KR970067441A - 비정질 다층 구조 제조방법, 전계방출장치 및 전계방출장치 제조방법 - Google Patents

비정질 다층 구조 제조방법, 전계방출장치 및 전계방출장치 제조방법 Download PDF

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Abstract

비정질 다층 구조(100,200)는 : 1) 물리 중착 장치(300,400,500)에 증착 기판(101)을 배치하는 단계와, 2) 물리 중착 장치(300,400,500)내의 다상 재료의 유도체를 이온화하는 단계와, 3) 총 이온 충돌 에너지 값에 상당하는 소정의 특성을 가지도록 이온의 총충돌 에너지를 변조하는 단계를 포함하는 방법에 의해 형성된다.

Description

비정질 다층 구조 제조방법, 전계방출장치 및 전계방출장치 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명에 따른 방법의 다양한 단계를 수행하여 실현한 구조의 단면도, 제3도는 본 발명에 따른 비정질 다층 구조를 형성하기 위한 방법의 한 실시예를 다른 증착 기판에 인가된 전압을 변조하는 단계를 나타내는 모식도, 제4도는 본 발명에 따른 비정질 다층 구조를 형성하기 위한 방법의 다른 실시예를 따른 증착기판에 인가되는 인가 전압을 변조하는 단계를 나타내는 모식도, 제6도는 본 발명에 따른 방법의 다양한 단계를 수행하기에 적합한 물리 증착 장치의 도식도, 제9도는 본 발명에 다른 방법의 다른 실시예의 다양한 단계를 수행하여 실현한 전계 방출 장치의 단면도, 제10도는 본 발명에 따른 방법의 다른 실시예의 다양한 단계를 수행하여 실현한 구조의 단면도.

Claims (5)

  1. 진공 인클로우저(306,406,506)를 가지는 물리 증착 장치(300,400,500)를 제공하는 단계와; 진공 인클로우저(306,406,506)내에 증착 기판(101)을 제공하는 단계와; 진공 인클로우저(306,406,506)내에 다상의 재료의 유도체(307,407,507)를 제공하는 단계와; 상기 다상 재료의 유도체(307,407,507)를 이온화하여, 총 이온 충돌 에너지를 가지는 다수의 플라즈마 이온을 가지는 기체상 프라즈마를 형성하는 단계와; 시간에 대해 소정의 방식으로 총 이온 에너지를 변조하여, 증착 기판(101)상에 총 이온 충돌 에너지 값에 상응하는 소정의 특성을 가지는 다수의 층을 증착하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 비정실 다층 구조(100,200) 제조 방법.
  2. 진공 인클로우저(306,406,506)를 가지는 물리 증착 장치(300,400,500)를 제공하는 단계와; 진공 인클로우저(306,406,506)내에 증착 기판(101)을 제공하는 단계와; 진공 인클로우저(306,406,506)내에 그래파이트를 포함하는 다상 재료의 유도체(307,407,507)를 제공하는 단계와; 상기 다상 재료의 유도체(307,407,507)를 이온화하여, 총 이온 충돌 에너지를 가지는 다수의 플라즈마 이온을 가지는 기체상 플라즈마를 형성하는 단계와; 시간에 대해 소정의 방식으로 총 이온 에너지를 변조하여, 증착 기판(101)상에 총 이온 충돌 에너지 값에 상당하는 소정의 특성을 가지는 다수의 층을 증착하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 비정실 다층 구조(100,200) 제조 방법.
  3. 기판(704)과; 기판(704)상에 배치된 전도열(706)과; 기판(704)/전도열(706)상에 형성된 안정 방출 구조(708)와; 비전도성이며 안정 방출 구조(708)상에 배치되는 수소가 없는 비정실 탄소층을 포함하는 비전도 비정질 탄소층(701)과; 비전도성 비정질 탄소층(701)상에 형성된 전도행(714)을 구비하며; 구멍은 전도행(714)과 비전도성 비정질 탄소층(701)을 통해 형성되며, 방출기 웰(712)을 형성하고, 안정 방출 구조(708)의 전자 방출면(710)을 노출하며, 상기 전자 방출면(710)은 방출기 웰에 배치되며 150V/㎛이하의 전계 강도를 가지는 전기장에 노출될 때 방출성을 가지는 것을 특징으로 하는 전계 방출 장치(710).
  4. 기판(607)을 제공하는 단계와; 기판(607)에 전도열(606)을 형성하는 단계와; 진공 인클로우저(306,406,506)를 가지는 물리 증착 장치(300,400,500)를 제공하는 단계와; 진공 인클로우저(306,406,506)내에 기판(607)/전도열(606)을 배치하는 단게와; 진공 일클로우저(306,406,506)내에 다상 재료의 유도체(307,407,507)를 제공하는 단계와; 다상 재료의 유도체(307,407,507)를 이온화하여 총 이온 충돌 에너지를 가지는 다수의 이온을 가지는 기체상 플라즈마를 형성하는 단계와; 제1소정 방식으로 총 이온 충돌 에너지를 변조하여 기판(607)/전도열(606)상에 비전도성 비정질층(601)을 형성하는 단계와; 제2소정 방식으로 총 이온 충돌 에너지를 변조하여 안정 방출 구조(608)를 형성하는 단계와; 안정 방출 구조(608)상에 전도행(614)을 형성하는 단계와; 전도행(614)과 안정 방출 구조(608)와 비전도성 비정질층(601)을 통해 구멍을 형성하고, 방출기 웰(612)을 형성하고, 150V/㎛이하의 전계 강도를 가지는 전기장에 노출되었을 때 방출성이 되는 안정 방출 구조(608)의 방출 에지(601)를 노출하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 전계 방출 장치(600) 제조 방법.
  5. 기판(704)을 제공하는 단계와; 기판(704)에 전도열(706)을 형성하는 단계와; 진공 인클로우저(306,406,506)를 가지는 물리 증착 장치(300,400,500)를 제공하는 단계와; 진공 인클로우저(306,406,506)내에 기판(704)/전도열(706)을 배치하는 단게와; 진공 인클로우저(306,406,506)내에 다상 재료 유도체(307,407,507)를 제공하는 단계와; 다상 재료의 유도체(307,407,507)를 이온화하여 총 이온 충돌 에너지를 가지는 다수의 이온을 가지는 기체상 플라즈마를 형성하는 단계와; 제1소정 방식으로 총 이온 충돌 에너지를 변조하여 기판(704)/전도열(704)상에 안정 방출 구조(708)를 형성하는 단계와; 제2소정 방식으로 총 이온 충돌 에너지를 변조하여 안정 방출 구조(708)상에 비전도성 비정질층(701)을 형성하는 단게와; 비전도성 비정질층(701)상에 전도행(714)을 형성하는 단계와; 전도행(714)과 비전도성 비정질 탄소층(701)을 통해 구멍을 형성하고, 방출기 웰(712)을 형성하고, 150V/㎛이하의 전계 강도를 가지는 전기장에 노출되었을 때 방출성이 되는 안정 방출 구조(708)의 전자 방출면(710)을 노출하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 전계 방출 장치(710)제조 방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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