DE1521272A1 - Verfahren zum Ausformen supraleitender Materialien - Google Patents

Verfahren zum Ausformen supraleitender Materialien

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DE1521272A1 DE19661521272 DE1521272A DE1521272A1 DE 1521272 A1 DE1521272 A1 DE 1521272A1 DE 19661521272 DE19661521272 DE 19661521272 DE 1521272 A DE1521272 A DE 1521272A DE 1521272 A1 DE1521272 A1 DE 1521272A1
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Description

Verfahren zum Ausformen supraleitender Materialien.
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Ausformen supraleitender Materialien durch Vakuumbedampfung, insbesondere ein Verfahren eum Ausformen dünner supraleitender Filme·
Bei bestimmten Temperaturen nahe dem absoluten Ifullpunkt wird der elektrische Widerstand bestimmter Hetalle, legierungen und chemischer Verbindungen unmeßbarklein. Diese Materialien werden als Supraleiter bezeichnet.
•e§S32/115«
Der übergang eines Materials von seinen normalen Widerstandseigenschaften in den Zustand der Supraleitung häiiot prinzipiell von seiner Temperatur und dem Magnetfeld an der Oberfläche ab. Der supraleitende Zustand eines Materials tritt sowohl bei Temperaturen auf, die unterhalb der Sprungtemperatür liegen als auch bei Magnetfeldern, die kleiner sind als das kritische Magnetfeld. Für praktische Zwecke ist ee Jedoch oXt wichtig, daß die Sprungtemperatur eines Supraleiters so hoch als Möglich ist, um die sonst notwendige Erzielung von Temperaturen nahe dem absoluten Nullpunkt zu vermeiden.
Außerdem ist es oft auch wichtig, daß die Supraleiter Sprungtemperaturen von einem ganz bestimmten Wert haben· Die Sprungtemperatur eines Supraleiters ist stark abhängig von Unreinheiten im Material. In vielen Beispielen erniedrigt ein Bruchteil, eines Prozents an Verunreinigung im Material die Sprungtemperatur um 1 K. Erwünscht sind Verfahren zum Herstellen von Supraleitern mit reproduzierbaren Sprungt eap eratur en.
Ss gibt viele Anwendungen, für die Supraleiter in ?orm von Ulmen mit einer Dicke von einigen hundert Angstrom tie einigen hundert aus benötigt werden, wie Soleniode für hohe Feldstärken, supraleitende Magnete und Hochinduktion·- epulen, in denen stark· Ströme fließen können· Ee 1st weiterhin wünschenswert, sttpxaleitende Materialien, die eine Höh· 3tfoabelastbark«L% . besitzen, in ?oxm von Pilsen herzustellen.
«IIJJ/IU* 3-
Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es, ein Verfahren sum Herstellen supraleitender Materialien in Fora von Filmen anzugeben· Diese Filme sollen eine hohe Strombelastbarkeit aufweisen und Sprungtemperaturen mit geringen Toleranzen haben. Weitere Aufgabe der Erfindung ist es, ein Verfahren sum Herstellen surpaleitender Filme aus supraleitenden Verbindungen oder Legierungen anzugeben, bei dem die Elektronen·· Strahlverdampfung angewendet wird·
Gemäß der vorliegenden Erfindung wird daher ein Verfahren sum Ausformen supraleitender Materialien vorgeschlafen« bei dem gleichseitig mehrere Substansen unter Vakuumbedingungen bei einem Druck von nicht mehr ale TO"5 Torr verdampft werden» bei dem die aus diesen. Substanzen verdampften Atome auf ein auf eine vorausbestimmte Temperatur erhitstes Grundmaterial niedergeschlagen werden» und bei dem die erforderliche Energie sur Brhitsung der einseinen Substansen derart geregelt wird» daß die entsprechenden Aufdampfungageechwindigkeiten in einem vorherbestimmten Verhältnis kontrollierbar sind» so daJ ein supraleitendes Material von genau kontrollierter Zusammensetzung und Einheitlichkeit auf das erhitste Grundmaterial aufgebracht wird«
-A-
Es wurde festgestellt» daß bei gleichzeitiger und kontrollierter Verdampfung von Elementen einer supraleitenden Verbindung oder Legierung aus zwei oder mehr Quellen unter Hochvakuumbedingungen supraleitende Filme in einem Dickenbereich von elnigezufeundert Angstrom bis einigen hundert /um mit relativ hohen Strombelastbarkeiten ausgeformt werden können. _ Wenn nicht andere gesagt, bezeichnet da3 Wort Film, wie es hier verwendet wird, eine dünne Schicht, die eine Dicke in dem oben genannten Bereich hat und nicht dicker als einen Millimeter ist.
Die gleichzeitige Verdampfung einer Vielzahl von Elementen ■ aus separaten Quellen kann genau gesteuert werden» um düse Elemente auf ein Grundmaterial in den geforderten Proportiensn abtuscheiden, so dafl eine chemische Verbindung oder tine Legierung von genauer Zusammensetzung ausgeformt wird· $ae , Verfahren ist besonders für die Herstellung von ITb-Sn durch Verdampfung aus getrennten Quellen mit Hob und Zinn geeignet.» Bs ist günstig, filme aus Kb.Sn hersusteilen, die Sprunftemperaturen über 17 K und eine hohe Strombelastbarktit aufweisen·
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BAD OBSGiNAL
Be wurde weiterhin entdeckt, da£ die genaue Kontrolle der operierenden Parameter eine ökonomische Produktion von supraleitenden Filmen mit solcher Reinheit, und Gleichförmigkeit erlaubt, daß die resultierenden Sprungtemperaturen enge Toleranzen und die Filme die gewünschte Stromleitfähigkeit aufweisen·
Weitere Einzelheiten der Erfindung ergeben sich aus der Be- Schreibung von AusfUhrungsbeispielen anhand der Figur.
figur 1 aeigt in einer sebematischen Darstellung eine Apparatur, in der dme Verfahren gem&fi der Erfindung durchgeführt werden kann· la wird darauf hingewiesen, daß das Verfahren gemäß der Erfindung in seiner Durchführung nioht auf diese Apparatur beschränkt ist, und daß äquivalente Apparaturen mit Beschichtung durch kontrollierte Vakuumverdampfung aus einer Vieleahl von Quellen auch verwendet werden können·
Figur 1 zeigt einen Elektronenstrahlofen 11, der in eines Druckgefäß 13 angeordnet ist, das so konstruiert ist, dal es auf einen Druck von Bindestens 10 Torr evakuiert werden kann.'Mittel zur Evakuierung sind in Gestalt eines großen Rohres 15 vorgesehen, das zu einer geeigneten (nicht darge-
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gestellten) Vakuumpumpe führt. Ein Herd 17 ist von innen am Druckgefäß 13 gehaltert, der, wenn erwünscht, mit einem Kühlsyetem 19 versehen werden kaum, durch das ein geeignetes Kühlmittel, wie zum Beispiel kaltes Wasser, fließen kann, wodurch das Herdmaterial während des Betriebes des Ofens auf einer relativ niedrigen Temperatur gehalten werden kann·
^ In den Oberteil des Herdes 17 sind eine Vielzahl von Vertiefungen 21 eingebracht, die als Tiegel dienen, in denen sich die zu verdampfenden Substanzen befinden. Um einen kontinuierlichen Betrieb der Apparatur zu erleichtern, können auch Mittel (nicht dargestellt) zum füllen der Tiegel 21 mit Ausgangsmaterial vorgesehen werden·
Sine Elektronenkanone* 23 ist in Verbindung zu jedem Tief ti 21 vorgesehen, die für ein ausreichendes Elektronenbombardement sorgt, um die Substanz in jedem Tiegel auf die erforderlich«
Verdampfung·temperatur au erhitzen.
Die Kentrolle jeder Elektronenkanone 23 zur Erzielung der gewünschten, präzieen Terdampfungsgeschwindlgkeit wird weiter unten beschrieben. Die Elektronenkanone 23 befindet eich vorzugsweise auf der gleichen Höhe wie der einzelne Tiegel 21
oder ist darunter angeordnet. Obgleich dies eine bevorzugte Anordnung darstellt, können auch andere Anordnungen der Elektronenkanone 23 mit einer relativ höheren Lage gegenüber des Tiegel 21 verwendet werden«
Jeder der Elektronenkanonen 23 besteht aus einem Glühfaden 25 in der üblichen Gestalt eines länglichen Bügels, einer be- · schleunigenden Anode 27 und einer fokussierenden Kathode.29· Diese Teile sind aus der. Technik der Elektronenkanonen bekannt und jede geeignete Konstruktion ist verwendbar.
In der dargestellten Ausführungsart uagabelt ein Unförmiger Macnet 31 jede der Slektronenkanonen 23 und richtet den· Blektronenstron, der entsteht, auf die- Oberfläche der Substanz in de« zugehörigen Tiegel 21· Dae vom unförmigen Magnet 31 -j herrührende feld ist hauptsächlich senkrecht zur Bahn der
aus der Elektronenkanone 23 austretenden Elektronen.gerichtet, ^ und es beugt die Elektronen auf die Oberfläche des Material· in den Tiegel 21 in einem vorgewählten Verlauf·
Ilektronenkanonen von diesem bestimmten Typ sind im US-tatent Nr · 3 132 198 vorgeschlagen. Auch hier können wiederum ander· '· geeignete Heizungstypen Verwendung finden.
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Eur genauen Kontrolle der Yerdapppfunftgesohvlndigkeit aus jedem Tiegel 21 sind geeignete Kontrolleittel 33 vorgesehen· Sin Quaranormal oder andere eichbare Apparaturen können verwendet werden» um die Geschwindigkeit zu messen, mit der die Atome die Oberfläche einer in einem Tiegel 21 enthaltenen Substanz verlassen. Die Kontrollvorrichtung 33 ist über dem Tiegel angebracht und zu jedem Tiegel ist eine separate ™ Kontrollvorrichtung vorhanden·
Eine Zwischenwand 35 beschränkt das Feld jeder Kontrollvorrichtung 33 auf den eugehörigen Tiegel 21, indem sie die Sehlinie ewisohea jedea Monitor 33 und dam nicht «ugehörigen Tiegel 21 unterbricht.
FUr die getrtimt· legelung der Terdaapfungsgeeohwindigkeitea
Λ k ■ -
de» SuWtanten au· den eineeinem Tiegeln 21 ist ein Kontroll- V P s/atejB 57 vorgesehen·
Jede Elektronenkanone 23 ist mit einer St roarer sorgung 39 über einen Schaltkreis verbunden. Dexf Sehaltkreis gestattet eine genau· Leistungsregelung für dl· eineeinen Slektroneiw . i
• ■'·«■,*
kanonen 23· Daalt die Verdampfen* der Subs tan« In das rmteirentoa» den Tiegel Bit einer prÄsisen, gewüneohten Geschwindigkeit
erfolgt, wird dl· der Elektronenkanone sogeftlkrte teistunf
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BAD ORiQiNAL
litt#*
geregelt, indem der Stromkreis zwischen dem zum Tiegel gehörenden Monitor 33 und der Stromversorgung 39 als Rückkoppelung verwendet wird.
Das Kontrollsystem 37 für jede Stromversorgung 39 kann manuell bedient werden, um die gewünschte Verdampfungsgeschwindigkeit zu erhalten. Abwechselnd kann eine Hauptkontrolle vorgesehen werden, wobei die Höhe der Verdampfung·-· geschwindigkeit der Materialien in den einzelnen Tiegeln auf einen vorgewählten Vert aufrechterhalten werden kann» selbst wenn auch die absoluten Verdampfungsgeschwindigkeiten durch, «inige andere Kontrollen geändert werden. Schaltkreise, die die·· funktionen erfüllen» sind bekannt und daher hier nicht welter beschrieben·
Sin Grundmaterial 41» auf das das supraleitende Material' aufgebracht werden soll, ist nahe dem oberen Ende dea Druckgefäßes Über den Tiegeln angeordnet.
Obgleich der Abstand zwischen dem Grundmaterial 41 und den Tiegeln 21 in der schematischen Sarstellung in figur 1 sehr grol erscheinen mag» beträgt er gewOhnlion ungefähr 5 bis ungefähr 50cm. Das Grundmaterial ist auf einer scheibenförmigen Bolle aufgewickelt und wird kontinaierlio*
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mit einer vorgewählten Geschwindigkeit an einer Öffnung 43 in der Trennwand 35 vorbeibewegt.
Die scheibenförmige Rolle ist mit einem (nicht dargestellten) Antriebsmotor und einer Kontrollvorrichtung 45 versehen. Bei Verwendung dieses Grundmaterialtyps wird ein langer"Streifen supraleitenden Films hergestellt. Die Filmdicke wird " durch die Laufgeschwindigkeit des Grundmaterials 41 und dit Verdampfungsgesohwindigkeit der Substanzen, aus den Tiegeln bestimmt· '
Obgleich in der figur die Torsohubrolle 47 und die Aufwickelrolle 49 des Grundmaterialbewegungssystems in dem Druckgefäß fj angeordnet dargestellt sind, können die Rollen 47 und 49 auoh außerhalb des Druckgefäßes 13 angeordnet werden, wenn geeignete Dichtungen «n den Wänden des Druckgefäßes das Ein- und Austreten des Grundmaterials ohne Beeinträchtigung des Vakuum« gewährleisten. Zur Temperaturregelung des Grundmaterial·, auf daß das supraleitende Material niedergeschlagen; wird, dient eine geeignete Heizung 51.
TJa einen supraleitenden Ulm mit den gewünschten Eigenschaften = su' produzieren, ist es wichtig, daß das Grundmaterial auf einer vorbestimmten Temperatur gehalten wird. Se kann Jedes ·
-j·
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BAO ORIGINAL
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geeignete Heizun^smittel Verwender werden. In der Figur ist ein einfacher \fLderstandetyp-IIeizer 51 abgebildet. Um die Temperatur des Grundmaterials 41 zu kontrollieren und dieselbe auf der gewünschten Höhe zu halten, ist ein
Kontrollsystem 53 vorgesehen·
e>
Bas verwendete Grundmaterial 41 ist von dem zu produzierenden supraleitenden Material abhängig. Es wird ein Material verwendet, das chemisch nicht mit dem supraleitenden Material reagiert und das unempfindlich gegen die Temperaturen 1st« 'f auf die es aufgeheizt werden muß. In den meisten fällen wird* ^, entweder Metall oder keramische Grundmaterial!«! verwendet* ' Beispiele geeigneter Grundmaterialion sind folgendes Geschmolzenes Aluminiumoxid, geschmolzenes Magnesiumoxid, rostfreier Stahl und tantal. ' ' :■
Bei einem Verfahren zur Herstellung eines Produktes genauer Zusammensetzung, bei dem aus mehreren Quellen Substanzen vertttfc warden, ist das Terhältais der Terdampfungegeeohwindijkaltem Ba* Sfezifieohe numerische Terhaltnis hMagt voä
der genauen Zusammensetzung der Legierung oder Yerfcindang die hergestellt werden soll. Bs wurde festgestellt, dal *£■ supraleitender Film aus Nb.Sn mit dem beschriebenen Terfahrem
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ausgeformt werden kann·
Bei d«jr Herstellung von Pilsen au· diesen Materialien ist ea sinnvoll, die Verdampfungsgesohwindigkeiten in AngstrBaeinheiten pro Sekunde anzugeben. Um Hb,Sn erfolgreich niederschlagen su können, um eine Sprungtemperatur in den gewünschten Bereioh und eine sehr gute Stromleitfähigkeit su erreichen, muH das Verhältnis der Verdampfungegeschwindigkeit τοη*Ι1ο1ι * sur Verdampfungsgeschwindigkeit von Kinn β wischen 1.95 uni 2.15 betragen«
Die absolute Aufdampfungsgeschwindigkeit der bestimmten Substanzen auf das Grundmaterial 41 ist vom Vakuum abhängig. Venn der Druck im Druckgefäß 13 ungefähr 10~5 Torr beträgt» soll die Verdampfungsgeschwindigkeit von Zinn weniger als ungefähr 80 Angstrom pro Sekunde und die Verdampfungegeschwindigkeit von Uiob weniger als ungefähr 160 Angstrom pro Sekunde betragen·
Venn das Vakuum auf einen noch niedrigeren Druok gehalten werden kann, «um Beispiel von ungefähr 10 ' oder 10 Torr» dann können entsprechend niedrigere Ver<ia*pfungegeeohwindi#*, lceiten gewählt werden, ohne die Reinheit und Eigenschaft em 4e# hercueteilenden supraleitenden films su beeinträchtigen·
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Weil ea nicht sehr zweckmäßig ist, die Verdampfungsgesohwindigkeit des Nioba bzw. des Zinns direkt zu messen, werden die Messungen indirekt auf dem Weg über die Kontrollmittel 33 vorgenommen.
Da die Hiederschlagsgesohwindigkeit jeder Substanz direkt proportional ihrer Verdampfungsgeschwindigkeit ist, können die von den Kontrollmitteln 33 ausgeführten Verdampfungsgeschwindigkeitsmessungen geeicht werden, um auf die Niederschlagage- ^ sohwindigkeiten schließen au können.
unter dan oben angeführten Bedingungen ist die Auftreffgeschwindigkeit der Hiob- und Zinnatome, die die HWSn-Terblndung auf dam Grundmaterial 41 verursachen, ungefähr 100 "mal größer al» die Auftreffgeaehwlndigkeit irgendwelcher Reatgaa-BOleküle in dam Druckgeft· 13. Damit wird die Entstehung" irgendwelcher unerwünschter Verbindungen auf dim Grundmaterial aus dan zu verdampfenden Metallen mit Saueratoff, Stickstoff, Wasserstoff, Co2, Methan oder anderen Molikülen, die im Hestgaa enthalten sein können, verhindert. ; ,
Wall eich dia supraleitenden Ügenoohaften eine· Ulm· alt tt* Vtdhaan des frosentaatse· an Unreinheiten verschlechtern» 1st es wichtig» daS die Intet«hung unerwünschter Verbindungen
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vermieden wird· Deshalb müssen die zu verdampfenden Substanzen selbst sehr rein sein. Zum Beispiel i3t Niob verwendbar, das ungefähr 30 Anteile pro Million an Unreinheiten aufweist·
Auch mit sehr guten Kontrollgeräten ist es schwierig, die Hiederschlagsgeschwindigkeit einer Vielzahl von Substanzen genau zu kontrollieren, um geringe Abweichungen in der Stöohiometrie der entstehenden Verbindungen zu vermeiden· Venn aber das Grundmaterial auf einer relativ hohen Temperatur gehalten wird, ist eine genügende Diffusion Ια niedergeschlagenen PiIm gewährleistet, um die geringen Abweichung» in der Stöchiometrie auszugleichen und somit den entstehenden
I .
supraleitenden PiIm gleichförmig eu gestalten»
Bei Verwendung eines Keramikstreifens aus geschmolzenem A2O, oder einem Streifen aus Tantal oder einem anderen geelg—
net en Hetall als Grundmaterial zur Viederschlag^ung von Vb«3n reicht ein· Temperatur τοη ungefähr 8500C aus·
Das folgende Beispiel dient zur«weiteren Erläuterung des Verfahrens gemäß der Erfindung.
Vorwendet, wird ein Elektronenstrahlofen 11, der aus eine« · Herd 17 besteht, in den zwei getrennte tiegel 21 eingebraolit
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sind* In dem einen Tiegel befindet sich eine Menge vakuumgeschmolzenes Kiob, das 30 oder weniger Anteile pro Million an Verunreinigungen aufweist. Im arideren Tiegel befindet sich vakuumgesehmolzenes Zinn mit 10 oder weniger Anteilen pro Million an Verunreinigungen. Das Druckgefäß ist auf ungefähr 10""** Torr evakuiert.
Mehrere Grundmaterialstreifen 41 sind ungefähr 25 cm über der Oberfläche der zwei Tiegel parallel angeordnet. Lange Rollen. | mit Tantalband von 2,54/1000 cm Dicke sind als Grundmaterialstreifen 41 verwendet. Der Grundmaterialheizer 51 ist w&hrendder Bedampfung der Streifen 41 auf eine Temperatur von etwa 8500O eingestellt. Die Trennwandöffnung 43 ermöglicht ein· gleichzeitige Beschichtung einer Vielzahl bewegter Grundmaterialstreifen· ' *
Strom fließt zu den Elektronenkanonen 23 und die Magneten 31 sind eingestellt, um wenn nötig die Elektronenströme auf die entsprechenden Kiob- oder Zinnoberflächen in den Tiegeln 21 zu fokussieren. In den entsprechenden Tiegeln 21 entsteht bald eine Niob- und eine Zinnsohmelze und die Verdampfung beginnt* Die Leistungskontrollen 37 sind eingestellt, so daß genug Ifiob verdampft wird und eine NiederschlagSgesohwindigkeit auf das Grundmaterial 41 von ungefähr 160 Angstrom pro Sekunde verur-
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sacht wird, und die Niederschlagsgeschwindigkeit von Zinn ungefähr 80 Angström pro Sekunde beträgt. Quarznormal-Monitoren 33 werden zur Kessung der Verdampfungsgeschwindigkeit verwendet«
Jeder dtr Monitoren ist genau geeicht, um genau die Sicht· der die Oberfläche der Schmelze verlassenden Atome zu bestimmen, die mit der gewünschten ffiederschlagsgeschwindigkeit auf das
Grundmaterial 41 auftreffen sollen. Sie Rückkoppelung dtr Monitoren 33 bewirkt eine empfindliche Regelung der leistung an den Sltktrontnkanontn-Htl«fäden 25» so dafl die Ausdampfend·- gesohwindigktlttn jedtr Substanz in dein gewünschten Hai trftj&ft«
Sobald dlt gewünschte Aufdampfgesohwlndigkeit jeder βer Subetans«% erreicht ist, wird die Bewegungskontrolle 45 der Aufwiokel· rolle 49 betätigt und die Grundmaterialstreifen passieren die \ Öffnung 43 in der Trennwand 35 mit einer Geschwindigkeit von ungefähr 0,2om pro Sekunde. Hit diesen Laufgeschwindigkeiten des Grundmaterial· und diesen Aufdampfungsgeschwindigkeittn de· Ilobs und Zinn· wurde tin kontinuierlicher ?iImstreifen von oa 10*000 Angstrum Sick· auf jeden Streifen dee bewegten Hnil ' material· niedergeschlagen.
Untersuchungen der filiibelegten Grundmaterialetreiftn Itljmi
•etui/til* \#"
BAD ORiG'NAl.
dme eine sehr gute Adhäsion tob FiIa zum Grundmaterial vorhanden ist·
Messungen des kritischen Stroms wurden für Abschnitte des filmbelegten Materials an verschiedenen Stellen längs der Streifen ausgeführt. Ss wurde eine gute Übereinstimmung zwischen den verschiedenen Abschnitten erreicht.
Die Sprungtemperaturen in Jedem dieser Abschnitte vmrden durch Hindurchschicken eines Stromes von 1mA in Abwesenheit eines % Agnetfeldes gemessen.
Die Spruafteaperatur eines jeden Filmabschnittes fällt in den Bereich von 17,7*0,5° K.
Filme werden mit Röntgenstrahlen und Elektronenbeugung
und einheitlich in der Forg der Verbindung ITb.Sn befunden· Me ersielte große Einheitlichkeit wird auch durch die ersielten engen Toleranzen in den Sprungtemperaturen bestätigt· ( Sie Stroaltitfahigkeit jedes Filmes wurde getestet und Wert· Ton ungefähr 3x10 k/cm gesessen. Sine derartige Stroaleit« ffthigkeit nacht den Ib.Sn-Film für viele Yervendungssweeke als Supraleiter sehr wertvoll.
Wahrend das obige Beispiel die Herstellung langer Streifen supraleitenden Films beschreibt, der auf ein flächenfurmigM
- 18 -
•0M32/11M
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Grundmaterial aufgebracht wird, ist auch eine Aufdampfung auf andere Grundmaterialtypen mit dem Yex'fahren gemäß der Erfindung möglich.
Es ist auch eine aufeinanderfolgende Aufdampfung eines Grund-
materials vor der Aufdampfung des supraleitenden Films möglich« Beispielsweise können dünne zylindrische oder spiralförmige Filme aus supraleitendem Material auf einen zylindrischen Mantel durch aufeinanderfolgende Aufdampfung einer Grundlage auf den Mantel und nachfolgender Aufdampfung der supraleitenden Schicht hergestellt werden· Ss ist auoh möglich, einen Schutsfilm nachfolgend Über den supraleitenden Film aufzudampfen«
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BAD

Claims (8)

Patentansprüche t
1. Verfahren zum Ausformen supraleitender Materialien, dadurch gekennzeichnet, daß gleichzeitig mehrere Substanzen unter Vakuumbedingungen bei einem Druck von nicht mehr als 10 Torr verdampft werden, daß die aus diesen Substanzen verdampfenden-Atome auf ein auf. eine vorausbestlmmte Temperatur erhitztes Grundmaterial niedergeschlagen werden" und daß die erforder- ^ liehe Energie zur Erhitzung der einzelnen Substanzen derart geregelt wird, daß die entsprechenden Aufdampfungsgeschwindifkeiten in einem vorherbestimmten Verhältnis kontrollierbar •ladt so AeJ ein supraleitendes Haterial von genau kontrollier» ter Zusejssensetsung und linheitllehkeit auf das trhitatt dnmdmaterlal aufgebracht wird»
2. Terfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dal Hlofe und Zinn aus getrennten Quellen verdampft werden«
3· Terfahren nach Anspruch 1 und 2, dadurch gekennzeichnet» daS die Verdampfung durch Elektronenbeschuß verursacht
• *
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4· Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daS supraleitendes Nb,Sn auf das Grundmaterial aufgebracht wird, das eine Sprungtemperatur von mindestens etwa 17° K hat.
5· Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß das Grundmaterial auf mindestens 85O0C aufgeheizt wird.
6. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß die Aufdampfungsgeschwindigkeit von Hob su der Aufdampfungsgeschwindigkeit von Zinn «wischen ungefähr 1.95 und ungefähr 2.15 beträgt.
7· Verfahren nach Anspruch 6, daduroh gekennzeichnet, dcJ dl· Aufdampfungsgeschwindigkeit von Hiob mindesten· etwa 16O Angströa pro Sekunde und die Aufdampfungegeschwindig· keit von Zinn mindestens etwa 80 Angström pro Sekunde beträgt..
8. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 7» dadurch gekennzeichnet, daß ein supraleitender Nb-Sn-TiIm ausge-
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formt wird, der eine Sprungtemperatur von 17,7-0,5 K und eine Stromleitfähigkeit von mindestens etwa 3x1O6 A/cm2 hat.
9· Terfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 8, dadurch gekennzeichnet, daß das Grundmaterial ein Tantalband ist»
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IQI132/Mf4
, 4
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