれぞれを加熱し、搬
送管３１の入口端３１ａ近傍で約３００℃、ノズルで約
５００℃となるように温度勾配を与えて温度制御する。
基板４２も加熱して２００℃の温度とする。
巻装するシースヒータに通電してそれぞれを加熱し、搬
送管３１の入口端３１ａ近傍で約３００℃、ノズルで約
５００℃となるように温度勾配を与えて温度制御する。
基板４２も加熱して２００℃の温度とする。
【００２５】次いでＡｕ５ｇｒを入れたカーボン・ルツ
ボ２２を１５０ＫＨｚの高周波で約１５００℃の温度に
誘導加熱し、Ａｕを溶かして蒸発させると、雰囲気が圧
力２ａｔｍのＨｅガスであるため、Ａｕ蒸気は超微粒子
となる。生成した超微粒子の殆どはカーボン・ルツボ２
２の開口部から立ちのぼり、２ａｔｍの差圧によって搬
送管３１の入口３１ａへ吸引される。そして、蒸発源周
辺のＨｅガスの流速を０．２ｍ／ｓｅｃとしているので
超微粒子の立ちのぼりの形状は乱されることなく、安定
した吸引となる。
ボ２２を１５０ＫＨｚの高周波で約１５００℃の温度に
誘導加熱し、Ａｕを溶かして蒸発させると、雰囲気が圧
力２ａｔｍのＨｅガスであるため、Ａｕ蒸気は超微粒子
となる。生成した超微粒子の殆どはカーボン・ルツボ２
２の開口部から立ちのぼり、２ａｔｍの差圧によって搬
送管３１の入口３１ａへ吸引される。そして、蒸発源周
辺のＨｅガスの流速を０．２ｍ／ｓｅｃとしているので
超微粒子の立ちのぼりの形状は乱されることなく、安定
した吸引となる。
【００２６】この時、金属ベローズ３７によって傾斜可
能となっている搬送管３１を操作して、超微粒子の搬送
量が最大となるように、すなわち、搬送管３１に吸引さ
れない超微粒子量が最小となるように、搬送管３１の入
口端３１ａとカーボン・ルツボ２２との位置調整を行な
う。搬送量が最大となる位置は使用する不活性ガスの種
類、ガス導入量、超微粒子生成室２１と膜形成室４１と
の差圧の大きさなどによって微妙に変化するからであ
る。なお、超微粒子の搬送量は実際には膜形成室４１内
で基板１９を固定した場合の膜堆積高さ速度（μｍ／ｓ
ｅｃ）によって測定される。
能となっている搬送管３１を操作して、超微粒子の搬送
量が最大となるように、すなわち、搬送管３１に吸引さ
れない超微粒子量が最小となるように、搬送管３１の入
口端３１ａとカーボン・ルツボ２２との位置調整を行な
う。搬送量が最大となる位置は使用する不活性ガスの種
類、ガス導入量、超微粒子生成室２１と膜形成室４１と
の差圧の大きさなどによって微妙に変化するからであ
る。なお、超微粒子の搬送量は実際には膜形成室４１内
で基板１９を固定した場合の膜堆積高さ速度（μｍ／ｓ
ｅｃ）によって測定される。
【００２７】搬送管３１へ吸引されたＡｕの超微粒子は
Ｈｅガスと共に加熱された搬送管３１内を搬送され、加
熱されたノズルから２００℃に加熱された基板４２上へ
高速で噴射される。
Ｈｅガスと共に加熱された搬送管３１内を搬送され、加
熱されたノズルから２００℃に加熱された基板４２上へ
高速で噴射される。
【００２８】このような条件下で操作板９と共に基板４
２をＸ軸方向、Ｙ軸方向に移動させてＡｕの超微粒子を
基板４２上に噴射させたが、１０時間の間、膜堆積高さ
速度は６０μｍ／ｓｅｃと一定しており、かつ膜中に見
られる粒子の径は０．１μｍ以下である凝集体のないＡ
ｕ膜がＮｉ／Ｔｉ／Ｓｉウエハ基材のＮｉ面上に形成さ
れた。この膜のＳＥＭ（走査型電子顕微鏡）写真を図７
に示した。
２をＸ軸方向、Ｙ軸方向に移動させてＡｕの超微粒子を
基板４２上に噴射させたが、１０時間の間、膜堆積高さ
速度は６０μｍ／ｓｅｃと一定しており、かつ膜中に見
られる粒子の径は０．１μｍ以下である凝集体のないＡ
ｕ膜がＮｉ／Ｔｉ／Ｓｉウエハ基材のＮｉ面上に形成さ
れた。この膜のＳＥＭ（走査型電子顕微鏡）写真を図７
に示した。
【００２９】又Ａｕ膜とＮｉ面との密着強度を見るため
に、基板４２を固定して柱状のＡｕ圧粉体を形成させ、
これに水平方向の力を加えて膜を剥がす時に要する力の
大きさから密着力を求めたところ、剪断密着強度２０Ｋ
ｇｆ／ｍｍ2 を示し、かつその破壊はＡｕ膜内で生じて
いた。この値は従来例のガスデポジション装置で得られ
る１０Ｋｇｆ／ｍｍ2 よりもはるかに大きい値である。
に、基板４２を固定して柱状のＡｕ圧粉体を形成させ、
これに水平方向の力を加えて膜を剥がす時に要する力の
大きさから密着力を求めたところ、剪断密着強度２０Ｋ
ｇｆ／ｍｍ2 を示し、かつその破壊はＡｕ膜内で生じて
いた。この値は従来例のガスデポジション装置で得られ
る１０Ｋｇｆ／ｍｍ2 よりもはるかに大きい値である。
【００３０】次に、搬送管３１のみを加熱し、ノズルは
加熱せずにＡｕの厚膜を形成させたところ、膜堆積高さ
速度１μｍ／ｓｅｃ以下の条件で連続３時間まで凝集体
の無い膜が形成された。然し、膜堆積高さ速度を１μｍ
／ｓｅｃ以上にすると約３０分経過後に膜中に凝集体が
認められるようになった。
加熱せずにＡｕの厚膜を形成させたところ、膜堆積高さ
速度１μｍ／ｓｅｃ以下の条件で連続３時間まで凝集体
の無い膜が形成された。然し、膜堆積高さ速度を１μｍ
／ｓｅｃ以上にすると約３０分経過後に膜中に凝集体が
認められるようになった。
【００３１】これらに対し、搬送管３１及びノズル３２
を共に加熱しなかった場合には、膜堆積高さ速度０．５
μｍ／ｓｅｃでも１５分間以内に膜中に凝集体が発生し
た。
を共に加熱しなかった場合には、膜堆積高さ速度０．５
μｍ／ｓｅｃでも１５分間以内に膜中に凝集体が発生し
た。
【００３２】以上のような結果は、搬送管３１、ノズル
３２が加熱されていることにより、それらの内壁の近傍
は、キャリアガスとしてのＨｅが加熱されるためか、ダ
ストフリーのスペースとなり、搬送管３１及びノズル３
２の内壁への超微粒子の付着が抑制されて凝集体が生成
せず、従ってこれら凝集体が再飛散することもないの
で、凝集体のないＡｕ膜が長時間安定して形成されたも
のと思われる。更には、前述したノズル３２内部でのト
ロコイド曲線に沿う内径の絞り、搬送管３１とノズル３
２との間の段差のない接続、ないしは屈曲個所をなくし
て垂直な直管とした搬送管３１など、超微粒子を含むＨ
ｅガスの流れの乱れを可及的に抑制する構造としたこと
も超微粒子の搬送管３１やノズル３２の内壁への付着、
沈着を抑制したと考えられる。又更には、カーボン・ル
ツボ２２を使用して高周波誘導加熱を採用したこと、搬
送管３１の入口端３１ａとカーボン・ルツボ２２との位
置調整を行なうようにしたこと、超微粒子生成室２１内
に滞留する超微粒子を可及的に早く吸収管３４へ排除す
るようにしたことも有効であったと考えられる。
３２が加熱されていることにより、それらの内壁の近傍
は、キャリアガスとしてのＨｅが加熱されるためか、ダ
ストフリーのスペースとなり、搬送管３１及びノズル３
２の内壁への超微粒子の付着が抑制されて凝集体が生成
せず、従ってこれら凝集体が再飛散することもないの
で、凝集体のないＡｕ膜が長時間安定して形成されたも
のと思われる。更には、前述したノズル３２内部でのト
ロコイド曲線に沿う内径の絞り、搬送管３１とノズル３
２との間の段差のない接続、ないしは屈曲個所をなくし
て垂直な直管とした搬送管３１など、超微粒子を含むＨ
ｅガスの流れの乱れを可及的に抑制する構造としたこと
も超微粒子の搬送管３１やノズル３２の内壁への付着、
沈着を抑制したと考えられる。又更には、カーボン・ル
ツボ２２を使用して高周波誘導加熱を採用したこと、搬
送管３１の入口端３１ａとカーボン・ルツボ２２との位
置調整を行なうようにしたこと、超微粒子生成室２１内
に滞留する超微粒子を可及的に早く吸収管３４へ排除す
るようにしたことも有効であったと考えられる。
【００３３】次に、本発明の第２実施例によるガスデポ
ジション装置１’を図２に示した。第１実施例と共通す
る部分には同一の符号を付したので、その説明は省略す
る。
ジション装置１’を図２に示した。第１実施例と共通す
る部分には同一の符号を付したので、その説明は省略す
る。
【００３４】第２実施例のガスデポジション装置１’が
第１実施例と異なるところは、搬送管３１を金属ベロー
ズ５１で覆うようにしたことにある。すなわち、搬送管
３１の真空接続個所を膜形成室４１の壁部のみとし、超
微粒子生成室２１の壁部は開口５２として、金属ベロー
ズ５１によって超微粒子生成室２１と膜形成室４１とを
連結した構造としていることにある。
第１実施例と異なるところは、搬送管３１を金属ベロー
ズ５１で覆うようにしたことにある。すなわち、搬送管
３１の真空接続個所を膜形成室４１の壁部のみとし、超
微粒子生成室２１の壁部は開口５２として、金属ベロー
ズ５１によって超微粒子生成室２１と膜形成室４１とを
連結した構造としていることにある。
【００３５】これによって金属ベローズ５１内は超微粒
子生成室２１内と同じ雰囲気、同じ温度となり、搬送管
３１は外気に触れないので加熱が容易であり、又、加熱
された搬送管３１の真空接続が１個所で済むという利点
もある。
子生成室２１内と同じ雰囲気、同じ温度となり、搬送管
３１は外気に触れないので加熱が容易であり、又、加熱
された搬送管３１の真空接続が１個所で済むという利点
もある。
【００３６】第１実施例における膜形成条件と同じ条件
として、第２実施例によるガスデポジション装置で形成
したＡｕの厚膜も１０時間以上連続して膜中に凝集体は
認められず、膜の剪断密着強度も２０Ｋｇｆ／ｍｍ2 を
示した。
として、第２実施例によるガスデポジション装置で形成
したＡｕの厚膜も１０時間以上連続して膜中に凝集体は
認められず、膜の剪断密着強度も２０Ｋｇｆ／ｍｍ2 を
示した。
【００３７】以上、本発明の各実施例について説明した
が、勿論、本発明はこれらに限定されることなく、本発
明の技術的思想に基いて種々の変形が可能である。
が、勿論、本発明はこれらに限定されることなく、本発
明の技術的思想に基いて種々の変形が可能である。
【００３８】例えば実施例においては、搬送管３１の加
熱に、搬送管３１自体を抵抗体として通電し、発生する
ジュール熱によって加熱する方法を採用したが、これ以
外の加熱方法、例えばノズル２７と同じくシースヒータ
を巻装する方法としてもよい。
熱に、搬送管３１自体を抵抗体として通電し、発生する
ジュール熱によって加熱する方法を採用したが、これ以
外の加熱方法、例えばノズル２７と同じくシースヒータ
を巻装する方法としてもよい。
【００３９】又以上の実施例では、カーボン・ルツボ２
２と搬送管３１の入口端３１ａとの位置合わせに、搬送
管３１を傾斜させる方法を採用したが、搬送管３１は固
定しておき、コイル２３を含むカーボン・ルツボ２２を
移動させるようにしてもよい。
２と搬送管３１の入口端３１ａとの位置合わせに、搬送
管３１を傾斜させる方法を採用したが、搬送管３１は固
定しておき、コイル２３を含むカーボン・ルツボ２２を
移動させるようにしてもよい。
【００４０】又以上の実施例では、搬送管３１を直管と
したが、超微粒子を含むＨｅガスの流れを乱さない範囲
で緩い屈曲部を持たせてもよい。
したが、超微粒子を含むＨｅガスの流れを乱さない範囲
で緩い屈曲部を持たせてもよい。
【００４１】又以上の実施例では、超微粒子の材料とし
てＡｕを使用したが、Ａｕ以外の金属、例えばＡｇ
（銀）やＣｕ（銅）であっても同様な効果が得られる。
てＡｕを使用したが、Ａｕ以外の金属、例えばＡｇ
（銀）やＣｕ（銅）であっても同様な効果が得られる。
【００４２】又以上の実施例では、不活性ガスとしてＨ
ｅを使用したが、Ｈｅ以外の不活性ガス、例えばＮｅ
（ネオン）やＡｒ（アルゴン）を使用してもよい。
ｅを使用したが、Ｈｅ以外の不活性ガス、例えばＮｅ
（ネオン）やＡｒ（アルゴン）を使用してもよい。
【００４３】
【発明の効果】以上述べたように、本発明のガスデポジ
ション装置によれば、超微粒子の凝集体の生成が極度に
抑制されるので、凝集体を含まない密着強度の大きい厚
膜が長時間にわたり安定して形成される。
ション装置によれば、超微粒子の凝集体の生成が極度に
抑制されるので、凝集体を含まない密着強度の大きい厚
膜が長時間にわたり安定して形成される。
【図１】本発明の第１実施例によるガスデポジション装
置の全体を示す概略図である。
置の全体を示す概略図である。
【図２】本発明の第２実施例によるガスデポジション装
置の全体を示す概略図である。
置の全体を示す概略図である。
【図３】本発明の実施例で使用されるノズルの断面図で
ある。
ある。
【図４】本発明の実施例における搬送管の加熱のための
電気回路図である。
電気回路図である。
【図５】本発明の実施例におけるノズルを巻装するシー
スヒータの概略図である。
スヒータの概略図である。
【図６】本発明の第１実施例における搬送管、吸込管か
らなる二重管と超微粒子生成室との金属ベローズによる
真空接続を示す概略図である。
らなる二重管と超微粒子生成室との金属ベローズによる
真空接続を示す概略図である。
【図７】本発明の第１実施例で形成させたＡｕ膜のＳＥ
Ｍ写真である。
Ｍ写真である。
【図８】従来例のガスデポジション装置の全体を示す概
略図である。
略図である。
１ ガスデポジション装置 ５ 真空ポンプ ２１ 超微粒子生成室 ２２ カーボン・ルツボ ２４ ルツボ加熱用高周波電源 ２５ メッシュ・フィルタ式導入口 ３１ 搬送管 ３２ ノズル ３６ 真空ポンプ ４１ 膜形成室 ４２ 基板 ５５ 搬送管加熱用直流電源
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成７年３月７日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１２】 超微粒子生成室２１内には、蒸発源とし
ての蒸発材料Ａｕを入れた開口径５．０ｍｍφのカーボ
ン・ルツボ２２が配設されている。カーボン・ルツボ２
２の周囲には高周波誘導加熱のためのコイル２３が巻装
され、コイル２３は超微粒子生成室２１の外部に設置さ
れたルツボ加熱用の高周波電源２４と接続されている。
ここで、蒸発源の加熱方式を従来例の抵抗加熱から誘導
加熱に変更しているのは次の理由による。抵抗加熱の場
合、これは従来例の図８の場合であるが、ルツボ材料に
は例えばタングステンが使用されるが、ルツボ１２のみ
をジュール熱で加熱し、内部のＡｕはルツボ１２からの
伝熱によって溶かす方式であり、Ａｕの溶湯は対流する
ものの加熱は不均一であり、生成される超微粒子は粒径
分布が大きいほか、Ａｕが突沸することもある。これに
対して、本実施例で用いられる図１の誘導加熱の場合
は、導体であるカーボン・ルツボ２２内のＡｕに渦電流
を発生させ、その損失熱によって加熱してＡｕを溶かす
方式であるために、抵抗加熱方式に比較して、Ａｕの加
熱が均一で、生成される超微粒子の粒径分布も均一なた
めである。
ての蒸発材料Ａｕを入れた開口径５．０ｍｍφのカーボ
ン・ルツボ２２が配設されている。カーボン・ルツボ２
２の周囲には高周波誘導加熱のためのコイル２３が巻装
され、コイル２３は超微粒子生成室２１の外部に設置さ
れたルツボ加熱用の高周波電源２４と接続されている。
ここで、蒸発源の加熱方式を従来例の抵抗加熱から誘導
加熱に変更しているのは次の理由による。抵抗加熱の場
合、これは従来例の図８の場合であるが、ルツボ材料に
は例えばタングステンが使用されるが、ルツボ１２のみ
をジュール熱で加熱し、内部のＡｕはルツボ１２からの
伝熱によって溶かす方式であり、Ａｕの溶湯は対流する
ものの加熱は不均一であり、生成される超微粒子は粒径
分布が大きいほか、Ａｕが突沸することもある。これに
対して、本実施例で用いられる図１の誘導加熱の場合
は、導体であるカーボン・ルツボ２２内のＡｕに渦電流
を発生させ、その損失熱によって加熱してＡｕを溶かす
方式であるために、抵抗加熱方式に比較して、Ａｕの加
熱が均一で、生成される超微粒子の粒径分布も均一なた
めである。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正内容】
【００２４】 更には、搬送管３１自体及びノズル３２
を巻装するシースヒータに通電してそれぞれを加熱し、
搬送管３１の入口端３１ａ近傍で約３００℃、ノズルで
約５００℃となるように温度勾配を与えて温度制御す
る。基板４２も加熱して２００℃の温度とする。
を巻装するシースヒータに通電してそれぞれを加熱し、
搬送管３１の入口端３１ａ近傍で約３００℃、ノズルで
約５００℃となるように温度勾配を与えて温度制御す
る。基板４２も加熱して２００℃の温度とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正内容】
【００２５】 次いでＡｕ５ｇｒを入れたカーボン・ル
ツボ２２を１５０ｋＨｚの高周波で約１５００℃の温度
に誘導加熱し、Ａｕを溶かして蒸発させると、雰囲気が
圧力２ａｔｍのＨｅガスであるため、Ａｕ蒸気は超微粒
子となる。生成した超微粒子の殆どはカーボン・ルツボ
２２の開口部から立ちのぼり、２ａｔｍの差圧によって
搬送管３１の入口端３１ａへ吸引される。そして、蒸発
源周辺のＨｅガスの流速を０．２ｍ／ｓｅｃとしている
ので超微粒子の立ちのぼりの形状は乱されることなく、
安定した吸引となる。
ツボ２２を１５０ｋＨｚの高周波で約１５００℃の温度
に誘導加熱し、Ａｕを溶かして蒸発させると、雰囲気が
圧力２ａｔｍのＨｅガスであるため、Ａｕ蒸気は超微粒
子となる。生成した超微粒子の殆どはカーボン・ルツボ
２２の開口部から立ちのぼり、２ａｔｍの差圧によって
搬送管３１の入口端３１ａへ吸引される。そして、蒸発
源周辺のＨｅガスの流速を０．２ｍ／ｓｅｃとしている
ので超微粒子の立ちのぼりの形状は乱されることなく、
安定した吸引となる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正内容】
【００２６】 この時、金属ベローズ３７によって傾斜
可能となっている搬送管３１を操作して、超微粒子の搬
送量が最大となるように、すなわち、搬送管３１に吸引
されない超微粒子量が最小となるように、搬送管３１の
入口端３１ａとカーボン・ルツボ２２との位置調整を行
なう。搬送量が最大となる位置は使用する不活性ガスの
種類、ガス導入量、超微粒子生成室２１と膜形成室４１
との差圧の大きさなどによって微妙に変化するからであ
る。なお、超微粒子の搬送量は実際には膜形成室４１内
で基板４２を固定した場合の膜堆積高さ速度（μｍ／ｓ
ｅｃ）によって測定される。
可能となっている搬送管３１を操作して、超微粒子の搬
送量が最大となるように、すなわち、搬送管３１に吸引
されない超微粒子量が最小となるように、搬送管３１の
入口端３１ａとカーボン・ルツボ２２との位置調整を行
なう。搬送量が最大となる位置は使用する不活性ガスの
種類、ガス導入量、超微粒子生成室２１と膜形成室４１
との差圧の大きさなどによって微妙に変化するからであ
る。なお、超微粒子の搬送量は実際には膜形成室４１内
で基板４２を固定した場合の膜堆積高さ速度（μｍ／ｓ
ｅｃ）によって測定される。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】変更
【補正内容】
【００２７】 搬送管３１へ吸引されたＡｕの超微粒子
はＨｅガスと共に加熱された搬送管３１内を搬送され、
加熱されたノズル３２から２００℃に加熱された基板４
２上へ高速で噴射される。
はＨｅガスと共に加熱された搬送管３１内を搬送され、
加熱されたノズル３２から２００℃に加熱された基板４
２上へ高速で噴射される。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】変更
【補正内容】
【００２９】 又Ａｕ膜とＮｉ面との密着強度を見るた
めに、基板４２を固定して柱状のＡｕ圧粉体を形成さ
せ、これに水平方向の力を加えて膜を剥がす時に要する
力の大きさから密着力を求めたところ、剪断密着強度２
０ｋｇｆ／ｍｍ2 を示し、かつその破壊はＡｕ膜内で生
じていた。この値は従来例のガスデポジション装置で得
られる値の１０ｋｇｆ／ｍｍ2 よりもはるかに大きい値
である。
めに、基板４２を固定して柱状のＡｕ圧粉体を形成さ
せ、これに水平方向の力を加えて膜を剥がす時に要する
力の大きさから密着力を求めたところ、剪断密着強度２
０ｋｇｆ／ｍｍ2 を示し、かつその破壊はＡｕ膜内で生
じていた。この値は従来例のガスデポジション装置で得
られる値の１０ｋｇｆ／ｍｍ2 よりもはるかに大きい値
である。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３２
【補正方法】変更
【補正内容】
【００３２】 以上のような結果は、搬送管３１、ノズ
ル３２が加熱されていることにより、それらの内壁の近
傍は、キャリアガスとしてのＨｅが加熱されるためか、
ダストフリーのスペースとなり、搬送管３１及びノズル
３２の内壁への超微粒子の付着が抑制されて凝集体が生
成せず、従ってこれら凝集体が再飛散することもないの
で、凝集体のないＡｕ膜が長時間安定して形成されたも
のと思われる。更には、前述したノズル３２内部でのト
ロコイド曲線に沿う内径の絞り、搬送管３１とノズル３
２との間の段差のない接続、ないしは屈曲個所をなくし
て垂直な直管とした搬送管３１など、超微粒子を含むＨ
ｅガスの流れの乱れを可及的に抑制する構造としたこと
も超微粒子の搬送管３１やノズル３２の内壁への付着、
沈着を抑制したと考えられる。又更には、カーボン・ル
ツボ２２を使用して高周波誘導加熱を採用したこと、搬
送管３１の入口端３１ａとカーボン・ルツボ２２との位
置調整を行なうようにしたこと、超微粒子生成室２１内
に滞留する超微粒子を可及的に早く吸込管３４へ排除す
るようにしたことも有効であったと考えられる。
ル３２が加熱されていることにより、それらの内壁の近
傍は、キャリアガスとしてのＨｅが加熱されるためか、
ダストフリーのスペースとなり、搬送管３１及びノズル
３２の内壁への超微粒子の付着が抑制されて凝集体が生
成せず、従ってこれら凝集体が再飛散することもないの
で、凝集体のないＡｕ膜が長時間安定して形成されたも
のと思われる。更には、前述したノズル３２内部でのト
ロコイド曲線に沿う内径の絞り、搬送管３１とノズル３
２との間の段差のない接続、ないしは屈曲個所をなくし
て垂直な直管とした搬送管３１など、超微粒子を含むＨ
ｅガスの流れの乱れを可及的に抑制する構造としたこと
も超微粒子の搬送管３１やノズル３２の内壁への付着、
沈着を抑制したと考えられる。又更には、カーボン・ル
ツボ２２を使用して高周波誘導加熱を採用したこと、搬
送管３１の入口端３１ａとカーボン・ルツボ２２との位
置調整を行なうようにしたこと、超微粒子生成室２１内
に滞留する超微粒子を可及的に早く吸込管３４へ排除す
るようにしたことも有効であったと考えられる。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３６
【補正方法】変更
【補正内容】
【００３６】 第１実施例における膜形成条件と同じ条
件として、第２実施例によるガスデポジション装置で形
成したＡｕの厚膜も１０時間以上連続して膜中に凝集体
は認められず、膜の剪断密着強度も２０ｋｇｆ／ｍｍ2
を示した。
件として、第２実施例によるガスデポジション装置で形
成したＡｕの厚膜も１０時間以上連続して膜中に凝集体
は認められず、膜の剪断密着強度も２０ｋｇｆ／ｍｍ2
を示した。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３８
【補正方法】変更
【補正内容】
【００３８】 例えば実施例においては、搬送管３１の
加熱に、搬送管３１自体を抵抗体として通電し、発生す
るジュール熱によって加熱する方法を採用したが、これ
以外の加熱方法、例えばノズル３２と同じくシースヒー
タを巻装する方法としてもよい。
加熱に、搬送管３１自体を抵抗体として通電し、発生す
るジュール熱によって加熱する方法を採用したが、これ
以外の加熱方法、例えばノズル３２と同じくシースヒー
タを巻装する方法としてもよい。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】符号の説明
【補正方法】変更
【補正内容】
【符号の説明】 １ ガスデポジション装置 ５ 真空ポンプ ２１ 超微粒子生成室 ２２ カーボン・ルツボ ２４ 高周波電源 ２５ メッシュ・フィルタ式導入口 ３１ 搬送管 ３２ ノズル ３６ 真空ポンプ ４１ 膜形成室 ４２ 基板 ５５ 直流電源
【手続補正１１】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１
【補正方法】変更
【補正内容】
【図１】
【手続補正１２】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図２
【補正方法】変更
【補正内容】
【図２】
【手続補正１３】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図６
【補正方法】変更
【補正内容】
【図６】
Claims (8)
- 【請求項１】 蒸発源、その上方に位置する搬送管の入
口部及び不活性ガスの導入部を内蔵する超微粒子生成室
と、前記搬送管と、前記搬送管の出口部、それに接続さ
れるノズル及び該ノズルに対向して配置される基板を内
蔵する膜形成室とからなり、前記蒸発源から加熱蒸発さ
れて生成する超微粒子を前記不活性ガスと共に前記搬送
管中を搬送し、前記ノズルから噴射させて、前記基板上
に超微粒子の膜、あるいは圧粉体を形成させるようにし
たガスデポジション装置において、前記搬送管単独、ま
たは前記搬送管と前記ノズルとの両者に加熱手段が設け
られていることを特徴とするガスデポジション装置。 - 【請求項２】 前記超微粒子生成室を下方にして、前記
超微粒子生成室と前記搬送管と前記膜形成室とがほぼ垂
直線上に配置されている請求項１に記載のガスデポジシ
ョン装置。 - 【請求項３】 前記超微粒子生成室と前記膜形成室とを
連結し、かつその軸心に前記搬送管を内包するように、
金属ベローズがその一端を前記超微粒子生成室の開口部
外周に固定し、他端を前記膜形成室の外壁に固定して設
けられている請求項１又は請求項２に記載のガスデポジ
ション装置。 - 【請求項４】 前記蒸発源の加熱手段が高周波誘導加熱
である請求項１から請求項３までの何れかに記載のガス
デポジション装置。 - 【請求項５】 前記蒸発源と前記搬送管の入口部との相
対的な位置を調整するための調整機構が設けられている
請求項１から請求項４までの何れかに記載のガスデポジ
ション装置。 - 【請求項６】 前記超微粒子生成室内において、前記搬
送管の入口部より上方で、該搬送管と同軸心的に、該搬
送管より大径の吸込管が配設され、該吸込管と前記搬送
管との間の環状空間が排気装置に接続されている請求項
１から請求項５までの何れかに記載のガスデポジション
装置。 - 【請求項７】 前記ノズルの内径が、前記搬送管の出口
部との接続個所と前記ノズルの細孔部との間において、
トロコイド曲線に沿って絞られている請求項１から請求
項６までの何れかに記載のガスデポジション装置。 - 【請求項８】 前記不活性ガスの導入部がメッシュ・フ
ィルタ式導入口である請求項１から請求項７までの何れ
かに記載のガスデポジション装置。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34148493A JP3452617B2 (ja) | 1993-12-10 | 1993-12-10 | ガスデポジション装置 |
| DE4443785A DE4443785C2 (de) | 1993-12-10 | 1994-12-08 | Gasabscheidegerät |
| US08/351,701 US5536324A (en) | 1993-12-10 | 1994-12-08 | Ultra fine particle gas deposition apparatus |
| US08/580,143 US5837316A (en) | 1993-12-10 | 1995-12-28 | Ultra fine particle gas deposition apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34148493A JP3452617B2 (ja) | 1993-12-10 | 1993-12-10 | ガスデポジション装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07166332A true JPH07166332A (ja) | 1995-06-27 |
| JP3452617B2 JP3452617B2 (ja) | 2003-09-29 |
Family
ID=18346421
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP34148493A Expired - Lifetime JP3452617B2 (ja) | 1993-12-10 | 1993-12-10 | ガスデポジション装置 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US5536324A (ja) |
| JP (1) | JP3452617B2 (ja) |
| DE (1) | DE4443785C2 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0841626A (ja) * | 1994-07-28 | 1996-02-13 | Vacuum Metallurgical Co Ltd | 金属部分膜の形成装置およびその形成方法 |
| JP2008057000A (ja) * | 2006-08-31 | 2008-03-13 | Fuchita Nano Giken:Kk | リチウムまたはリチウム合金の成膜装置 |
| JP2015140483A (ja) * | 2014-01-30 | 2015-08-03 | セイコーエプソン株式会社 | 時計用外装部品、時計用外装部品の製造方法および時計 |
| CN111434797A (zh) * | 2019-01-11 | 2020-07-21 | 佳能特机株式会社 | 成膜装置以及电子器件的制造装置 |
| JP2020111823A (ja) * | 2019-01-11 | 2020-07-27 | キヤノントッキ株式会社 | 成膜装置及び電子デバイスの製造装置 |
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|---|---|---|---|---|
| JP3452617B2 (ja) * | 1993-12-10 | 2003-09-29 | 真空冶金株式会社 | ガスデポジション装置 |
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| US6179922B1 (en) * | 1998-07-10 | 2001-01-30 | Ball Semiconductor, Inc. | CVD photo resist deposition |
| DE19921744B4 (de) * | 1999-05-11 | 2008-04-30 | Applied Materials Gmbh & Co. Kg | Verfahren zum Transport von mindestens einer dampfförmigen Substanz durch die Wand einer Vakuumkammer in die Vakuumkammer sowie Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens und deren Verwendung |
| JP4383626B2 (ja) * | 2000-04-13 | 2009-12-16 | キヤノン株式会社 | 位置決め装置および露光装置 |
| JP2004533538A (ja) * | 2000-07-10 | 2004-11-04 | オプネティクス コーポレイション | ２重スキャン薄膜処理システム |
| US6669824B2 (en) | 2000-07-10 | 2003-12-30 | Unaxis Usa, Inc. | Dual-scan thin film processing system |
| US6495010B2 (en) | 2000-07-10 | 2002-12-17 | Unaxis Usa, Inc. | Differentially-pumped material processing system |
| US7163197B2 (en) * | 2000-09-26 | 2007-01-16 | Shimadzu Corporation | Liquid substance supply device for vaporizing system, vaporizer, and vaporization performance appraisal method |
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| EP1211333A3 (en) * | 2000-12-01 | 2003-07-30 | Japan Pionics Co., Ltd. | Vaporizer for CVD apparatus |
| EP1423553A4 (en) * | 2001-08-01 | 2008-12-17 | Danieli Technology Inc | METAL VAPOR COATING |
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| US7384448B2 (en) * | 2004-02-16 | 2008-06-10 | Climax Engineered Materials, Llc | Method and apparatus for producing nano-particles of silver |
| JP4845385B2 (ja) * | 2004-08-13 | 2011-12-28 | 東京エレクトロン株式会社 | 成膜装置 |
| KR101121417B1 (ko) * | 2004-10-28 | 2012-03-15 | 주성엔지니어링(주) | 표시소자의 제조장치 |
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| WO2016064407A1 (en) | 2014-10-23 | 2016-04-28 | Ag Bio-Power L.C. | Rotating and movable bed gasifier producing high carbon char |
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-
1993
- 1993-12-10 JP JP34148493A patent/JP3452617B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1994
- 1994-12-08 DE DE4443785A patent/DE4443785C2/de not_active Expired - Fee Related
- 1994-12-08 US US08/351,701 patent/US5536324A/en not_active Expired - Lifetime
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1995
- 1995-12-28 US US08/580,143 patent/US5837316A/en not_active Expired - Lifetime
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