KR920022363A - 다극 전계 전자 방출 장치 및 그 제조 방법 - Google Patents

Abstract

내용 없음.

Description

다극 전계 전자 방출 장치 및 그 제조 방법

본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음

제1도는 4극 전계 전자 방출 장치의 콤포넌츠 사시도,

제2도는 제1도에 도시된 4극 전계 전자 방출 장치의 제조 공정 단계 사시도,

제3도는 본 발명의 실시예를 도시하는 새로운 4극 전계 전자 방출 장치의 부분 확대 사시도,

제4도는 제3도에 도시된 4극 전계 전자 방출 장치의 제조 공정의 공정 단계(종단면) 도시도,

제5도는 제4도에 도시된 제조 단계 도시도.

Claims (27)

1. 전계 효과에 의해 전자를 방출하는 캐소드와, 상기 캐소드에 전계를 인가하는 게이트 전극과, 방출 전자를 수집하는 애노드와, 상기 캐소드와 상기 애노드 사이에 설치되고, 상기 방출 전자를 제어하는 제어 전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 다극 전계 전자 방출 장치.
2. 제1항에 있어서, 제어 전극과 애노드를 정전 차폐시키는 스크린 전극을 제어 전극과 애노드 사이에 설치한 다극 전계 전자 방출 장치.
3. 제1항에 있어서, 제어 전극과 애노드를 정전 차폐시키는 스크린 전극을 제어 전극과 애노드 사이에 설치하고, 애노드의 2차 전자를 제어하는 억제자 전극을 상기 스크린 전극과 애노드 사이에 설치한 다극 전계 전자 방출 장치.
4. 절연성 평면 기판의 표면에 설치한 섬 모양 절연층과, 상기 섬 모양 절연층의 표면에 설치하여 상기 섬 모양 절연층으로부터 오버행된 방출 돌기를 갖는 캐소드와, 상기 평면 기판의 표면에 상기 방출 돌기의 수직 근방에 설치된 게이트 전극과, 상기 평면 기판의 표면에 상기 게이트 전극을 위치하여 상기 캐소드의 반대측에 설치된 애노드와, 상기 평면 기판의 표면에 상기 게이트 전극과 상기 애노드 사이에 설치된 제어 전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 다극 전계 전자 방출 장치.
5. 제4항에 있어서, 스크린 전극은 평면 기판의 표면에 제어 전극과 애노드 사이에 형성된 다극 전계 전자 방출 장치.
6. 제4항에 있어서, 스크린 전극은 평면 기판의 표면에 제어 전극와 애노드 사이에 형성되고 억제자 전극은 평면 기판의 표면에 상기 스크린 전극과 애노드 사이에 형성된 다극 전계 전자 방출 장치.
7. 제4항에 있어서, 제어 전극은, 그의 일부가 평면 기판에 거의 수직인 주상 구조로 되어 있는 다극 전계 전자 방출 장치.
8. 제5항에 있어서, 제어 전극 및 스크린 전극은, 각각 그의 일부가 평면 기판에 거의 수직인 주상 구조로 되어 있는 다극 전계 전자 방출 장치.
9. 제6항에 있어서, 제어 전극 및 스크린 전극은, 각각 그의 일부가 평면 기판에 거의 수직인 주상 구조로 되어 있는 다극 전계 전자 방출 장치.
10. 전도성 평면 기판의 표면에 설치되어 상기 평면 기판의 거의 수직인 종축을 갖는 종형상의 캐소드와, 상기 평면 기판의 표면에 설치되어 상기 캐소드의 주위에서 개구된 제1절연층과, 상기 제1절연층의 표면에 설치되어 상기 캐소드의 주위에서 개구된 게이트 전극과, 상기 평면 기판에 진공층을 통하여 배치된 대향 기판의 표면에 설치된 애노드 층과 상기 게이트 전극과 상기 애노드 사이에 설치된 제어 전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 다극 전계 전자 방출 장치.
11. 캐소드를 접지하여, 게이트 전극에 정전위의 게이트 전압을 인가하여, 애노드에 게이트 전압보다 큰 정전 위의 애노드 전압을 인가하여 제어 전극에 입력 신호 전압을 인가하여 애노드 전류를 제어하는 것을 특징으로 하는 다극 전계 전자 방출 장치의 구동 수단.
12. 게이트 전극을 접지하여, 캐소드에 부전위의 캐소드 전압을 인가하여, 애노드에 정전위의 애노드 전압을 인가하여, 제어 전극에 입력 신호 전압을 인가하여 애노드 전류를 제어하는 것을 특징으로 하는 다극 전계 전자 방출 장치의 구동 수단.
13. 게이트 전극을 접지하여, 캐소드에 직렬로 설치된 저항을 통하여 부전위의 캐소드 전압을 인가하여, 애노드 전극에 정전위의 애노드 전압을 인가하여, 제어 전극에 입력 신호를 인가하여 애노드 전류를 제어하는 것을 특징으로 하는 다극 전계 전자 방출 장치의 구동 수단.
14. 게이트 전극을 접지하여, 캐소드에 부전위의 캐소드 전압을 인가하여, 스크린 전극에 정전위의 스크린 전압을 인가하여 애노드 전극에 정전위의 애노드 전압을 인가하여 제어 전극에 입력 신호 전압을 인가하여 애노드 전류를 제어하는 것을 특징으로 하는 다극 전계 전자 방출 장치의 구동 수단.
15. 캐소드 및 억제자 전극을 접지하여, 게이트 전극 및 스크린 전극에 게이트 전압을 인가하여, 애노드 전극에 애노드 전압을 인가하여, 제어 전극에 입력 신호 전압을 인가하여 애노드 전류를 제어하는 것을 특징으로 하는 다극 전계 전자 방출 장치의 구동 수단.
16. 절연성 평면 기판의 표면에 설치된 절연층상에 형성되어, 그 절연층으로부터 오버행된 복수의 방출 돌기를 갖는 캐소드, 절연성 평면 기판의 표면에 형성되어, 방출 전자를 수집하는 애노드, 캐소드와 애노드 사이에 설치된 방출 돌기에 대응하는 적어도 하나의 위치에 개구를 갖는 게이트 전극, 게이트 전극과 애노드 사이에 설치된 제어 전극을 포함하는 다극 전계 전자 방출 장치.
17. 절연성 평면 기판의 표면에 설치된 절연층상에 형성되어, 절연층으로부터 오버행된 복수의 방출 돌기를 갖느 캐소드, 절연성 평면 기판의 표면에 형성되어, 방출 전자를 수집하는 애노드, 상기 캐소드와 상기 애노드 사이에 설치된 방출 돌기에 대응하는 적어도 하나의 위치에 개구를 갖는 게이트 전극, 상기 게이트 전극과 상기 애노드 사이에 설치된 스크린 전극을 갖는 다극 전계 전자 방출 장치.
18. 절연성 평면 기판의 표면에 설치된 절연층상에 형성되어, 상기 절연층으로부터 오버행된 복수의 방출 돌기를 갖는 캐소드, 상기 절연성 평면 기판의 표면에 형성되어, 방출 전자를 수집하는 애노드, 상기 캐소드와 상기 애노드 사이에 설치된 방출 돌기에 대응하는 적어도 하나의 위치에 개구를 갖는 게이트 전극, 상기 게이트 전극과 상기 애노드 사이에 설치된 제어 전극, 상기 제어 전극과 상기 애노드 사이에 설치된 억제자 전극을 포함하는 다극 전계 전자 방출 장치.
19. 제16항, 17항 또는 18항에 있어서, 개구는 복수의 방출 돌기에 대응하는 모든 위치에 설치되는 있는 다극 전계 전자 방출 장치.
20. 제16항, 17항 또는 18항에 있어서, 제어 전극상에 상기 개구에 대응하여 제2의 개구를 설치한 다극 전계 전자 방출 장치.
21. 평면 기판의 표면에 거의 평행하게 돌출하는 방출 돌기를 갖는 캐소드를 포함하는 전계 전자 방출 장치의 제조 방법에 있어서, 상기 평면 기판의 표면에 에칭 마스크 층, 상기 에칭 마스크 층의 표면에 캐소드 층, 상기 캐소드 층의 표면에 에칭 보호층을 적층하여 형성하는 공정과, 상기 에칭 마스크 층을 가공하여 방출 돌기 형상을 갖는 에칭 마스크를 형성하는 공정과, 상기 에칭 마스크의 평면 형상으로 상기 캐소드 층을 가공하여 방출 돌기를 갖는 캐소드를 형성하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 전계 전자 방출 장치의 제조 방법.
22. 평면 기판의 표면에 에칭 마스크 층을 형성하는 공정과, 상기 에칭 마스크 층의 표면에 캐소드 층을 형성하는 공정과, 상기 캐소드 층의 표면에 레지스트 층을 형성하는 공정과, 상기 캐소드 층을 상기 레지스트 층의 평면 형상으로 가공하는 공정과, 상기 에칭 마스크 층을 과잉 에칭법에 의해 가공하여 에칭 마스크를 형성하는 공정과, 상기 캐소드 층을 상기 에칭 마스크의 형상으로 가공하여 캐소드를 형성하는 공정과, 상기 캐소드의 주위 하부의 상기 에칭 마스크를 제거하여 상기 캐소드를 비형상으로 형성하는 공정과, 방향성 입자 퇴적법으로 게이트 전극층을 형성하는 공정과, 상기 게이트 전극층을 가공하여 게이트 전극을 형성하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 전계 전자 방출 장치의 제조 방법.
23. 절연성 평면 기판의 표면에 설치된 절연층상에 형성되어, 상기 절연층으로부터 오버행된 복수의 방출 돌기를 갖는 캐소드, 상기 절연성 평면 기판의 표면에 형성되어, 방출 전자를 수집하는 애노드, 상기 캐소드와 상기 애노드 사이에 설치된 복수의 주상의 게이트 전극을 포함하여 구성되며, 상기 방출 돌기는 인접하는 게이트 전극의 중간에 위치하여, 상기 게이트 전극의 형상은 캐소드 전극측에 상기 방출 돌기에 대응한 돌기 모양인 것을 특징으로 하는 다극 전계 전자 방출 장치.
24. 제23항에 있어서, 게이트 전극은 오각 주상 전극인 다극 전계 전자 방출 장치.
25. 제23항에 있어서, 게이트 전극은 상기 방출 돌기보다 크게 만들어지는 다극 전계 전자 방출 장치.
26. 절연성 평면 기판의 표면에 절연층, 전극층을 순차 형성하여, 게이트 전극의 평면 패턴을 나머지로 하여 레지스트를 도포한 후, 전극층 및 절연층을 상기 패턴으로부터 침입한 에칭액에 의해 상기 평면 패턴을 넘어서 과잉 에칭하는 것으로 방출 돌기를 형성하여, 그의 후 주상의 게이트 전극을 상기 평면 패턴의 위치로 형성하여, 상기 레지스트를 제거하는 공정을 포함하는 것을 23항에 기재된 다극 전계 전자 방출 장치의 제조 방법.
27. 제26항에 있어서, 게이트 전극을 상기 위치에 형성하기 전에 상기 평면 패턴의 주변의 레지스트를 제거하는 공정을 포함하는 다극 전계 전자 방출 장치의 제조 방법.

    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.