JPH0270058A - 安定化超微粒子膜形成装置 - Google Patents
安定化超微粒子膜形成装置Info
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- JPH0270058A JPH0270058A JP21914388A JP21914388A JPH0270058A JP H0270058 A JPH0270058 A JP H0270058A JP 21914388 A JP21914388 A JP 21914388A JP 21914388 A JP21914388 A JP 21914388A JP H0270058 A JPH0270058 A JP H0270058A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
本発明は、対象物の表面に超微粒子の被膜等を形成する
超微粒子膜形成装置に関し、特に超微粒子生成室から膜
形成室に圧力差を用いて超微粒子を搬送する超微粒子膜
形成装置に関する。
超微粒子膜形成装置に関し、特に超微粒子生成室から膜
形成室に圧力差を用いて超微粒子を搬送する超微粒子膜
形成装置に関する。
[従来の技術]
ガラス板や金属板のような被吸着物の表面に超微粒子膜
を形成するための装置として、たとえば特開昭60−1
06964号公報に開示されているものを挙げることか
できる。
を形成するための装置として、たとえば特開昭60−1
06964号公報に開示されているものを挙げることか
できる。
第3図にこの種の従来技術による超微粒子膜形成装置を
示す。超微粒子膜形成装置は超微粒子生成室31と膜形
成室32を備える。
示す。超微粒子膜形成装置は超微粒子生成室31と膜形
成室32を備える。
超微粒子生成室31には、不活性ガス等の搬送(キャリ
ア)ガス兼雰囲気ガスをを提供するガス源33がバルブ
36を介して接続され、加熱用電a34に接続された蒸
発原料を収容するるっぽ35が配設されている。
ア)ガス兼雰囲気ガスをを提供するガス源33がバルブ
36を介して接続され、加熱用電a34に接続された蒸
発原料を収容するるっぽ35が配設されている。
膜形成室32には表面に超微粒子842が形成される基
板37が移動ステージ38上に収容されている。移動ス
テージ38はモータ等の駆動系39によって駆動される
6 超微粒子生成室31と膜形成室32には高真空(10−
5Torr程度以上)に排気する排気系4647が真空
バルブ48.49を介して接続されている。
板37が移動ステージ38上に収容されている。移動ス
テージ38はモータ等の駆動系39によって駆動される
6 超微粒子生成室31と膜形成室32には高真空(10−
5Torr程度以上)に排気する排気系4647が真空
バルブ48.49を介して接続されている。
この超微粒子生成室31と膜形成室32はガス搬送管構
造40を介して連通されている。オス搬送管構造40は
、三方コックのようなバルブ43で接続されたパイプ4
4とパイプ45とを有する。
造40を介して連通されている。オス搬送管構造40は
、三方コックのようなバルブ43で接続されたパイプ4
4とパイプ45とを有する。
膜形成室32内のパイプ45の端部には基板に向けて超
微粒子を吹き付けるスプレーノズル41が接続されてい
る。
微粒子を吹き付けるスプレーノズル41が接続されてい
る。
上述の超微粒子膜形成装置において、超微粒子生成室3
1と膜形成室32とを高真空に排気し、その後超微粒子
生成室31内に雰囲気ガスとじて不活性ガス(ヘリウム
He、アルゴンAr等)を数十ないし数百Torr導入
する。
1と膜形成室32とを高真空に排気し、その後超微粒子
生成室31内に雰囲気ガスとじて不活性ガス(ヘリウム
He、アルゴンAr等)を数十ないし数百Torr導入
する。
この雰囲気ガスはバルブ43を開けることによって膜形
成室32にも流入する。膜形成室32の真空度(圧力)
は真空排気系46によって0.1〜十数Torrに保た
れる。
成室32にも流入する。膜形成室32の真空度(圧力)
は真空排気系46によって0.1〜十数Torrに保た
れる。
雰囲気ガス導入後、るつぼ35内に収容された原料を抵
抗加熱等によって加熱し、雰囲気ガス中に蒸発させる。
抗加熱等によって加熱し、雰囲気ガス中に蒸発させる。
るつぼ35から蒸発した原料原子が雰囲気ガス分子と衝
突しつつ次第に成長し、超微粒子か形成される。バルブ
43か開いていると、数十ないし数百TOrrの比較的
高圧力(低真空)に保たれた超微粒子生成室31から0
.1〜十数Torrの比較的低圧力(高真空)に保たれ
た膜形成室32に雰囲気ガスか圧力差によってガス搬送
管構造40を通って送給される。
突しつつ次第に成長し、超微粒子か形成される。バルブ
43か開いていると、数十ないし数百TOrrの比較的
高圧力(低真空)に保たれた超微粒子生成室31から0
.1〜十数Torrの比較的低圧力(高真空)に保たれ
た膜形成室32に雰囲気ガスか圧力差によってガス搬送
管構造40を通って送給される。
成長した超微粒子は雰囲気ガスとともに膜形成室32に
流れ込み、スプレーノズル41から基板37に向けて吹
き付けられる。このようにして基板37表面に超微粒子
膜42か形成される。
流れ込み、スプレーノズル41から基板37に向けて吹
き付けられる。このようにして基板37表面に超微粒子
膜42か形成される。
U発明が解決しようとする課題7
上記の如き、超微粒子膜形成装置によれば、以下の如き
解決が望まれる課題があった。
解決が望まれる課題があった。
超微粒子生成室と膜形成室が搬送管により直接接続され
ているので、蒸発源の蒸発速度が不均一になった場合、
ただちに搬送速度も不均一となり、形成される超微粒子
膜の膜厚か一定にならない。
ているので、蒸発源の蒸発速度が不均一になった場合、
ただちに搬送速度も不均一となり、形成される超微粒子
膜の膜厚か一定にならない。
超微粒子生成室と膜形成室を接続している搬送管の曲が
った部分には一時的な詰まりが生じやすい。−時的な詰
まりが生じると搬送速度が不均一となり、形成される超
微粒子膜の膜厚が一定にならない。
った部分には一時的な詰まりが生じやすい。−時的な詰
まりが生じると搬送速度が不均一となり、形成される超
微粒子膜の膜厚が一定にならない。
また、搬送中に凝集した超微粒子集団がそのまま成膜さ
れると、大きな粒子か混じることになり、膜の表面が滑
らかにならない。
れると、大きな粒子か混じることになり、膜の表面が滑
らかにならない。
本発明の目的は、一定の膜厚の超微粒子膜を形成できる
超微粒子膜形成装置を提供することである。
超微粒子膜形成装置を提供することである。
本発明の他の目的は、滑らかな表面を有する超微粒子膜
を形成できる超微粒子膜形成装置を提供することである
。
を形成できる超微粒子膜形成装置を提供することである
。
「課題を解決するための手段]
超微粒子生成室と膜形成室とこれらを連通するガス搬送
管構造とを有する超微粒子膜形成装置において、ガス搬
送管構造か緩衝室を有する搬送速度安定化装置を備える
。超微粒子生成室と膜形成室との中間に超微粒子生成室
から運ばれてくる超微粒子を搬送する雰囲気ガスを導入
し、超微粒子を搬送する雰囲気ガスを膜形成室に送出す
る。
管構造とを有する超微粒子膜形成装置において、ガス搬
送管構造か緩衝室を有する搬送速度安定化装置を備える
。超微粒子生成室と膜形成室との中間に超微粒子生成室
から運ばれてくる超微粒子を搬送する雰囲気ガスを導入
し、超微粒子を搬送する雰囲気ガスを膜形成室に送出す
る。
また、緩衝室内で、導入パイプと排出パイプとの間に所
定径のメツシュを設ける。
定径のメツシュを設ける。
U作用〕
超微粒子生成室と膜形成室とが直接搬送管によって接続
されると、超微粒子生成室の蒸発源の蒸発速度のバラツ
キや、超微粒子生成室と膜形成室を接続している搬送管
の設置の都合等によって生じた屈曲部での一時的なつま
り等により超微粒子搬送速度か不均一になった時、ただ
ちに膜形成室内での超微粒子搬送速度の不均一となって
表れるか、中間に緩衝室を有する搬送速度安定化装置か
あると、上記のような不均一が生じても、搬送速度安定
化装置内に一度搬送ガスを溜めているので、不均一を緩
和させることかでき、超微粒子搬送速度が安定する。
されると、超微粒子生成室の蒸発源の蒸発速度のバラツ
キや、超微粒子生成室と膜形成室を接続している搬送管
の設置の都合等によって生じた屈曲部での一時的なつま
り等により超微粒子搬送速度か不均一になった時、ただ
ちに膜形成室内での超微粒子搬送速度の不均一となって
表れるか、中間に緩衝室を有する搬送速度安定化装置か
あると、上記のような不均一が生じても、搬送速度安定
化装置内に一度搬送ガスを溜めているので、不均一を緩
和させることかでき、超微粒子搬送速度が安定する。
また超微粒子の生成中や搬送中に超微粒子か凝集して大
きな2次粒子ができても所定径のメツシュによって一定
の径以上の2次粒子は通過しないようにできる。
きな2次粒子ができても所定径のメツシュによって一定
の径以上の2次粒子は通過しないようにできる。
[実施例]
第1図は本発明の実施例による超微粒子膜形成装置を示
す。超微粒子膜形成装置は超微粒子生成室1と膜形成室
2とガス搬送管構造10とを備える。
す。超微粒子膜形成装置は超微粒子生成室1と膜形成室
2とガス搬送管構造10とを備える。
超微粒子生成室1は、不活性ガス等のキャリアガス兼雰
囲気ガスを提供するガス源3にバルブ6を介して接続さ
れ、加熱用電源4に接続され、蒸発原料を収容するるつ
ぼ5が配設されている。
囲気ガスを提供するガス源3にバルブ6を介して接続さ
れ、加熱用電源4に接続され、蒸発原料を収容するるつ
ぼ5が配設されている。
膜形成室2には移動ステージ8か配設されている。この
移動ステージ8は電動モータの如き駆動源9によって駆
動されるようになっている。この移動ステージ8の上面
には、ガラス板や金属板の如き基板7か載置される。
移動ステージ8は電動モータの如き駆動源9によって駆
動されるようになっている。この移動ステージ8の上面
には、ガラス板や金属板の如き基板7か載置される。
超微粒子生成室1と膜形成室2には高真空(10−5T
orr程度以上)の真空排気装置22.24が真空バル
ブ26.28を介して接続されている。
orr程度以上)の真空排気装置22.24が真空バル
ブ26.28を介して接続されている。
この超微粒子生成室1と膜形成室2はガス搬送管構造1
0を介して連通されている。ガス搬送管構造10は搬送
速度を安定化させるための気密容器から成る緩衝室17
を有する。超微粒子生成室1と緩衝室17の間は三方コ
ックのようなバルブ13で接続されたパイプ14と12
とで連通されている。超微粒子生成室1内のパイプ14
の端部はるつぼ5の上に配置され、超微粒子を導入し、
緩衝室17内へ供給する。緩衝室17と膜形成室2との
間はパイプ15で連通されている。膜形成室2内のパイ
プ15の端部には、基板に向けて超微粒子を吹き付ける
スプレーノズル11が備えられている。
0を介して連通されている。ガス搬送管構造10は搬送
速度を安定化させるための気密容器から成る緩衝室17
を有する。超微粒子生成室1と緩衝室17の間は三方コ
ックのようなバルブ13で接続されたパイプ14と12
とで連通されている。超微粒子生成室1内のパイプ14
の端部はるつぼ5の上に配置され、超微粒子を導入し、
緩衝室17内へ供給する。緩衝室17と膜形成室2との
間はパイプ15で連通されている。膜形成室2内のパイ
プ15の端部には、基板に向けて超微粒子を吹き付ける
スプレーノズル11が備えられている。
第2図(A)、(B)を参照して、緩衝室17の構成に
ついて、より詳細な説明をする。
ついて、より詳細な説明をする。
第2図(A)において、気密容器から成る緩衝室17に
は導入パイプ12と送出パイプ15とか接続されている
。導入パイプ12の開口端は緩衝室17の下方に設定さ
れている。送出パイプ15の開口端は、導入パイプ12
の開口端から所定距離以上離れ、上方に設定されている
。緩衝室17の体積は導入パイプ12、送出パイプ15
の体積と比べて十分大きく設定されている。蒸発源の蒸
発速度の変動や、パイプ内の一時的な詰まりなどにより
、超微粒子の搬送速度が不均一になっても、緩衝室17
の体積が十分大きいので変動が吸収され搬送速度が安定
化するようにする。
は導入パイプ12と送出パイプ15とか接続されている
。導入パイプ12の開口端は緩衝室17の下方に設定さ
れている。送出パイプ15の開口端は、導入パイプ12
の開口端から所定距離以上離れ、上方に設定されている
。緩衝室17の体積は導入パイプ12、送出パイプ15
の体積と比べて十分大きく設定されている。蒸発源の蒸
発速度の変動や、パイプ内の一時的な詰まりなどにより
、超微粒子の搬送速度が不均一になっても、緩衝室17
の体積が十分大きいので変動が吸収され搬送速度が安定
化するようにする。
また、超微粒子が凝集して大きな2次粒子ができても送
出パイプ15は導入パイプ12より上方に一定距離以上
離れているので膜形成室2には供給されにくい。
出パイプ15は導入パイプ12より上方に一定距離以上
離れているので膜形成室2には供給されにくい。
第2図(B)は、この様な大径の2次粒子をより効果的
に防止する構造を示す。導入パイプ12と送出パイプ1
5の間に所定メツシュ径のメツシュ18を設け、導入パ
イプ12から大径の超微粒子集合が排出されても、その
通過を防止してその通過を防止して、送出パイプ15に
は導入されないようにしている。
に防止する構造を示す。導入パイプ12と送出パイプ1
5の間に所定メツシュ径のメツシュ18を設け、導入パ
イプ12から大径の超微粒子集合が排出されても、その
通過を防止してその通過を防止して、送出パイプ15に
は導入されないようにしている。
以下、超微粒子の形成を説明する。
上述の超微粒子膜形成装置において、超微粒子生成室1
と膜形成室2とを高真空に排気し、その後超微粒子生成
室1に雰囲気ガスとして不活性ガス(ヘリウムHe、ア
ルゴンAr等)を数十ないし数百Torr導入する。こ
の雰囲気ガスはバルブ13を開けることによって緩衝室
17、膜形成室2にも流入する。膜形成室2の真空度(
圧力)は真空排気系24によって0,1〜十数Torr
に保たれる。
と膜形成室2とを高真空に排気し、その後超微粒子生成
室1に雰囲気ガスとして不活性ガス(ヘリウムHe、ア
ルゴンAr等)を数十ないし数百Torr導入する。こ
の雰囲気ガスはバルブ13を開けることによって緩衝室
17、膜形成室2にも流入する。膜形成室2の真空度(
圧力)は真空排気系24によって0,1〜十数Torr
に保たれる。
雰囲気ガス導入後、抵抗加熱等によってるつぼ5を加熱
し、るつぼ5内に収容された原料を雰囲気ガス中に蒸発
させる。このとき、るつぼ5周辺の雰囲気ガスも暖めら
れ、蒸発した蒸気と共に、るつぼ5から上方に上がる上
昇気流を作る。るつぼ5から蒸発した原料原子は上昇気
流内で雰囲気ガス分子と衝突しつつ次第に成長し、超微
粒子か形成される。
し、るつぼ5内に収容された原料を雰囲気ガス中に蒸発
させる。このとき、るつぼ5周辺の雰囲気ガスも暖めら
れ、蒸発した蒸気と共に、るつぼ5から上方に上がる上
昇気流を作る。るつぼ5から蒸発した原料原子は上昇気
流内で雰囲気ガス分子と衝突しつつ次第に成長し、超微
粒子か形成される。
成長した超微粒子は雰囲気ガスとともにガス搬送管構造
10のパイプ14に送り込まれる。超微粒子生成室1と
膜形成室2との間には圧力差が形成されているので、雰
囲気ガスは圧力(真空度)が数十ないし数百Torrの
超微粒子生成室1からガス搬送管構造10を通って圧力
(真空度)が0.1〜士数Torr程度の膜形成室2内
にと送給される。
10のパイプ14に送り込まれる。超微粒子生成室1と
膜形成室2との間には圧力差が形成されているので、雰
囲気ガスは圧力(真空度)が数十ないし数百Torrの
超微粒子生成室1からガス搬送管構造10を通って圧力
(真空度)が0.1〜士数Torr程度の膜形成室2内
にと送給される。
この途中で体積の大きな緩衝室17を通るので、入力側
に変動を生じても送出パイプ15の搬送速度には直ちに
は表れない。緩衝室17が一定時間分の搬送ガスを溜め
ることにより、変動を平滑化している。ガス搬送管構造
10の他端には、内部断面を絞ったスプレーノズル11
か設けられており、超微粒子はスプレーノズル11から
基板7に向けて吹き付けられる。このようにして基板7
表面に超微粒子膜12か形成される。
に変動を生じても送出パイプ15の搬送速度には直ちに
は表れない。緩衝室17が一定時間分の搬送ガスを溜め
ることにより、変動を平滑化している。ガス搬送管構造
10の他端には、内部断面を絞ったスプレーノズル11
か設けられており、超微粒子はスプレーノズル11から
基板7に向けて吹き付けられる。このようにして基板7
表面に超微粒子膜12か形成される。
比較例
本発明の例と従来技術の例とを比較した。第1図の構成
で第2図(B)の構成の緩衝室を用いて本発明の例とし
、緩衝室を外して直接超微粒子生成室と膜形成室とを接
続して従来技術の例とした。
で第2図(B)の構成の緩衝室を用いて本発明の例とし
、緩衝室を外して直接超微粒子生成室と膜形成室とを接
続して従来技術の例とした。
超微粒子生成室1は直径約500mm、高さ500〜6
0’Ommのペルジャーで構成し、膜形成室2は直径約
250mm、高さ約300mmのペルジャーで構成した
。超微粒子生成室1と膜形成室2との間を (a)第4図の構成のように、直接内径的6.5mm(
1/4インチ)の搬送管40で接続した場合と、 (b)第1図、第2図(B)のように、直径約30 m
’m、高さ約30mm、内部にステンレス(SUS)製
400番メツシュを備えた緩衝室17を介して接続した
場合と を比較した。
0’Ommのペルジャーで構成し、膜形成室2は直径約
250mm、高さ約300mmのペルジャーで構成した
。超微粒子生成室1と膜形成室2との間を (a)第4図の構成のように、直接内径的6.5mm(
1/4インチ)の搬送管40で接続した場合と、 (b)第1図、第2図(B)のように、直径約30 m
’m、高さ約30mm、内部にステンレス(SUS)製
400番メツシュを備えた緩衝室17を介して接続した
場合と を比較した。
雰囲気ガスとしてアルゴンA1−を用い、超微粒子生成
室1内部を約100 Torr、膜形成室2内部を5〜
1QTOrrになるように真空排気系のバルブを調整し
、厚さ50〜100μmの超微粒子膜を形成した。粒径
は1000〜2000人程度であった。
室1内部を約100 Torr、膜形成室2内部を5〜
1QTOrrになるように真空排気系のバルブを調整し
、厚さ50〜100μmの超微粒子膜を形成した。粒径
は1000〜2000人程度であった。
結果として得られた超微粒子膜の断面を第4図(A)、
(’B)に示す。
(’B)に示す。
従来例の超微粒子膜形成装置によると、第4図(A)の
断面形状を持つ超微粒子膜が得られた。
断面形状を持つ超微粒子膜が得られた。
所々で凸部か生じている。この凸部はスプレーノズルに
より同時に吹き付けられた部分に共通て縞状に分布した
。
より同時に吹き付けられた部分に共通て縞状に分布した
。
本発明の例の超微粒子膜形成装置によると、第4図(B
)のように、表面が滑らかな膜が形成できた。第4図(
A)と比較すると著しい平滑化の効果か認められた。
)のように、表面が滑らかな膜が形成できた。第4図(
A)と比較すると著しい平滑化の効果か認められた。
以上、本発明に従う超微粒子膜形成装置の実施例につい
て説明したか、本発明はこれら実施例に限定されるもの
ではなく、本発明の範囲を逸脱することなく種々の変形
乃至修正か可能である。
て説明したか、本発明はこれら実施例に限定されるもの
ではなく、本発明の範囲を逸脱することなく種々の変形
乃至修正か可能である。
[発明の効果]
本発明の超微粒子膜形成装置では、ガス搬送管構造か緩
衝室を含む搬送速度安定化装置を備えているので、原料
の蒸発速度や超微粒子を含む雰囲気ガスの流速に変動か
生じても、変動を緩和し、超微粒子を安定に供給するこ
とかできる。
衝室を含む搬送速度安定化装置を備えているので、原料
の蒸発速度や超微粒子を含む雰囲気ガスの流速に変動か
生じても、変動を緩和し、超微粒子を安定に供給するこ
とかできる。
また。2次的に形成された超微粒子の集合が膜形成室へ
送給されるのを防止することかできる。
送給されるのを防止することかできる。
第1図は、本発明の実施例による超微粒子膜形成装置を
示す概略断面図、 第2図(A)、(B)は、第1図の超微粒子膜形成装置
に用いた搬送管構造の緩衝室の構成例を示す断面図、 第3図は、従来技術による超微粒子膜形成装置の例を示
す概略断面図、 第4図(A)、(B)は従来例と本発明の例とを用いて
形成した超微粒子膜を比較して示す断面図である。 符号の説明 12.14 超微粒子生成室 膜形成室 電源 るつぼ ガス搬送管構造 スプレーノズル ガス搬送管構造のパイプ 緩衝室 メツシュ
示す概略断面図、 第2図(A)、(B)は、第1図の超微粒子膜形成装置
に用いた搬送管構造の緩衝室の構成例を示す断面図、 第3図は、従来技術による超微粒子膜形成装置の例を示
す概略断面図、 第4図(A)、(B)は従来例と本発明の例とを用いて
形成した超微粒子膜を比較して示す断面図である。 符号の説明 12.14 超微粒子生成室 膜形成室 電源 るつぼ ガス搬送管構造 スプレーノズル ガス搬送管構造のパイプ 緩衝室 メツシュ
Claims (2)
- (1)、真空排気系に接続され、雰囲気ガス中で原料を
蒸発することによって超微粒子を生成する超微粒子生成
室と、 真空排気系に接続され、対象物上に超微粒子を吹き付け
て付着させる膜形成室と、 超微粒子を搬送するために超微粒子生成室と膜形成室と
を連通するガス搬送管構造と を有する超微粒子膜形成装置において、 ガス搬送管構造が超微粒子生成室から運ばれてくる超微
粒子を搬送する雰囲気ガスを導入するパイプと超微粒子
を搬送する雰囲気ガスを膜形成室に送出するパイプを備
えた緩衝室を有する搬送速度安定化装置を含むこと を特徴とする超微粒子膜形成装置。 - (2)、前記緩衝室内の導入パイプと送出パイプとの間
に所定径のメッシュを備えたことを特徴とする超微粒子
膜形成装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63219143A JPH0791631B2 (ja) | 1988-09-01 | 1988-09-01 | 安定化超微粒子膜形成装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63219143A JPH0791631B2 (ja) | 1988-09-01 | 1988-09-01 | 安定化超微粒子膜形成装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0270058A true JPH0270058A (ja) | 1990-03-08 |
JPH0791631B2 JPH0791631B2 (ja) | 1995-10-04 |
Family
ID=16730894
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP63219143A Expired - Lifetime JPH0791631B2 (ja) | 1988-09-01 | 1988-09-01 | 安定化超微粒子膜形成装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0791631B2 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE4443785C2 (de) * | 1993-12-10 | 2002-10-24 | Vacuum Metallurg Co Ltd | Gasabscheidegerät |
JP2012112018A (ja) * | 2010-11-26 | 2012-06-14 | National Institute Of Advanced Industrial Science & Technology | 成膜用粒子の搬送装置及び生成装置、並びに成膜装置 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS60106964A (ja) * | 1983-11-12 | 1985-06-12 | Res Dev Corp Of Japan | 超微粒子膜の形成法並に装置 |
JPS60113369A (ja) * | 1983-11-22 | 1985-06-19 | Nec Corp | 磁気ヘツドの位置決め回路 |
-
1988
- 1988-09-01 JP JP63219143A patent/JPH0791631B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS60106964A (ja) * | 1983-11-12 | 1985-06-12 | Res Dev Corp Of Japan | 超微粒子膜の形成法並に装置 |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JP2012112018A (ja) * | 2010-11-26 | 2012-06-14 | National Institute Of Advanced Industrial Science & Technology | 成膜用粒子の搬送装置及び生成装置、並びに成膜装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0791631B2 (ja) | 1995-10-04 |
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