DE2444898C2 - Verfahren und Vorrichtung zum raschen Aufdampfen von Oxyden in dünnen und festhaftenden Schichten auf Kunststoffsubstrate - Google Patents
Verfahren und Vorrichtung zum raschen Aufdampfen von Oxyden in dünnen und festhaftenden Schichten auf KunststoffsubstrateInfo
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Description
— einem unter Vakuum stehenden Gehäuse, das mit einem einen hohen Unterdruck aufrechterhaltenden
Pumpaggregat ausgestattet ist,
— einem zylindrischen Quellen-Hohlkörper, dessen Innenwandungen eine Schicht des aufzudampfenden
Oxyds tragen, der in seinem unteren Bereich durch einen Stopfen verschlossen
ist, durch den eine Leitung zum Einblasen von Gas verläuft, und der in seinem oberen
Bereich ein in der Achse liegende kreisförmige Öffnung aufweist.
— einer Erregerwicklung für den Quellen-Hohlkörper,
die aus den innen gekühlten Windungen eines rohrförmigen Leiters gebildet wird und
elektrisch durch einem mit Reguliermitteln ausgestatteten Schwingkreis gespeist wird,
— einem in Höhe des Quellen-Hohlkörpers liegenden Starter,
— mindestens einem Kunststoffsubstrat, das auf
einem praktisch in der Achse der kreisförmigen Öffnung des Quellen-Hohlkörpers angeordneten
Substratträger befestigt ist,
dadurch gekennzeichnet, daß der Abstand zwischen dem zu beschichtenden Substrat (29) und der
kreisförmigen Öffnung (17) des Quellen-Hohlkörpers (2) mindestens dreimal größer gewählt ist als
der Durchmesser dieses Quellen-Hohlkörpers.
3. Vorrichtung gemäß Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß das Unterdruckgehäuse einen
ersten zylindrischen Teil (1), der eng den Quellen-Hohlkörper (2) umgibt, ferner einen Hohlkegelstumpf (18), der dieselbe Symmetrieachse wie die
axial liegende kreisförmige Öffnung des Quellen-Hohlkörpers (2) aufweist, wobei der Öffnungswinkel
60° beträgt, und schließlich ein zylindrisches Teil (21) mit großem Durchmesser umfaßt, das mit dem
Hohlkegelstumpf verbunden ist.
4. Vorrichtung gemäß Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß das Unterdruckgehäuse aus einer
zylindrischen Hülle gebildet wird, deren Durchmes-
ser gleich dem des zylindrischen Teils (21) ist und das
in seinem unteren Bereich von dem Quellen-Hohlkörper (2) entfernt angeordnet ist
5. Vorrichtung gemäß Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Stabilisierung des Lichtbogens
dadurch erreicht wird, daß im Schwingkreis eine Selbstinduktivität (33) in Reihe geschaltet wird,
deren Wert größer ist als der der Erregerwicklung (3).
6. Vorrichtung gemäß Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet,
daß die Stabilisierung des Stroms im Lichtbogen dadurch erreicht wird, daß in die Stromzuführung
des Schwingkreises ein Regler geschaltet wird, der durch den Spannungsabfall an den
Klemmen der Erregerwicklung (3) gesteuert wird.
Die Erfindung betrifft ein Verfahren und eine Vorrichtung zum raschen Aufdampfen von Oxyden in
dünnen und festhaftenden Schichten auf Kunststoffsubstrate.
Es sind mehrere Verfahren bekannt, mit denen dünne Schichten auf ein Substrat aufgebracht werden können.
Eins dieser Verfahren, das sehr festheftende Schichten liefert, ist die Kathodenzerstäubung. Jedoch war es
aufgrund der extrem langsamen Aufdampfungsgeschwindigkeit, die lediglich etwa ein Hundertstel
Mikrometer pro Minute in den günstigsten Fällen erreicht, nicht möglich, dieses Verfahren in der
industriellen Großserienfertigung wirksam einzusetzen. Ein weiteres bekanntes Verfahren besteht darin, die
Beschichtung durch Verdampfen des aufzubringenden Materials herzustellen. Mit diesem Verfahren ist eine
wesentlich höhere Beschichtungsgeschwindigkeii möglich, jedoch weisen die so hergestellten Beschichtungen
auf einem Kunststoffträger meist Fehlstellen auf oder sie haften unzureichend.
Die Erfindung will eine aus der DE-OS 22 20 086 bekannte Methode verbessern, die darin besteht, mit
dem zu zerstäubenden Oxyd ein Plasma im Lichtbogen zu bilden und es auf das unter Vakuum gehaltene
Substrat zu spritzen.
Auf diese Weise erhält man Schichten ausgezeichneter Qualität mit einer etwa 50 bis lOOmal höheren
Aufdampfungsgeschwindigkeit als bei der Kathodenzerstäubung. Bei dieser Methode wird die Lichtbogenentladung
in einem Hohlkörper induziert, dessen Innenwandungen mit dem aufzudampfenden Material
beschichtet sind. Dieser Hohlkörper weist eine Öffnung auf. mit der er mit dem das Substrat enthaltenden
Gehäuse in Verbindung steht. Wenn der Lichtbogen brennt, werden die Atome des aufzudampfenden
Materials durch die Öffnung im Hohlkörper ausgestoßen, dringen in das Gehäuse, in dem ein niedrigerer
Druck herrscht als im Hohlkörper, ein. und treten mit dem Substrat in Berührung, auf dem sie sich
niederschlagen.
Die so hergestellte Entladung im Lichtbogen hat die Tendenz, in ihrer Intensität zuzunehmen, wenn sie nicht
kontrolliert wird.
Durch die Erfindung soll dieser Nachteil behoben werden. Außerdem soll eine zufriedenstellende Gleichförmigkeit
der Oxydschicht auf einer ausgedehnten Kunststofffläche sowie eine möglichst geringe Erwärmung
des Kunststoffträgers erreicht werden, wobei selbstverständlich darüber hinaus die so erhaltene
Beschichtung, unabhängig von der Art des verwendeten Kunststoffsubstrates, alle die günstigen Haftungseigenschaften
beibehalten soll, durch die die Lichtbogentechnik sich auszeichnet, und wobei schließlich auch die
Beschichtungsgeschwindigkeit sehr hoch oleiben soll.
Gegenstand der Erfindung ist also ein Verfahren zum raschen Aufdampfen von Oxyden :n gleichmäßigen
dünnen und festhaftenden Schichten auf in einem unter Vakuum stehenden Gehäuse angeordneten Kunststoffsubstrate,
wobei dieses Gehäuse über eine Öffnung mit to einem im Innern mit dem aufzudampfenden Oxyd
beschichteten Quellen-Hohlkörper in Verbindung steht und das Innere des Quellen-Hohlkörpers mit Hilfe von
eingeblasenem Sauerstoff auf einem Druck gehalten wird, der über dem im Gehäuse herrschenden Druck
liegt, und wobei durch Hochfrequenzerregung einer den Quellen-Hohlkörper umgebenden Spule in diesem ein
Lichtbogenplasma gebildet wird, dadurch gekennzeichnet, daß der Entladungslichtbogen stabilisiert und die zu
beschichtenden Kunststoffträger in einem Abstand von der kreisförmigen Öffnung axial zu dieser Öffnung
angeordnet werden. Die Entladung im Lichtbogen, die sich in einer die vorgenannte Methode anwendenden
Vorrichtung einstellt, hat die Tendenz, an Intensität zuzunehmen, die Innenbeschichtung des Quellen-Hohlkörpers
rasch zu verdampfen und so die Verdampfungsgeschwindigkeit zu verändern und die Gleichförmigkeit
der Beschichtung zu beeinträchtigen. Die Stabilisierung des Lichtbogens dient daher der Gleichförmigkeit der
Beschichtung. Ferner ist festgestellt worden, daß bei -ίο
einem gegebenen Aufbau der Vorrichtung die Gleichförmigkeit der aufgedampften Schicht mit der Entfernung
zvyischen dem Kunststoffträger und der kreisförmigen Öffnung des Hohlkörpers zunimmt; daher wurde
dem zur Durchführung des erfindungsgemäßen Verfah- v>
rens geeigneten Gerät eine besondere Form verliehen, durch die die Entfernung zwischen der kreisförmigen
Öffnung und dem Kunststoffträger auf 500 mm und mehr, d. h. auf beinahe das Zehnfache des Quellen-Hohlkörperdurchmessers
eingestellt werden kann. Damit ein ausreichend freier Durchgang der aufzudampfenden
Stoffteilchen gewährleistet ist, muß der Druck im Gehäuse verringert werden und gleichzeitig im Innern
des Hohlkörpers ein 10 bis lOOmal höherer Druck aufrechterhalten werden: diese Bedingung ermöglicht
es, eine hohe Aufdampfgeschwindigkeit zu erreichen. Schließlich wird durch die Entfernung des Kunststoffträgers
von der kreisförmigen Öffnung des Hohlkörpers gleichzeitig dessen Erwärmung verringert.
Eine Vorrichtung zur Durchführung des erfindungsgemäßen Verfahrens zum raschen Aufdampfen von
Oxyden in dünnen und festhaftenden Schichten auf Kunstsioffsubstrate, die gebildet wird aus:
— einem unter Vakuum stehenden Gehäuse, das mit
einem einen hohen Unterdruck aufrechterhaltenden Pumpaggregat ausgestattet ist,
— einem zylindrischen Quellen-Hohlkörper, dessen
Innenwandungen eine Schicht des pufzudampfenden Oxyds tragen, der in seinem unteren Bereich
durch einen Stopfen verschlossen ist, durch den eine Leitung zum Einblasen von Gas verläuft, und
der in seinem oberen Bereich eine in der Achse liegende kreisförmige Öffnung aufweist,
— einer Erregerwicklung für den Quellen-Hohlkörper, die aus den innen gekühlten Windungen eines
rohrförmigen Leiters gebildet wird und elektrisch durch einen mit Reguliermitteln ausgestatteten
Schwingkreis gespe.st wird,
— einem in Höhe des Quellen-Hohlkörpers liegenden Starter,
— mindestens einem Kunststofi'substrat, das auf einem praktisch in der Achse der kreisförmigen
Öffnung des Quellen-Hohlkörpers angeordneten Substratträger befestigt ist,
ist dadurch gekennzeichnet, daß der «bstand zwischen
dem zu beschichtenden Substrat und der kreisförmigen Öffnung des Quellen-Hohlkörpers mindestens dreimal
größer gewählt ist als der Durchmesser dieses Quellen-Hohlkörpers.
Der obere Bereich des Gehäuses ist im allgemeinen zylindrisch und sein Durchmesser ist ebenfalls größer
als das Mehrfache des Durchmessers des Quellen-Hohlkörpers.
Dagegen kann der untere Bereich des Gehäuses in der Nähe des Quellen-Hohlkörpers einen Durchmesser
aufweisen, der lediglich etwas größer ist als der des Hohlkörpers. In diesem Fall wird die Verbindung
zwischen dem Gehäuse und dem Hohlkörper mit Hilfe eines kegelstumpfförmigen Elements hergestellt, dessen
Öffnungswinkel etwa 60° oder mehr beträgt.
Allerdings kann der untere Teil des Gehäuses in der
Nähe des Hohlkörpers auch denselben Durchmesser wie der obere Teil aufweisen; dann bildet das gesamte
Gehäuse einen Zylinder, dessen Durchmesser dem oberen Bereich des Gehäuses entspricht und dessen
Seilenwände vom Quellen-Hohlkörper entfernt sind. In diesem Fall wird das elektromagnetische Feld im Innern
des Quelien-Hohlkörpers mit Hilfe eines im wesentlichen aus zwei konzentrischen, elektrisch untereinander
verbundenen leitenden Zylindern gebildeten Konzentriermittels konzentriert, das die Sekundärwicklung
eines Impedanztrensformators bildet, dessen Primärwicklung
aus der induktionsspule gebildet wird. In allen Fällen kann so eine Induktionswicklung als entweder im
Innern oder außerhalb des Gehäuses in unmittelbarer Nähe des Hohlkörpers angeordnet betrachtet werden.
Die Stabilisierung des Stroms kann in beiden I allen dadurch erhalten werden, daß in die Primärspule eine
feste Induktanz geschaltet wird. Diese Stabilisierung kann aber auch dadurch erreicht werden, daß ein Regler
bekannter Bauart in die Stromzuführung des Primärkreises geschaltet und durch eine an den Klemmen einer
Windung der Primärwicklung entnommene Spannung gesteuert wird.
Das nachfolgend unter Bezugnahme auf die einzige Figur beschriebene Ausführungsbeispiel und die Zahlenwerte, die lediglich als Beispie! aufzufassen sind,
betreffen das Aufdampfen von Siliziumdioxyd auf Kunststofflager; jedoch wurden darüber hinaus verschiedene
Beschichtungen von Kunststoffträgern mit Oxyden, insbesondere von Chrom-, Zinn- und Indiumoxyd,
ohne besondere Veränderungen an der eingesetzten Apparatur vorgenommen, so daß diese Beschreibung
einen allgemeinen Charakter aufweist. Die einzige Figur zeigt schematisch eine Anlage zum Aufdampfen
von einer dünnen Siliziumdioxvdschicht auf die Oberfläche eines Kunststoffträgers.
Ein zylindrisches Gehäuse 1 umgibt einen Quellen-Hohlkörper 2. Eine Induktionswicklung 3 wird durch
zwei Windungen eines hohlen, im Innern von einem Kühlmedium durchflossenen Hohlleiters 4 verwirklicht.
Der obere Bereich des zylindrischen Gehäuses 1 endet in einer kreisförmigen Krone 5, die eine Öffnung 6
aufweist. Die Wandung 7 des Quellen-Hohlkörpers
trägt oben einen Dichtring 8, durch den verunreinigende Stoffe von der Induktionswicklung 3 abgehalten
werden. Bei anderen Ausführungsformen liegt die Induktionsspule außerhalb des zylindrischen Gehäuses
1, das den Quellen-Hohlkörper 2 umgibt; jedoch wird dann im Innern des Gehäuses ein Mittel zur
Konzentration des Feldes angewendet und die dem Quellen-Hohlkörper 2 am nächsten liegende Windung
des Konzentralors wird direkt oder indirekt durch einen Kühlmittelumlauf gekühlt, so daß ganz allgemein die
Wandung 7 des Hohlkörpers gekühlt wird.
Die Innenwandungen des Hohlkörpers 2 sind mit einem oder mehreren Siliziumdioxydzylindern 10
versehen; auch die Grundfläche des Hohlkörpers 2 ist mit einer Siliziumdioxydscheibe 11 bedeckt, die eine
Öffnung 52 besitzt, in die eine Leitung 14 mündet, die mit
Hilfe einer Grundplatte 32 den Quellen-Hohlkörper trägt. Diese Leitung dient dazu. Gas, in diesem Fall
Sauerstoff, einzublasen, und die Menge des eingeblasenen Gases wird durch ein Mikroventil 15 geregelt. Eine
Siliziumdioxydscheibe 16 vervollständigt den oberen Teil des Hohlkörpers. Diese Scheibe 16 weist eine in der
Achse liegende kreisförmige Öffnung 17 auf, die auf die kreisförmige Öffnung 6 zentriert ist.
Die den zylindrischen Teil des Gehäuses 1 begrenzende kreisförmige Krone 5 ist hermetisch dicht mit einem
Hohlkegelstumpf 18 verbunden, der sich nach oben erweitert und dessen Öffnungwinkel mehr als 60'
beträgt.
Der obere Teil des Kegelstumpfs 18 endet in einer horizontalen kreisförmigen Krone 20, auf der der obere
Teil 21 des Gehäuses unter Zwischenschaltung eines Dichtrings 22 befestigt ist. Dieser obere Teil 21 des
Gehäuses hat die Form einer umgestürzten Kristallisierschale. In ihrem Mittelpunkt läuft durch den oberen
Bereich des Gehäuses eine Achse 23, an der ein Substratträger 24 und ein Substrat 29 befestigt sind. Ein
kreisförmiger Flansch 25 ermöglicht den Anschluß einer Pumpleitung 26. die mit einem Ventil 27 ausgestattet
und an ein Pumpaggregat 28 angeschlossen ist, dessen
starke Pumpleistung einen Druck von weniger als 1.33 · 10 -* Pa herstellen kann.
Das Gehäuse wird folglich aus dem zylindrischen Rohr 1 gebildet, das hermetisch dicht schließend auf
einer Stützplatte 32 steht und sich oben in einem Hohlkegelstumpf 18 fortsetzt der sich nach oben
erweitert und mit einem oberen Teil 21 verschlossen ist.
Es folgen die Abmessungen einer bevorzugten Anlage:
Der Quellen-Hohlkörper hat einen Außendurchmesser von 50 mm und einen Innendurchmesser von 30 mm.
Die in die obere Srheihe 16 gebohrte kreisförmige
Öffnung 12 hat einen Durchmesser von 10 mm. Die Gesamthöhe des Quellen-Hohlkörpers 2 beträgt 50 mm.
Der Abstand zwischen der kreisförmigen Öffnung 17 und dem Substrat ist zwischen 200 mm (dabei ist der
Substratträger in den Hohlkegelstumpf 18 herabgesenkt)
und mehr als 500 mm (das Substrat 29 befindet sich dann im oberen Bereich des Gehäuseteils 21)
regelbar.
Die verwendete elektrische Schaltung ermöglicht eine Stabilisierung der Intensität der Entladung des
Lichtbogens. Der Hochfrequenzschwingkreis enthält eine Selbstinduktivitat 33 und eine Rückkopplungs-Selbstinduktivität
35, die mit der Induktionswindung 3 in einem durch eine Kapazität 34 regelbaren Schwingkreis
in Reihe geschaltet sind. Die Regelung der Leistung erfolgt durch einen Autotransformator (hier nicht
dargestellt). Wenn der Lichtbogen hergestellt ist, kann man die Induktionswindung 3 als kurzgeschlossen
betrachten, die gesamte Selbstinduktivilät des Schaltkreises
ergibt sich aus der Summe der Selbstinduklivitäten 33 und 35, die Impedanz des Schwingkreises nimmt
leicht ab, so daß der Anodenstrom lediglich leicht ansteigt (um etwa 10%), anstatt die Intensität der
Entladung stark anwachsen zu lassen, was auf jeden Fall in einer Schaltung geschehen würde, in der die
Induktionswindung nicht mit einer hohen Impedanz in Reihe geschaltet wäre.
Die Zündung der Entladung wird mit Hilfe eines außerhalb oder innerhalb des Gehäuses in Höhe des
Hohlkörpers angebrachten Starters 36 erreicht.
Die Inbetriebnahme der Vorrichtung erfordert zunächst die Herstellung eines Unterdrucks von etwa
1,33 · 10-4 Pa im Gehäuse. Dann wird in den Quellen-Hohlkörper
Sauerstoff eingeführt, um dort einen Druck von etwa 0,26 bis 0,93 Pa einzustellen; der Druck im
Gehäuse, der vom Durchmesser der kreisförmigen Öffnung 17 des Quellen-Hohlkörpers 2 und von der
Leistung der Pumpen 28 abhängt, wird je nach der jeweiligen Pumpleistung auf einen Wert von 2,6 -10-'
bis 9,3 · IC 2Pa eingestellt, wobei der erstgenannte
Wert vorzuziehen ist, da dabei die Aufdampfungsgeschwindigkeit höher ist und der Druckgradient, der an
der Öffnung des Hohlkörpers auftritt, groß ist. Es ist jedoch ausreichend, wenn das Druckverhältnis etwa 10
beträgt, wenn beispielsweise der Druck im Unterdruckgehäuse 9,3 · 10-2 Pa und der Druck im Hohlkörper
9,3 ■ 10-' Pa beträgt. Der so erhaltene Druckgradient
reicht dann aus, um ein vollkommen gleichmäßiges, fest haftendes und rasches Beschichten zu erreichen.
Wenn diese Drücke erreicht und die zwischen 2 bis 6 MHz regelbare Hochfrequenz angelegt ist, ergibt sich
nach dem mit Hilfe des Starters 36 erhaltenen Zünden eine Kaltentladung, wobei das Plasma eine hellblaue
Färbung aufweist. Nach einer bestimmten Zeit wird das Plasma dichter und nimmt eine sehr intensive
Blaufärbung ein. die reich an Ultraviolettstrahlen ist; der Lichtbogen stellt sich ein und das Aufdampfen im
Lichtbogen beginnt.
Während des gesamten Vorgangs bleibt die Anodenspannung konstant und beträgt im allgemeinen in der
beschriebenen Schaltung 6 kV. Der Anodenstrom, dessen Wert im Vakuum 1,1 Ampere beträgt, nimmt bei
der Bildung des Plasmas den Wert von 1,1 Ampere an und erreicht 1.4 Ampere bei Vorhandensein des
Lichtbogens, da die Stromstärke durch die Selbstinduktivität
begrenzt wird. An Hand dieser wenigen Versuchsdaten wird offenbar, daß der beobachtete
Vorgang sich vollkommen von einer Kathodenzerstäubung in Sauerstoffplasma unterscheidet.
Die erhaltenen aufgedampften Schichten erreichen leicht eine Stärke von 3 Mikrometer und bleiben doch
dabei vollkommen homogen und festhaftend
In der Achse der Quelle wurde eine Aufdampfgeschwindigkeit
von etwa 2 Mikrometer pro Minute in einer Entfernung von etwa 200 mm von der Quelle
beobachtet Diese Aufdampfgeschwindigkeit nimmt mit der axialen Entfernung ab und beträgt nur noch 0,5
Mikrometer pro Minute bei einer axialen Entfernung von 400 mm, was wegen des Öffnungswinkels des
Plasmastrahls, der durch die kreisförmige Öffnung den Quellen-Hohlkörper verläßt, verständlich ist
Die räumliche Verteilung der Beschichtungsdicke auf einem ebenen Substrat folgt angenähert der idealen
Kurve des Kosinusgesetzes für eine Quelle kleiner
Oberfläche. Es läßt sich feststellen, daß dieses Gesetz umso genauer befolgt wird, je größer die axiale
Entfernung zwischen dem Substrat und der kreisförmigen Öffnung des Hohlkörpers ist. So beträgt bei 200 mm
axialer Entfernung der Abstand zwischen der idealen Kurve und der gemessenen Stärke 20%, bei 500 mm
jedoch nur noch 5%.
Bei einem Quellen-Hohlkörper mit 50 mm Durchmesser
ist es folglich vorteilhaft, eine axiale Entfernung von mindestens dem Vierfachen des Durchmessers dieses
Hohlkörpers zu wählen.
Bei 200 mm findet die Aufdampfung schnell statt, jedoch ist die Verteilung der Schichtstärken noch
ziemlich weit von der idealen Kurve entfernt. Bei 400 mm (8mal der Durchmesser des Hohlkörpers)
beträgt die Aufdampfgeschwindigkeit noch etwa 0,5 Mikrometer pro Minute und die Verteilung der
Schichtstärke weicht um weniger als 10% von der idelaen Schicht ab. Bei 500 mm (lOmal der Durchmesser
des Hohlkörpers) liegt die Beschichtungsgeschwindigkeit unter einem halben Mikrometer pro Minute, jedoch
ist die Verteilung der Stärke beinahe perfekt.
Auf Kunststoffe bestimmter Form können Schichten nur dann in vorteilhafter Weise aufgebracht werden,
wenn die Temperatur des Substrats keine hohen Werte erreicht, bei der sich irgendeine Beeinträchtigung der
Formen ergeben könnte. Bei den gewählten Abständen geht die Temperatur der Substrate niemals über 500C
hinaus.
Die Qualität der aufgedampften Schichten wurde unter zwei weiteren Aspekten überprüft:
Die Widerstandsfähigkeit gegenüber Witterungseinnüssen wie Kälte, Regen, Wind, Sonne, Staub, wurde
während mehrerer Monate getestet, ohne daß eine Verschlechterung der aufgedampften Schicht unter dem
Mikroskop hätte festgestellt werden können.
Die Abriebfestigkeit wurde mit Hilfe eines organischen Körpers überprüft, der mit Körnern eines
Schleifmittels angereichert und über die Probe gerieben wurde, wobei der Druck auf die aufgedampfte Schicht
durch Zusatzmassen bestimmt wird, durch die die Reibfläche auf die Probe gedrückt wird.
Es wurde festgestellt, daß die meisten untersuchten unbeschichteten Kunststoffe verkratzt wurden, sobald
die Zusatzmasse 10 g erreichte.
Dagegen erschienen bei einer aufgedampften Schicht von 2 Mikrometer erst bei Zusatzmassen von 200 g
Kratzer.
Bei einer aufgedampften Schicht von 3 Mikrometer Stärke war es nicht möglich, Kraizer zu erzeugen, selbst
wenn die Zusatzmasse mehr als 800 g betrug.
Diese verschiedenen Experimente und die entwickelte Technologie zeigen, daß es künftig möglich ist, nach
dem oben beschriebenen erfindungsgemäßen Verfahren und mit der erfindungsgemäßen Vorrichtung die
Beschichtung von verschiedenen lnduslrieerzeugnissen wie beispielsweise Brillengläser, Armbanduhrgläser,
Bildschirme, Masken und Helme für Motorradfahrer, Piloten usw., Instrumentenbretter für Kraftfahrzeuge
und Flugzeuge, Windschutzscheiben usw. mit einer dünnen, jedoch absolut schützenden und durchsichtigen
Siliziumdioxydschicht vorzunehmen.
Selbstverständlich können im Rahmen der Erfindung auch besonders geformte Oberflächen gleichmäßig
beschichtet werden oder gleichzeitig auf zwei Seiten eines Kunststoffsubstrats Schichten aufgedampft werden.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen
Claims (2)
1. Verfahren zum raschen Aufdampfen von Oxyden in gleichmäßigen dünnen und festhaftenden
Schichten auf in einem unter Vakuum stehenden Gehäuse angeordnete Kunslstoffsubstraie, wobei
diese Gehäuse über eine Öffnung mit einem im Innern mit dem aufzudampfenden Oxyd beschichteten
Quellen-Hohlkörper in Verbindung steht und das Innere des Quellen-Hohlkörpers mit Hilfe von
eingeblasenem Sauerstoff auf einem Druck gehalten wird, der über dem im Gehäuse herrschenden Druck
liegt, und wobei durch Hochfrequenzerregung einer den Quellen-Hohlkörper umgebenden Spule in
diesem ein Lichtbogenplasma gebildet wird, dadurch gekennzeichnet, daß der Entladungslichtbogeii
stabilisiert und die zu beschichtenden Kunsistoffträger in einem Abstand von der kreisförmigen
Öffnung (17) axial zu dieser Öffnung angeordnet werden.
2. Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens nach Anspruch 1 zum raschen Aufdampfen von
Oxyden in gleichmäßigen dünnen festhaftenden Schichten auf Kunststoffsubstrate, die gebildet wird
aus
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---|---|---|---|---|
LU71343A1 (de) * | 1974-11-22 | 1976-03-17 | ||
JPS52113380A (en) * | 1976-03-19 | 1977-09-22 | Koito Mfg Co Ltd | Process for preparing film shorn with a hottwire cutter |
US4078097A (en) * | 1976-07-09 | 1978-03-07 | International Prototypes, Inc. | Metallic coating process |
US4158589A (en) * | 1977-12-30 | 1979-06-19 | International Business Machines Corporation | Negative ion extractor for a plasma etching apparatus |
US4328257A (en) * | 1979-11-26 | 1982-05-04 | Electro-Plasma, Inc. | System and method for plasma coating |
GB2085482B (en) * | 1980-10-06 | 1985-03-06 | Optical Coating Laboratory Inc | Forming thin film oxide layers using reactive evaporation techniques |
DE3331707A1 (de) * | 1983-09-02 | 1985-03-21 | Leybold-Heraeus GmbH, 5000 Köln | Verfahren und vorrichtung zum reaktiven aufstaeuben von verbindungen von metallen und halbleitern |
US6784033B1 (en) | 1984-02-15 | 2004-08-31 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for the manufacture of an insulated gate field effect semiconductor device |
US5780313A (en) | 1985-02-14 | 1998-07-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method of fabricating semiconductor device |
US4783361A (en) * | 1984-09-10 | 1988-11-08 | Ovonic Synthetic Materials Company, Inc. | Coated lenses |
US6786997B1 (en) | 1984-11-26 | 2004-09-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Plasma processing apparatus |
JPH0752718B2 (ja) * | 1984-11-26 | 1995-06-05 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 薄膜形成方法 |
US4606929A (en) * | 1984-12-20 | 1986-08-19 | Petrakov Vladimir P | Method of ionized-plasma spraying and apparatus for performing same |
CA1272662A (en) * | 1985-03-26 | 1990-08-14 | Canon Kabushiki Kaisha | Apparatus and process for controlling flow of fine particles |
DE3513892A1 (de) * | 1985-04-17 | 1986-10-23 | Plasmainvent AG, Zug | Cr(pfeil abwaerts)2(pfeil abwaerts)o(pfeil abwaerts)3(pfeil abwaerts)-schutzschicht und verfahren zu deren herstellung |
CA1272661A (en) * | 1985-05-11 | 1990-08-14 | Yuji Chiba | Reaction apparatus |
US6230650B1 (en) | 1985-10-14 | 2001-05-15 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Microwave enhanced CVD system under magnetic field |
US6673722B1 (en) | 1985-10-14 | 2004-01-06 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Microwave enhanced CVD system under magnetic field |
US4875810A (en) * | 1985-10-21 | 1989-10-24 | Canon Kabushiki Kaisha | Apparatus for controlling fine particle flow |
NL8701530A (nl) * | 1987-06-30 | 1989-01-16 | Stichting Fund Ond Material | Werkwijze voor het behandelen van oppervlakken van substraten met behulp van een plasma en reactor voor het uitvoeren van die werkwijze. |
DE4126216B4 (de) * | 1991-08-08 | 2004-03-11 | Unaxis Deutschland Holding Gmbh | Vorrichtung für Dünnschichtverfahren zur Behandlung großflächiger Substrate |
FR2681472B1 (fr) | 1991-09-18 | 1993-10-29 | Commissariat Energie Atomique | Procede de fabrication de films minces de materiau semiconducteur. |
US5421889A (en) * | 1993-06-29 | 1995-06-06 | Tokyo Electron Limited | Method and apparatus for inverting samples in a process |
US5653811A (en) * | 1995-07-19 | 1997-08-05 | Chan; Chung | System for the plasma treatment of large area substrates |
FR2748851B1 (fr) * | 1996-05-15 | 1998-08-07 | Commissariat Energie Atomique | Procede de realisation d'une couche mince de materiau semiconducteur |
US6039834A (en) | 1997-03-05 | 2000-03-21 | Applied Materials, Inc. | Apparatus and methods for upgraded substrate processing system with microwave plasma source |
US6245161B1 (en) * | 1997-05-12 | 2001-06-12 | Silicon Genesis Corporation | Economical silicon-on-silicon hybrid wafer assembly |
US6291313B1 (en) | 1997-05-12 | 2001-09-18 | Silicon Genesis Corporation | Method and device for controlled cleaving process |
US20070122997A1 (en) * | 1998-02-19 | 2007-05-31 | Silicon Genesis Corporation | Controlled process and resulting device |
US6033974A (en) * | 1997-05-12 | 2000-03-07 | Silicon Genesis Corporation | Method for controlled cleaving process |
US6027988A (en) * | 1997-05-28 | 2000-02-22 | The Regents Of The University Of California | Method of separating films from bulk substrates by plasma immersion ion implantation |
US6548382B1 (en) * | 1997-07-18 | 2003-04-15 | Silicon Genesis Corporation | Gettering technique for wafers made using a controlled cleaving process |
US6103599A (en) * | 1997-07-25 | 2000-08-15 | Silicon Genesis Corporation | Planarizing technique for multilayered substrates |
FR2773261B1 (fr) | 1997-12-30 | 2000-01-28 | Commissariat Energie Atomique | Procede pour le transfert d'un film mince comportant une etape de creation d'inclusions |
US6228176B1 (en) | 1998-02-11 | 2001-05-08 | Silicon Genesis Corporation | Contoured platen design for plasma immerson ion implantation |
US6051073A (en) * | 1998-02-11 | 2000-04-18 | Silicon Genesis Corporation | Perforated shield for plasma immersion ion implantation |
US6274459B1 (en) | 1998-02-17 | 2001-08-14 | Silicon Genesis Corporation | Method for non mass selected ion implant profile control |
US6291326B1 (en) | 1998-06-23 | 2001-09-18 | Silicon Genesis Corporation | Pre-semiconductor process implant and post-process film separation |
US6458723B1 (en) | 1999-06-24 | 2002-10-01 | Silicon Genesis Corporation | High temperature implant apparatus |
US6500732B1 (en) | 1999-08-10 | 2002-12-31 | Silicon Genesis Corporation | Cleaving process to fabricate multilayered substrates using low implantation doses |
AU6905000A (en) * | 1999-08-10 | 2001-03-05 | Silicon Genesis Corporation | A cleaving process to fabricate multilayered substrates using low implantation doses |
US6263941B1 (en) | 1999-08-10 | 2001-07-24 | Silicon Genesis Corporation | Nozzle for cleaving substrates |
US6221740B1 (en) | 1999-08-10 | 2001-04-24 | Silicon Genesis Corporation | Substrate cleaving tool and method |
EP1148037A1 (de) * | 2000-04-19 | 2001-10-24 | Blösch Holding AG | Herstellungsverfahren für eine Entspiegelungsschicht auf Uhrengläsern |
DE10104615A1 (de) * | 2001-02-02 | 2002-08-14 | Bosch Gmbh Robert | Verfahren zur Erzeugung einer Funktionsbeschichtung mit einer HF-ICP-Plasmastrahlquelle |
FR2823599B1 (fr) | 2001-04-13 | 2004-12-17 | Commissariat Energie Atomique | Substrat demomtable a tenue mecanique controlee et procede de realisation |
US8187377B2 (en) * | 2002-10-04 | 2012-05-29 | Silicon Genesis Corporation | Non-contact etch annealing of strained layers |
FR2848336B1 (fr) * | 2002-12-09 | 2005-10-28 | Commissariat Energie Atomique | Procede de realisation d'une structure contrainte destinee a etre dissociee |
FR2856844B1 (fr) * | 2003-06-24 | 2006-02-17 | Commissariat Energie Atomique | Circuit integre sur puce de hautes performances |
FR2857953B1 (fr) | 2003-07-21 | 2006-01-13 | Commissariat Energie Atomique | Structure empilee, et procede pour la fabriquer |
FR2861497B1 (fr) * | 2003-10-28 | 2006-02-10 | Soitec Silicon On Insulator | Procede de transfert catastrophique d'une couche fine apres co-implantation |
US7354815B2 (en) * | 2003-11-18 | 2008-04-08 | Silicon Genesis Corporation | Method for fabricating semiconductor devices using strained silicon bearing material |
FR2889887B1 (fr) * | 2005-08-16 | 2007-11-09 | Commissariat Energie Atomique | Procede de report d'une couche mince sur un support |
US9362439B2 (en) * | 2008-05-07 | 2016-06-07 | Silicon Genesis Corporation | Layer transfer of films utilizing controlled shear region |
US7811900B2 (en) * | 2006-09-08 | 2010-10-12 | Silicon Genesis Corporation | Method and structure for fabricating solar cells using a thick layer transfer process |
US8993410B2 (en) | 2006-09-08 | 2015-03-31 | Silicon Genesis Corporation | Substrate cleaving under controlled stress conditions |
US8293619B2 (en) | 2008-08-28 | 2012-10-23 | Silicon Genesis Corporation | Layer transfer of films utilizing controlled propagation |
FR2910179B1 (fr) * | 2006-12-19 | 2009-03-13 | Commissariat Energie Atomique | PROCEDE DE FABRICATION DE COUCHES MINCES DE GaN PAR IMPLANTATION ET RECYCLAGE D'UN SUBSTRAT DE DEPART |
US8142619B2 (en) | 2007-05-11 | 2012-03-27 | Sdc Materials Inc. | Shape of cone and air input annulus |
FR2922359B1 (fr) * | 2007-10-12 | 2009-12-18 | Commissariat Energie Atomique | Procede de fabrication d'une structure micro-electronique impliquant un collage moleculaire |
US8481449B1 (en) | 2007-10-15 | 2013-07-09 | SDCmaterials, Inc. | Method and system for forming plug and play oxide catalysts |
FR2925221B1 (fr) * | 2007-12-17 | 2010-02-19 | Commissariat Energie Atomique | Procede de transfert d'une couche mince |
US8330126B2 (en) * | 2008-08-25 | 2012-12-11 | Silicon Genesis Corporation | Race track configuration and method for wafering silicon solar substrates |
US8329557B2 (en) * | 2009-05-13 | 2012-12-11 | Silicon Genesis Corporation | Techniques for forming thin films by implantation with reduced channeling |
FR2947098A1 (fr) * | 2009-06-18 | 2010-12-24 | Commissariat Energie Atomique | Procede de transfert d'une couche mince sur un substrat cible ayant un coefficient de dilatation thermique different de celui de la couche mince |
US8652992B2 (en) | 2009-12-15 | 2014-02-18 | SDCmaterials, Inc. | Pinning and affixing nano-active material |
US8803025B2 (en) * | 2009-12-15 | 2014-08-12 | SDCmaterials, Inc. | Non-plugging D.C. plasma gun |
US9126191B2 (en) | 2009-12-15 | 2015-09-08 | SDCmaterials, Inc. | Advanced catalysts for automotive applications |
US8669202B2 (en) | 2011-02-23 | 2014-03-11 | SDCmaterials, Inc. | Wet chemical and plasma methods of forming stable PtPd catalysts |
US9156025B2 (en) | 2012-11-21 | 2015-10-13 | SDCmaterials, Inc. | Three-way catalytic converter using nanoparticles |
US9511352B2 (en) | 2012-11-21 | 2016-12-06 | SDCmaterials, Inc. | Three-way catalytic converter using nanoparticles |
US9586179B2 (en) | 2013-07-25 | 2017-03-07 | SDCmaterials, Inc. | Washcoats and coated substrates for catalytic converters and methods of making and using same |
CA2926135A1 (en) | 2013-10-22 | 2015-04-30 | SDCmaterials, Inc. | Compositions of lean nox trap |
CN106061600A (zh) | 2013-10-22 | 2016-10-26 | Sdc材料公司 | 用于重型柴油机的催化剂设计 |
US9687811B2 (en) | 2014-03-21 | 2017-06-27 | SDCmaterials, Inc. | Compositions for passive NOx adsorption (PNA) systems and methods of making and using same |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB1033392A (en) * | 1962-06-20 | 1966-06-22 | Atomic Energy Authority Uk | Improvements in or relating to induction coupled plasma generators |
FR1358425A (fr) * | 1963-01-22 | 1964-04-17 | Traitements Electrolytiques & | Perfectionnement au chalumeau à plasma haute fréquence |
GB1275261A (en) * | 1968-06-04 | 1972-05-24 | Atomic Energy Authority Uk | Improvements in or relating to non thermionic cathode slow discharge devices |
BE766345A (fr) * | 1971-04-27 | 1971-09-16 | Universitaire De L Etat A Mons | Dispositif pour fabriquer des couches minces de substances minerales. |
-
1973
- 1973-09-28 FR FR7334821A patent/FR2245779B1/fr not_active Expired
-
1974
- 1974-09-04 CH CH1203474A patent/CH579639A5/xx not_active IP Right Cessation
- 1974-09-09 BE BE1006169A patent/BE819665A/xx unknown
- 1974-09-19 DE DE2444898A patent/DE2444898C2/de not_active Expired
- 1974-09-20 US US05/507,845 patent/US4006340A/en not_active Expired - Lifetime
- 1974-09-25 IT IT69882/74A patent/IT1020867B/it active
- 1974-09-26 GB GB41921/74A patent/GB1478687A/en not_active Expired
- 1974-09-26 NL NL7412748A patent/NL7412748A/xx not_active Application Discontinuation
- 1974-09-27 JP JP11065274A patent/JPS5735269B2/ja not_active Expired
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
FR2245779A1 (de) | 1975-04-25 |
IT1020867B (it) | 1977-12-30 |
JPS5735269B2 (de) | 1982-07-28 |
GB1478687A (en) | 1977-07-06 |
NL7412748A (nl) | 1975-04-02 |
DE2444898A1 (de) | 1975-04-10 |
US4006340A (en) | 1977-02-01 |
JPS5061470A (de) | 1975-05-27 |
CH579639A5 (de) | 1976-09-15 |
FR2245779B1 (de) | 1978-02-10 |
BE819665A (fr) | 1975-03-10 |
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