JP3210405B2 - ガスデポジション装置 - Google Patents
ガスデポジション装置Info
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Description
送し、ノズルより高速で噴射させ、対向する基板上に超
微粒子の厚膜あるいは圧粉体を形成するガスデポジショ
ン装置に関するものである。
超微粒子は、一度ガス中に浮遊すると、エアロゾル状と
なり、重力による自由落下速度が極めて小さい、及び
ガスの流れに乗って容易に搬送される、というこれら
現象は超微粒子の材質が金属や化合物のように密度が異
なってもほとんど影響を受けない。
すものであるが、これは超微粒子生成室1、膜形成室1
0及び搬送管7等で構成されている。この超微粒子生成
室1と膜形成室10との間には膜形成室10がバルブ1
3を介して接続される真空ポンプ12によって真空引き
されているので、差圧が生じている。又るつぼ3は電源
5に接続され、るつぼ3内には蒸発されるべき物質4が
収容されている。超微粒子生成室1において、バルブ6
を介して導入される不活性ガスの雰囲気中で、抵抗加熱
法により生成されたエアロゾル状の金属超微粒子は上述
の差圧により膜形成室10内に搬送され、ノズル9より
高速噴射される。ガスデポジション装置は、これによっ
て基板11上に超微粒子膜及び小塊状の圧粉体を形成さ
せる装置である。本装置を用いれば、超微粒子膜を高分
子バインダーなどと混合することなく、ドライな雰囲気
中で無加圧・無加熱で形成させることができ、電気的・
磁気的を初めとする諸特性の測定が可能である。基板1
1はガラス・金属・プラスチック・セラミックスなど材
質及び形状に制約を受けない。
の利点を有するものであるが、なお以下のような問題を
有するものである。
は、膜形成室10内での超微粒子の堆積を止めるときに
は、搬送管7の途中に設けられた電磁バルブ8の閉操作
により行っていた。然るに電磁バルブ8を閉めることに
より、まず超微粒子生成室1とバルブ8の上流側の間に
は差圧がなくなるため、その間に存在する超微粒子は自
然落下し、搬送管7の内壁に沈着する、この沈着した超
微粒子は再度バルブ8を開いた時には凝集体となって搬
送され、付着力等の膜質を低下させるもととなるため、
問題であった。また、バルブ8を閉めることにより、膜
形成室10とバルブ8の下流側の間にも差圧が徐々にな
くなるため、ノズル9からの噴射エネルギーが徐々に低
下し、付着力や密度の低下を引き起こす問題があった。
うな従来のものの持つ問題点を解決するもので、超微粒
子生成室及び膜形成室の間の差圧をなくすことなく、超
微粒子のガス搬送を止めることの可能なガスデポジショ
ン装置を提供することを目的としている。
びこの上方に位置させて搬送管の開口部を内蔵する超微
粒子生成室と、前記搬送管の他開口部に結合されたノズ
ル及びこれに対向して配設される基板を内蔵する膜形成
室とから成り、前記蒸発源より蒸発する超微粒子を前記
超微粒子生成室内へ導入されるガスと共に前記搬送管中
を搬送し、前記ノズルから噴射する超微粒子の膜を前記
基板上に形成するようにしたガスデポジション装置にお
いて、前記搬送管の開口部より上方で、該搬送管とは同
心的で、これより大径の吸込管を配設し、該吸込管と前
記搬送管との間の環状空間を排気装置に接続させ前記搬
送管の開口部及び前記蒸発源のいずれか一方を、水平方
向において他方に対し遠ざかるように相対的に所定距離
又は所定距離以上、迅速に移動させることにより、前記
ノズルからの超微粒子の噴射を停止させるようにしたこ
とを特徴とするガスデポジション装置によって達成され
る。
上に位置するガス搬送管入口を素早く、例えば横へ移動
できる機構が設けられている。ガス搬送管入口を超微粒
子の存在しない位置まで移動させることにより、ガス搬
送粒子がなくなり、超微粒子の堆積がなくなる。つま
り、膜形成を停止することができる。その際、差圧力の
低減を伴わないため、堆積エネルギーの減少や凝集体の
発生も生じない。
ン装置について図面を参照して説明する。なお、従来例
に対応する部分については同一の符号を付し、その詳細
な説明は省略する。
照)の内空間2においては搬送管7の開口7aが蒸発源
としてのるつぼ3と対向して配設されている。本実施例
によれば、このるつぼ3はアルミナコートタングステン
バスケットであるが、これには銅4が収容されている。
搬送管7の下端部には取付部材23を介して駆動ロッド
24が枢着されており、これは超微粒子生成室1の外方
又はこの生成室1の静止部26に取り付けられた電磁ソ
レノイド25の作動子として構成されている。又搬送管
7には同心的に大径の吸込管20が配設されており、こ
れは図2に示すように配管22を介して真空装置に接続
されている。
とは大きく異なって図示されているが、吸込管20の下
端から搬送管7の下端、すなわち開口7aまでの距離a
は50mmであり、また吸込管20の内径bは30mm
である。またこれと同心的に配設される搬送管7の内径
は1.65mmであり、これが対向するるつぼ3の外径
eは15mmである。
その他の構成については従来と全く同様である。なお図
9において電磁バルブ8は省略される。
様に電源5により電極5a、5bを介して電力400W
が加えられ、抵抗加熱により約1400℃に加熱され
る。これにより、るつぼ3から銅4の蒸気が矢印で示す
ように上方へと蒸発する。ここで、この蒸発ガス、すな
わち銅4の超微粒子の流れの搬送管7の開口7aに近接
する部分ではdすなわち約0.5mmの径のガス流とな
り、これが搬送管7の開口7aから導入されるのである
が、図1においては図示せずとも不活性ガスが導入され
る。これは約2気圧(1500Torr)のヘリウムガ
スであり、これにより搬送管7を銅4の超微粒子が搬送
されて膜形成室10へと搬送される。そして従来と同様
に膜形成室10に配設された基板11にCu膜が形成さ
れる。基板11はガラスで7.5mm/minの速さで
移動される。
超微粒子の噴出を停止する操作について説明すると、外
部からの指令により電磁ソレノイド25は励磁される。
これにより駆動ロッド24が図において右方へと駆動さ
れ、搬送管7を一点鎖線で示すようにたわませる。本実
施例によれば搬送管7の開口7aはf、すなわち15m
mほぼ水平方向に移動させられる。この移動時間は0.
1秒である。なお、搬送管7は内径が1.65mmであ
り、また吸込管20の下端からはa、すなわち50mm
ものびているので、材質にもよるが、充分にフレキシブ
ルであり、問題なくfだけ迅速に開口7aを移動させる
ことができる。これによりるつぼ3からはなおも銅4の
超微粒子が蒸発し続けているが、搬送管7の開口7aが
図示するように対向する位置から遠ざけられたことによ
り搬送管7を通ることができず、搬送管7内には従来と
異なり、電磁バルブ8が設けられていないが、膜形成室
10内のノズル9からの超微粒子の噴出は確実に停止さ
せられる。
しており、また配管22を介して真空装置により排気さ
れているので、るつぼ3から蒸発する超微粒子のガス流
は今やもっぱら吸込管20と搬送管7との間の環状空間
21(図2参照)で捕らえられ、配管22を通って外部
に排気される。またこれにより確実に搬送管7の開口7
aに、もし吸込管20がなければ対流により搬送管7の
開口7aから若干の銅4の超微粒子が侵入することも考
えられるが、本実施例によれば吸込管20の作用によ
り、より確実に膜形成室内におけるノズル9からの超微
粒子の噴出を停止させることができる。
銅4の超微粒子を噴出したい場合には電磁ソレノイド2
5の励磁を解除すれば駆動ロッド24は図において左方
へ移動し、図示する位置をとり、再び搬送管7の開口7
aはるつぼ3から蒸発している銅4の超微粒子のガス流
と対向し、搬送管7を通り膜形成室10のノズル9より
この銅の超微粒子を噴出させることができ、基板11に
膜を形成させることができる。基板11には凝集体のな
いCu膜が形成できた。
口7aをどれだけ移動させれば超微粒子のガス流を膜形
成室10に搬送されるのを抑止できるかどうかを定める
ために種々の条件におけるるつぼからのガス蒸発状況に
ついて説明する。
される場合の例で生成室1内に導入されるヘリウムのガ
スが2Torrであり、るつぼ30はアルミナまたはジ
ルコニア製のるつぼであり、このなかにFe32の溶湯
が収容されているのであるが、このるつぼ30の周りに
高周波誘導コイル31が巻装されており、これに高周波
が通電されることにより、るつぼ30内のFe32に誘
導電流が流れ、これにより加熱されて溶け、るつぼ30
からFe32の超微粒子がガス流として矢印で示すよう
に上方へと移行する。本例のるつぼ30の径gは180
mmであるが、このるつぼ30に近接した部分にはベー
パーゾーン33、すなわちFe32の原子状の粒子と3
0乃至100Åの径の孤立粒子が存在する領域がある。
これから更に上方部分は最もガス流の径が大きくなった
部分であるが、この部分の径hは約400mmであり、
この領域34においては200Åのチェーン状のFe粒
子が多数存在している。そして、るつぼ30から上方に
kの位置、すなわち500mmの位置におけるガス流の
径jは200乃至250mmである。なお、領域34に
おけるガス流の流量は2.5×105 Torr・cc/
secである。このようなガス粒子分布においては、ガ
ス流の最小径200乃至250mmの直上方に搬送管7
の開口7aが位置しているのであるが、膜形成室へのガ
ス流を抑止するためにはjの距離だけ図において右方か
左方へ移動すればよいことは明らかである。
ス圧力が100Torrであり、本例ではるつぼ3は実
施例と同様にアルミナコートのタングステンバスケット
であるが、このるつぼ3内には1350℃に加熱される
Cu40の溶湯が収容されており、これからはこのるつ
ぼ3からPの高さ、すなわち50mmにおいて、ガス流
の最小となる径はnであり、約5mmである。そしてる
つぼ3に近接するガス流の最も径の大きい部分でm’、
すなわち約15mmである。これはるつぼ3の径mと等
しい。本例においてもガス流の最小径部の直上方に搬送
管7の開口7aが配設されているのであるが、本例によ
ればこの搬送管7の開口7aがn、すなわち約5mm以
上移動すれば、超微粒子の吸込を抑止することができ
る。
生成室1内に導入されるヘリウムガスが約2気圧(15
00Torr)、すなわち加圧の場合であり、るつぼ3
内には1400℃のCu50が収容されている。またこ
のるつぼ3の径qは図4と同様であるが、本例によれば
ガス流は図4に比べ、更に細く絞られ、るつぼ3から約
50mmの上方においては最小径となるガス流の径が
0.5mmである。この直上方にも搬送管7の開口7a
が位置しているのであるが、本例によればs、すなわち
約0.5mm左方から右方、あるいは紙面に対して垂直
方向に移動すれば、すなわち搬送管7の開口7aを約
0.5mm水平方向に移動すればガス粒子の吸込を抑制
することができる。
の状況について説明したが、これらから明らかなように
各条件において搬送管7の開口7aをそのガス流の最上
方部の最小径に応じて移動すれば、確実に膜形成室10
の超微粒子の搬送を抑止することができることが明らか
である。
は生成室1に導入される不活性ガスとしてヘリウムガス
が用いられたが、このヘリウムガスより重いアルゴンガ
スを用いれば、同じ圧力に対し、更に超微粒子の存在す
るガス領域は狭くなる。すなわちこのような場合には、
このガス流の上方部の最小径の部分の直上方に位置する
搬送管7の移動を更に小さくすることができ、よってよ
り迅速でより小さな移動と共に膜形成室への超微粒子の
搬送の抑止は更に確実に、かつ迅速に制御することがで
きる。
な移動を行うためのメカニズムの他例を示すものであ
り、生成室1の側壁1aに軸シール41を配し、これに
搬送管7及び吸込管20を矢印xの方向に摺動自在に設
ければ、確実、かつ迅速に搬送管7を吸込管20と共に
移動させられることは明らかであるが、図7はこのx方
向の移動のための機構の一例を示すものである。搬送管
7及びこれと同心的に固定されている吸込管20は側壁
1aに軸シール41を介して左右方向に摺動自在に設け
られているのであるが、これは側壁1aから外方に突出
する部分においてシールリングGを介して大径で膜形成
室10へと延在する搬送管主部42に気密に嵌合してい
る。またこの搬送管7の外周壁部には一対のアーム44
a、44bが取り付けられているが、これが静止部10
a、10bに取り付けられた一対のエアシリンダ43
a、43bの駆動ロッドに結合して、矢印xの方向に伸
縮自在とすれば、上記実施例における搬送管7の迅速な
所定距離の移動はこれにより行うことができるのは明ら
かである。なお、上記実施例と同様にエアシリンダ43
a、43bを電磁ソレノイドに変更してもよい。
り、本他例では生成室1の側壁部1aに設けられる軸シ
ール41に図7と同様に搬送管7が挿通されているが、
生成室1の外方に設けた、例えばステップモータにより
搬送管7を図において垂直方向に関し、例えば時計方向
に所定角度α迅速に回動させるようにしても、その搬送
管7の開口7aはその直下方にあるガス流から水平方向
において充分遠ざかるので、ガス流の膜形成室への搬送
を確実に抑止することができる。なお、図1及び図2に
対応する部分については同一の符号を付すものとする。
が、勿論、本発明はこれに限定されることなく、本発明
の技術的思想に基いて種々の変形が可能である。
する超微粒子が搬送管7に導入され、これを通って膜形
成室に超微粒子が搬送されるのを抑止するために搬送管
7を生成室1内において所定距離迅速に所定方向に移動
させるようにしたが、これに代えて搬送管7の方が停止
したままであり、これに対向するるつぼ3を相対的に上
記所定距離及び上記所定方向に迅速に移動させるように
してもよい。この場合には上記実施例においてはるつぼ
3は抵抗加熱でありこれに電極5a、5bが接続されて
いたが、この電極5a、5bは生成室1の側壁部1a、
1bを摺動自在に挿通している構成とすれば、生成室1
の外方に設けた図7及び図8で示したような移動機構に
より、移動させるようにしても搬送管7による膜形成室
への超微粒子の搬送を抑止できることは明らかである。
ョン装置によれば、搬送管の一部に電磁弁を設けなくて
も確実に膜形成室内における基板に超微粒子を噴出させ
て膜形成をしているときに直ちにこの膜形成を抑止する
ことができる。よって、電磁弁を用いて搬送管内の超微
粒子ガスのノズルからの噴出を停止させるときに生じた
種々の不都合を確実に除去することができる。
る。
図である。
熱条件などを変更した場合の超微粒子ガスの分布状況を
示す拡大断面図である。
である。
す拡大断面図である。
の一部を示す拡大断面図である。
る。
る。
Claims (1)
- 【請求項1】 蒸発源及びこの上方に位置させて搬送管
の開口部を内蔵する超微粒子生成室と、前記搬送管の他
開口部に結合されたノズル及びこれに対向して配設され
る基板を内蔵する膜形成室とから成り、前記蒸発源より
蒸発する超微粒子を前記超微粒子生成室内へ導入される
ガスと共に前記搬送管中を搬送し、前記ノズルから噴射
する超微粒子の膜を前記基板上に形成するようにしたガ
スデポジション装置において、前記搬送管の開口部より
上方で、該搬送管とは同心的で、これより大径の吸込管
を配設し、該吸込管と前記搬送管との間の環状空間を排
気装置に接続させ前記搬送管の開口部及び前記蒸発源の
いずれか一方を、水平方向において他方に対し遠ざかる
ように相対的に所定距離又は所定距離以上、迅速に移動
させることにより、前記ノズルからの超微粒子の噴射を
停止させるようにしたことを特徴とするガスデポジショ
ン装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP12265092A JP3210405B2 (ja) | 1992-04-16 | 1992-04-16 | ガスデポジション装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP12265092A JP3210405B2 (ja) | 1992-04-16 | 1992-04-16 | ガスデポジション装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH05295525A JPH05295525A (ja) | 1993-11-09 |
JP3210405B2 true JP3210405B2 (ja) | 2001-09-17 |
Family
ID=14841228
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP12265092A Expired - Lifetime JP3210405B2 (ja) | 1992-04-16 | 1992-04-16 | ガスデポジション装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3210405B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3595823B2 (ja) * | 1994-07-28 | 2004-12-02 | 有限会社 渕田ナノ技研 | 金属部分膜の形成装置およびその形成方法 |
-
1992
- 1992-04-16 JP JP12265092A patent/JP3210405B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH05295525A (ja) | 1993-11-09 |
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