KR960019421A - 전자 방출 장치 및 그 제조 방법 - Google Patents

전자 방출 장치 및 그 제조 방법 Download PDF

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KR960019421A
KR960019421A KR1019950041838A KR19950041838A KR960019421A KR 960019421 A KR960019421 A KR 960019421A KR 1019950041838 A KR1019950041838 A KR 1019950041838A KR 19950041838 A KR19950041838 A KR 19950041838A KR 960019421 A KR960019421 A KR 960019421A
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conductive
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conductive plate
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KR1019950041838A
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Inventor
에이치. 테일러 로버트
디. 레빈 쥴레스
Original Assignee
윌리엄 이. 힐러
텍사스 인스트루먼츠 인코포레이티드
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    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J1/00—Details of electrodes, of magnetic control means, of screens, or of the mounting or spacing thereof, common to two or more basic types of discharge tubes or lamps
    • H01J1/02—Main electrodes
    • H01J1/30—Cold cathodes, e.g. field-emissive cathode
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    • H01J2201/319—Circuit elements associated with the emitters by direct integration

Landscapes

  • Cathode-Ray Tubes And Fluorescent Screens For Display (AREA)
  • Cold Cathode And The Manufacture (AREA)

Abstract

전계 방출형 평면 패널 디스플레이 장치의 에미터 플레이트(60)는 저항 물질층(68)과 전기 전도 물질의 메쉬형 구조체(62)를 포함한다. 도체인 메쉬에 의해 한정된 공간 내에서 저항 코팅부(68)의 상부면상에 전도성 플레이트(78)가 또한 형성되어 있다. 전도성 플레이트(78)의 상부면상에는 원추형상으로 도시된 마이크로팁 에미터(70)가 형성되어 있다. 이러한 구성에 의해, 모든 마이크로팁 에미터(70)는 전도성 플레이트(78)와 전기 접속을 하게됨으로써 동일한 전위를 갖게 될 것이다. 일실시예의 경우, 도체(80)의 각 메쉬 공간 내에는 하나의 전도성 플레이트(82)가 형성되어 있으며, 다른 실시예의 경우에는 도체(90)의 각 메쉬 공간 내에 4개의 전도성 플레이트(92)가 대칭적으로 형성되어 있다. 또한 다수의 마이크로팁 에미터(104)가 상부면상에 형성되거나 저항 물질의 박막층에 의해 에미터가 분리 형성되어 있는 전도성 플레이트(102)를 포함한 에미터 클러스터의 구성에 대해서도 기술되어 있으며, 각각의 클러스터는 인접하고 있으며 또한 저항 물질의 영역(106)에 의해 스트라이프 도체(100)와 횡방향으로 이격되어 있다. 스트라이프 도체(100)는 사실상 서로 평행하며 두 전도성 플레이트(102)에 의해 서로 이격되어 있으며 디스플레이의 활성 영역 외부에 있는 버스 영역(110)에 의해 결합되어 있다.

Description

전자 방출 장치 및 그 제조 방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제3도는 본 발명의 제1실시예에 따른 전도성 메쉬 내의 에미터 클러스터를 도시하는 전계 방출형 장치의 일부에 대한 횡단면도,
제4도는 본 발명의 제2실시예에 따른 전도성 메쉬 내의 에미터 클러스터를 도시하는 전계 방출형 장치의 일부에 대한 횡단면도,
제5도는 본 발명의 제3실시예에 따른 전도성 메쉬 내의 에미터 클러스터를 도시하는 전계 방출형 장치의 일부분에 대한 횡단면도,
제6도는 본 발명 에미터 클러스터의 제1구성에 대한 평면도,
제7도는 본 발명 에미터 클러스터의 제1구성에 대한 평면도.

Claims (80)

  1. 전자 방출 장치에 있어서, 메쉬 공간을 한정하는 전도성 메쉬 구조체와, 상기 메쉬 구조체에서 횡방향으로 이격되어 있으며 상기 메쉬 공간 내에서 중심 영역을 차지하고 있는 전도성 플레이트와, 상기 메쉬 구조체 및 상기 전도성 플레이트와 전기 접촉하는 저항층과, 상기 중심 영역에 위치된 다수의 마이크로팁 에미터를 포함하는 것을 특징으로 하는 전자 방출 장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 전도성 메쉬 전도체, 상기 전도성 플레이트 및 상기 저항층과 전기적으로 절연되어 있는 전도층을 더 포함하며, 상기 전도층 내에는 구멍이 형성되어 있으며, 상기 각각의 에미터는 상기 전도층 내의 상기 구멍들중 대응하는 구멍 내에 형성되는 것을 특징으로 하는 전자 방출 장치.
  3. 제2항에 있어서, 상기 전도성 메쉬 구조체와 상기 전도층간에 전위를 인가시키는 수단을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 전자 방출 장치.
  4. 제2항에 있어서, 상기 메쉬 구조체는 캐소드 전극을 포함하며, 상기 전도층은 게이트 전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 전자 방출 장치.
  5. 제2항에 있어서, 상기 구멍들은 상기 전도층 내에서 어레이로서 형성되는 것을 특징으로 하는 전자 방출 장치.
  6. 제2항에 있어서, 상기 전도층내의 상기 구멍들은 일반적으로 원형이며 상기 마이크로팁 에미터들은 일반적으로 원추형상인 것을 특징으로 하는 전자 방출 장치.
  7. 제1항에 있어서, 상기 저항층은 비정질 실리콘을 포함하는 것을 특징으로 하는 전자 방출 장치.
  8. 제1항에 있어서, 상기 마이크로팁 에미터들은 몰리브덴을 포함하는 것을 특징으로 하는 전자 방출 장치.
  9. 제1항에 있어서, 상기 전도성 플레이트의 물질은 알루미늄, 크롬, 몰리브덴 및 니오븀을 포함하는 그룹에서 선택되는 것을 특징으로 하는 전자 방출 장치.
  10. 제1항에 있어서, 상기 전도성 메쉬 구조체의 물질은 알루미늄, 크롬, 몰리브덴 및 니오븀을 포함하는 그룹에서 선택되는 것을 특징으로 하는 전자 방출 장치.
  11. 제2항에 있어서, 상기 전도층은 니오븀을 포함하는 것을 특징으로 하는 전자 방출 장치.
  12. 전자 방출 장치에 있어서, 절연 기판과, 상기 기판상의 전도성 메쉬 구조체와, 상기 메쉬 구조체에 의해 한정된 공간 내에서 상기 기판상에 형성되어 있으며 이 기판과 전기적으로 절연되어 있는 전도성 플레이트와, 상기 전도성 플레이트상에 피복되어 있으며 상기 메쉬 구조체와 전기 접촉하는 저항층과, 상기 저항층상에서 상기 전도성 플레이트상에 위치되어 있는 다수의 마이크로팁 에미터를 포함하는 것을 특징으로 하는 전자 방출 장치.
  13. 제12항에 있어서, 상기 전도성 플레이트와 상기 메쉬 구조체 간의 거리는 상기 전도성 플레이트를 피복하고 있는 상기 저항층의 두께보다 충분히 큰 것을 특징으로 하는 전자 방출 장치.
  14. 제12항에 있어서, 상기 저항층을 피복하고 있으며 이 저항층과 전기적으로 절연되어 있는 전도층을 더 포함하며, 상기 전도층 내에는 구멍이 형성되어 있으며, 상기 각각의 에미터는 상기 전도층 내의 상기 구멍들중 대응하는 구멍 내에 형성되는 것을 특징으로 하는 전자 방출 장치.
  15. 제14항에 있어서, 상기 전도성 메쉬 구조체와 상기 전도층간에 전위를 인가시키는 수단을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 전자 방출 장치.
  16. 제14항에 있어서, 상기 메쉬 구조체는 캐소드 전극을 포함하며, 상기 전도층은 게이트 전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 전자 방출 장치.
  17. 제14항에 있어서, 상기 구멍들은 상기 전도층 내에서 어레이로서 형성되는 것을 특징으로 하는 전자 방출 장치.
  18. 제14항에 있어서, 상기 전도층내의 상기 구멍들은 일반적으로 원형이며 상기 마이크로팁 에미터들은 일반적으로 원추형상인 것을 특징으로 하는 전자 방출 장치.
  19. 제12항에 있어서, 상기 저항층은 비정질 실리콘을 포함하는 것을 특징으로 하는 전자 방출 장치.
  20. 제12항에 있어서, 상기 마이크로팁 에미터들은 몰리브덴을 포함하는 것을 특징으로 하는 전자 방출 장치.
  21. 제12항에 있어서, 상기 전도성 플레이트의 물질은 알루미늄, 크롬, 몰리브덴 및 니오븀을 포함하는 그룹에서 선택되는 것을 특징으로 하는 전자 방출 장치.
  22. 제12항에 있어서, 상기 전도성 메쉬 구조체의 물질은 알루미늄, 크롬, 몰리브덴 및 니오븀을 포함하는 그룹에서 선택되는 것을 특징으로 하는 전자 방출 장치.
  23. 제14항에 있어서, 상기 전도층은 니오븀을 포함하는 것을 특징으로 하는 전자 방출 장치.
  24. 전자 방출 장치에 있어서, 절연 기판과, 상기 기판 상에서 메쉬 공간을 한정하는 메쉬 구조체로서 형성된 도체와, 상기 절연 기판상에 형성되며 상기 메쉬 공간 내에서 영역을 차지하고 있는 전도성 플레이트와, 상기 기판상에서 상기 메쉬 구조체와 상기 전도성 플레이트를 피복하고 있는 전기 저항 물질층과, 상기 저항층상의 전기 절연층과, 상기 절연층상에서 형성되며 상기 절연층을 통해 연장되는 다수의 구멍이 형성되어 있는 전도층과, 상기 저항층상에서 상기 전도층 내의 상기 구멍들 중 대응하는 구멍 내에 각각 형성되어 있는 마이크로팁 에미터들을 포함하는 것을 특징으로 하는 전자 방출 장치.
  25. 제24항에 있어서, 상기 각각의 메쉬 공간은 거의 정사각형인 것을 특징으로 하는 전자 방출 장치.
  26. 제24항에 있어서, 상기 각각의 전도성 플레이트는 동수의 에미터를 포함하는 것을 특징으로 하는 전자 방출 장치.
  27. 제24항에 있어서, 상기 각각의 전도성 플레이트는 상기 도체에서 사실상 등간격으로 이격되어 있는 것을 특징으로 하는 전자 방출 장치.
  28. 제27항에 있어서, 상기 전도성 플레이트와 상기 도체간의 거리는 상기 각각의 플레이트를 피복하고 있는 상기 저항층의 두께보다 충분히 큰 것을 특징으로 하는 전자 방출 장치.
  29. 제24항에 있어서, 상기 각각의 에미터는 이것에 인접한 전도성 플레이트까지 사실상 등가인 저항 경로를 갖는 것을 특징으로 하는 전자 방출 장치.
  30. 제24항에 있어서, 상기 각각의 전도성 플레이트는 상기 도체까지 사실상 등가인 저항 경로를 갖는 것을 특징으로 하는 전자 방출 장치.
  31. 제30항에 있어서, 상기 각각의 에미터는 이것에 인접한 전도성 플레이트까지 사실상 등가인 저항 경로를 갖는 것을 특징으로 하는 전자 방출 장치.
  32. 제31항에 있어서, 상기 전도성 플레이트와 상기 도체간의 저항 경로는 상기 각각의 에미터와 이들에 인접한 전도성 플레이트간의 저항 경로보다 충분히 큰 것을 특징으로 하는 전자 방출 장치.
  33. 제24항에 있어서, 상기 도체와 상기 전도층간에 전위를 인가시키는 수단을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 전자 방출 장치.
  34. 제24항에 있어서, 상기 도체는 캐소드 전극을 포함하며 상기 전도층은 게이트 전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 전자 방출 장치.
  35. 전자 방출 장치를 제조하는 방법에 있어서, 절연 기판을 제공하는 단계와, 상기 기판상에 제1전도 물질층을 침착시켜 메쉬 구조체와, 이 메쉬 구조체에 의해 한정된 메쉬 공간 내에 위치되어지는 전도성 플레이트를 형성하는 단계와, 상기 기판상에 상기 메쉬 구조체와 상기 전도성 플레이트를 피복하는 전기 저항 물질층을 형성하는 단계와, 상기 저항층상에 전기 절연층을 형성하는 단계와, 상기 절연층상에 제2전도층을 형성하는 단계와, 상기 전도성 플레이트상에서 상기 제2전도층 내에 상기 절연층을 통해 연장하는 구멍을 형성하는 단계와, 상기 저항층상에 상기 제2전도층 내의 상기 구멍들중 대응하는 구멍에 각각 위치되어지는 마이크로팁 에미터들을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 전자 방출 장치 제조 방법.
  36. 전자 방출 장치에 있어서, 다수의 마이크로팁 에미터가 상부면상에 형성되어 있는 전도성 플레이트와, 상기 전도성 플레이트와는 저항층에 의해 횡방향으로 이격되어 있는 전도성 메쉬 구조체를 포함하는 것을 특징으로 하는 전자 방출 장치.
  37. 제36항에 있어서, 상기 전도성 플레이트와 상기 전도성 메쉬 구조체는 상기 저항층의 동일면에 인접 위치되어지는 것을 특징으로 하는 전자 방출 장치.
  38. 제36항에 있어서, 상기 전도성 플레이트와 상기 전도성 메쉬 구조체는 상기 저항층의 양면에 인접 위치되어지는 것을 특징으로 하는 전자 방출 장치.
  39. 제36항에 있어서, 상기 전도성 플레이트상에서 상기 메쉬 구조체 및 상기 플레이트와 이격되어 피복되어 있는 전도층을 더 포함하며, 상기 전도층 내에는 구멍이 형성되어 있으며 상기 각각의 에미터는 상기 전도층 내의 상기 구멍들중 대응하는 구멍 내에 형성되는 것을 특징으로 하는 전자 방출 장치.
  40. 제38항에 있어서, 상기 전도성 플레이트는 상기 전도성 메쉬 구조체의 공간 상방에 위치되어지는 것을 특징으로 하는 전자 방출 장치.
  41. 제37항에 있어서, 상기 전도성 플레이트는 상기 전도성 메쉬 구조체의 공간 내에 위치되어지는 것을 특징으로 하는 전자 방출 장치.
  42. 제39항에 있어서, 상기 전도성 메쉬 구조체와 상기 전도층간에 전위를 인가시키는 수단을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 전자 방출 장치.
  43. 제39항에 있어서, 상기 메쉬 구조체는 캐소드 전극을 포함하며 상기 전도층은 게이트 전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 전자 방출 장치.
  44. 제39항에 있어서, 상기 구멍들은 상기 전도층 내에서 어레이로서 형성되는 것을 특징으로 하는 전자 방출 장치.
  45. 제39항에 있어서, 상기 전도층내의 상기 구멍들은 일반적으로 원형이며 상기 마이크로팁 에미터들은 일반적으로 원추형상인 것을 특징으로 하는 전자 방출 장치.
  46. 제36항에 있어서, 상기 저항층은 비정질 실리콘을 포함하는 것을 특징으로 하는 전자 방출 장치.
  47. 제36항에 있어서, 상기 마이크로팁 에미터들은 몰리브덴을 포함하는 것을 특징으로 하는 전자 방출 장치.
  48. 제36항에 있어서, 상기 전도성 플레이트의 물질은 알루미늄, 크롬, 몰리브덴 및 니오븀을 포함하는 그룹에서 선택되는 것을 특징으로 하는 전자 방출 장치.
  49. 제36항에 있어서, 상기 전도성 메쉬 구조체의 물질은 알루미늄, 크롬, 몰리브덴 및 니오븀을 포함하는 그룹에서 선택되는 것을 특징으로 하는 전자 방출 장치.
  50. 제39항에 있어서, 상기 전도층은 니오븀을 포함하는 것을 특징으로 하는 전자 방출 장치.
  51. 전자 방출 장치에 있어서, 절연 기판과, 상기 기판 상에서 메쉬 공간을 한정하는 메쉬 구조체로서 형성된 도체와, 상기 기판상에서 상기 메쉬 구조체를 피복하고 있는 전기 저항 물질층과, 상기 저항층상에서 상기 메쉬 공간을 피복하고 영역을 차지하고 있는 전도성 플레이트와, 상기 전도성 플레이트상의 전기 절연층과, 상기 절연층상에서 상기 전도성 플레이트를 피복하며 상기 절연층을 통해 연장되는 다수의 구멍이 형성되어 있는 전도층과, 상기 전도성 플레이트상에서 상기 전도층 내의 상기 구멍들 중 대응하는 구멍 내에 각각 형성되어 있는 마이크로팁 에미터들을 포함하는 것을 특징으로 하는 전자 방출 장치.
  52. 제51항에 있어서, 상기 각각의 메쉬 공간은 거의 정사각형인 것을 특징으로 하는 전자 방출 장치.
  53. 제51항에 있어서, 상기 각각의 전도성 플레이트는 동수의 에미터를 포함하는 것을 특징으로 하는 전자 방출 장치.
  54. 제51항에 있어서, 상기 각각의 전도성 플레이트는 상기 도체에서 사실상 등간격으로 이격되어 있는 것을 특징으로 하는 전자 방출 장치.
  55. 제51항에 있어서, 상기 각각의 전도성 플레이트는 상기 도체까지 사실상 등가인 저항 경로를 갖는 것을 특징으로 하는 전자 방출 장치.
  56. 제51항에 있어서, 상기 도체와 상기 전도층간에 전위를 인가시키는 수단을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 전자 방출 장치.
  57. 제51항에 있어서, 상기 도체는 캐소드 전극을 포함하며 상기 전도층은 게이트 전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 전자 방출 장치.
  58. 제51항에 있어서, 상기 에미터들은 상기 각각의 전도성 플레이트상에서 어레이로서 형성되는 것을 특징으로 하는 전자 방출 장치.
  59. 제51항에 있어서, 상기 전도층내의 상기 구멍들은 일반적으로 원형이며 상기 마이크로팁 에미터들은 일반적으로 원추형상인 것을 특징으로 하는 전자 방출 장치.
  60. 제51항에 있어서, 상기 전기 저항층은 비정질 실리콘을 포함하는 것을 특징으로 하는 전자 방출 장치.
  61. 제51항에 있어서, 상기 마이크로팁 에미터들은 몰리브덴을 포함하는 것을 특징으로 하는 전자 방출 장치.
  62. 제51항에 있어서, 상기 도체의 물질은 알루미늄, 크롬, 몰리브덴 및 니오븀을 포함하는 그룹에서 선택되는 것을 특징으로 하는 전자 방출 장치.
  63. 제51항에 있어서, 상기 전도성 플레이트의 물질은 알루미늄, 크롬, 몰리브덴 및 니오븀을 포함하는 그룹에서 선택되는 것을 특징으로 하는 전자 방출 장치.
  64. 제51항에 있어서, 상기 전도층은 니오븀을 포함하는 것을 특징으로 하는 전자 방출 장치.
  65. 전자 방출 장치에 있어서, 절연 기판과, 상기 기판상의 전기 저항 물질층과, 상기 저항 물질층상에서 메쉬 공간을 한정하는 메쉬 구조체로서 형성된 도체와, 상기 저항 물질층상에서 상기 메쉬 공간 내의 영역을 차지하며 상기 메쉬 구조체와 이격되어 있는 전도성 플레이트와, 상기 절연층상에서 상기 전도성 플레이트를 피복하고 있으며 상기 절연층을 통해 연장되는 다수의 구멍이 형성되어 있는 전도층과, 상기 전도성 플레이트상에서 상기 전도층 내의 상기 구멍들중 대응하는 구멍 내에 각각 형성되어 있는 마이크로팁 에미터들을 포함하는 것을 특징으로 하는 전자 방출 장치.
  66. 제65항에 있어서, 상기 각각의 메쉬 공간은 거의 정사각형인 것을 특징으로 하는 전자 방출 장치.
  67. 제65항에 있어서, 상기 각각의 전도성 플레이트는 동수의 에미터를 포함하는 것을 특징으로 하는 전자 방출 장치.
  68. 제65항에 있어서, 상기 각각의 전도성 플레이트는 상기 도체에서 사실상 등간격으로 이격되어 있는 것을 특징으로 하는 전자 방출 장치.
  69. 제65항에 있어서, 상기 각각의 전도성 플레이트는 상기 도체까지 사실상 등가인 저항 경로를 갖는 것을 특징으로 하는 전자 방출 장치.
  70. 제65항에 있어서, 상기 도체와 상기 전도층간에 전위를 인가시키는 수단을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 전자 방출 장치.
  71. 제65항에 있어서, 상기 도체는 캐소드 전극을 포함하며 상기 전도층은 게이트 전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 전자 방출 장치.
  72. 제65항에 있어서, 상기 에미터들은 상기 전도성 플레이트상에서 어레이로서 형성되는 것을 특징으로 하는 전자 방출 장치.
  73. 제65항에 있어서, 상기 전도층내의 상기 구멍들은 일반적으로 원형이며 상기 마이크로팁 에미터들은 일반적으로 원추형상인 것을 특징으로 하는 전자 방출 장치.
  74. 제65항에 있어서, 상기 전기 저항층은 비정질 실리콘을 포함하는 것을 특징으로 하는 전자 방출 장치.
  75. 제65항에 있어서, 상기 마이크로팁 에미터들은 몰리브덴을 포함하는 것을 특징으로 하는 전자 방출 장치.
  76. 제65항에 있어서, 상기 도체의 물질은 알루미늄, 크롬, 몰리브덴 및 니오븀을 포함하는 그룹에서 선택되는 것을 특징으로 하는 전자 방출 장치.
  77. 제65항에 있어서, 상기 전도성 플레이트의 물질은 알루미늄, 크롬, 몰리브덴 및 니오븀을 포함하는 그룹에서 선택되는 것을 특징으로 하는 전자 방출 장치.
  78. 제65항에 있어서, 상기 전도층은 니오븀을 포함하는 것을 특징으로 하는 전자 방출 장치.
  79. 전자 방출 장치를 제조하는 방법에 있어서, 절연 기판을 제공하는 단계와, 상기 기판상에 전기 저항 물질층을 형성하는 단계와, 상기 저항층상에 전도물질층을 침착시켜 전도성 메쉬 구조체와, 이 메쉬 구조체에 의해 한정된 메쉬 공간 내에 위치되어지는 전도성 플레이트를 형성하는 단계와, 상기 전도성 플레이트상에 전기 절연층을 형성하는 단계와, 상기 절연층상에서 상기 전도성 플레이트를 피복하는 전도층을 형성하는 단계와, 상기 전도성 플레이트상에서 상기 전도층 내에 상기 절연층을 통해 연장하는 구멍을 형성하는 단계와, 상기 전도성 플레이트상에 상기 전도층 내의 상기 구멍들중 대응하는 구멍에 각각 위치되어지는 마이크로팁 에미터들을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 전자 방출 장치 제조 방법.
  80. 전자 방출 장치를 제조하는 방법에 있어서, 절연 기판을 제공하는 단계와, 상기 기판상에 제1전도 물질층을 침착시켜 메쉬 공간을 한정하는 메쉬 구조체를 형성하는 단계와, 상기 기판상에 상기 메쉬 구조체를 피복하는 전기 저항 물질층을 형성하는 단계와, 상기 저항층상에 제2전도 물질층을 침착시켜 상기 메쉬 공간을 피복시키는 전도성 플레이트를 형성하는 단계와, 상기 전도성 플레이트 상에 전기 절연층을 형성하는 단계와, 상기 절연층상에 상기 전도성 플레이트를 피복시키는 전도층을 형성하는 단계와, 상기 전도성 플레이트상에서 상기 전도층 내에 상기 절연층을 통해 연장하는 구멍을 형성하는 단계와, 상기 전도성 플레이트상에 상기 전도층 내의 상기 구멍들중 대응하는 구멍에 각각 위치되어지는 마이크로팁 에미터들을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 전자 방출 장치 제조 방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019950041838A 1994-11-18 1995-11-17 전자 방출 장치 및 그 제조 방법 KR960019421A (ko)

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US08/378,328 US5569975A (en) 1994-11-18 1995-01-26 Cluster arrangement of field emission microtips

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