KR970071901A - 에미터로부터 방출된 전자상의 주위 전기 포텐셜 상태의 비균일 영향을 극소화시킬 수 있는 전계 방출 전자총 - Google Patents
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Abstract
기판의 예정부상에 형성된 에미터(104)와, 기판의 잔유부상에 형성된 절연막(105)와, 각각의 에미터와 제1게이트 전극(101) 사이의 스페이스를 가진 에미터를 둘러싸도록 절연막상에 형성되고 제1전압이 가해지는 제1게이트 전극(101)과, 제1게이트 전극과 제2게이트 전극의 외주면 사이의 간격을 가진 제1게이트 전극의 외주면을 둘러싸도록 절연막상에 형성되고 제1전압보다 작은 제2전압이 가해지는 제2게이트 전극(102)을 포함하는 전계 방출 전자총에 있어서, 에미터는 기판의 중심부를 제외하고 기판상에 형성된다. 상기 제1게이트 전극은 기판의 중심부상에 위치된 절연막의 중심부를 노출시키는 구멍(107)을 형성하는 내주면을 갖는다. 제3게이트 전극(106)은 제1전압보다 적은 제3전압이 가해지고 제1게이트 전극과 제3게이트 전극의 내주면 사이의 다른 간격을 가진 절연막의 중심부상에 형성될 수 있다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명의 제1실시예에 따른 전계 방출 전자총의 단면도, 제3도는 제2도에 도시된 전계방출 전자총의 평면도, 제4A도 내지 제4D도는 제2도에 도시된 전계 방출 전자총의 제조공정을 설명하기 위한 단면도, 제5도는 제4A도 내지 제4D도에 도시된 공정에 의해 제조된 전계 방출 전자총의 시뮬레이션 결과를 보여주는 그래프, 제6도는 본 발명의 제2실시예에 따른 전계 방출 전자총의 평면도, 제7도는 본 발명의 제3실시예에 따른 전계 방출 전자총의 평면도.
Claims (11)
- 전도성 재료의 기판과, 각각 끝이 뽀족한 형상이며 전자를 방출하기 위한 기판의 복수의 예정부상에 형성된 복수의 에미터와, 기판의 잔유부상에 형성된 절연막과, 각각의 에미터와 제1게이트 전극 사이의 스페이스를 가진 에미터를 둘러싸도록 절연막상에 형성되고 제1전압이 인가되는 제1게이트 전극과, 제1게이트 전극과 제2게이트 전극의 외주면 사이의 간격을 가진 제1게이트 전극의 외주면을 둘러싸도록 절연막상에 형성되고 제1전압보다 적은 제2전압이 인가되는 제2게이트 전극을 포함하며, 상기 에미터는 기판의 중심부를 제외하고 기판상에 형성되며, 상기 제1게이트 전극은 기판의 중심부상에 위치된 절연막의 중심부를 노출시키는 구멍을 형성하는 내주면을 갖는 것을 특징으로 하는 전계 방출 전자총.
- 제1항에 있어서, 상기 기판의 전도성 재료는 도체인 것을 특징으로 하는 전계 방출 전자총.
- 제1항에 있어서, 상기 기판의 전도성 재료는 반도체인 것을 특징으로 하는 전계 방출 전자총.
- 제1항에 있어서, 상기 에미터는 기판의 중심부 주변에 복수의 링을 형성하도록 기판상에 배열되는 것을 특징으로 하는 전계 방출 전자총.
- 제1항에 있어서, 상기 에미터는 기판의 중심부 주변에 단일 링을 형성하도록 기판상에 배열되는 것을 특징으로 하는 전계 방출 전자총.
- 제1항에 있어서, 제1전압보다 적은 제3전압이 인가되고 제1게이트 전극과 제3게이트 전극의 내주면 사이의 다른 간격을 가진 절연막의 중심부상에 형성되는 제3게이트 전극을 부가로 포함하는 것을 특징으로 하는 전계 방출 전자총.
- 제6항에 있어서, 상기 제3전압은 제2전압보다 크지 않은 것을 특징으로 하는 전계 방출 전자총.
- 제6항에 있어서, 상기 기판의 전도성 재료는 도체인 것을 특징으로 하는 전계 방출 전자총.
- 제6항에 있어서, 상기 기판의 전도성 재료는 반도체인 것을 특징으로 하는 전계 방출 전자총.
- 제6항에 있어서, 상기 에미터는 기판의 중심부 주변에 복수의 링을 형성하도록 기판상에 배열되는 것을 특징으로 하는 전계 방출 전자총.
- 제6항에 있어서, 상기 에미터는 기판의 중심부 주변에 단일링을 형성하도록 기판상에 배열되는 것을 특징으로 하는 전계 방출 전자총.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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