KR940016601A - 반도체장치의 제조방법 및 박막형성장치 - Google Patents
반도체장치의 제조방법 및 박막형성장치 Download PDFInfo
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Abstract
본 발명은 제조가 용이하고, 게다가 적은 공정수로 배선 또는 배선과 다른 도전층을 접속하는 접속전극등을 가스디포지션(gas deposition)법에 의해 형성하는 반도체장치의 제조방법을 제공하고자 함에 그 목적이 있다.
이를 위해 본 발명은, 금속소오스를 가열하여 증발시키는 공정과, 상기 증발된 금속소오스를 불활성가스에 접촉시켜 금속미립자화하는 공정 및, 상기 금속미립자를 상기 불활성가스에 의해 기판상으로 반송하여 상기 금속미립자를 내뿜어 금속막을 이 기판상에 선택적으로 형성하는 공정을 구비하고 있다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제 1 도는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 반도체장치에 이용되는 회로기판의 단면도, 제 2 도는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 반도체장치의 제조공정의 단면도, 제 3 도는 본 발명의 제 2 실시예에 따른 반도체장치의 제조공정의 단면도, 제 4 도는 본 발명의 제 2 실시예에 따른 반도체장치의 다른 제조공정의 단면도, 제 5 도는 본 발명의 제 2 실시예에 따른 반도체장치의 또 다른 제조공정의 단면도.
Claims (12)
- 금속소오스를 가열하여 증발시키는 공정과, 상기 증발된 금속소오스를 불활성가스에 접촉시켜 금속미립자화하는 공정 및, 상기 금속미립자를 상기 불활성가스에 의해 기판상으로 반송하여 상기 금속미립자를 내뿜어 금속막을 이 기판상에 선택적으로 형성하는 공정을 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 제조방법.
- 제 1 항에 있어서, 상기 기판은 반도체기판 또는 회로기판인 것을 특징으로 하는 반도체장치의 제조방법.
- 반도체기판 또는 회로기판상에 제 1 배선을 형성하는 공정과, 금속소오스를 가열하여 증발시키는 공정, 상기 증발한 금속소오스를 불활성가스에 접촉시켜 금속미립자화하는 공정, 상기 금속미립자를 상기 불활성가스에 의해 상기 반도체기판 또는 회로기판상으로 반송하고, 상기 제 1 배선상으로 상기 금속미립자를 내뿜어 금속주를 선택적으로 형성하는 공정, 상기 반도체기판 또는 회로기판상에 층간절연막을 상기 금속주가 매립되도록 형성하는 공정, 상기 층간절연막을 에칭하여 상기 금속주의 선단부분을 노출시키는 공정 및, 상기 층간절연막상에 제 2 배선을 형성하는 공정을 구비하고 있는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 제조방법.
- 금속소오스를 가열하여 증발시키는 공정과, 상기 증발된 금속소오스를 불활성가스에 접촉시켜 금속미립자화하는 공정, 상기 금속미립자를 상기 불활성가스에 의해 상기 반도체기판상으로 반송하고, 반도체기판상에 그 내부회로와 전기적으로 접속되어 있는 전극패드상에 이 금속미립자를 내뿜어 범프전극을 형성하는 공정을 구비하고 있는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 제조방법.
- 제 4 항에 있어서, 상기 반도체상으로 상기 금속미립자를 내뿜을 때에 이 반도체기판상의 상기 전극패드상에 개구부가 형성되어 있는 차폐판을 개재시키는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 제조방법.
- 반도체기판 또는 회로기판상에 절연막을 형성하는 공정과, 상기 절연막에 소정의 형성의부를 형성하는 공정, 금속소오스를 가열하여 증발시키는 공정, 상기 증발된 금속소오스를 불활성가스에 접촉시켜 금속미립자화하는 공정, 상기 금속미립자를 상기 불활성가스에 의해 반도체기판 또는 회로기판상으로 반송하고, 이 반도체기판 또는 회로기판상응로 상기 금속미립자를 노즐을 매개로 내뿜어 금속막을 상기부내에 선택적으로 형성한 공정을 구비한 것을 특징으로 하는 반도체장치의 제조방법.
- 제 6 항에 있어서, 상기 노즐은 이것과 대향되어 있는 상기 반도체기판 또는 회로기판의 수직방향에 대하여 소정의 각도만큼 경사지게 하는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 제조방법.
- 반도체기판 또는 회로기판상에 절연막을 형성하는 공정과, 상기 절연막에 소정의 형상의부를 형성하는 공정, 금속소오스를 가열하여 증발시키는 공정, 상기 증발된 금속소오스를 불활성가스에 접촉시켜 금속미립자화하는 공정, 상기 금속미립자를 상기 불활성가스에 의해 반도체기판 또는 회로기판상응로 반송하고, 이 금속미립자를 노즐을 매개로 상기부내를 포함하는 상기 반도체기판 또는 회로기판 전면에 내뿜는 공정 및, 상기 전면에 퇴적된 상기 금속미립자를 폴리싱하여 상기부 이외의 금속미립자를 제거하고, 이부내에만 금속막을 형성하는 공정을 구비하고 있는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 제조방법.
- 제 8 항에 있어서, 상기 노즐은 이것과 대향되어 있는 상기 반도체기판 또는 회로기판의 수직방향에 대하여 소정의 각도만큼 경사지게 하는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 제조방법.
- 제 1 진공실(A)과, 이 제 1 진공(A)내에 배치된 금속소오스를 가열증발시키는 도가니(23), 상기 제 제 1 진공실(A)로 불활성가스를 도입하는 수단(26), 제 2 진공실(B), 상기 제 2 진공실(B)에 배치되고, 그 위에 상기 증발된 금속소오스를 퇴적시키는 기판(1), 상기 제 1 진공실(A)로부터 제 2 진공실(B)내로 불활성가스를 반송하는 반송수단(27), 상기 제 1 진공실(A)내에 배치되어 상기 제 1 진공실(A)내로 불활성가스를 도입하는 수단(26)에 접속된 불활성가스를 정류하는 수단(39)을 갖추고, 상기 불활성가스를 정류하는 수단(39)은 상기 도가니(23)의 바로 밑에 배치되고, 상기 불활성가스를 도입하는 수단(26)으로부터 도출된 불활성가스의 흐름방향을 상기 금속소오스가 가열용융되고 있는 도가니(23)의 용탕면의 중심점의 법선방향에 일치시키며, 또 이 중심점의 범선을 상기 불활성 가스의 흐름의 대칭축으로 되도록 정류하는 것을 특징으로 하는 박막형성장치.
- 제 10 항에 있어서, 상기 정류된 불활성가스의 유속은 상기 용탕면으로부터 발생하는 상기 금속소오스의 증기가 상기 불활성가스에 의해 냉각되어 생성된 미립자의 흐름속도보다 느린 것을 특징으로 하는 박막형성장치.
- 제 10 또는 제11항에 있어서, 상기 불활성가스를 정류하는 수단은 상기 불활성가스를 도입하는 수단으로서 이용되는 불활성가스 도입관의 출구에 부착되고, 주면이 섬유모양의 물질로 이루어진 필터(39)인 것을 특징으로 하는 박막형성장치.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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