JP2002164169A - 電界発光素子の陰極電極の形成方法 - Google Patents
電界発光素子の陰極電極の形成方法Info
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 35
- 238000005192 partition Methods 0.000 claims abstract description 26
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 22
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 21
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 21
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 13
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims abstract description 4
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 17
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 16
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 10
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 10
- 230000002745 absorbent Effects 0.000 claims description 5
- 239000002250 absorbent Substances 0.000 claims description 5
- 239000002775 capsule Substances 0.000 claims description 5
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 abstract 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 6
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 5
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 3
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 2
- 229910021645 metal ion Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 2
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 2
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 2
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 1
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 1
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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- H10K71/231—Changing the shape of the active layer in the devices, e.g. patterning by etching of existing layers
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- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/17—Passive-matrix OLED displays
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 微細パターンの陰極電極を形成できる電界発
光素子の陰極電極の形成方法を提供する。 【解決手段】 透明絶縁基板２１上に陽極電極２２を形
成する段階と、前記基板上に、前記陽極電極と交叉し且
つピクセル形成領域を限定するストライプ構造の絶縁隔
壁２３を形成する段階と、前記絶縁隔壁によって所定距
離で離隔するように有機薄膜ピクセル２４を形成する段
階と、前記有機薄膜ピクセルを形成する段階までの結果
物の全面にカソード型金属膜２５を蒸着する段階と、前
記カソード型金属膜にレーザを用いたエッチング工程を
実施して、前記絶縁隔壁の所定部分を露出させる陰極電
極２５ａを形成する段階とを含む。
光素子の陰極電極の形成方法を提供する。 【解決手段】 透明絶縁基板２１上に陽極電極２２を形
成する段階と、前記基板上に、前記陽極電極と交叉し且
つピクセル形成領域を限定するストライプ構造の絶縁隔
壁２３を形成する段階と、前記絶縁隔壁によって所定距
離で離隔するように有機薄膜ピクセル２４を形成する段
階と、前記有機薄膜ピクセルを形成する段階までの結果
物の全面にカソード型金属膜２５を蒸着する段階と、前
記カソード型金属膜にレーザを用いたエッチング工程を
実施して、前記絶縁隔壁の所定部分を露出させる陰極電
極２５ａを形成する段階とを含む。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、電界発光素子の製
造方法に関し、より詳しくは微細パターンの陰極電極を
形成できる電界発光素子の陰極電極の形成方法に関す
る。
造方法に関し、より詳しくは微細パターンの陰極電極を
形成できる電界発光素子の陰極電極の形成方法に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】一般に知られているように、次世代映像
表示装置として注目されている自己発光素子である有機
電界発光（Ｏｒｇａｎｉｃ Ｅｌｅｃｔｏｒｏ Ｌｕｍ
ｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）素子は、透明基板上に陽極電極、
有機薄膜層及び陰極電極が順に積層された構造をもって
製作される。かかる構造を有する受動マトリックスパネ
ルにおいて、ピクセルのサイズは、互いに交叉するよう
に形成された陰極電極と陽極電極の線幅により定められ
るが、高解像度の有機ＥＬパネルを製作するためには、
アノード型画素電極及びカソード型金属膜の微細パター
ンが要求される。
表示装置として注目されている自己発光素子である有機
電界発光（Ｏｒｇａｎｉｃ Ｅｌｅｃｔｏｒｏ Ｌｕｍ
ｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）素子は、透明基板上に陽極電極、
有機薄膜層及び陰極電極が順に積層された構造をもって
製作される。かかる構造を有する受動マトリックスパネ
ルにおいて、ピクセルのサイズは、互いに交叉するよう
に形成された陰極電極と陽極電極の線幅により定められ
るが、高解像度の有機ＥＬパネルを製作するためには、
アノード型画素電極及びカソード型金属膜の微細パター
ンが要求される。
【０００３】現在画素電極の微細パターンは、リソグラ
フィ工程により陽極電極を形成することが可能である
が、陰極電極の場合、シャドーマスクを用いたり、マス
クを用いることなく陰極分離隔壁を形成して陰極を微細
パターニングしている。前記陰極分離隔壁を用いた陰極
形成方法は、日本国の有機ＥＬパネルメーカーであるパ
イオニアにおいて特許出願がなされている。
フィ工程により陽極電極を形成することが可能である
が、陰極電極の場合、シャドーマスクを用いたり、マス
クを用いることなく陰極分離隔壁を形成して陰極を微細
パターニングしている。前記陰極分離隔壁を用いた陰極
形成方法は、日本国の有機ＥＬパネルメーカーであるパ
イオニアにおいて特許出願がなされている。
【０００４】図１及び図２は、従来技術による電界発光
素子の陰極電極の形成方法を説明するための断面図であ
る。従来技術による電界発光素子の陰極電極の形成方法
は、図１に示すように、まずストライプ形態の陽極電極
１２と有機薄膜層１３が形成された透明絶縁基板１１を
用意する。その後、有機薄膜層１３の上部に、後続の工
程で陰極電極パターンを形成するためのシャドーマスク
１４を設ける。次に、図２に示すように、陽極電極１２
と有機薄膜層１３を含む透明絶縁基板１１を、有機薄膜
層１３を下向きにして真空蒸着装置に装入する。その
後、真空蒸着装置の下部に設けられた金属ソース部Ｓか
らシャドーマスク１４が設けられた透明絶縁基板１１上
に気化した金属イオンを蒸着し、パターンエッチングし
て陰極電極パターン（図示せず）を形成することによ
り、有機ＥＬ素子である電界発光素子を完成する。
素子の陰極電極の形成方法を説明するための断面図であ
る。従来技術による電界発光素子の陰極電極の形成方法
は、図１に示すように、まずストライプ形態の陽極電極
１２と有機薄膜層１３が形成された透明絶縁基板１１を
用意する。その後、有機薄膜層１３の上部に、後続の工
程で陰極電極パターンを形成するためのシャドーマスク
１４を設ける。次に、図２に示すように、陽極電極１２
と有機薄膜層１３を含む透明絶縁基板１１を、有機薄膜
層１３を下向きにして真空蒸着装置に装入する。その
後、真空蒸着装置の下部に設けられた金属ソース部Ｓか
らシャドーマスク１４が設けられた透明絶縁基板１１上
に気化した金属イオンを蒸着し、パターンエッチングし
て陰極電極パターン（図示せず）を形成することによ
り、有機ＥＬ素子である電界発光素子を完成する。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】図３及び図４は、従来
技術による電界発光素子の陰極電極の形成方法での問題
点を説明するための断面図である。従来の電界発光素子
の陰極形成方法においては、次のような問題点がある。
第一に、シャドーマスクを用いて陰極電極を形成する方
法では、シャドーマスクの正確な位置決め及び透明絶縁
基板とシャドーマスクとの正確なコンタクトが要求され
る。そこで、画素のサイズが小さくなり、パネルが中・
大型化するほどシャドーマスクの位置ずれ及び透明絶縁
基板とシャドーマスク間の不正確なコンタクトが生じや
すくて、使用に制約があった。第二に、図３に示すよう
に、位置ずれに起因して気化した金属イオンがシャドー
マスク１４と有機薄膜層１３の間（円Ｌで示された部
分）に流れ込み陽極電極１２と短絡するおそれがある。
第三に、図４に示すように、シャドーマスク１４が設け
られた透明絶縁基板１１を真空蒸着装置に装入する場
合、パネルの中・大型化によりシャドーマスク１４の中
央部分が下方に垂れる現象が発生するので、陰極電極と
陽極電極間に短絡を引き起こすおそれがある。この場
合、透明絶縁基板とシャドーマスク間のコンタクト問題
を解決するためには、シャドーマスクの材質を磁石につ
きやすい材質を用いて製作し、シャドーマスクを四方か
らぴんと引っ張ることができる付加的な装置をさらに設
けなければならないという不都合があった。
技術による電界発光素子の陰極電極の形成方法での問題
点を説明するための断面図である。従来の電界発光素子
の陰極形成方法においては、次のような問題点がある。
第一に、シャドーマスクを用いて陰極電極を形成する方
法では、シャドーマスクの正確な位置決め及び透明絶縁
基板とシャドーマスクとの正確なコンタクトが要求され
る。そこで、画素のサイズが小さくなり、パネルが中・
大型化するほどシャドーマスクの位置ずれ及び透明絶縁
基板とシャドーマスク間の不正確なコンタクトが生じや
すくて、使用に制約があった。第二に、図３に示すよう
に、位置ずれに起因して気化した金属イオンがシャドー
マスク１４と有機薄膜層１３の間（円Ｌで示された部
分）に流れ込み陽極電極１２と短絡するおそれがある。
第三に、図４に示すように、シャドーマスク１４が設け
られた透明絶縁基板１１を真空蒸着装置に装入する場
合、パネルの中・大型化によりシャドーマスク１４の中
央部分が下方に垂れる現象が発生するので、陰極電極と
陽極電極間に短絡を引き起こすおそれがある。この場
合、透明絶縁基板とシャドーマスク間のコンタクト問題
を解決するためには、シャドーマスクの材質を磁石につ
きやすい材質を用いて製作し、シャドーマスクを四方か
らぴんと引っ張ることができる付加的な装置をさらに設
けなければならないという不都合があった。
【０００６】従って、本発明は、上述したような従来の
電界発光素子の陰極形成方法における問題点を解決する
ためになされたもので、その目的は、レーザを用いて簡
単に微細パターンの陰極電極を形成できる電界発光素子
の陰極電極の形成方法を提供することにある。
電界発光素子の陰極形成方法における問題点を解決する
ためになされたもので、その目的は、レーザを用いて簡
単に微細パターンの陰極電極を形成できる電界発光素子
の陰極電極の形成方法を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明による電界発光素子の陰極電極の形成方法
は、透明絶縁基板上に陽極電極を形成する段階と、前記
基板上に、前記陽極電極と交叉し且つピクセル形成領域
を限定するストライプ構造の絶縁隔壁を形成する段階
と、前記絶縁隔壁によって所定距離で離隔するように有
機薄膜ピクセルを形成する段階と、前記有機薄膜ピクセ
ルを形成する段階までの結果物の全面にカソード型金属
膜を蒸着する段階と、前記カソード型金属膜にレーザを
用いたエッチング工程を実施して、前記絶縁隔壁の所定
部分を露出させる陰極電極を形成する段階とを含むこと
を特徴とする。
め、本発明による電界発光素子の陰極電極の形成方法
は、透明絶縁基板上に陽極電極を形成する段階と、前記
基板上に、前記陽極電極と交叉し且つピクセル形成領域
を限定するストライプ構造の絶縁隔壁を形成する段階
と、前記絶縁隔壁によって所定距離で離隔するように有
機薄膜ピクセルを形成する段階と、前記有機薄膜ピクセ
ルを形成する段階までの結果物の全面にカソード型金属
膜を蒸着する段階と、前記カソード型金属膜にレーザを
用いたエッチング工程を実施して、前記絶縁隔壁の所定
部分を露出させる陰極電極を形成する段階とを含むこと
を特徴とする。
【０００８】好ましくは、前記レーザを用いたエッチン
グ工程は、レーザが回転方式で制御され、水平軸から下
方に０〜１８０度の範囲に回転しつつ、カソード型金属
膜を除去することにより行われる。
グ工程は、レーザが回転方式で制御され、水平軸から下
方に０〜１８０度の範囲に回転しつつ、カソード型金属
膜を除去することにより行われる。
【０００９】また、前記レーザを用いたエッチング工程
は、レーザが下方に垂直固定されたまま、前後に移動し
つつ、カソード型金属膜を除去することにより行われる
ことができる。
は、レーザが下方に垂直固定されたまま、前後に移動し
つつ、カソード型金属膜を除去することにより行われる
ことができる。
【００１０】さらに、前記陰極電極を形成する段階後
に、絶縁隔壁上に、陰極電極間の空間に残留するように
水分防止用吸収剤を形成する段階と、絶縁隔壁の外週縁
部上に保護用ＵＶ硬化性樹脂を塗布する段階と、ＵＶ硬
化性樹脂の上部にカプセルを形成する段階とをさらに含
むことが好ましい。
に、絶縁隔壁上に、陰極電極間の空間に残留するように
水分防止用吸収剤を形成する段階と、絶縁隔壁の外週縁
部上に保護用ＵＶ硬化性樹脂を塗布する段階と、ＵＶ硬
化性樹脂の上部にカプセルを形成する段階とをさらに含
むことが好ましい。
【００１１】また、前記吸収剤は、オキサイド系ＢａＯ
又はＹ２Ｏ３であることが好ましい。
又はＹ２Ｏ３であることが好ましい。
【００１２】
【発明の実施の形態】以下、本発明にかかる電界発光素
子の陰極電極の形成方法の実施の形態の具体例を図面を
参照しながら説明する。図５は、本発明の一実施例によ
る電界発光素子の断面構造を示すものである。
子の陰極電極の形成方法の実施の形態の具体例を図面を
参照しながら説明する。図５は、本発明の一実施例によ
る電界発光素子の断面構造を示すものである。
【００１３】本実施例による電界発光素子は、図５に示
すように、透明絶縁基板２１の上部に複数個のストライ
プ構造の陽極電極パターン２２が形成されている。陽極
電極パターン２２を含む透明絶縁基板２１上に、陽極電
極パターン２２と交叉するように、陽極電極と陰極電極
間の短絡を防止するための絶縁隔壁２３が形成されてい
る。絶縁隔壁を介して露出した透明絶縁基板２１上に
は、正孔輸送層、発光層及び電子輸送層からなる有機薄
膜ピクセル２４が形成されている。
すように、透明絶縁基板２１の上部に複数個のストライ
プ構造の陽極電極パターン２２が形成されている。陽極
電極パターン２２を含む透明絶縁基板２１上に、陽極電
極パターン２２と交叉するように、陽極電極と陰極電極
間の短絡を防止するための絶縁隔壁２３が形成されてい
る。絶縁隔壁を介して露出した透明絶縁基板２１上に
は、正孔輸送層、発光層及び電子輸送層からなる有機薄
膜ピクセル２４が形成されている。
【００１４】また、有機薄膜ピクセル２４の上部には陰
極電極パターン２５ａが形成されており、陰極電極パタ
ーン２５ａ間の絶縁隔壁２３上部には水分防止用吸収層
２６が形成されている。絶縁隔壁２３の外周縁部上に、
保護用ＵＶ（Ｕｌｔｒａ Ｖｉｏｌｅｔ）硬化性樹脂２
７が塗布され、前記ＵＶ硬化性樹脂２７の上部にはカプ
セル２８が形成されている。この際、吸収層２６は、オ
キサイド系ＢａＯ又はＹ２Ｏ３からなる。
極電極パターン２５ａが形成されており、陰極電極パタ
ーン２５ａ間の絶縁隔壁２３上部には水分防止用吸収層
２６が形成されている。絶縁隔壁２３の外周縁部上に、
保護用ＵＶ（Ｕｌｔｒａ Ｖｉｏｌｅｔ）硬化性樹脂２
７が塗布され、前記ＵＶ硬化性樹脂２７の上部にはカプ
セル２８が形成されている。この際、吸収層２６は、オ
キサイド系ＢａＯ又はＹ２Ｏ３からなる。
【００１５】上記のような構造を有する本発明の電界発
光素子は、図５に示すように、陰極電極２５ａに負の電
圧を、陽極電極２２に正の電圧を印加することにより、
絶縁隔壁２３間の画素の発光領域ＬＲで発光する。
光素子は、図５に示すように、陰極電極２５ａに負の電
圧を、陽極電極２２に正の電圧を印加することにより、
絶縁隔壁２３間の画素の発光領域ＬＲで発光する。
【００１６】図６乃至図１０は、本発明による電界発光
素子の陰極電極の形成方法を説明するための断面図であ
る。上記のような構成を有する電界発光素子の陰極電極
の形成方法は、図６に示すように、まず透明絶縁基板２
１上にアノード型画素電極であるＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ
Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）を蒸着し、アノード型画素電極
をパターンエッチングして複数個のストライプ形態の陽
極電極パターン２２を形成する。次に、前記結果物上に
陽極電極パターン２２と交叉するようにストライプ形態
の絶縁隔壁２３を形成する。
素子の陰極電極の形成方法を説明するための断面図であ
る。上記のような構成を有する電界発光素子の陰極電極
の形成方法は、図６に示すように、まず透明絶縁基板２
１上にアノード型画素電極であるＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ
Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）を蒸着し、アノード型画素電極
をパターンエッチングして複数個のストライプ形態の陽
極電極パターン２２を形成する。次に、前記結果物上に
陽極電極パターン２２と交叉するようにストライプ形態
の絶縁隔壁２３を形成する。
【００１７】その後、絶縁隔壁２３を含む基板上に、正
孔輸送層、発光層及び電子輸送層を含む有機薄膜ピクセ
ル２４を形成する。この際、有機薄膜ピクセル２４は、
絶縁隔壁２３を介して所定部分が離隔するように形成さ
れる。その後、有機薄膜ピクセル２４及び絶縁隔壁２３
を含む透明絶縁基板２１の全面にカソード型金属膜２５
を蒸着する。次に、図７に示すように、前記構造の基板
２１の全面にカソード型金属膜をパターンエッチングし
て陰極電極パターン２５ａを形成する。この際、陰極電
極パターン２５ａは、レーザの様々な機能のうち物質を
切断できる能力を利用したもので、マスクを用いること
なく、全面に蒸着されたカソード型金属膜２５を、レー
ザを用いて所望の陰極電極パターン間隔でエッチングす
ることにより、つまり各ピクセルとピクセルを連結して
いるカソード型金属膜２５を絶縁隔壁２３が露出するよ
うにエッチングすることにより形成される。
孔輸送層、発光層及び電子輸送層を含む有機薄膜ピクセ
ル２４を形成する。この際、有機薄膜ピクセル２４は、
絶縁隔壁２３を介して所定部分が離隔するように形成さ
れる。その後、有機薄膜ピクセル２４及び絶縁隔壁２３
を含む透明絶縁基板２１の全面にカソード型金属膜２５
を蒸着する。次に、図７に示すように、前記構造の基板
２１の全面にカソード型金属膜をパターンエッチングし
て陰極電極パターン２５ａを形成する。この際、陰極電
極パターン２５ａは、レーザの様々な機能のうち物質を
切断できる能力を利用したもので、マスクを用いること
なく、全面に蒸着されたカソード型金属膜２５を、レー
ザを用いて所望の陰極電極パターン間隔でエッチングす
ることにより、つまり各ピクセルとピクセルを連結して
いるカソード型金属膜２５を絶縁隔壁２３が露出するよ
うにエッチングすることにより形成される。
【００１８】図８及び図９は、レーザ照射によりカソー
ド型金属膜のエッチング工程を実施する陰極電極のパタ
ーン形成方式を示すものである。図８は、レーザの一端
を固定し、水平軸を基準にして下方に０〜１８０度の範
囲で一定の角度θにレーザを回転させつつ、陰極電極を
パターンニングする方式で、図９は、下方に垂直固定さ
れたレーザを水平方向に移動させつつ、陰極電極をパタ
ーニングする方式である。このような方法は、陰極電極
をパターニングするとき、レーザのパワーと移動速度に
よってエッチング厚みの調節が可能で、レーザの照射角
度を調節することにより、陰極電極のパターン幅を調整
することができる。
ド型金属膜のエッチング工程を実施する陰極電極のパタ
ーン形成方式を示すものである。図８は、レーザの一端
を固定し、水平軸を基準にして下方に０〜１８０度の範
囲で一定の角度θにレーザを回転させつつ、陰極電極を
パターンニングする方式で、図９は、下方に垂直固定さ
れたレーザを水平方向に移動させつつ、陰極電極をパタ
ーニングする方式である。このような方法は、陰極電極
をパターニングするとき、レーザのパワーと移動速度に
よってエッチング厚みの調節が可能で、レーザの照射角
度を調節することにより、陰極電極のパターン幅を調整
することができる。
【００１９】次いで、図１０に示すように、陰極電極パ
ターン２５ａ間の絶縁隔壁２３上部に水分防止用吸収層
２６を形成する。吸収層２６は、水分浸透を防止し金属
ラインの短絡を防止することによって、各画素の安定性
を高めることができる。この際、吸収層２６は、オキサ
イド系ＢａＯ又はＹ２Ｏ３からなる。次に、絶縁隔壁２
３の外周縁部上に保護用ＵＶ硬化性樹脂２７を塗布し、
ＵＶ硬化性樹脂２７の上部にカプセル２８を形成するこ
とによって、本発明による電界発光素子を完成する。
ターン２５ａ間の絶縁隔壁２３上部に水分防止用吸収層
２６を形成する。吸収層２６は、水分浸透を防止し金属
ラインの短絡を防止することによって、各画素の安定性
を高めることができる。この際、吸収層２６は、オキサ
イド系ＢａＯ又はＹ２Ｏ３からなる。次に、絶縁隔壁２
３の外周縁部上に保護用ＵＶ硬化性樹脂２７を塗布し、
ＵＶ硬化性樹脂２７の上部にカプセル２８を形成するこ
とによって、本発明による電界発光素子を完成する。
【００２０】尚、本発明は、本実施例に限られるもので
はない。本発明の趣旨から逸脱しない範囲内で多様に変
更実施することが可能である。
はない。本発明の趣旨から逸脱しない範囲内で多様に変
更実施することが可能である。
【００２１】
【発明の効果】以上説明したように、本発明では、レー
ザを用いてカソード型金属膜をエッチングすることによ
って、電界発光素子の陰極電極パターンを形成している
ため、別のシャドーマスクが不要で、且つ基板のサイズ
に関わりなく陰極電極パターンの形成が可能である。
ザを用いてカソード型金属膜をエッチングすることによ
って、電界発光素子の陰極電極パターンを形成している
ため、別のシャドーマスクが不要で、且つ基板のサイズ
に関わりなく陰極電極パターンの形成が可能である。
【００２２】また、シャドーマスクを使用しないため、
シャドーマスクの使用時生ずるコンタクト不良に起因し
た電極間の短絡を防止することができ、シャドーマスク
の交替時に生ずるチャンバーの汚染を防止することがで
き、ひいては製造工程が短縮され、生産費用が節減され
る。
シャドーマスクの使用時生ずるコンタクト不良に起因し
た電極間の短絡を防止することができ、シャドーマスク
の交替時に生ずるチャンバーの汚染を防止することがで
き、ひいては製造工程が短縮され、生産費用が節減され
る。
【００２３】さらに、レーザを用いて陰極電極パターン
を形成した後、エッチングされた部分に吸収剤を挿入す
ることにより、ピクセル内に水分が浸透することを防止
することができるから、素子の信頼性が向上する。
を形成した後、エッチングされた部分に吸収剤を挿入す
ることにより、ピクセル内に水分が浸透することを防止
することができるから、素子の信頼性が向上する。
【図１】従来技術による電界発光素子の陰極電極の形成
方法を説明するための断面図である。
方法を説明するための断面図である。
【図２】従来技術による電界発光素子の陰極電極の形成
方法を説明するための断面図である。
方法を説明するための断面図である。
【図３】従来技術による電界発光素子の陰極電極の形成
方法での問題点を説明するための断面図である。
方法での問題点を説明するための断面図である。
【図４】従来技術による電界発光素子の陰極電極の形成
方法での問題点を説明するための断面図である。
方法での問題点を説明するための断面図である。
【図５】本発明の一実施例による電界発光素子の全体構
造断面図である。
造断面図である。
【図６】本発明の一実施例による電界発光素子の陰極電
極の形成方法を説明するための断面図である。
極の形成方法を説明するための断面図である。
【図７】本発明の一実施例による電界発光素子の陰極電
極の形成方法を説明するための断面図である。
極の形成方法を説明するための断面図である。
【図８】本発明の一実施例による電界発光素子の陰極電
極の形成方法を説明するための断面図である。
極の形成方法を説明するための断面図である。
【図９】本発明の一実施例による電界発光素子の陰極電
極の形成方法を説明するための断面図である。
極の形成方法を説明するための断面図である。
【図１０】本発明の一実施例による電界発光素子の陰極
電極の形成方法を説明するための断面図である。
電極の形成方法を説明するための断面図である。
２１ 透明絶縁基板 ２２ 陽極電極パターン ２３ 絶縁隔壁 ２４ 有機薄膜ピクセル ２５ カソード型金属膜 ２５ａ 陰極電極パターン ２６ 吸収層 ２７ ＵＶ硬化性樹脂 ２８ カプセル
フロントページの続き (72)発明者 朱 星 厚 大韓民国 京畿道 利川市 夫鉢邑 新河 里 481−１ サムイクアパート 101− 702 (72)発明者 金 善 雄 大韓民国 ソウル 恩平區 佛光洞 248 番地 40／３ ミソンアパート ６−512 Ｆターム(参考） 3K007 AB05 AB13 AB18 BB05 CA01 CB01 DA00 DB03 EA04 EB00 FA01
Claims (5)
- 【請求項１】 透明絶縁基板上に陽極電極を形成する段
階と、 前記基板上に、前記陽極電極と交叉し且つピクセル形成
領域を限定するストライプ構造の絶縁隔壁を形成する段
階と、 前記絶縁隔壁によって所定距離で離隔するように有機薄
膜ピクセルを形成する段階と、 前記有機薄膜ピクセルを形成する段階までの結果物の全
面にカソード型金属膜を蒸着する段階と、 前記カソード型金属膜にレーザを用いたエッチング工程
を実施して、前記絶縁隔壁の所定部分を露出させる陰極
電極を形成する段階とを含むことを特徴とする電界発光
素子の陰極電極の形成方法。 - 【請求項２】 前記レーザを用いたエッチング工程は、
レーザが回転方式で制御され、水平軸から下方に０〜１
８０度の範囲に回転しつつ、前記カソード型金属膜を除
去することにより行われるを特徴とする請求項１に記載
の電界発光素子の陰極電極の形成方法。 - 【請求項３】 前記レーザを用いたエッチング工程は、
レーザが下方に垂直固定されたまま、前後に移動しつ
つ、前記カソード型金属膜を除去することにより行われ
ることを特徴とする請求項１に記載の電界発光素子の陰
極電極の形成方法。 - 【請求項４】 前記陰極電極を形成する段階後に、 前記絶縁隔壁上に、前記陰極電極間の空間に残留するよ
うに水分防止用吸収剤を形成する段階と、 前記絶縁隔壁の外周縁部上に保護用ＵＶ硬化性樹脂を塗
布する段階と、 前記ＵＶ硬化性樹脂の上部にカプセルを形成する段階と
をさらに含むことを特徴とする請求項１に記載の電界発
光素子の陰極電極の形成方法。 - 【請求項５】 前記吸収剤は、オキサイド系ＢａＯ又は
Ｙ２Ｏ３であることを特徴とする請求項４に記載の電界
発光素子の陰極電極の形成方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR2000-067352 | 2000-11-14 | ||
| KR10-2000-0067352A KR100466398B1 (ko) | 2000-11-14 | 2000-11-14 | 전계발광소자의 음극 전극 형성방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002164169A true JP2002164169A (ja) | 2002-06-07 |
Family
ID=19698799
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001345321A Pending JP2002164169A (ja) | 2000-11-14 | 2001-11-09 | 電界発光素子の陰極電極の形成方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6617254B2 (ja) |
| JP (1) | JP2002164169A (ja) |
| KR (1) | KR100466398B1 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004039316A (ja) * | 2002-07-01 | 2004-02-05 | Korai Kagi Kofun Yugenkoshi | 有機エレクトロルミネッセント装置 |
| JP2010067517A (ja) * | 2008-09-11 | 2010-03-25 | Fujifilm Corp | 薄膜のパターニング方法、電子材料薄膜、及び有機電界発光表示装置 |
| JP2014534594A (ja) * | 2011-11-03 | 2014-12-18 | コーニンクレッカ フィリップス エヌ ヴェ | Ｏｌｅｄの構造化 |
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| DE102005054609B4 (de) * | 2005-11-09 | 2010-10-07 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Verfahren zur Herstellung von Licht emittierenden Elementen mit organischen Verbindungen |
| JP2013516735A (ja) * | 2010-01-08 | 2013-05-13 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | 有機発光ダイオード装置のマスクレス製造の方法 |
| CN102456710B (zh) * | 2011-10-28 | 2013-09-11 | 昆山维信诺显示技术有限公司 | Oled 及其制作方法、透视性单向发光屏体和触摸屏 |
| CN103972267B (zh) | 2014-04-16 | 2016-09-14 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种有机发光显示装置 |
| CN110838443A (zh) * | 2019-11-20 | 2020-02-25 | 浙江正邦电子股份有限公司 | 一种电力半导体芯片电极制作方法 |
| CN211654862U (zh) * | 2019-12-13 | 2020-10-09 | 南京国兆光电科技有限公司 | 一种硅基有源矩阵式有机发光显示器的反射阳极结构 |
| CN113421904B (zh) * | 2021-06-18 | 2024-02-13 | 合肥维信诺科技有限公司 | 显示面板及其制作方法 |
Family Cites Families (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2837559B2 (ja) * | 1991-06-26 | 1998-12-16 | パイオニア株式会社 | エレクトロルミネッセンス素子の製造方法 |
| JPH05182609A (ja) * | 1991-12-27 | 1993-07-23 | Sharp Corp | 画像表示装置 |
| JPH0982476A (ja) * | 1995-09-14 | 1997-03-28 | Casio Comput Co Ltd | 有機電界発光素子 |
| US5688551A (en) * | 1995-11-13 | 1997-11-18 | Eastman Kodak Company | Method of forming an organic electroluminescent display panel |
| JPH10183112A (ja) * | 1996-12-27 | 1998-07-14 | Sony Corp | 電界発光素子 |
| KR100215798B1 (ko) * | 1997-05-31 | 1999-08-16 | 구자홍 | 전계 발광 소자 제조방법 |
| US6111357A (en) * | 1998-07-09 | 2000-08-29 | Eastman Kodak Company | Organic electroluminescent display panel having a cover with radiation-cured perimeter seal |
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-
2000
- 2000-11-14 KR KR10-2000-0067352A patent/KR100466398B1/ko not_active IP Right Cessation
-
2001
- 2001-11-06 US US09/993,746 patent/US6617254B2/en not_active Expired - Lifetime
- 2001-11-09 JP JP2001345321A patent/JP2002164169A/ja active Pending
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20020058420A1 (en) | 2002-05-16 |
| KR20020037458A (ko) | 2002-05-22 |
| US6617254B2 (en) | 2003-09-09 |
| KR100466398B1 (ko) | 2005-01-13 |
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