JPH10214581A - 電界放射型ディスプレイ用アノード基板及びその製造方法 - Google Patents
電界放射型ディスプレイ用アノード基板及びその製造方法Info
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- JPH10214581A JPH10214581A JP1865497A JP1865497A JPH10214581A JP H10214581 A JPH10214581 A JP H10214581A JP 1865497 A JP1865497 A JP 1865497A JP 1865497 A JP1865497 A JP 1865497A JP H10214581 A JPH10214581 A JP H10214581A
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- phosphor
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- Formation Of Various Coating Films On Cathode Ray Tubes And Lamps (AREA)
- Cathode-Ray Tubes And Fluorescent Screens For Display (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】アノード電極を走査するタイプのディスプレイ
において、蛍光体表面の帯電を防ぎ、さらに蛍光体の脱
落を防止することができる構成のＦＥＤのアノード基板
を提供する。 【解決手段】ガラス基板１上に形成された複数のアノー
ド電極２と、この複数のアノード電極上に順次塗布され
た赤色、緑色、青色の蛍光体層５とを備えたアノード基
板Ａにおいて、各アノード電極上の蛍光体層表面に、ベ
タ状、又は格子状や網目状あるいはそれらを組み合わせ
たパターン形状の金属製の導電性膜１０が形成されてい
る。
において、蛍光体表面の帯電を防ぎ、さらに蛍光体の脱
落を防止することができる構成のＦＥＤのアノード基板
を提供する。 【解決手段】ガラス基板１上に形成された複数のアノー
ド電極２と、この複数のアノード電極上に順次塗布され
た赤色、緑色、青色の蛍光体層５とを備えたアノード基
板Ａにおいて、各アノード電極上の蛍光体層表面に、ベ
タ状、又は格子状や網目状あるいはそれらを組み合わせ
たパターン形状の金属製の導電性膜１０が形成されてい
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、フラットパネルディス
プレイ型の表示装置である電界放射型ディスプレイに使
用される電界放射型ディスプレイ用アノード基板及びそ
の製造方法に関する。
プレイ型の表示装置である電界放射型ディスプレイに使
用される電界放射型ディスプレイ用アノード基板及びそ
の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】微小電子源アレイの一種である電界放射
型素子アレイ（フィールドエミッタアレイ、ＦＥＡ）と
蛍光体パターンを具備したアノード基板を組み合わせた
電界放射型ディスプレイ（フィールドエミッションディ
スプレイ、ＦＥＤ）は、高輝度・高精細・低消費電力と
いう特徴があり、フラットパネルディスプレイとしての
期待が高まっている。このタイプのディスプレイに関し
ては、既にモノクロやフルカラーのディスプレイが試作
されている。（例えば、IEDM91-p.197に記載。）
型素子アレイ（フィールドエミッタアレイ、ＦＥＡ）と
蛍光体パターンを具備したアノード基板を組み合わせた
電界放射型ディスプレイ（フィールドエミッションディ
スプレイ、ＦＥＤ）は、高輝度・高精細・低消費電力と
いう特徴があり、フラットパネルディスプレイとしての
期待が高まっている。このタイプのディスプレイに関し
ては、既にモノクロやフルカラーのディスプレイが試作
されている。（例えば、IEDM91-p.197に記載。）
【０００３】ＦＥＤでは、電界放射型素子を配列したＦ
ＥＡ（フィールドエミッタアレイ）から電子を放射・制
御して、アノード上の蛍光体を励起して発光を得る。そ
のとき、輝度は、（照射電流密度）×（アノード・エミ
ッタ間電圧）×（蛍光体の発光効率）で決まる。蛍光体
の輝度を稼ぐために、アノード・エミッタ間には通常数
百〜数十ｋＶの電圧をかける。
ＥＡ（フィールドエミッタアレイ）から電子を放射・制
御して、アノード上の蛍光体を励起して発光を得る。そ
のとき、輝度は、（照射電流密度）×（アノード・エミ
ッタ間電圧）×（蛍光体の発光効率）で決まる。蛍光体
の輝度を稼ぐために、アノード・エミッタ間には通常数
百〜数十ｋＶの電圧をかける。
【０００４】図６は、従来のＦＥＤを示す模式図であ
る。このＦＥＤは、ガラス基板９上に各アノード電極に
対向して配列形成されている電界放射型素子６（ＦＥ
Ａ；フィールドエミッタアレイを構成する電子を放射す
る素子）、エミッタ電極４およびゲート電極７が形成さ
れたカソード基板Ｂと、ガラス基板１上にアノード電極
２が形成されたアノード基板Ａとが所定間隔をもって対
向配置されるように構成されている。
る。このＦＥＤは、ガラス基板９上に各アノード電極に
対向して配列形成されている電界放射型素子６（ＦＥ
Ａ；フィールドエミッタアレイを構成する電子を放射す
る素子）、エミッタ電極４およびゲート電極７が形成さ
れたカソード基板Ｂと、ガラス基板１上にアノード電極
２が形成されたアノード基板Ａとが所定間隔をもって対
向配置されるように構成されている。
【０００５】アノード基板Ａには、例えば、ＩＴＯから
なるストライプ状のアノード電極２が形成されていると
共に、アノード電極２上の所定の場所に、それぞれ赤色
（Ｒ）、緑色（Ｇ）、青色（Ｂ）の蛍光体層５が順番に
付着形成されている。
なるストライプ状のアノード電極２が形成されていると
共に、アノード電極２上の所定の場所に、それぞれ赤色
（Ｒ）、緑色（Ｇ）、青色（Ｂ）の蛍光体層５が順番に
付着形成されている。
【０００６】アノード電極２−１、２−４、……には、
例えば赤色（Ｒ）の蛍光体３が付着しており、アノード
電極２ー２、２ー５、……には、例えば緑色（Ｇ）の蛍
光体３が付着しており、アノード電極２−３、２−６、
……には、例えば青色（Ｂ）の蛍光体層５が付着形成さ
れている。
例えば赤色（Ｒ）の蛍光体３が付着しており、アノード
電極２ー２、２ー５、……には、例えば緑色（Ｇ）の蛍
光体３が付着しており、アノード電極２−３、２−６、
……には、例えば青色（Ｂ）の蛍光体層５が付着形成さ
れている。
【０００７】電子を供給するＦＥＡ６はゲート電極７と
エミッタ電極４とによりマトリックスを構成してダイナ
ミック駆動を行えるようにしている。
エミッタ電極４とによりマトリックスを構成してダイナ
ミック駆動を行えるようにしている。
【０００８】ＦＥＡ６から放出された電子は、アノード
電極２に捕獲される。
電極２に捕獲される。
【０００９】このアノード電極２には、正電圧Ｖａを同
色の蛍光体が付着したアノード電極２毎に選択印加して
いる。
色の蛍光体が付着したアノード電極２毎に選択印加して
いる。
【００１０】つまり、アノード電極２−１、２−４、…
…には、アノード引き出し電極３−１を共通接続し、ア
ノード電極２ー２、２ー５、……には、アノード引き出
し電極３−２を共通接続し、アノード電極２−３、２−
６、……には、アノード引き出し電極３−３を共通接続
している。
…には、アノード引き出し電極３−１を共通接続し、ア
ノード電極２ー２、２ー５、……には、アノード引き出
し電極３−２を共通接続し、アノード電極２−３、２−
６、……には、アノード引き出し電極３−３を共通接続
している。
【００１１】これらのアノード引き出し電極３−１〜３
−３を順次選択してアノード電圧Ｖａを印加することに
より、Ｒ、Ｇ、Ｂの選択を行っている。
−３を順次選択してアノード電圧Ｖａを印加することに
より、Ｒ、Ｇ、Ｂの選択を行っている。
【００１２】これにより、フルカラーの画像をアノード
基板１上に得ることができ、この画像は透明のアノード
基板１を介して観察される。
基板１上に得ることができ、この画像は透明のアノード
基板１を介して観察される。
【００１３】このように、図６に示すフルカラーのディ
スプレイ装置はアノード電極２を選択駆動するタイプと
されている。
スプレイ装置はアノード電極２を選択駆動するタイプと
されている。
【００１４】ところで、フルカラーのディスプレイは、
他にアノード電極を走査することに替えて、エミッタ電
極をＲ、Ｇ、Ｂの蛍光体に対応して設けるタイプもあ
る。
他にアノード電極を走査することに替えて、エミッタ電
極をＲ、Ｇ、Ｂの蛍光体に対応して設けるタイプもあ
る。
【００１５】このタイプのディスプレイにおいては、ア
ノード基板に形成されているアノード電極は分割されて
おらずベタに形成されており、このアノード電極上に、
Ｒ、Ｇ、Ｂの蛍光体が塗布されている。
ノード基板に形成されているアノード電極は分割されて
おらずベタに形成されており、このアノード電極上に、
Ｒ、Ｇ、Ｂの蛍光体が塗布されている。
【００１６】一方、ＦＥＡが形成されているカソード基
板上には、アノード基板上に塗布されている蛍光体の
Ｒ、Ｇ、Ｂに対応するようＦＥＡがゲート電極とエミッ
タ電極とによりマトリックスを構成して形成されてい
る。
板上には、アノード基板上に塗布されている蛍光体の
Ｒ、Ｇ、Ｂに対応するようＦＥＡがゲート電極とエミッ
タ電極とによりマトリックスを構成して形成されてい
る。
【００１７】エミッタ電極は、アノード電極に塗布され
ているＲ、Ｇ、Ｂの３本の蛍光体に対応するエミッタ電
極毎に順次走査される。このため、選択されたエミッタ
電極に対応するＲ、Ｇ、Ｂの蛍光体が順次発光するよう
になる。
ているＲ、Ｇ、Ｂの３本の蛍光体に対応するエミッタ電
極毎に順次走査される。このため、選択されたエミッタ
電極に対応するＲ、Ｇ、Ｂの蛍光体が順次発光するよう
になる。
【００１８】しかし、後者のアノード電極を走査しない
タイプのディスプレイにおいては、ＦＥＡから放出され
る電子は、通常広がりを持って放出されることから、隣
接している蛍光体が漏れ発光する恐れがあり、このた
め、色がぼける欠点を有している。
タイプのディスプレイにおいては、ＦＥＡから放出され
る電子は、通常広がりを持って放出されることから、隣
接している蛍光体が漏れ発光する恐れがあり、このた
め、色がぼける欠点を有している。
【００１９】
【発明が解決しようとする課題】アノード電圧に数ｋＶ
〜数十ｋＶの高電圧を印加する場合、金属膜（メタルバ
ック）を通しての励起によっても帯電を除去することが
できる。しかし、図６に示したアノード電極を走査する
タイプのディスプレイにおいては、アノード電極を各色
毎に絶縁する必要があり、ベタの金属膜を使用すること
はできなかった。
〜数十ｋＶの高電圧を印加する場合、金属膜（メタルバ
ック）を通しての励起によっても帯電を除去することが
できる。しかし、図６に示したアノード電極を走査する
タイプのディスプレイにおいては、アノード電極を各色
毎に絶縁する必要があり、ベタの金属膜を使用すること
はできなかった。
【００２０】アノード電圧に数ｋＶ以下の低電圧を印加
する場合、２次電子放出率が１以下となり、蛍光体表面
に負電荷が蓄積して、もはや定常的な電子線励起が困難
になる。しかし、入射電子の侵入深さが極めて浅いため
に金属膜（メタルバック）を使用することができなかっ
た。
する場合、２次電子放出率が１以下となり、蛍光体表面
に負電荷が蓄積して、もはや定常的な電子線励起が困難
になる。しかし、入射電子の侵入深さが極めて浅いため
に金属膜（メタルバック）を使用することができなかっ
た。
【００２１】さらに、上記に記載した従来のＦＥＤのア
ノード基板では、蛍光体が脱落した場合、蛍光体がカソ
ード基板上に落ち、ＦＥＡ６、ゲート電極７、エミッタ
電極４が蛍光体を介して短絡することが問題であった。
ノード基板では、蛍光体が脱落した場合、蛍光体がカソ
ード基板上に落ち、ＦＥＡ６、ゲート電極７、エミッタ
電極４が蛍光体を介して短絡することが問題であった。
【００２２】本発明は、アノード電極を走査するタイプ
のディスプレイにおいて、上記の問題点を解消する為に
なされたものであって、蛍光体表面の帯電を防ぎ、さら
に蛍光体の脱落を防止することができる構成のＦＥＤの
電界放射型ディスプレイ用アノード基板を提供すること
を目的とする。
のディスプレイにおいて、上記の問題点を解消する為に
なされたものであって、蛍光体表面の帯電を防ぎ、さら
に蛍光体の脱落を防止することができる構成のＦＥＤの
電界放射型ディスプレイ用アノード基板を提供すること
を目的とする。
【００２３】
【課題を解決するための手段】本発明において上記課題
を達成するために、まず第１の発明は、ガラス基板１上
に形成された複数のアノード電極２と、この複数のアノ
ード電極２上に順次塗布された赤色用、緑色用、青色用
の各々蛍光体層５とを備えたアノード基板において、各
アノード電極２上の蛍光体層５の表面に金属製の導電性
膜１０を形成したことを特徴とする電界放射型ディスプ
レイ用アノード基板である。
を達成するために、まず第１の発明は、ガラス基板１上
に形成された複数のアノード電極２と、この複数のアノ
ード電極２上に順次塗布された赤色用、緑色用、青色用
の各々蛍光体層５とを備えたアノード基板において、各
アノード電極２上の蛍光体層５の表面に金属製の導電性
膜１０を形成したことを特徴とする電界放射型ディスプ
レイ用アノード基板である。
【００２４】また本発明は、上記第１の発明のアノード
基板において、前記各々蛍光体層５上の導電性膜１０
が、ベタ状になっていることを特徴とする電界放射型デ
ィスプレイ用アノード基板である。
基板において、前記各々蛍光体層５上の導電性膜１０
が、ベタ状になっていることを特徴とする電界放射型デ
ィスプレイ用アノード基板である。
【００２５】また本発明は、上記第１の発明のアノード
基板において、前記各々蛍光体層５上の導電性膜１０
が、格子状、網目状、あるいはそれらを組み合わせたパ
ターン形状になっていることを特徴とする電界放射型デ
ィスプレイ用アノード基板である。
基板において、前記各々蛍光体層５上の導電性膜１０
が、格子状、網目状、あるいはそれらを組み合わせたパ
ターン形状になっていることを特徴とする電界放射型デ
ィスプレイ用アノード基板である。
【００２６】また本発明は、上記第１の発明のアノード
基板において、前記各々蛍光体層５上のパターン形状に
なっている導電性膜１０の孔の短径が蛍光体の平均粒径
の90％以下であることを特徴とする電界放射型ディスプ
レイ用アノード基板である。
基板において、前記各々蛍光体層５上のパターン形状に
なっている導電性膜１０の孔の短径が蛍光体の平均粒径
の90％以下であることを特徴とする電界放射型ディスプ
レイ用アノード基板である。
【００２７】次に、本発明の第２の発明は、基板１上に
アノード電極２をパターン形成する工程、蛍光体層５を
パターン形成する工程、金属製の導電性膜を形成する工
程、アノード電極とアノード電極上の蛍光体層を被うレ
ジストパターンを形成する工程、前記導電性膜の不要な
部分を除去する工程、前記レジストパターンを除去する
工程を含むことを特徴とする電界放射型ディスプレイ用
アノード基板の製造方法である。
アノード電極２をパターン形成する工程、蛍光体層５を
パターン形成する工程、金属製の導電性膜を形成する工
程、アノード電極とアノード電極上の蛍光体層を被うレ
ジストパターンを形成する工程、前記導電性膜の不要な
部分を除去する工程、前記レジストパターンを除去する
工程を含むことを特徴とする電界放射型ディスプレイ用
アノード基板の製造方法である。
【００２８】また本発明は、上記第２の発明のアノード
基板の製造方法において、前記アノード電極とアノード
電極上の蛍光体層を被う金属製の導電性膜を、格子状、
網目状、あるいはそれらを組み合わせた形状にパターン
形成することを特徴とする電界放射型ディスプレイ用ア
ノード基板の製造方法である。
基板の製造方法において、前記アノード電極とアノード
電極上の蛍光体層を被う金属製の導電性膜を、格子状、
網目状、あるいはそれらを組み合わせた形状にパターン
形成することを特徴とする電界放射型ディスプレイ用ア
ノード基板の製造方法である。
【００２９】
【作用】本発明によれば、アノード電圧に数ＫＶ〜数十
ＫＶの高電圧を印加する場合、アノード電極と蛍光体を
被うように各アノード電極毎に導電性膜を形成すること
によって、蛍光体表面の帯電を防ぎ、蛍光体の脱落を防
止することができる。
ＫＶの高電圧を印加する場合、アノード電極と蛍光体を
被うように各アノード電極毎に導電性膜を形成すること
によって、蛍光体表面の帯電を防ぎ、蛍光体の脱落を防
止することができる。
【００３０】アノード電圧に数ＫＶ以下の低電圧を印加
する場合、上記金属膜を格子状、網目状あるいそれらを
組み合わせた形状に形成することによって、蛍光体表面
の帯電の低減と発光を両立させ、かつ蛍光体の脱落を防
止することができる。
する場合、上記金属膜を格子状、網目状あるいそれらを
組み合わせた形状に形成することによって、蛍光体表面
の帯電の低減と発光を両立させ、かつ蛍光体の脱落を防
止することができる。
【００３１】
【発明の実施の形態】図１または図２は、第１の発明の
アノード基板Ａの実施の形態を示し、ガラス基板１上に
形成された複数のパターン状アノード電極２（各々アノ
ード電極２−１、２−２、２−３、・・・）と、この複
数のアノード電極２上に順次塗布されたそれぞれ赤色
用、緑色用、青色用蛍光体による蛍光体層５（各々蛍光
体層５−１、５−２、５−３、・・・）とを備えたアノ
ード基板Ａであり、各アノード電極２上の蛍光体層５の
表面にはそれぞれ金属製の導電性膜１０が形成されてい
るものである。
アノード基板Ａの実施の形態を示し、ガラス基板１上に
形成された複数のパターン状アノード電極２（各々アノ
ード電極２−１、２−２、２−３、・・・）と、この複
数のアノード電極２上に順次塗布されたそれぞれ赤色
用、緑色用、青色用蛍光体による蛍光体層５（各々蛍光
体層５−１、５−２、５−３、・・・）とを備えたアノ
ード基板Ａであり、各アノード電極２上の蛍光体層５の
表面にはそれぞれ金属製の導電性膜１０が形成されてい
るものである。
【００３２】この実施の形態では蛍光体層５としては、
それぞれ赤色（Ｙ2 Ｏ3 ：Ｅｕ）、緑色（ＺｎＯ：Ｚ
ｎ）、青色（Ｙ2 ＳｉＯ5 ：Ｃｅ）を使用するが、他の
公知の蛍光体を使用しても良い。
それぞれ赤色（Ｙ2 Ｏ3 ：Ｅｕ）、緑色（ＺｎＯ：Ｚ
ｎ）、青色（Ｙ2 ＳｉＯ5 ：Ｃｅ）を使用するが、他の
公知の蛍光体を使用しても良い。
【００３３】なお、上記アノード基板Ａの対向電極とし
て使用する後述のカソード基板上に前記各アノード電極
２に対向して配列形成される電界放射型素子（ＦＥＡ；
フィールドエミッタアレイを構成する電子を放射する素
子）としては、電子を放射する先端部が鈍角の鈍角エッ
ジ型（特願平７−７２１２１）を使用するが、他の形
状、例えばコーン型等を用いても良い。
て使用する後述のカソード基板上に前記各アノード電極
２に対向して配列形成される電界放射型素子（ＦＥＡ；
フィールドエミッタアレイを構成する電子を放射する素
子）としては、電子を放射する先端部が鈍角の鈍角エッ
ジ型（特願平７−７２１２１）を使用するが、他の形
状、例えばコーン型等を用いても良い。
【００３４】次に、上記図１または図２に示した第１の
発明のアノード基板１を製造するための第２の発明のア
ノード基板の製造方法を、図３（ａ）〜（ｄ）を用いて
説明する。
発明のアノード基板１を製造するための第２の発明のア
ノード基板の製造方法を、図３（ａ）〜（ｄ）を用いて
説明する。
【００３５】先ず、図３（ａ）に示すように、予め表面
にＩＴＯ膜（透明導電膜）の形成されているガラス基板
１を用意し、フォトリソグラフィ法およびウェットエッ
チング法によって、そのＩＴＯ膜をアノード電極パター
ン状にパターン形成し、アノード電極２（各々アノード
電極２−１、２−２、２−３、・・・）を形成する。そ
のアノード電極２は、各色（Ｒ、Ｇ、Ｂ）毎にアノード
引き出し電極に共通接続する。
にＩＴＯ膜（透明導電膜）の形成されているガラス基板
１を用意し、フォトリソグラフィ法およびウェットエッ
チング法によって、そのＩＴＯ膜をアノード電極パター
ン状にパターン形成し、アノード電極２（各々アノード
電極２−１、２−２、２−３、・・・）を形成する。そ
のアノード電極２は、各色（Ｒ、Ｇ、Ｂ）毎にアノード
引き出し電極に共通接続する。
【００３６】次に、同図３（ａ）に示すように、電着法
などにより、所定パターンのアノード電極２上に、赤色
用、緑色用、青色用蛍光体による蛍光体層５（各々蛍光
体層５−１、５−２、５−３、・・・）蛍光体層５を順
次３色毎の繰り返しにて形成する。蛍光体には分級を行
って、粒度分布を小さくしたものを使用する。
などにより、所定パターンのアノード電極２上に、赤色
用、緑色用、青色用蛍光体による蛍光体層５（各々蛍光
体層５−１、５−２、５−３、・・・）蛍光体層５を順
次３色毎の繰り返しにて形成する。蛍光体には分級を行
って、粒度分布を小さくしたものを使用する。
【００３７】次に、図３（ｂ）に示すように、蛍光体層
５の上に、蒸着方式にて膜厚５０ｎｍのアルミニウム蒸
着による金属膜を導電性膜１０として形成する。この導
電性膜１０には、なるべく小さい比重（例えば１．０〜
３．０ｇ／ｃｍ3 程度）の金属膜が使用され、これによ
って入射電子のエネルギー損失が少なくなる。なお、最
適比重の実施態様としては、１．７〜２．７ｇ／ｃｍ3
程度が適当である。
５の上に、蒸着方式にて膜厚５０ｎｍのアルミニウム蒸
着による金属膜を導電性膜１０として形成する。この導
電性膜１０には、なるべく小さい比重（例えば１．０〜
３．０ｇ／ｃｍ3 程度）の金属膜が使用され、これによ
って入射電子のエネルギー損失が少なくなる。なお、最
適比重の実施態様としては、１．７〜２．７ｇ／ｃｍ3
程度が適当である。
【００３８】次に、図３（ｃ）に示すように、導電性膜
１０上にレジスト１１を塗布し、フォトリソグラフィ方
式によって所定のレジストパターンを形成する。レジス
トパターンは、アノード電極２上の蛍光体層５を被覆し
ているレジストパターン部分において、導電性膜１０
（金属膜）の孔の短径が、蛍光体の平均粒径の９０％以
下のパターンになるように設計される。
１０上にレジスト１１を塗布し、フォトリソグラフィ方
式によって所定のレジストパターンを形成する。レジス
トパターンは、アノード電極２上の蛍光体層５を被覆し
ているレジストパターン部分において、導電性膜１０
（金属膜）の孔の短径が、蛍光体の平均粒径の９０％以
下のパターンになるように設計される。
【００３９】次に、図３（ｄ）に示すように、前記導電
性膜１０をウェットエッチングし、その導電性膜１０の
不要な部分を除去する。その後、レジスト１１を剥が
し、本発明のアノード基板Ａを形成する。
性膜１０をウェットエッチングし、その導電性膜１０の
不要な部分を除去する。その後、レジスト１１を剥が
し、本発明のアノード基板Ａを形成する。
【００４０】こうして作製したアノード基板Ａを、図５
に示すカソード基板用Ｂに形成された前記各アノード電
極２に対向して配列形成される電界放射型素子６（ＦＥ
Ａ；フィールドエミッタアレイを構成する電子を放射す
る素子）、エミッタ電極４およびゲート電極７が形成さ
れたカソード基板Ｂと位置合わせし、低融点ガラスを用
いてパネル化する。
に示すカソード基板用Ｂに形成された前記各アノード電
極２に対向して配列形成される電界放射型素子６（ＦＥ
Ａ；フィールドエミッタアレイを構成する電子を放射す
る素子）、エミッタ電極４およびゲート電極７が形成さ
れたカソード基板Ｂと位置合わせし、低融点ガラスを用
いてパネル化する。
【００４１】なお、導電性膜１０を形成するための金属
には、アルミニウム以外に、Ｃｒ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、
Ｐｔ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｍｏ、Ｎｂなど
の金属、あるいはその合金が使用でき、またその他の合
金としては、例えばＡｌ−Ｍｇ、Ａｌ−Ｌｉなどが使用
できる。
には、アルミニウム以外に、Ｃｒ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、
Ｐｔ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｍｏ、Ｎｂなど
の金属、あるいはその合金が使用でき、またその他の合
金としては、例えばＡｌ−Ｍｇ、Ａｌ−Ｌｉなどが使用
できる。
【００４２】なお、アノード電極２と蛍光体層５を被う
ように、格子状、網目状、あるいはそれらを組み合わせ
たパターン形状の導電性膜１０を形成する工程は、前記
実施の形態１のフォトリソ、エッチングを利用した工程
以外にも、リフトオフを利用した工程、マスク蒸着を利
用した工程などを使用できる。
ように、格子状、網目状、あるいはそれらを組み合わせ
たパターン形状の導電性膜１０を形成する工程は、前記
実施の形態１のフォトリソ、エッチングを利用した工程
以外にも、リフトオフを利用した工程、マスク蒸着を利
用した工程などを使用できる。
【００４３】図４は、本発明の他の実施の形態を示し、
各アノード電極２と蛍光体層５を被う導電性膜１０が、
上記のようなパターン状には形成されておらず、ベタ状
に形成されていて、孔を有しないこと以外は、上記実施
の形態と同様である。
各アノード電極２と蛍光体層５を被う導電性膜１０が、
上記のようなパターン状には形成されておらず、ベタ状
に形成されていて、孔を有しないこと以外は、上記実施
の形態と同様である。
【００４４】図５（ａ）〜（ｄ）は、第２の発明のアノ
ード基板の製造方法の他の実施の形態を説明する模式側
面図であり、各アノード電極２と蛍光体層５を被う導電
性膜１０をベタ状に形成する場合の製造方法である。
ード基板の製造方法の他の実施の形態を説明する模式側
面図であり、各アノード電極２と蛍光体層５を被う導電
性膜１０をベタ状に形成する場合の製造方法である。
【００４５】先ず、図５（ａ）に示すように、予め表面
にＩＴＯ膜（透明導電膜）の形成されているガラス基板
１を用意し、フォトリソグラフィ法およびウェットエッ
チング法によって、そのＩＴＯ膜をアノード電極パター
ン状にパターン形成し、アノード電極２（各々アノード
電極２−１、２−２、２−３、・・・）を形成する。そ
のアノード電極２は、各色（Ｒ、Ｇ、Ｂ）毎にアノード
引き出し電極に共通接続する。
にＩＴＯ膜（透明導電膜）の形成されているガラス基板
１を用意し、フォトリソグラフィ法およびウェットエッ
チング法によって、そのＩＴＯ膜をアノード電極パター
ン状にパターン形成し、アノード電極２（各々アノード
電極２−１、２−２、２−３、・・・）を形成する。そ
のアノード電極２は、各色（Ｒ、Ｇ、Ｂ）毎にアノード
引き出し電極に共通接続する。
【００４６】次に、同図５（ａ）に示すように、電着法
などにより、所定パターンのアノード電極２上に、赤色
用、緑色用、青色用蛍光体による蛍光体層５（各々蛍光
体層５−１、５−２、５−３、・・・）蛍光体層５を順
次３色毎の繰り返しにて形成する。蛍光体には分級を行
って、粒度分布を小さくしたものを使用する。
などにより、所定パターンのアノード電極２上に、赤色
用、緑色用、青色用蛍光体による蛍光体層５（各々蛍光
体層５−１、５−２、５−３、・・・）蛍光体層５を順
次３色毎の繰り返しにて形成する。蛍光体には分級を行
って、粒度分布を小さくしたものを使用する。
【００４７】次に、図５（ｂ）に示すように、蛍光体層
５の上に、蒸着方式にて膜厚５０ｎｍのアルミニウム蒸
着による金属膜を導電性膜１０として形成する。この導
電性膜１０には、なるべく小さい比重（例えば、比重；
１．７〜２．７ｇ／ｃｍ3 程度が適当）の金属製膜が使
用され、これによって入射電子のエネルギー損失が少な
くなる。
５の上に、蒸着方式にて膜厚５０ｎｍのアルミニウム蒸
着による金属膜を導電性膜１０として形成する。この導
電性膜１０には、なるべく小さい比重（例えば、比重；
１．７〜２．７ｇ／ｃｍ3 程度が適当）の金属製膜が使
用され、これによって入射電子のエネルギー損失が少な
くなる。
【００４８】次に、図３（ｃ）に示すように、金属製の
導電性膜１０上にレジスト１１を塗布し、フォトリソグ
ラフィ方式によって所定のレジストパターンを形成す
る。このレジストパターンは、アノード電極２上の蛍光
体層５を被覆しているレジスト１１がベタ状になるよう
に形成される。
導電性膜１０上にレジスト１１を塗布し、フォトリソグ
ラフィ方式によって所定のレジストパターンを形成す
る。このレジストパターンは、アノード電極２上の蛍光
体層５を被覆しているレジスト１１がベタ状になるよう
に形成される。
【００４９】次に、図３（ｄ）に示すように、前記導電
性膜１０をウェットエッチングし、その導電性膜１０の
不要な部分（各々アノード電極２−１、２−２、２−
３、・・・・・の間の部分）を除去する。その後、レジ
スト１１を剥がし、本発明のアノード基板Ａを形成す
る。
性膜１０をウェットエッチングし、その導電性膜１０の
不要な部分（各々アノード電極２−１、２−２、２−
３、・・・・・の間の部分）を除去する。その後、レジ
スト１１を剥がし、本発明のアノード基板Ａを形成す
る。
【００５０】
【発明の効果】本発明によれば、アノード電圧に数ｋＶ
〜数十ｋＶの高電圧を印加する場合、アノード電極と蛍
光体層を被うように各アノード毎に、比較的比重の小さ
い金属製の導電性膜をベタ状又はパターン状に形成する
ことによって、蛍光体層（特にその層表面）の帯電を防
ぎ、蛍光体層からの蛍光体の脱落を防止することができ
る。
〜数十ｋＶの高電圧を印加する場合、アノード電極と蛍
光体層を被うように各アノード毎に、比較的比重の小さ
い金属製の導電性膜をベタ状又はパターン状に形成する
ことによって、蛍光体層（特にその層表面）の帯電を防
ぎ、蛍光体層からの蛍光体の脱落を防止することができ
る。
【００５１】また、アノード電圧に数ｋＶ以下の低電圧
を印加する場合、上記金属膜による導電性膜を、特に、
格子状、網目状あるいそれらを組み合わせたパターン形
状に形成することによって、蛍光体層表面の帯電の低減
と発光を両立させ、且つ、蛍光体の脱落を防止すること
ができる効果がある。
を印加する場合、上記金属膜による導電性膜を、特に、
格子状、網目状あるいそれらを組み合わせたパターン形
状に形成することによって、蛍光体層表面の帯電の低減
と発光を両立させ、且つ、蛍光体の脱落を防止すること
ができる効果がある。
【図１】第１の発明のアノード基板の実施の形態におけ
るアノード電極とその上にパターン状に被覆された導電
性膜とを説明する模式平面図。
るアノード電極とその上にパターン状に被覆された導電
性膜とを説明する模式平面図。
【図２】第１の発明のアノード基板の他の実施の形態に
おけるアノード電極とその上にパターン状に被覆された
導電性膜とを説明する模式平面図。
おけるアノード電極とその上にパターン状に被覆された
導電性膜とを説明する模式平面図。
【図３】（ａ）〜（ｄ）は、第２の発明のアノード基板
の製造方法の実施の形態を説明する模式側面図。
の製造方法の実施の形態を説明する模式側面図。
【図４】第１の発明のアノード基板の他の実施の形態に
おけるアノード電極とその上にパターン形成せずに被覆
された導電性膜とを説明する模式平面図。
おけるアノード電極とその上にパターン形成せずに被覆
された導電性膜とを説明する模式平面図。
【図５】（ａ）〜（ｄ）は、第２の発明のアノード基板
の製造方法の他の実施の形態を説明する模式側面図。
の製造方法の他の実施の形態を説明する模式側面図。
【図６】一般的なＦＥＤの駆動方式を示す模式側面図。
Ａ…アノード基板 Ｂ…カソード基板 １…ガラス基板 ２…アノード電極 ３…アノード引き
出し電極 ４…エミッタ電極 ５…蛍光体層 ６…ＦＥＡ ７…ゲ
ート電極 ９…ガラス基板 １０…導電性膜 １１…レジスト
出し電極 ４…エミッタ電極 ５…蛍光体層 ６…ＦＥＡ ７…ゲ
ート電極 ９…ガラス基板 １０…導電性膜 １１…レジスト
Claims (6)
- 【請求項１】ガラス基板１上に形成された複数のアノー
ド電極２と、この複数のアノード電極２上に順次塗布さ
れた赤色用、緑色用、青色用の各々蛍光体層５とを備え
たアノード基板において、各アノード電極２上の蛍光体
層５の表面に金属製の導電性膜１０を形成したことを特
徴とする電界放射型ディスプレイ用アノード基板。 - 【請求項２】前記各々蛍光体層５上の導電性膜１０が、
ベタ状になっていることを特徴とする請求項１記載の電
界放射型ディスプレイ用アノード基板。 - 【請求項３】前記各々蛍光体層５上の導電性膜１０が、
格子状、網目状、あるいはそれらを組み合わせたパター
ン形状になっていることを特徴とする請求項１記載の電
界放射型ディスプレイ用アノード基板。 - 【請求項４】前記各々蛍光体層５上のパターン形状にな
っている導電性膜１０の孔の短径が蛍光体の平均粒径の
90％以下であることを特徴とする請求項３記載の電界放
射型ディスプレイ用アノード基板。 - 【請求項５】基板１上にアノード電極２をパターン形成
する工程、蛍光体層５をパターン形成する工程、金属製
の導電性膜を形成する工程、アノード電極とアノード電
極上の蛍光体層を被うレジストパターンを形成する工
程、前記導電性膜の不要な部分を除去する工程、前記レ
ジストパターンを除去する工程を含むことを特徴とする
電界放射型ディスプレイ用アノード基板の製造方法。 - 【請求項６】前記アノード電極とアノード電極上の蛍光
体層を被う金属製の導電性膜を、格子状、網目状、ある
いはそれらを組み合わせた形状にパターン形成すること
を特徴とする請求項５記載の電界放射型ディスプレイ用
アノード基板の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1865497A JPH10214581A (ja) | 1997-01-31 | 1997-01-31 | 電界放射型ディスプレイ用アノード基板及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1865497A JPH10214581A (ja) | 1997-01-31 | 1997-01-31 | 電界放射型ディスプレイ用アノード基板及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10214581A true JPH10214581A (ja) | 1998-08-11 |
Family
ID=11977616
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1865497A Pending JPH10214581A (ja) | 1997-01-31 | 1997-01-31 | 電界放射型ディスプレイ用アノード基板及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10214581A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2005038850A1 (ja) * | 2003-10-17 | 2005-04-28 | Kabushiki Kaisha Toshiba | 画像表示装置 |
| KR100542317B1 (ko) * | 1999-12-24 | 2006-01-12 | 비오이 하이디스 테크놀로지 주식회사 | 전계 방출 표시 소자 |
-
1997
- 1997-01-31 JP JP1865497A patent/JPH10214581A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100542317B1 (ko) * | 1999-12-24 | 2006-01-12 | 비오이 하이디스 테크놀로지 주식회사 | 전계 방출 표시 소자 |
| WO2005038850A1 (ja) * | 2003-10-17 | 2005-04-28 | Kabushiki Kaisha Toshiba | 画像表示装置 |
| US7221085B2 (en) | 2003-10-17 | 2007-05-22 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Image display device that includes a metal back layer with gaps |
| KR100761578B1 (ko) * | 2003-10-17 | 2007-09-27 | 가부시끼가이샤 도시바 | 화상 표시 장치 |
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