JPH04502229A - 切替式陽極電界放出装置 - Google Patents

切替式陽極電界放出装置

Info

Publication number
JPH04502229A
JPH04502229A JP2509887A JP50988790A JPH04502229A JP H04502229 A JPH04502229 A JP H04502229A JP 2509887 A JP2509887 A JP 2509887A JP 50988790 A JP50988790 A JP 50988790A JP H04502229 A JPH04502229 A JP H04502229A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
electrode
electrons
substrate
field emission
anode
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2509887A
Other languages
English (en)
Inventor
ケイン,ロバート・シー
Original Assignee
モトローラ・インコーポレイテッド
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by モトローラ・インコーポレイテッド filed Critical モトローラ・インコーポレイテッド
Publication of JPH04502229A publication Critical patent/JPH04502229A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J1/00Details of electrodes, of magnetic control means, of screens, or of the mounting or spacing thereof, common to two or more basic types of discharge tubes or lamps
    • H01J1/02Main electrodes
    • H01J1/30Cold cathodes, e.g. field-emissive cathode
    • H01J1/304Field-emissive cathodes
    • H01J1/3042Field-emissive cathodes microengineered, e.g. Spindt-type
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J21/00Vacuum tubes
    • H01J21/02Tubes with a single discharge path
    • H01J21/06Tubes with a single discharge path having electrostatic control means only
    • H01J21/10Tubes with a single discharge path having electrostatic control means only with one or more immovable internal control electrodes, e.g. triode, pentode, octode
    • H01J21/105Tubes with a single discharge path having electrostatic control means only with one or more immovable internal control electrodes, e.g. triode, pentode, octode with microengineered cathode and control electrodes, e.g. Spindt-type

Landscapes

  • Cold Cathode And The Manufacture (AREA)
  • Electron Sources, Ion Sources (AREA)
  • Discharge Heating (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるため要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 切替式陽極電界放出装置 技術分野 本発明は、一般的に電界放出装置に関する。
背景技術 電界放出装置は、技術上周知である。このような従来技術による装置は、複合蒸 着、エツチングおよび蒸着による金属被覆工程によって垂直形状に構成される。
この装置の素子は重ね合わされるため、素子間の容量が大きくなり、装置の性能 に影響を及ぼす。
一般的に、このような従来技術による装置は、陰極、陰極の放出の制御を支援す るゲート、および陽極を有する。
これらの3つの電極のみを設けた装置では、その結果得られる装置がある種の用 途に対するニーズを満足させることができない。
したがって、より簡単な方法によって構成され、素子間の容量を最小限にし、現 在満足されていないニーズを満足させる電界放出装置に対する必要性が存在する 。
発明の開示 これらのニーズおよびその他のニーズは、ここで開示する平面電界放出装置を提 供することによって満足される。
本発明によれば、装置の3つの電極は垂直ではなく、相互に対して実質的に同一 平面に配設される。その結果、この装置はより簡単な方法で構成することができ 、電極の支持面に対する近接性を改善することによって、素子間の容量は最小に なる。さらに、l実施例では、この装置は第4電極を有し、この電極は2次陽極 として機能する。陰極が放出する電子は、選択的に動作する2つの陽極のいずれ かによって集められる。
図面の簡単な説明 第1図は、本発明の側面図である。
第2図は、本発明の上部平面図である。
第3図は、本発明の斜視図である。
第4図は、本発明の他の実施例の上部平面図である。
発明を実施するための最良の形態 第1図を参照して、本発明を一般的に番号100で示す。本装置は、一般的に基 板(101)、第1電極(102)、第2電極(103)、第3電極(104) 、第4電極(110)を有する。基板は一般的に絶縁体によって構成されなけれ ばならない(導電体を使用してもよいが、この導電体の上部表面には絶縁層を塗 布しなければならない)。
本実施例において、第1電極(102)はエミッタを構成する。このエミッタを 形成するために、絶縁材料(106)(この場合、二酸化ケイ素)の多重層を基 板(101)上に堆積し、その上に導電層(107) を堆積する。第2図を一 時的に参照して、第1電極(lo 2)を構成する導電層(107)は先の尖っ た部分(108)を有する。以下でより詳細に説明するように、装置が動作する 場合、この楔形の部分は電子の発生源として機能する。
第2電極(103)はゲートを形成し、導電材料を連続的に堆積することによっ て形成される。重要なことは、第2図で分かるように、第2電極(103)がそ の中に形成されたノツチ(109)を有し、第1電極(102)の尖った先端( 10g)を受け入れることである。この構造の目的は、以下でより明確に説明す る。
第3を極(104)は第1コレクタを構成し、基板(101)の表面に導電材料 (111)を連続的に堆積することによって形成される。第3図を参照して、第 1電極(102)の尖った先端(108)がゲー)(103)に形成されたノツ チの領域(109)内に配設されていることをより明確に見ることができる。同 時に、絶縁体(106)およびエア・ギャップによって、第1電極(102)が ゲ−1(103) と接触しないことが保証されている。
最後に、第4電極(110)は第2コレクタを構成し、基板(101)に形成さ れたノツチの内部に導電材料を堆積することによって形成される。(このノツチ は、エツチング工程、または基板を形成する材料を堆積する工程中に導電材料を 添加することのいずれかによって形成することができる)。
以上のように構成すれば、少なくとも2つの動作モードで、適当な電界誘起電子 放出を選択的に達成することができる。必要な電界は、電子の放出を誘起するた めエミッタ(102)に充分に近接しているゲート(103)に対する電圧とし て加えられる。放出された電子は、次にエミッタ(102)から用途に応じて真 空中または大気中でコレクタ(104および110)の一方に移動する。主コレ クタは、先ずこれに印加された電圧の関数(function)として決定され る。一般的に、第1コレクタ (104)とエミッタ(102)との間の距離を 補償するため、第1コレクタ(104)にはやや強めの電位を印加する必要があ る。逆に言えば、同じ結果を得るためには第2コレクタ(110)には弱めの電 圧が必要である。
特定の用途に適当であれば、2つのコレクタ(陽極)の付勢および装置外での結 合(off−device coupling)を選択することができる。
第4図を参照して、改良した電力性能を達成するため、基板(101)上に複数 のかかる3つの電極装置を亜列に形成することができることが分かる。本実施例 では、多重並列接続装置を達成するため、何度も反復する工程によって、各装置 を実質的に前述したように形成する。。
国際調査報告

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. 1.A)電子を放出するエミッタ; B)前記エミッタと実質的に同一平面に配設され、前記電子の少なくとも一部を 集つめる第1陽極;およびC)電子の少なくとも一部を選択的に集める第2陽極 であって、前記第2陽極が電子を集目る場合、前記第1陽極は電子を集めないよ うに構成された前記第2陽極;によって構成されることを特徴とする電界放出装 置。
  2. 2.本装置は、前記エミッタからの電子放出を誘起するように動作するゲートを 更に有することを特徴とする請求の範囲第1項記載の電界放出装置。
  3. 3.A)基板; B)前記基板上に形成され、電子を放出するエミッタ手段; C)前記基板上に形成され、前記エミッタ手段に対して実質的に同一平面に配設 され、前記電子の少なくとも一部を集める第1陽極手段;および D)前記基板上に形成され、前記電子の少なくとも一部を選択的に集める第2陽 手段であって、前記第2陽極手段が電子を集める場合、前記第1陽極手段は電子 を集めない前記第2陽極手段; によって構成されることを特徴とする電界放出装置。
  4. 4.本装置は、前記エミッタからの電子放出を誘起するように動作するゲートを 更に有することを特徴とする請求の範囲第3項記載の電界放出装置。
  5. 5.A)基板を設ける段階; B)電子発生源として動作する第1電極を前記基板上に形成する段階; C)前記第1電極からの電子放出を誘起するように動作する第2電極を前記基板 上に前記第1電極と実質的に同一平面に形成する段階; D)前記第1電極より生ずる前記電子の少なくとも一部を集めるように動作する 第3電極を前記基板上に前記第1電極と実質的に同一平面に形成する段階;およ びE)前記第1電極より生ずる電子の少なくとも一部を集めるように動作する第 4電極を前記基板上に形成する段階であって、前記第4電極が電子を集める場合 、前記第3電極は電子を集めない前記段階; によって構成されることを特徴とする電界放出装置の形成方法
JP2509887A 1989-08-08 1990-06-18 切替式陽極電界放出装置 Pending JPH04502229A (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US07/391,211 US4956574A (en) 1989-08-08 1989-08-08 Switched anode field emission device
US391,211 1989-08-08

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH04502229A true JPH04502229A (ja) 1992-04-16

Family

ID=23545730

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2509887A Pending JPH04502229A (ja) 1989-08-08 1990-06-18 切替式陽極電界放出装置

Country Status (7)

Country Link
US (1) US4956574A (ja)
EP (1) EP0452425A1 (ja)
JP (1) JPH04502229A (ja)
AU (1) AU621001B2 (ja)
BR (1) BR9006876A (ja)
HU (1) HUT57944A (ja)
WO (1) WO1991002371A1 (ja)

Families Citing this family (35)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE68926090D1 (de) * 1988-10-17 1996-05-02 Matsushita Electric Ind Co Ltd Feldemissions-Kathoden
WO1991005363A1 (en) * 1989-09-29 1991-04-18 Motorola, Inc. Flat panel display using field emission devices
US5079476A (en) * 1990-02-09 1992-01-07 Motorola, Inc. Encapsulated field emission device
US5136764A (en) * 1990-09-27 1992-08-11 Motorola, Inc. Method for forming a field emission device
JP2613669B2 (ja) * 1990-09-27 1997-05-28 工業技術院長 電界放出素子及びその製造方法
JP2562168Y2 (ja) * 1990-11-08 1998-02-10 双葉電子工業株式会社 電界放出素子
US5173634A (en) * 1990-11-30 1992-12-22 Motorola, Inc. Current regulated field-emission device
ATE171563T1 (de) * 1990-12-28 1998-10-15 Canon Kk Bilderzeugungsgerät
US5289077A (en) * 1991-01-28 1994-02-22 Sony Corporation Microelectronic ballistic transistor
US5140219A (en) * 1991-02-28 1992-08-18 Motorola, Inc. Field emission display device employing an integral planar field emission control device
US5660570A (en) * 1991-04-09 1997-08-26 Northeastern University Micro emitter based low contact force interconnection device
US5245248A (en) * 1991-04-09 1993-09-14 Northeastern University Micro-emitter-based low-contact-force interconnection device
US5220725A (en) * 1991-04-09 1993-06-22 Northeastern University Micro-emitter-based low-contact-force interconnection device
JP3235172B2 (ja) * 1991-05-13 2001-12-04 セイコーエプソン株式会社 電界電子放出装置
US5144191A (en) * 1991-06-12 1992-09-01 Mcnc Horizontal microelectronic field emission devices
US5384509A (en) * 1991-07-18 1995-01-24 Motorola, Inc. Field emission device with horizontal emitter
US5382867A (en) * 1991-10-02 1995-01-17 Sharp Kabushiki Kaisha Field-emission type electronic device
US5272411A (en) * 1992-01-28 1993-12-21 Itt Corporation Coaxial triode apparatus
US5675216A (en) * 1992-03-16 1997-10-07 Microelectronics And Computer Technololgy Corp. Amorphic diamond film flat field emission cathode
US5686791A (en) * 1992-03-16 1997-11-11 Microelectronics And Computer Technology Corp. Amorphic diamond film flat field emission cathode
US5543684A (en) 1992-03-16 1996-08-06 Microelectronics And Computer Technology Corporation Flat panel display based on diamond thin films
US6127773A (en) * 1992-03-16 2000-10-03 Si Diamond Technology, Inc. Amorphic diamond film flat field emission cathode
US5477105A (en) * 1992-04-10 1995-12-19 Silicon Video Corporation Structure of light-emitting device with raised black matrix for use in optical devices such as flat-panel cathode-ray tubes
US5424605A (en) * 1992-04-10 1995-06-13 Silicon Video Corporation Self supporting flat video display
US5359256A (en) * 1992-07-30 1994-10-25 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy Regulatable field emitter device and method of production thereof
US5312777A (en) * 1992-09-25 1994-05-17 International Business Machines Corporation Fabrication methods for bidirectional field emission devices and storage structures
JPH08510588A (ja) * 1993-01-19 1996-11-05 ダニロビッチ カルポフ,レオニド 電界放出素子
US5686790A (en) * 1993-06-22 1997-11-11 Candescent Technologies Corporation Flat panel device with ceramic backplate
CN1134754A (zh) * 1993-11-04 1996-10-30 微电子及计算机技术公司 制作平板显示系统和元件的方法
US5445550A (en) * 1993-12-22 1995-08-29 Xie; Chenggang Lateral field emitter device and method of manufacturing same
EP1186079B1 (de) * 1999-05-25 2005-02-02 NaWoTec GmbH Miniaturisierte terahertz-strahlungsquelle
US7622562B2 (en) * 2002-06-26 2009-11-24 Zimmer Orthobiologics, Inc. Rapid isolation of osteoinductive protein mixtures from mammalian bone tissue
US7646149B2 (en) * 2003-07-22 2010-01-12 Yeda Research and Development Company, Ltd, Electronic switching device
JP3907667B2 (ja) * 2004-05-18 2007-04-18 キヤノン株式会社 電子放出素子、電子放出装置およびそれを用いた電子源並びに画像表示装置および情報表示再生装置
CN110875165A (zh) * 2018-08-30 2020-03-10 中国科学院微电子研究所 一种场发射阴极电子源及其阵列

Family Cites Families (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3789471A (en) * 1970-02-06 1974-02-05 Stanford Research Inst Field emission cathode structures, devices utilizing such structures, and methods of producing such structures
US3755704A (en) * 1970-02-06 1973-08-28 Stanford Research Inst Field emission cathode structures and devices utilizing such structures
US3812559A (en) * 1970-07-13 1974-05-28 Stanford Research Inst Methods of producing field ionizer and field emission cathode structures
US3894332A (en) * 1972-02-11 1975-07-15 Westinghouse Electric Corp Solid state radiation sensitive field electron emitter and methods of fabrication thereof
JPS5325632B2 (ja) * 1973-03-22 1978-07-27
US3970887A (en) * 1974-06-19 1976-07-20 Micro-Bit Corporation Micro-structure field emission electron source
JPS5436828B2 (ja) * 1974-08-16 1979-11-12
US3921022A (en) * 1974-09-03 1975-11-18 Rca Corp Field emitting device and method of making same
US4178531A (en) * 1977-06-15 1979-12-11 Rca Corporation CRT with field-emission cathode
SU855782A1 (ru) * 1977-06-28 1981-08-15 Предприятие П/Я Г-4468 Эмиттер электронов
US4307507A (en) * 1980-09-10 1981-12-29 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy Method of manufacturing a field-emission cathode structure
US4728851A (en) * 1982-01-08 1988-03-01 Ford Motor Company Field emitter device with gated memory
US4578614A (en) * 1982-07-23 1986-03-25 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy Ultra-fast field emitter array vacuum integrated circuit switching device
US4663559A (en) * 1982-09-17 1987-05-05 Christensen Alton O Field emission device
US4513308A (en) * 1982-09-23 1985-04-23 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy p-n Junction controlled field emitter array cathode
FR2568394B1 (fr) * 1984-07-27 1988-02-12 Commissariat Energie Atomique Dispositif de visualisation par cathodoluminescence excitee par emission de champ
GB8621600D0 (en) * 1986-09-08 1987-03-18 Gen Electric Co Plc Vacuum devices
FR2604823B1 (fr) * 1986-10-02 1995-04-07 Etude Surfaces Lab Dispositif emetteur d'electrons et son application notamment a la realisation d'ecrans plats de television
US4685996A (en) * 1986-10-14 1987-08-11 Busta Heinz H Method of making micromachined refractory metal field emitters
US4721885A (en) * 1987-02-11 1988-01-26 Sri International Very high speed integrated microelectronic tubes
US4904895A (en) * 1987-05-06 1990-02-27 Canon Kabushiki Kaisha Electron emission device
GB2204991B (en) * 1987-05-18 1991-10-02 Gen Electric Plc Vacuum electronic devices
US4855636A (en) * 1987-10-08 1989-08-08 Busta Heinz H Micromachined cold cathode vacuum tube device and method of making
FR2623013A1 (fr) * 1987-11-06 1989-05-12 Commissariat Energie Atomique Source d'electrons a cathodes emissives a micropointes et dispositif de visualisation par cathodoluminescence excitee par emission de champ,utilisant cette source
US4874981A (en) * 1988-05-10 1989-10-17 Sri International Automatically focusing field emission electrode

Also Published As

Publication number Publication date
EP0452425A1 (en) 1991-10-23
EP0452425A4 (en) 1991-07-24
AU5926390A (en) 1991-03-11
AU621001B2 (en) 1992-02-27
HUT57944A (en) 1991-12-30
HU905386D0 (en) 1991-07-29
BR9006876A (pt) 1991-08-27
WO1991002371A1 (en) 1991-02-21
US4956574A (en) 1990-09-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPH04502229A (ja) 切替式陽極電界放出装置
US4827177A (en) Field emission vacuum devices
JP2922704B2 (ja) 制御された冷陰極電界誘導電子放出装置
US5828163A (en) Field emitter device with a current limiter structure
KR960019422A (ko) 전자 방출 장치 및 그 제조 방법
KR960019421A (ko) 전자 방출 장치 및 그 제조 방법
US3184659A (en) Tunnel cathode having a metal grid structure
US7741768B2 (en) Field emission device with increased current of emitted electrons
US5631196A (en) Method for making inversion mode diamond electron source
US20050275336A1 (en) Field emission device and method for making same
JPH05190081A (ja) 超小型電子デバイスを製造する方法
JP3010304B2 (ja) 真空管
JP2606406Y2 (ja) 真空気密装置および表示装置
JPH0456040A (ja) 微小真空デバイス
JPH06295660A (ja) 電界放射形陰極及びその製造方法
JPS63141234A (ja) 電子放出素子
JPH06243777A (ja) 冷陰極
JP3601275B2 (ja) 電界電子放出素子
JP3399008B2 (ja) 電子銃
JP2002042635A (ja) 三極管
JPH05299009A (ja) 電界放射装置
JPS6413183A (en) Emission display element
JPH02170327A (ja) 電子放出素子
JPH0233823A (ja) 電子放出素子
JPS58144746U (ja) 陰極線管の電子銃