KR100542317B1 - 전계 방출 표시 소자 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 R,G,B 형광체간의 크로스토크를 방지하여, 화질 특성을 개선할 수 있는 전계 방출 소자를 개시한다. 개시된 본 발명은, 소정 거리를 두고 대향,대치되는 캐소드 기판과 애노드 기판; 상기 캐소드 기판의 대향면에 스트라이프 형태로 형성되는 캐소드 전극 구조물; 상기 애노드 기판의 대향면에 형성되며, 상기 캐소드 기판과 대응되는 위치에 도트 또는 스트립 형태로 형성되는 투명 도전체로 된 애노드 전극; 상기 애노드 전극 표면에 형성되는 R,G,B 형광체; 및 상기 애노드 전극을 둘러싸도록 형성되는 블랙 매트릭스를 포함하며, 상기 애노드 기판과 애노드 전극 사이에 금속 패턴이 구비되는 것을 특징으로 한다.

Description

전계 방출 표시 소자{FIELD EMISSION DISPLAY DEVICE}
도 1은 종래의 전계 방출 표시 소자의 단면도.
도 2는 본 발명의 일실시예에 따른 전계 방출 표시 소자의 단면도.
도 3 및 도 4는 본 발명의 다른 실시예를 설명하기 위한 애노드 기판의 단면도.
(도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명)
1 - 캐소드 기판 2 - 캐소드 전극
3 - 게이트 전극 4 - 금속팁
20 - 애노드 기판 21 - 애노드 전극
22, 22-1, 22-2, 25 - 금속 패턴 24 - 블랙 매트릭스
본 발명은 전계 방출 표시 소자에 관한 것으로, 보다 구체적으로는 형광체의 색섞임을 방지할 수 있는 전계 방출 표시 소자에 관한 것이다.
일반적으로 전계 방출 표시 소자(Field Emission Display device)는 전자총(electron gun), 마이크로 웨이브 튜브(microwave tubes), 이온 소스(ion source), 스캐닝 터널링 마이크로스코프(scanning tunneling microscope)등의 장치에 표시 패널로 이용된다.
이러한 종래의 전계 방출 표시 소자는 도 1에 도시된 바와 같이, 제 1 기판(1: 이하 캐소드 기판)상에 스트라이프 상태로 캐소드 전극(2)이 형성되고, 캐소드 전극(2) 상부에는 캐소드 전극이 소정 부분 노출될 수 있도록 게이트 전극(3)이 배치된다. 노출된 캐소드 전극(2) 상부에는 전자를 방출하는 금속팁(4)이 배치된다.
이 캐소드 기판(1)과 대향하는 제 2 기판(10:이하 애노드 기판)의 내측면에는 캐소드 전극(2)과 교차하도록 애노드 전극(11)이 투명 도전층으로 형성되고, 애노드 전극(11) 상부에는 캐소드 전극(2)과 교차,대응되는 부분에 R,G,B 형광체(12a,12b,12c)가 배치된다. 또한, 이러한 형광체(12a,12b,12c)의 양측에는 형광체들간을 경계짓도록, 블랙 매트릭스(13)가 형성된다. 여기서, 형광체(12a,12b,12c)와 블랙 매트릭스(13)의 높이는 수 ㎛ 정도이다. 아울러, 상하 기판(1,10) 사이에는 스페이서(14)가 개재되어, 기판 사이의 간격을 유지한다.
이러한 구성을 갖는 전계 방출소자는 캐소드 전극(2)의 팁(4)으로부터 방출,가속된 전자는 형광체(12)를 여기시켜서, 발광을 일으킨다.
그러나, 상기한 전계 방출 표시 소자는 다음과 같은 문제점을 지닌다.
상기 캐소드 전극(2)의 팁(4)으로부터 가속된 전자는 직진하여 해당하는 형광체(12b)를 여기시킬 뿐만 아니라, 인접하는 형광체(12a,12c)까지 여기시키게 되어, 크로스 토크(crosstalk)를 유발한다. 이로 인하여, R,G,B 형광체(12a,12b,12c)가 동시에 발광되어, 전계 방출 표시 소자의 색섞임이 발생되어, 화질 특성이 저하된다.
이러한 문제점을 해결하기 위하여, 애노드 전극(11)을 캐소드 전극(2)과 교차되는 부분에만 존재하도록 애노드 구동 기술이 제안되었다. 그러나, 애노드 구성 기술은 저전압 구동일때는 가능하지만, 고전압으로 구동되는 경우, 애노드 전극(11)이 저항이 큰 투명 도전체로 형성되기 때문에, 고전압을 견디지 못하여 애노드 전극(11)이 파괴된다.
따라서, 본 발명의 목적은 상기한 종래의 문제점을 해결하기 위한 것으로, R,G,B 형광체간의 크로스토크를 방지하여, 화질 특성을 개선할 수 있는 전계 방출 소자를 제공하는 것이다.
상기한 본 발명의 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 일실시예에 따르면, 소정 거리를 두고 대향,대치되는 캐소드 기판과 애노드 기판; 상기 캐소드 기판의 대향면에 스트라이프 형태로 형성되는 캐소드 전극 구조물; 상기 애노드 기판의 대향면에 형성되며, 상기 캐소드 기판과 대응되는 위치에 도트 스트립 형태로 형성되는 투명 도전체로 된 애노드 전극; 상기 애노드 전극 표면에 형성되는 R,G,B 형광체; 및 상기 애노드 전극을 둘러싸도록 형성되는 블랙 매트릭스를 포함하며, 상기 애노드 기판과 애노드 전극 사이에 금속 패턴이 구비되는 것을 특징으로 한다.
또한, 본 발명의 다른 실시예에 따르면, 소정 거리를 두고 대향,대치되는 캐 소드 기판과 애노드 기판; 상기 캐소드 기판의 대향면에 스트라이프 형태로 형성되는 캐소드 전극 구조물; 상기 애노드 기판의 대향면에 형성되며, 상기 캐소드 기판과 대응되는 위치에 도트 형태로 형성되는 투명 도전체로 된 애노드 전극; 상기 애노드 전극 표면에 형성되는 R,G,B 형광체; 및 상기 애노드 전극을 둘러싸도록 형성되는 블랙 매트릭스를 포함하며, 상기 애노드 기판과 애노드 전극 사이에 금속 패턴이 구비되는 것을 특징으로 한다.
상기 금속 패턴은 Cu, Cr, MoW, W, Fe, Al, Au들 중 선택되는 하나의 막 또는 둘 이상의 적층막으로 형성됨이 바람직하다. 또한, 상기 금속 패턴은 5 내지 100㎛의 선폭과, 100 내지 2000Å의 두께로 형성됨이 바람직하다.
상기의 캐소드 전극 구조물은, 하부 기판상에 스트라이프 형태로 형성된 캐소드 전극; 상기 캐소드 전극 상에 형성되며, 캐소드 전극의 일부가 노출되도록 홀을 구비하는 게이트 전극; 및 상기 캐소드 전극 상에 형성되고, 게이트 전극의 홀을 통하여 노출되는 전자 방출용 금속팁으로 구성된다. 아울러, 상기 블랙 매트릭스는 그 내부에 접지된 금속 패턴을 구비할 수 있다.
본 발명에 의하면, 애노드 전극을 캐소드 전극과 대응되는 도트 형태로 형성하고, 애노드 전극 내부 및 양측에 애노드 전극의 전도 특성을 형상시키기 위한 금속 패턴을 형성한다. 이에 따라, 애노드 전극이 도트 형태로 형성되므로써, 해당셀에만 전계가 형성되어, 인접하는 형광체를 여기시킴 없이, 해당셀의 형광체만 발광시킨다. 더욱이, 애노드 전극의 내부 또는 양측에 금속 패턴을 형성하여, 애노드 전극의 전도 특성을 향상시키므로써, 고전압 구동이 가능하다.
(실시예)
이하 첨부한 도면에 의거하여 본 발명의 바람직한 실시예를 자세히 설명하도록 한다.
첨부한 도면 도 2는 본 발명의 일실시예에 따른 전계 방출 표시 소자의 단면도이고, 도 3 및 도 4는 본 발명의 다른 실시예를 설명하기 위한 애노드 기판의 단면도이다.
먼저, 도 2를 참조하여, 캐소드 기판(1)은 종래와 마찬가지로, 스트라이프 형태로 캐소드 전극(2)이 형성된다. 캐소드 전극(2)의 상부에는 게이트 전극(3)이 형성된다. 이때, 게이트 전극(3)에는 캐소드 전극(2)의 소정 부분이 노출시키기 위한 홀이 형성되어 있으며, 노출된 캐소드 전극(2) 상부에는 금속팁(4)이 형성된다. 이때, 금속팁(4)은 공지된 바와 같이 캐소드 전극(2)과 게이트 전극(3) 사이에 전계 발생시, 전자를 방출한다.
한편, 이러한 캐소드 기판(1)과 대향되는 애노드 기판(20)의 구성은 다음과 같다. 애노드 기판(20)의 대향면에는 캐소드 전극(2)과 대응되도록 도트 형태로 애노드 전극(21)이 형성된다. 애노드 전극(21)을 도트 형태로 형성하는 것은 상술한 바와 같이 해당 셀에서만 전계가 형성되어, 형광체들간의 색섞임을 최소화하기 위함이다. 이때, 애노드 전극(21)은 공지된 바와 같이, 투명 도전체, 예를 들어, ITO 물질로 형성되므로, 애노드 전극(21)의 고저항 특성을 낮추기 위하여, 애노드 전극(21)과 애노드 기판(20) 사이에 금속 패턴(22)이 개재된다. 이때, 금속 패턴(22)으로는 Cu, Cr, MoW, W, Fe, Al, Au 중 선택되는 하나의 막 또는 둘 이상의 적층막이 이용되며, 금속 패턴(22)은 5 내지 100㎛의 선폭과, 100 내지 2000Å의 두께로 형성된다. 바람직하게는, 금속 패턴(22)은 캐소드 전극(2)과 동일한 방향으로 연장된다. 이와같이, 고저항을 갖는 애노드 전극(21)과 애노드 기판(20) 사이에는 높은 전도 특성을 갖는 금속 패턴(22)이 개재되므로써, 애노드 전극(21)의 전도 특성이 향상되어, 고전압이 인가되더라도, 애노드 전극(21)이 파괴되지 않는다.
그후, 애노드 전극(21) 표면에 R,G,B 형광체(23a,23b,23c)가 공지의 방법으로 각각 형성된다. 애노드 전극(21) 가장자리에는 형광체들간을 경계짓도록, 블랙 매트릭스(24)가 형성된다. 아울러, 상하 기판(1,20) 사이에는 도면에는 제시되지 않았지만, 스페이서가 개재되어, 기판 사이의 간격을 유지한다.
이러한 구성을 갖는 전계 방출 소자는 캐소드 전극(2)의 팁(4)으로부터 방출,가속된 전자는 형광체(23a,23b,23c)를 여기시켜서, 발광을 일으킨다. 이때, 애노드 전극(21)이 도트 형태로 형성되므로, 전계 역시는 해당 셀에만 형성되어, 인접하는 형광체를 여기시키지 않는다.
또한, 도 3에 도시된 바와 같이, 도트 형태로 패터닝된 애노드 전극(21) 양측에 금속 패턴(22-1,22-2)을 형성하여도 동일한 효과를 발휘한다.
또한, 애노드 전극(21)이 어느 이상으로 가까이 배치되면, 고전압이 인가되는 경우, 애노드 전극(21)간에 진공을 뚫고 경미한 결함을 유발할 수 있다. 이러한 결함을 방지하기 위하여, 도 4에 도시된 바와 같이, 블랙 매트릭스(24) 내부에 금속 패턴(25)을 형성한다. 이때, 금속 패턴(25)은 접지시켜서, 인접하는 애노드 전 극(21)간의 기생 전계의 발생을 최소화한다. 아울러, 접지된 금속 패턴(25)을 구비한 블랙 매트릭스는 상기한 도 3의 구조에도 적용되어 동일한 효과를 거둘 수 있다.
이상에서 자세히 설명된 바와 같이, 본 발명에 의하면, 애노드 전극을 캐소드 전극과 대응되는 도트 형태로 형성하고, 애노드 전극 내부 및 양측에 애노드 전극의 전도 특성을 형상시키기 위한 금속 패턴을 형성한다. 이에 따라, 애노드 전극이 도트 형태로 형성되므로써, 해당셀에만 전계가 형성되어, 인접하는 형광체를 여기시킴 없이, 해당셀의 형광체만 발광시킨다. 더욱이, 애노드 전극의 내부 또는 양측에 금속 패턴을 형성하여, 애노드 전극의 전도 특성을 향상시키므로써, 고전압 구동이 가능하다.
기타, 본 발명은 그 요지를 벗어나지 않는 범위에서 다양하게 변경실시할 수 있다.

Claims (10)

  1. 소정 거리를 두고 대향,대치되는 캐소드 기판과 애노드 기판;
    상기 캐소드 기판의 대향면에 스트라이프 형태로 형성되는 캐소드 전극 구조물;
    상기 애노드 기판의 대향면에 형성되며, 상기 캐소드 기판과 대응되는 위치에 도트 또는 스트립 형태로 형성되는 투명 도전체로 된 애노드 전극;
    상기 애노드 전극 표면에 형성되는 R,G,B 형광체; 및
    상기 애노드 전극을 둘러싸도록 형성되는 블랙 매트릭스를 포함하며,
    상기 애노드 기판과 애노드 전극 사이에 금속 패턴이 구비되는 것을 특징으로 하는 전계 발광 표시 소자.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 금속 패턴은 Cu, Cr, MoW, W, Fe, Al, Au들 중 선택되는 하나의 막 또는 둘 이상의 적층막으로 형성되는 것을 특징으로 하는 전계 발광 표시 소자.
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 금속 패턴은 5 내지 100㎛의 선폭과, 100 내지 2000Å의 두께로 형성되는 것을 특징으로 하는 전계 발광 표시 소자.
  4. 제 1 항에 있어서, 상기 캐소드 전극 구조물은, 하부 기판상에 스트라이프 형태로 형성된 캐소드 전극; 상기 캐소드 전극 상에 형성되며, 캐소드 전극의 일부가 노출되도록 홀을 구비하는 게이트 전극; 및 상기 캐소드 전극 상에 형성되고, 게이트 전극의 홀을 통하여 노출되는 전자 방출용 금속팁을 포함하는 것을 특징으로 하는 전계 방출 표시 소자.
  5. 제 1 항에 있어서, 상기 블랙 매트릭스는 내부에 접지된 금속 패턴을 구비하는 것을 특징으로 하는 전계 방출 표시 소자.
  6. 소정 거리를 두고 대향,대치되는 캐소드 기판과 애노드 기판;
    상기 캐소드 기판의 대향면에 스트라이프 형태로 형성되는 캐소드 전극 구조물;
    상기 애노드 기판의 대향면에 형성되며, 상기 캐소드 기판과 대응되는 위치에 도트 형태로 형성되는 투명 도전체로 된 애노드 전극;
    상기 애노드 전극 표면에 형성되는 R,G,B 형광체; 및
    상기 애노드 전극을 둘러싸도록 형성되는 블랙 매트릭스를 포함하며,
    상기 애노드 기판과 애노드 전극 사이에 금속 패턴이 구비되는 것을 특징으로 하는 전계 발광 표시 소자.
  7. 제 6 항에 있어서, 상기 금속 패턴은 Cu, Cr, MoW, W, Fe, Al, Au들 중 선택되는 하나의 막 또는 둘 이상의 적층막으로 형성되는 것을 특징으로 하는 전계 발광 표시 소자.
  8. 제 6 항 또는 제 7 항에 있어서, 상기 금속 패턴은 5 내지 100㎛의 선폭과, 100 내지 2000Å의 두께로 형성되는 것을 특징으로 하는 전계 발광 표시 소자.
  9. 제 6 항에 있어서, 상기 캐소드 전극 구조물은, 하부 기판상에 스트라이프 형태로 형성된 캐소드 전극; 상기 캐소드 전극 상에 형성되며, 캐소드 전극의 일부가 노출되도록 홀을 구비하는 게이트 전극; 및 상기 캐소드 전극 상에 형성되고, 게이트 전극의 홀을 통하여 노출되는 전자 방출용 금속팁을 포함하는 것을 특징으로 하는 전계 방출 표시 소자.
  10. 제 6 항에 있어서, 상기 블랙 매트릭스는 내부에 접지된 금속 패턴을 구비하는 것을 특징으로 하는 전계 방출 표시 소자.
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