DE3806174A1 - Verfahren und vorrichtung zum aufbringen von schichten aus hochtemperatur-supraleitendem material auf substrate - Google Patents
Verfahren und vorrichtung zum aufbringen von schichten aus hochtemperatur-supraleitendem material auf substrateInfo
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 33
- 239000000463 material Substances 0.000 title claims abstract description 8
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 22
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 30
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 29
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims abstract description 29
- 239000007921 spray Substances 0.000 claims abstract description 27
- 238000005507 spraying Methods 0.000 claims abstract description 23
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims abstract description 15
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims abstract description 9
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims abstract description 7
- 238000007751 thermal spraying Methods 0.000 claims abstract description 7
- 239000007858 starting material Substances 0.000 claims abstract description 5
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims abstract description 3
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims description 10
- 238000007750 plasma spraying Methods 0.000 claims description 7
- 238000009827 uniform distribution Methods 0.000 claims description 2
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 abstract 1
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 5
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 4
- 239000000498 cooling water Substances 0.000 description 3
- 238000010285 flame spraying Methods 0.000 description 3
- MGYPLPRYNYINRY-UHFFFAOYSA-N [Cu]=O.[Sr].[La] Chemical compound [Cu]=O.[Sr].[La] MGYPLPRYNYINRY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BTGZYWWSOPEHMM-UHFFFAOYSA-N [O].[Cu].[Y].[Ba] Chemical compound [O].[Cu].[Y].[Ba] BTGZYWWSOPEHMM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 229910001369 Brass Inorganic materials 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 101100346656 Drosophila melanogaster strat gene Proteins 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010951 brass Substances 0.000 description 1
- 238000002485 combustion reaction Methods 0.000 description 1
- 239000002826 coolant Substances 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 1
- 239000002737 fuel gas Substances 0.000 description 1
- 238000011065 in-situ storage Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 239000002887 superconductor Substances 0.000 description 1
- 238000007669 thermal treatment Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C4/00—Coating by spraying the coating material in the molten state, e.g. by flame, plasma or electric discharge
- C23C4/04—Coating by spraying the coating material in the molten state, e.g. by flame, plasma or electric discharge characterised by the coating material
- C23C4/10—Oxides, borides, carbides, nitrides or silicides; Mixtures thereof
- C23C4/11—Oxides
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C4/00—Coating by spraying the coating material in the molten state, e.g. by flame, plasma or electric discharge
- C23C4/12—Coating by spraying the coating material in the molten state, e.g. by flame, plasma or electric discharge characterised by the method of spraying
- C23C4/134—Plasma spraying
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N60/00—Superconducting devices
- H10N60/01—Manufacture or treatment
- H10N60/0268—Manufacture or treatment of devices comprising copper oxide
- H10N60/0296—Processes for depositing or forming copper oxide superconductor layers
- H10N60/0492—Processes for depositing or forming copper oxide superconductor layers by thermal spraying, e.g. plasma deposition
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Coating By Spraying Or Casting (AREA)
Description
Die Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zum Aufbringen von
Schichten aus hochtemperatur-supraleitendem Material (HTSL) auf
Substrate, bei dem durch thermisches Spritzen von keramischem
Pulver mit supraleitenden Eigenschaften als Ausgangsmaterial
auf das beliebig geformte Substrat eine geschlossene Deck
schicht aufgebracht wird. Daneben bezieht sich die Erfindung
auch auf die zugehörige Vorrichtung zur Durchführung dieses
Verfahrens, mit einem Spritzgerät mit Düse zum Spritzen des pul
verförmigen Ausgangsmaterials auf das Substrat.
Zum Beschichten von Substraten mit Materialien, die als Pulver
vorliegen, bieten sich unter anderem thermische Spritzverfahren
an. Nach der Entdeckung der neuen, hochtemperatur-supraleiten
den Materialien (HTSL), insbesondere auf der Basis der Vier
stoffsysteme Yttrium-Barium-Kupfer-Sauerstoff oder Lanthan-
Strontium-Kupfer-Sauerstoff, sind auch bereits Vorschläge ge
macht worden, diese als geschlossene Deckschichten der Dicke
von < 20 µm auf beliebige Substrate bzw. Werkstücke mit kom
plexen Oberflächen aufzuspritzen. Zum Aufspritzen sind als
thermische Spritzverfahren das Plasmaspritzen oder auch das
Hochgeschwindigkeitsflammspritzen (sogenanntes Hypersonic-Ver
fahren) geeignet. Dabei geht es darum, solche geschlossene
Schichten herzustellen, die sich bei der späteren bestimmungs
gemäßen Verwendung der so erzeugten Bauteile nicht vom Substrat
ablösen und die insbesondere eine hinreichende Stromtragfähig
keit gewährleisten.
Bei den bisher bekannten Verfahren zur Erzeugung von HTSL-Dick
schichten erfolgt durchweg nach dem Beschichten eine Sauerstoff
glühbehandlung, beispielsweise bei 900°C für etwa 20 Stunden.
Nur so sind die supraleitenden Eigenschaften regenerierbar, die
bei der Herstellung der Dickschichten durch den Spritzprozeß
aufgrund einer Sauerstoffabgabe des Schichtmaterials verloren
gehen. Die nachträgliche Sauerstoffglühbehandlung wirft aller
dings Probleme auf: Speziell bei großflächigen Bauteilen muß
die für die Substrate notwendige Ofengröße bzw. deren Verzug
beachtet werden. Weiterhin können Substrate vorgegeben sein,
die nur niedrige Glühtemperaturen erlauben, beispielsweise
Kunststoffe, Leiterplatten oder Aluminium. Schließlich kann es
bei derartigen Substraten aufgrund unterschiedlicher thermi
scher Ausdehnungskoeffizienten durch den Glühprozeß zur Riß
bildung oder auch Ablösung der Schicht kommen, so daß das be
schichtete Bauteil fehlerhaft ist oder zumindest keine hin
reichende Stromtragfähigkeit gewährleistet.
Aufgabe der Erfindung ist es daher, das Verfahren der eingangs
genannten Art so zu verbessern, daß eine anschließende Sauer
stoffglühbehandlung nicht mehr notwendig ist. Dazu sollen die
notwendigen Vorrichtungen geschaffen werden.
Die Aufgabe ist erfindungsgemäß dadurch gelöst, daß das thermi
sche Spritzen unter Sauerstoffatmosphäre mit einstellbarem
Sauerstoffpartialdruck erfolgt. Vorteilhafterweise kann dies
sowohl beim Plasmaspritzverfahren als auch beim Hochgeschwin
digkeitsflammspritzverfahren vorteilhaft angewandt werden.
Bei der zugehörigen Vorrichtung ist in einer ersten Ausfüh
rungsform die vorhandene Spritzdüse mit einem Schutzgasrohr als
Vorsatzteil verlängert, das den gesamten Raum zwischen Öffnung
der Spritzdüse und Substrat umschließt und mit Sauerstoff be
aufschlagbar ist. In einer zweiten Ausführungsform ist dagegen
eine großvolumige Kammer vorhanden, in der das Spritzgerät, das
Substrat und weitere Hilfsmittel zur Durchführung des Beschich
tungsverfahrens unter Sauerstoffatmosphäre eingebracht sind.
Im Rahmen der Erfindung wurde gefunden, daß HTSL-Spritzschich
ten auf der Basis der Vierstoffsysteme Yttrium-Barium-Kupfer-
Sauerstoff oder Lanthan-Strontium-Kupfer-Sauerstoff erzeugt
werden können, die ohne Sauerstoffglühbehandlung nach dem ther
mischen Spritzen supraleitende Eigenschaften mit einer Sprung
temperatur T c von 80 K bis 90 K aufweisen. Dies gelingt nur,
wenn während des Spritzprozesses alternativ nach dem Plasma-
oder nach dem Hochgeschwindigkeitsflammspritz-Verfahren ein de
finiertes Sauerstoffüberangebot vorliegt, das gezielt der
Sauerstoffverarmung entgegenwirkt.
Weitere Vorteile und Einzelheiten der Erfindung ergeben sich
aus der nachfolgenden Figurenbeschreibung von Ausführungsbei
spielen anhand der Zeichnung in Verbindung mit den Unteransprü
chen.
Es zeigen in schematischer Darstellung
Fig. 1 das Plasmaspritzverfahren,
Fig. 2 das Hochgeschwindigkeitsflammspritz-(Hypersonic-)Ver
fahren,
die Fig. 3 bis 5 ein Schutzgasrohr als Vorsatzteil für die
bekannten Spritzdüsen in drei Ansichten und
Fig. 6 eine Kammer zur Aufnahme einer kompletten Beschichtungs
anlage aus Spritzgerät, Substrat und weiteren Hilfsmitteln.
Bei den nachfolgenden Figuren ist das Substrat jeweils mit 1
und die auf dem Substrat 1 durch die unterschiedlichen
Spritzverfahren erzeugte Spritzschicht mit 2 oder 3 bezeichnet.
In Fig. 1 besteht ein Spritzgerät 10 für das Plasmaspritzen
aus einem Gehäuse 11, in dem eine Kathode 12 und eine anodisch
geschaltete Kupferdüse 13 (Anode) angeordnet sind. Es sind Zu
führungen für den Pulvereintritt 14, für das Plasmagas 15 sowie
für Wasser als Kühlmittel 18 vorhanden.
Über einen elektrischen Generator 19 wird zwischen Kathode 12
und Anode 13 eine Hochspannung angelegt, so daß ein Lichtbogen
gezündet wird. Durch die Zuführung des Plasmagases 15 entsteht
eine Plasmaflamme 16 an der Öffnung der Spritzdüse 13, durch
die ein konischer Spritzstrahl 17 des über den Pulvereintritt
14 seitlich zugeführten Pulvers gebildet wird. Es läßt sich
somit auf dem Substrat 1 eine großflächige Spritzschicht 2 bil
den.
In Fig. 2 besteht ein Hypersonicspritzgerät 20 aus einem Ge
häuse 21 mit einer proximalen Spritzdüse 23 und einem distalen
Pulvereintritt 24. Seitlich wird über separate Zuführungen 25
und 26 Sauerstoff und Brenngas zugeführt, welche innerhalb der
Düse im geeigneten Mischungsverhältnis zur Verbrennung gelan
gen. Damit wird das zugeführte Pulver beaufschlagt, das in
einem Spritzstrahl 27 auf Überschallgeschwindigkeit beschleu
nigt wird. Das komplette Gehäuse 21 wird über Kühlleitungen 28
gekühlt.
Durch den gebündelten Spritzstrahl 27 lassen sich auf dem Sub
strat 1 eng lokalisierte Spritzschichten 3 aufbringen.
Das in den Fig. 3 bis 5 gezeigte Schutzgasrohr 30 ist als
Vorsatzteil ausgebildet, das sich auf das Spritzgerät 10 bzw.
20 aufsetzen läßt. Das Schutzgasrohr 30 besteht aus einem rohr
artigen Gehäuse 31, beispielsweise aus Messing, das über dem
gesamten Rohrumfang wassergekühlt ist und in seiner Innenkontur
der Ausbildung des Spritzstrahls angepaßt ist. Das Schutzgas
rohr 30 kann zylindrisch ausgebildet oder zum Substrat 1 hin
konisch ausgestellt sein.
Das rohrartige Gehäuse 31 hat einen Anschlußkopf 32, in den das
Spritzgerät 10 bzw. 20 eingesetzt und fixiert wird. Dafür ist
speziell eine U-förmige Aussparung 33 vorhanden, die nach oben
und seitlich offen ist, so daß insbesondere die Spritzdüse 23
gemäß Fig. 2 mit der seitlichen Abführung 28 für Kühlwasser
dicht eingefügt werden kann. Mittels einer durch die Aussparung
33 verlaufenden Schraube 34 ist die Spritzdüse 23 fixierbar.
Am Anschlußkopf 32 ist an zwei zueinander senkrecht liegenden
Flächen ein Kühlwasserzulauf 35 und ein Sauerstoffanschluß 36
vorhanden, die an externe Leitungen anschließbar sind. Spe
ziell der Sauerstoff gelangt vom Anschluß 36 über eine Ver
teilerdüse 37 in das Innere des Schutzgasrohres 30, wobei der
Sauerstoffpartialdruck mittels externer Einstell- und Steuer
mittel in seiner Größe exakt vorgebbar ist.
Am anderen Ende des Gehäuses 31 ist gegenüber dem Anschlußkopf
32 ein sich erweiterndes konzentrisches Endteil 38 angebracht,
das einen Kühlwasserablauf 39 trägt. Um die Öffnung des End
teiles 38 ist eine ringförmige Scheibe 40 angebracht, die eine
gleichmäßige Verteilung des Sauerstoffes auf der Substratober
fläche gewährleistet. Die Ringscheibe 40 läßt jeweils den zu
beschichtenden Teil des Substrates 1 frei.
Die Scheibe 40 ist in Fig. 4 nur halbseitig dargestellt. Sie
hat die Kontur der Substratoberfläche und kann insbesondere an
die Form des herzustellenden Bauteiles angepaßt sein, wenn kom
plizierter ausgebildete Werkstücke beschichtet werden sollen.
In Fig. 6 ist eine Kammer 60 mit Pumpanschluß 61 und Gasan
schluß 62 dargestellt. Die Kammer 60 nimmt die gesamte Einrich
tung zum Spritzen mit einem Spritzgerät 10 für das Plasmasprit
zen gemäß Fig. 1 oder einem Spritzgerät 20 für das Hypersonic
spritzen gemäß Fig. 2 und das zu beschichtende Werkstück als
Substrat 1 auf. Es ist ein Handhabungsgerät 65 vorhanden, das
die Düse 13 bzw. 23 des Spritzgerätes 10 bzw. 20 von außen
steuerbar in geeigneter Weise führt.
Die Kammer 60 gemäß Fig. 6 wird vor dem Beschichtungsvorgang
zunächst über den Pumpanschluß 61 evakuiert und anschließend
über den Gasanschluß 62 mit Sauerstoff vorgegebenen Partial
druckes beaufschlagt. Der eigentliche Spritzvorgang findet dann
in der komplett mit Sauerstoff gefüllten Kammer 60 statt.
Die alternativ beschriebenen Vorrichtungen gemäß Fig. 3 bis 5
und Fig. 6 können jeweils fakultativ für das Plasmaspritzen
oder auch für das Hypersonicspritzen ausgebildet sein. In
beiden Fällen wird unmittelbar beim Spritzen durch den Sauer
stoffüberschuß der Sauerstoffverarmung des HTSL-Materials "in
situ" entgegengewirkt, so daß die supraleitenden Eigenschaften
bestehen bleiben, ohne daß eine Nachglühung unter Sauerstoffat
mosphäre notwendig wäre.
Claims (10)
1. Verfahren zum Aufbringen von Schichten aus hochtemperatur-
supraleitendem Material (HTSL) auf Substrate, bei dem durch
thermisches Spritzen von keramischem Pulver mit supraleitenden
Eigenschaften als Ausgangsmaterial auf das beliebig geformte
Substrat eine geschlossene Deckschicht aufgebracht wird, da
durch gekennzeichnet, daß das thermische
Spritzen unter Sauerstoffatmosphäre mit einstellbarem Sauer
stoffpartialdruck erfolgt.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekenn
zeichnet, daß ein Plasmaspritzverfahren angewandt
wird.
3. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekenn
zeichnet, daß ein Hochgeschwindigkeitsflammspritzver
fahren (sog. Hypersonic-Verfahren) angewandt wird.
4. Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens nach Anspruch 1
oder einem der Ansprüche 2 und 3, mit einem Spritzgerät mit
Düse zum Spritzen des pulverförmigen Ausgangsmaterials auf das
Substrat, dadurch gekennzeichnet,
daß die Spritzdüse (13, 23) mit einem Schutzgasrohr (30) als
Vorsatzteil verlängert ist, das den gesamten Raum zwischen
Öffnung der Spritzdüse (13, 23) und Substrat (1) umschließt und
mit Sauerstoff (O2) beaufschlagbar ist (Fig. 3).
5. Vorrichtung nach Anspruch 4, dadurch ge
kennzeichnet, daß das Schutzgasrohr (30) wasserge
kühlt ist.
6. Vorrichtung nach Anspruch 4, dadurch ge
kennzeichnet, daß das Schutzgasrohr (30) zylin
drisch ausgebildet oder zum Substrat (1) hin konisch erweitert
ist.
7. Vorrichtung nach Anspruch 5, dadurch ge
kennzeichnet, daß das Schutzgasrohr (30) am offen
en Ende eine an die Kontur des Substrates angepaßte Ringscheibe
(40) aufweist, die eine gleichmäßige Verteilung des Sauerstoffs
auf der Substratoberfläche gewährleistet.
8. Vorrichtung zum Durchführen des Verfahrens nach Anspruch 1
oder einem der Ansprüche 2 und 3, mit einem Spritzgerät mit
Düse zum Spritzen des pulverförmigen Ausgangsmaterials auf das
Substrat, dadurch gekennzeichnet,
daß eine Kammer (60) vorhanden ist, in der das Spritzgerät (10,
20), das Substrat (2) und weitere Hilfsmittel zur Durchführung
des Beschichtungsverfahrens unter definierter Sauerstoffatmo
sphäre einbringbar sind (Fig. 6).
9. Vorrichtung nach Anspruch 8, dadurch ge
kennzeichnet, daß die Kammer (60) evakuierbar ist.
10. Vorrichtung nach Anspruch 8, dadurch ge
kennzeichnet, daß in der Kammer (60) ein Handha
bungsgerät (65) zum Führen der Düse (13, 23) des Spritzgerätes
(10, 20) angeordnet ist.
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE3806174A DE3806174A1 (de) | 1988-02-26 | 1988-02-26 | Verfahren und vorrichtung zum aufbringen von schichten aus hochtemperatur-supraleitendem material auf substrate |
PCT/DE1989/000103 WO1989008332A1 (en) | 1988-02-26 | 1989-02-23 | Process and device for depositing layers of a high-temperature superconducting material on substrates |
EP89902628A EP0401259A1 (de) | 1988-02-26 | 1989-02-23 | Verfahren und vorrichtung zum aufbringen von schichten aus hochtemperatur-supraleitendem material auf substrate |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE3806174A DE3806174A1 (de) | 1988-02-26 | 1988-02-26 | Verfahren und vorrichtung zum aufbringen von schichten aus hochtemperatur-supraleitendem material auf substrate |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE3806174A1 true DE3806174A1 (de) | 1989-09-07 |
Family
ID=6348291
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE3806174A Withdrawn DE3806174A1 (de) | 1988-02-26 | 1988-02-26 | Verfahren und vorrichtung zum aufbringen von schichten aus hochtemperatur-supraleitendem material auf substrate |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
DE (1) | DE3806174A1 (de) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3942715A1 (de) * | 1989-12-22 | 1991-06-27 | Siemens Ag | Verfahren zur beschichtung eines traegers mit hochtemperatur-supraleitendem material |
US5149681A (en) * | 1990-05-14 | 1992-09-22 | General Atomics | Melt texturing of long superconductor fibers |
EP1338671A1 (de) * | 2002-02-22 | 2003-08-27 | Praxair Technology, Inc. | Durch Plasmaspritzen aufgebrachten Membranbeschichtungen für den Sauerstofftransport |
CN107630185A (zh) * | 2017-09-15 | 2018-01-26 | 芜湖通潮精密机械股份有限公司 | 一种干刻机台内壁板再生方法 |
-
1988
- 1988-02-26 DE DE3806174A patent/DE3806174A1/de not_active Withdrawn
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---|---|---|---|
8139 | Disposal/non-payment of the annual fee |