JP3270118B2

JP3270118B2 - 高周波プラズマによる球状化粒子の製造方法およびその装置

Info

Publication number: JP3270118B2
Application number: JP17835292A
Authority: JP
Inventors: 威野村; 収町田; 紘泰住友
Original assignee: Fuji Electronics Industry Co Ltd; Tsukishima Kikai Co Ltd
Current assignee: Fuji Electronics Industry Co Ltd; Tsukishima Kikai Co Ltd
Priority date: 1992-07-06
Filing date: 1992-07-06
Publication date: 2002-04-02
Anticipated expiration: 2017-04-02
Also published as: JPH0625717A

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、高周波誘導プラズマ反
応装置により発生させたプラズマフレームを利用して、
金属、非金属およびセラミックスなどの分散、凝集状態
にある不定型粒子を原料として、定型の球状化粒子を製
造する方法およびその装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、粉末冶金の分野においては、粉末
冶金による生産品の高靱性化、高強度化等の要求、およ
び通常の冶金では製造することのできない金属間化合物
製品の生産の要求により、さらに細粒化・球状化された
粉末の生産が望まれている。また、金属射出成形の分野
においても、球状化された粒子は充填率と流動性が高い
ことから、球状化粒子の高品位かつ効率的な生産が望ま
れている。一方、ハンダ粒子についても、リフロー方式
によるハンダのセッティングもＩＣチップの小型化に伴
い、基板との接合あるいはクリームハンダによるリード
部との接合が高密度化するため、ノズルの小径化が進む
につれて、高流動化の要請があり、またＡｇ、Ａｕ、Ｐ
ｔ等の導電ペースト用粒子の微細化および高球状化が要
求されるようになってきた。

【０００３】前記粉末冶金法の原料として使用される球
状化粒子の製造方法としては、近年種々の改良方法が試
みられており、たとえば特開平２−１１７０４号公報に
開示されるガスまたは水アトマイズ法（噴霧法）、特開
昭６３−２３０８０７号公報に開示される回転噴霧法、
特開平１−２３４５０６号公報に開示される回転電極
法、特開昭６３−５８７９９号公報に開示されるプラズ
マアーク法、および湿式法（アルコキシド法）などが提
案されている。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前述し
たガスアトマイズ法、回転噴霧法および回転電極法等に
おいては、製造される球状粒子の粒径に大きな偏りがあ
り、たとえば鉄粉を製造した場合は、平均粒径で７０〜
８０μｍから数ｍｍ程度のものを製造する際には適する
が、比較的小さい粒径のものが製造できないという問題
がある。また、前記水アトマイズ法においては、平均粒
径１〜１０μｍ程度の極小径のものを製造し得るが、球
状化率の高いものは製造不可能である。すなわち、従来
法においては、球状化粒子の製造に際し、比較的大きな
サイズのものか、あるいは球状化率の低い極小径のサイ
ズのものしかできずに、たとえば粒径が１〜６０μｍ程
度の小径かつ高球状化率のものを製造することができな
かった。

【０００５】一方、前記特開昭６３−５８７９９号公報
に開示されるプラズマアーク法は、不定型粒子をアーク
プラズマフレーム中に挿入して粒状化する方法である
が、高周波誘導を直接受ける部分を原料の溶融エネルギ
ーとして利用するものであるため、処理物質が超微粉化
し易く、要求する球状化粒子が得られないとともに、高
周波誘導コイルからの表皮エネルギー効果により、プラ
ズマ発生部の断面方向に温度分布が発生し、かつプラズ
マが高圧化しているため、処理物質の供給および球状化
処理の制御性に問題がある。さらに、プラズマ発生電極
と処理物質の供給ノズル間が近接せざるを得ず、またエ
ネルギー密度が高いため、処理物質の蒸発とともに、熱
対流が起き、プラズマ発生トーチ部、あるいは処理物質
挿入口に処理物質が付着し、トーチ部、ノズル部が閉塞
するため、長時間の連続運転が不可能であるなどの問題
があった。加えて、プラズマ発生部位へ直接処理物質を
挿入する方法のため、その遮蔽効果により高周波誘導さ
れているプラズマが失火する現象が頻繁に発生し、安定
的な操業ができないなどの問題もある。また、前記湿式
法では、処理物質の球状化が難しく、不定型の約０．１
μｍ〜５μｍ程度の粒子サイズが限界である。

【０００６】そこで、本発明の主たる課題は、特にＩＣ
チップ等のハンダ粒子および導電ペーストとして要求頻
度の高い１〜６０μｍ程度の小径の球状粒子を高い球状
化率をもって製造し得るとともに、プラズマ反応を乱す
ことなく、処理物質供給ノズル、プラズマ発生トーチ部
の閉塞、またはプラズマの失火現象を無くし安定的に連
続生産が可能な球状粒子の製造方法およびその装置を提
供するものである。

【０００７】

【課題を解決するための手段】前記課題は、高周波誘導
コイルにより高周波磁場を励磁し、この高周波磁場内に
プラズマガスを供給して誘導的に高周波プラズマフレー
ムを発生させ、この高周波プラズマフレーム内に不定型
粒子処理物質を供給して球状化粒子を製造する方法であ
って、冷却水が供給され冷却される二重管の外方に前記
高周波誘導コイルが配設され、前記二重管内にプラズマ
ガスを供給するプラズマガス供給管が設けられ、前記二
重管内にその内面に沿って下方へ流しその内面への処理
物質付着防止用のシールガスを供給し、発生する絞りの
ないプラズマフレームにおける前記高周波誘導コイル配
設領域外の低温のテールフレーム領域に対して、前記処
理物質を実質的に前記プラズマフレーム軸に向けて活性
ガスまたは不活性ガスとともに供給することで解決でき
る。さらに、前記課題は、高周波誘導コイルにより高周
波磁場を励磁し、この高周波磁場内にプラズマガスを供
給して誘導的に高周波プラズマフレームを発生させ、こ
の絞りのない高周波プラズマフレーム内に不定型粒子処
理物質を供給して球状化粒子を製造する方法であって、
前記プラズマガスを供給するプラズマガス供給管の先端
位置を、前記高周波誘導コイルの最遠コイル位置に略一
致させ、供給されるプラズマガスに乗せて二相流状態で
処理物質を供給することでも解決できる。

【０００８】処理物質の供給態様としては、プラズマ
フレーム軸に対して実質的に直交する方向より供給する
方法、プラズマフレーム軸と直交する軸より、±４５
°の方向より供給する方法、またはプラズマフレーム
軸と同一線上より、供給されるプラズマガスに乗せて二
相流状態で処理物質を供給する方法が好適に採用され
る。

【０００９】また、そのための装置は、高周波誘導コイ
ルにより高周波磁場を励磁し、この高周波磁場内にプラ
ズマガスを供給して誘導的に高周波プラズマフレームを
発生させ、この高周波プラズマフレーム内に不定型粒子
処理物質を供給して球状化粒子を製造する装置であっ
て、前記高周波誘導コイルの内方に配設され、冷却水が
供給され冷却される二重管と、この二重管内にプラズマ
ガスを供給するプラズマガス供給管と、前記二重管内に
その内面に沿って下方へ流しその内面への処理物質付着
防止用のシールガスを供給する手段と、発生する絞りの
ないプラズマフレームにおける前記高周波誘導コイル配
設領域外の低温のテールフレーム領域に対して、前記処
理物質を実質的に前記プラズマフレーム軸に向けて活性
ガスまたは不活性ガスとともに供給する、処理物質供給
手段とを備えるものである。前記処理物質の供給態様
の場合には、プラズマガスを供給するプラズマガス供給
管の先端位置を、前記高周波誘導コイルの最遠コイル位
置に略一致させ、供給されるプラズマガスに乗せて二相
流状態で処理物質を供給する方法が採用される。

【００１０】

【作用】高周波磁場を利用して、誘導的に高周波プラズ
マを発生させた場合、発生するプラズマフレームは高周
波磁場を形成するための高周波誘導コイルの配設領域に
おいてプラズマ反応を起こし、プラズマ化させるガス流
の勢いによりその先方に延長されたプラズマフレーム形
状となる。このプラズマフレームは、高周波誘導コイル
が配設されたプラズマ反応部とその先方のテールフレー
ム部とにより構成される。本発明においては、前記プラ
ズマフレームにおける高周波誘導コイルの配置領域外の
前記テールフレーム領域に処理物質を供給することを発
明の要旨とするものであり、該テールフレーム領域は、
約７０００℃の高温部から約１０００℃の低温部の温度
範囲であり、かつ該領域での処理とするため前記プラズ
マ部での気流乱れがなくなるため、処理物質の蒸発およ
び熱対流がなくなり、プラズマ発生トーチ部、処理物質
供給ノズルの閉塞の問題および遮蔽による高周波プラズ
マの失火現象がなくなる。また、処理する原料の粒径、
比重、融点、熱伝導性等を考慮して、適宜の位置に処理
物質を供給することにより、所望の粒径の球状化粒子を
任意に連続生産できるようになる。

【００１１】前記テールフレーム領域に対して、プラズ
マフレーム軸と実質的に直交する方向より処理物質を供
給する場合には、円周方向より前記プラズマフレーム軸
に向けて複数の供給ノズルを設けることができるため、
単位時間当りの処理量を多くすることができるととも
に、各ノズルより供給された処理物質が互いに衝突し、
分散性が良好となる。また、プラズマフレーム軸と直交
する軸の±４５°の方向より処理物質を供給する場合に
は、前記利点に加え、原料種、およびその物性の違いよ
り、球状化に要する滞留時間の延長を図る場合に好適に
採用される。さらに、プラズマフレーム軸と同一線上よ
り、供給されるプラズマガスに乗せて二相流状態で処理
物質を供給する場合には、単位時間当りの処理量が少な
くなるものの、供給される微粒子はテールフレームの全
延長範囲を通過し、充分な滞留時間が確保されるため球
状化率が向上する。前記定型の球状化粒子の製造メカニ
ズムを図式的に表すと、図５に示されるように、たとえ
ばＡｇの凝集粉が、前記操業条件の下で、製造される粒
径サイズに応じて適度の分散が図られ、溶解・凝固する
ことにより所望の粒径の球状化粒子が製造される。

【００１２】

【実施例】以下、本発明を具体例に基づき詳説する。図
１〜図３は共に、本発明に係る高周波誘導プラズマ反応
器の各例の縦断面図であり、図１はプラズマフレーム軸
に対して直交する方向から処理物質を供給する場合を示
し、図２は側方より供給ノズルを若干下向きにして処理
物質を供給する場合を示し、図３はプラズマガスに乗せ
て二相流状態で処理物質を供給する場合を示したもので
ある。また、図４は装置の全体縦断面図である。先ず、
図４において、高周波誘導プラズマ反応による球状化粒
子製造装置の全体構造について説明すると、本球状化粒
子製造装置は、その上部にプラズマ反応装置１を備える
とともに、その下方に図示されない吸排気装置によっ
て、加圧または真空圧運転が可能な容器４とを備え、そ
の最下部に加工された球状化粒子を回収するための回収
容器４Ａを備えるものである。なお、前記容器４の側部
の４ａは、監視用窓であり、４ｂおよび４ｃは、温度計
設置等の器具の設置および吸排気のための管路が接続さ
れるための吸排気孔である。

【００１３】前記プラズマ反応装置１は、図１に示され
るように、二重管構造の石英管３の外方部分に高周波誘
導コイル２、２…が配設され、前記石英管３の内部に高
周波磁場を励磁するようになっており、その上方に設置
されたプラズマガス供給管５からプラズマガスを流し込
むとともに、前記高周波誘導コイル２、２…に高周波電
流を流し、点火することによってプラズマフレームＦを
生じさせる。プラズマ反応器１の上部構造について図２
の具体例に基いて詳説すると、プラズマガス供給管５は
二重管構造となっており、この中空部分には、冷却水供
給管５ａより冷却水が供給されるようになっている。ま
た、前記プラズマガス供給管５を囲む外周にシールガス
供給管６が設けられており、供給口６ａから供給された
アルゴンガス等のシールガスが前記石英管３内に送ら
れ、供給されるプラズマガスによるガス流の乱れを抑え
るとともに、石英管３の内面に沿って流れるシールガス
によって処理物質が石英管内面に付着するのを防止して
いる。また、前記石英管３の二重管内の中空部には、冷
却水供給管３ａ、３ｂにより、冷却水が供給されてい
る。前記プラズマガスとしては、アルゴンガスの他、ヘ
リューム、窒素等のガスを使用することでもよいし、ま
た水素を補助ガスとしてアルゴンガスと同時供給するよ
うにすれば、特に酸化物の少ない金属粒子を得ることが
でき、使用される用途の拡大を図ることができる。前記
プラズマ反応装置１により発生するプラズマフレームＦ
は、流入ガスの勢いにより、高周波誘導コイル２、２…
が配設されたプラズマ部Ａからさらに下方に延び、細長
のプラズマフレームＦを形成する。このプラズマフレー
ムＦの内、この高周波コイル２、２…が配置されていな
い領域、すなわち直接高周波エネルギーを受けていない
部分Ｂが、本明細書にいう「テールフレーム」として定
義されるものであり、本発明においては、該テールフレ
ームＢのエネルギーのみを球状化のために利用する。図
１に示される第１の例では、原料微粒子は、処理物質供
給ノズル８、８…により、前記テールフレーム領域Ｂに
対して、プラズマフレーム軸Ｌと実質的に直交する方向
より前記プラズマフレーム軸Ｌに向けて供給される。前
記供給ノズル８、８…は、処理物質の比重にもよるが、
制御性の良い安定した条件を得るためには、投入に必要
な処理物質供給ガス圧および約３〜８（ｌ／ｍｉｎ）以
上の流量とするのが望ましい。本第１具体例では、円周
方向に前記プラズマフレーム軸Ｌに向けて複数の供給ノ
ズル８、８…を設けることができるため、単位時間当り
の処理量を多くすることができるとともに、各ノズル
８、８…より供給された処理物質が互いに衝突し、分散
性が良好となる。

【００１４】また、図２に示される第２の例では、原料
粒子は、処理物質供給ノズル９、９…により、テールフ
レーム領域Ｂに対して、側方より若干先端側を下向きに
して、プラズマフレーム軸Ｌに向けて供給される。前記
処理物質供給ノズル９の傾斜角βは、好ましくは±４５
°、より好ましくは±３０°の範囲とされる。本第２具
体例の場合には、前記利点に加え、原料種、およびその
物性の違いより、球状化に要する滞留時間の延長を図る
場合に好適に採用される。なお、前記±４５°の範囲を
超える領域からの供給は、処理物質がプラズマガス流れ
によって弾かれ易くなりテールフレーム内への挿入が難
しくなるため、制御性が悪くなる。

【００１５】また、図３に示される第３の例では、処理
物質としての原料粒子は、プラズマガス供給管５を利用
して、供給されるプラズマガスに乗せて二相流状態で供
給される。前記処理物質は、処理物質の重力落下＋αの
低い圧力で送給するとともに、望ましくは約１（ｌ／ｍ
ｉｎ）以上の流量で、プラズマ部Ａには処理物質が落下
しないように、プラズマ反応器１の圧力、処理物質の供
給用ガス圧および処理物質供給ノズル５の位置などを調
整しながら球状化処理を行う。本第３具体例の場合に
は、単位時間当りの処理量が少なくなるものの、供給さ
れる微粒子は、テールフレームＢの全延長範囲を通過す
るため、球状化率を向上させることができる。なお、前
記処理物質供給ノズル８、９は、二重管構造となってお
り、その内空部に冷却水が供給されている。処理物質の
供給用キャリアガスとしては、アルゴンガス、ヘリュー
ム等の不活性ガスの他、活性ガスを用いることでもよ
い。微粒子粉体を前記キャリアガスに乗せて供給する態
様として一例を示せば、図６および図７に示される粉体
輸送方式が好適に用いられる。容器１２に充填された金
属微粒子は、容器１２の底部に配設された回転テーブル
１０の円周部分に形成されたポケット１０ａ、１０ａ、
…にそれぞれ充填されており、回転テーブル１０の各ポ
ケット１０ａ、１０ａ、…位置がキャリアガス管１１の
配設位置と一致した際に、該ポケット１０ａ内の金属粒
子が前記ガス管１１内を流れるキャリアガスに随伴され
て搬送される。

【００１６】さらに、処理物質は、プラズマフレーム内
に供給される前に、篩に掛けたり、機械的または非機械
的方法により（特殊ノズル、および原料供給用キャリア
ガス量の変化）分散させ、凝集している量を加減するこ
とにより、本発明が特に対象とする１〜６０μｍの球状
化粒子の他、処理物質の融点、あるいは熱伝導性、粘性
条件等に応じ、プラズマフレームＦと処理物質供給ノズ
ル５との距離、プラズマ反応部分の圧力条件、処理物質
の供給用ガスの圧力条件などを適宜制御することによっ
て、任意に約０．１〜２００μｍの所望の粒径サイズの
球状化粒子を得ることが可能となる。以上のようにし
て、前記処理物質供給ノズル８、９、（５）から供給さ
れた処理物質は、プラズマフレームＦのテールフレーム
領域Ｂと接触し、溶融・凝固することによって、球状化
され容器４の回収容器４Ａに落下し回収される。なお、
本発明が対象とする処理物質としては、金属、非金属物
質およびセラミック系物質などの破砕粒子の他、幅広い
条件で球状化処理が可能となったため、たとえば回転噴
霧法、回転電極法、プラズマアーク法等でできる凝集ま
たは非凝集の微粉、あるいは湿式法で製造される多孔質
系も含めた約０．１〜５μｍ程度の不定型粒子について
も、その利用価値を高める目的で処理対象とすることが
できる。

【００１７】〔実施例〕以下、本発明の効果を実施例に基づき明らかにする。（実施例１）実施例１は、図１に示される高周波プラズマ反応装置に
より、湿式法で製造された還元Ａｇ粉末（融点；約９６
０．５℃、品位；Ａｇ９９．９％以上、見掛け比重；
０．８８g/cm³、非表面積；１．０m²/g、平均粒径；
０．６μm ）の凝集した多孔質不定型粒子について、表
１に示されるように、Ａｇ供給量の変化とともに、原料
供給アルゴンガス量およびＲＦプラズマ条件を変化させ
て、球状化粒子を製造した。その結果、表１の右欄に示
されるように、球状化率９５％以上であって平均粒径１
〜６０μｍ程度の粒子サイズのものを得ることができ
た。なお、図８は球状化処理前の不定型Ａｇ凝集粉の粒
子構造写真であり、図９は球状化処理後のＡｇ粒子構造
写真（倍率；×１００）であり、図１０は倍率を変えた
場合の球状化処理後のＡｇ粒子構造写真（倍率；×３５
０）である。図８〜図１０により、本発明によって、球
状化率の高い所定の粒径サイズの粒子が製造されること
が判明される。

【００１８】

【表１】

【００１９】（実施例２）実施例２は、図３に示される高周波プラズマ反応装置に
より、乾式法（プラズマアーク法）で製造された乾式Ａ
ｇ粉末（融点；約９６０．５℃、品位；Ａｇ９９．９５
％以上、見掛け比重；０．８８g/cm³、非表面積；１．
０m²/g、平均粒径；０．６μm ）の凝集した多孔質不定
型粒子について、表２に示される条件の下、Ａｇ供給量
の変化とともに、原料供給アルゴンガス量およびＲＦプ
ラズマ条件を変化させて、球状化粒子を製造した。その
結果、表２の右欄に示されるように、球状化率９５％以
上であって平均粒径１〜６０μｍ程度の粒子サイズのも
のを得ることができた。

【００２０】

【表２】

【００２１】（実施例３）実施例３は、図１に示される高周波プラズマ反応装置に
より、湿式法で製造された還元Ａｕ粉末（融点；約１０
５３℃、品位；Ａｕ９９．９％以上、見掛け比重；２．
９g/cm³、非表面積；０．１１m²/g、平均粒径；２．９
μm ）の凝集した多孔質不定型粒子について、表３に示
されるように、Ａｕ供給量の変化とともに、原料供給ア
ルゴンガス量およびＲＦプラズマ条件を変化させて、球
状化粒子を製造した。その結果、表３の右欄に示される
ように、球状化率９５％以上であって平均粒径１〜６０
μｍ程度の粒子サイズのものを得ることができた。

【００２２】なお、図１１は球状化処理前の不定型Ａｕ
凝集粉の粒子構造写真であり、図１２は球状化処理後の
Ａｕ粒子構造写真（倍率；×１００）であり、図１３は
倍率を変えた場合の球状化処理後のＡｕ粒子構造写真
（倍率；×３５０）である。図１１〜図１３により、本
発明によって、球状化率の高い所定の粒径サイズの粒子
が製造されることが判明される。

【００２３】

【表３】

【００２４】（実施例４）さらに、補足的に不定型Ｆｅ凝集粉について球状化処理
を行った場合の粒子構造写真を図１４〜図１６に示す。
図１４は球状化処理前の不定型Ｆｅ凝集粉の粒子構造写
真であり、図１５は球状化処理後のＦｅ粒子構造写真
（倍率；×３５０）であり、図１６は倍率を変えた場合
の球状化処理後のＦｅ粒子構造写真（倍率；×７５０）
である。図１４〜図１６により、前述Ａｇ、Ａｕの場合
と同様、Ｆｅの場合にも、本発明によって、球状化率の
高い所定の粒径サイズの粒子が製造されることが判明さ
れる。

【００２５】以上の各種実施例により明らかなように、
本発明によれば、アトマイズ法、遠心噴霧法、回転噴霧
法、アークプラズマ法等の従来法では得られないサイズ
の球状粒子が高い球状化率をもって得ることができると
ともに、いずれの試験においても、プラズマトーチ部、
処理物質供給ノズルの閉塞およびプラズマの失火現象が
見られず、安定的に生産を行うことができた。

【００２６】

【発明の効果】以上詳説のように、本発明によれば、特
にＩＣチップ等の導電ペースト用粒子として要求頻度の
高い１〜６０μｍ程度の小径の球状粒子を高い球状化率
をもって製造し得るとともに、プラズマ反応を乱すこと
なく、処理物質供給ノズルへの付着およびトーチ部の閉
塞およびプラズマの失火現象を無くし安定的に生産を行
うことができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係る高周波プラズマ反応装置を示す縦
断面図である。

【図２】本発明に係る高周波プラズマ反応装置の他例の
縦断面図である。

【図３】本発明に係る高周波プラズマ反応装置の他例の
縦断面図である。

【図４】球状化粒子製造装置の全体縦断面図である。

【図５】球状化粒子の生成メカニズムの説明図である。

【図６】粉体搬送装置に係る縦断面図である。

【図７】粉体搬送装置に係る水平断面図である。

【図８】球状化処理前の不定型Ａｇ凝集粉の粒子構造写
真である。

【図９】球状化処理後のＡｇ粒子構造写真（倍率；×１
００）である。

【図１０】球状化処理後のＡｇ粒子構造写真（倍率；×
３５０）である。

【図１１】球状化処理前の不定型Ａｕ凝集粉の粒子構造
写真である。

【図１２】球状化処理後のＡｕ粒子構造写真（倍率；×
１００）である。

【図１３】球状化処理後のＡｕ粒子構造写真（倍率；×
３５０）である。

【図１４】球状化処理前の不定型Ｆｅ凝集粉の粒子構造
写真である。

【図１５】球状化処理後のＦｅ粒子構造写真（倍率；×
３５０）である。

【図１６】球状化処理後のＦｅ粒子構造写真（倍率；×
７５０）である。

【符号の説明】

１…プラズマ反応装置、２…高周波誘導コイル、３…石
英管、４…容器、４Ａ…回収用容器、５…プラズマガス
供給管、Ｆ…プラズマフレーム、８・９…処理物質供給
ノズル

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者住友紘泰埼玉県鶴ケ島市富士見６丁目２番22号富士電波工機株式会社内 (56)参考文献特開昭63−198299（ＪＰ，Ａ) 特開昭61−161138（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) B22F 9/14

Claims

(57)【特許請求の範囲】

【請求項１】高周波誘導コイルにより高周波磁場を励磁
し、この高周波磁場内にプラズマガスを供給して誘導的
に高周波プラズマフレームを発生させ、この高周波プラ
ズマフレーム内に不定型粒子処理物質を供給して球状化
粒子を製造する方法であって、冷却水が供給され冷却される二重管の外方に前記高周波
誘導コイルが配設され、前記二重管内にプラズマガスを
供給するプラズマガス供給管が設けられ、前記二重管内
にその内面に沿って下方へ流しその内面への処理物質付
着防止用のシールガスを供給し、発生する絞りのないプラズマフレームにおける前記高周
波誘導コイル配設領域外の低温のテールフレーム領域に
対して、前記処理物質を実質的に前記プラズマフレーム
軸に向けて活性ガスまたは不活性ガスとともに供給する
ことを特徴とする高周波プラズマによる球状化粒子の製
造方法。
【請求項２】プラズマフレーム軸に対して実質的に直交
する方向より処理物質を供給する請求項１記載の高周波
プラズマによる球状化粒子の製造方法。
【請求項３】プラズマフレーム軸と直交する軸の±４５
°の方向より処理物質を供給する請求項１記載の高周波
プラズマによる球状化粒子の製造方法。
【請求項４】プラズマフレーム軸と同一線上より、供給
されるプラズマガスに乗せて二相流状態で処理物質を供
給する請求項１記載の高周波プラズマによる球状化粒子
の製造方法。
【請求項５】高周波誘導コイルにより高周波磁場を励磁
し、この高周波磁場内にプラズマガスを供給して誘導的
に高周波プラズマフレームを発生させ、この高周波プラ
ズマフレーム内に不定型粒子処理物質を供給して球状化
粒子を製造する装置であって、前記高周波誘導コイルの内方に配設され、冷却水が供給
され冷却される二重管と、この二重管内にプラズマガス
を供給するプラズマガス供給管と、前記二重管内にその内面に沿って下方へ流しその内面へ
の処理物質付着防止用のシールガスを供給する手段と、発生する絞りのないプラズマフレームにおける前記高周
波誘導コイル配設領域外の低温のテールフレーム領域に
対して、前記処理物質を実質的に前記プラズマフレーム
軸に向けて活性ガスまたは不活性ガスとともに供給す
る、処理物質供給手段とを備えたことを特徴とする高周
波プラズマによる球状化粒子の製造装置。
【請求項６】高周波誘導コイルにより高周波磁場を励磁
し、この高周波磁場内にプラズマガスを供給して誘導的
に高周波プラズマフレームを発生させ、この絞りのない
高周波プラズマフレーム内に不定型粒子処理物質を供給
して球状化粒子を製造する装置であって、前記プラズマガスを供給するプラズマガス供給管の先端
位置を、前記高周波誘導コイルの最遠コイル位置に略一
致させ、供給されるプラズマガスに乗せて二相流状態で
処理物質を供給することを特徴とする高周波プラズマに
よる球状化粒子の製造装置。
【請求項７】高周波誘導コイルにより高周波磁場を励磁
し、この高周波磁場内にプラズマガスを供給して誘導的
に高周波プラズマフレームを発生させ、この絞りのない
高周波プラズマフレーム内に不定型粒子処理物質を供給
して球状化粒子を製造する方法であって、前記プラズマガスを供給するプラズマガス供給管の先端
位置を、前記高周波誘導コイルの最遠コイル位置に略一
致させ、供給されるプラズマガスに乗せて二相流状態で
処理物質を供給することを特徴とする高周波プラズマに
よる球状化粒子の製造方法。