CN118102806A - 显示面板和显示装置 - Google Patents
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Abstract
本申请公开了一种显示面板和显示装置，显示面板包括薄膜晶体管基板、阳极层、像素界定层、有机发光层、阴极层以及封装层，阳极层包括设于薄膜晶体管基板上的第一导电层、设于第一导电层上的金属反射层以及设于金属反射层上的第二导电层，像素界定层设置在薄膜晶体管基板上，像素界定层背离薄膜晶体管基板的一表面设有开口，开口暴露第二导电层的至少一部分；有机发光层设于第二导电层上和开口的侧壁上；阴极层设于有机发光层上；封装层设于阴极层上；第二导电层在薄膜晶体管基板上的投影和金属反射层在薄膜晶体管基板上的投影位于第一导电层在薄膜晶体管基板上的投影范围内。本申请改善了显示面板在低灰阶显示时的色偏。
Description
技术领域
本申请涉及显示技术领域，具体涉及一种显示面板和显示装置。
背景技术
随着平面显示技术的发展，用户对显示面板的显示效果的追求也逐步提升。有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode，OLED)由于具有优良的光电性能，在显示面板中得到了应用。
显示面板的制备通常包括以下步骤：在薄膜晶体管基板上形成阳极层，在阳极层上形成像素界定层，在像素界定层上挖空，形成开口，在开口和像素界定层上方设置有机发光层，在有机发光层上方设置阴极层。由于有机发光层处于开口内的部分与阳极层连接，所以理论上有机发光层处于开口内的部分会发光，有机发光层位于开口外的部分不发光。
但在显示面板工作的过程中，像素结构的内部存在横向耦合电流，阳极层会发生侧向漏电，使得有机发光层位于开口外的部分也会发光。由于有机发光层位于开口外的部分与阳极层的边缘部之间还设有像素界定层，相较于有机发光层位于开口内的部分与阳极层直接连接而言，有机发光层位于开口外的部分与阳极层的边缘部形成的微腔结构的光学腔长更长，微腔结构的光学腔长的变化会导致显示面板的发光光谱在长波长处出现杂峰，使得色坐标偏大，特别是在低灰阶显示时，显示面板于不同视角下的亮度和色度差异比较大，产生色偏。
故，有必要提出一种新的技术方案，以解决上述技术问题。
发明内容
本申请的目的在于提供一种显示面板和显示装置，改善了显示面板在低灰阶显示时的色偏。
为解决上述问题，本申请的技术方案如下：
第一方面，本申请提出了一种显示面板，包括：
薄膜晶体管基板；
阳极层，设置在所述薄膜晶体管基板上，所述阳极层包括第一导电层、金属反射层以及第二导电层，所述第一导电层设于所述薄膜晶体管基板上，所述金属反射层设于所述第一导电层上，所述第二导电层设于所述金属反射层上；
像素界定层，所述像素界定层设置在所述薄膜晶体管基板上，所述像素界定层背离所述薄膜晶体管基板的一表面设有开口，所述开口暴露所述第二导电层的至少一部分；
有机发光层，所述有机发光层设于所述第二导电层上和所述开口的侧壁上；
阴极层，所述阴极层设于所述有机发光层上；和
封装层，所述封装层设于所述阴极层上；
其中，所述第二导电层在所述薄膜晶体管基板上的投影和所述金属反射层在所述薄膜晶体管基板上的投影位于所述第一导电层在所述薄膜晶体管基板上的投影范围内。
在本发明的一实施例中，所述第一导电层包括：
主体部，所述主体部位于所述金属反射层和所述薄膜晶体管基板之间；和
外延部，所述外延部设于所述主体部的外围，并位于所述像素界定层和所述薄膜晶体管基板之间。
在本发明的一实施例中，所述外延部在所述薄膜晶体管基板上的投影位于所述开口在所述薄膜晶体管基板上的投影范围内。
在本发明的一实施例中，所述外延部的外侧面到所述金属反射层的外侧面的距离处于2μm-10μm的范围内。
在本发明的一实施例中，所述开口的内壁与所述薄膜晶体管基板所对应的平面的夹角处于15°-30°的范围内。
在本发明的一实施例中，所述阳极层还包括第三导电层，所述第三导电层设于所述第一导电层上，且位于所述金属反射层的外侧面之外，所述第二导电层与所述第三导电层一体成型。
在本发明的一实施例中，所述第二导电层的外侧面与所述金属反射层的外侧面齐平。
在本发明的一实施例中，所述第二导电层在所述薄膜晶体管基板上的投影位于所述金属反射层在所述薄膜晶体管基板上的投影范围内。
在本发明的一实施例中，所述第一导电层和所述第二导电层均为透明导电层。
第二方面，本申请提出了一种显示装置，所述显示装置包括所述显示面板，所述显示面板包括：薄膜晶体管基板；阳极层，设置在所述薄膜晶体管基板上，所述阳极层包括第一导电层、金属反射层以及第二导电层，所述第一导电层设于所述薄膜晶体管基板上，所述金属反射层设于所述第一导电层上，所述第二导电层设于所述金属反射层上；像素界定层，所述像素界定层设置在所述薄膜晶体管基板上，所述像素界定层背离所述薄膜晶体管基板的一表面设有开口，所述开口暴露所述第二导电层的至少一部分；有机发光层，所述有机发光层设于所述第二导电层上和所述开口的侧壁上；阴极层，所述阴极层设于所述有机发光层上；和封装层，所述封装层设于所述阴极层上；其中，所述第二导电层在所述薄膜晶体管基板上的投影和所述金属反射层在所述薄膜晶体管基板上的投影位于所述第一导电层在所述薄膜晶体管基板上的投影范围内。
在本申请中，阳极层包括第一导电层、金属反射层以及第二导电层，其中，第二导电层在薄膜晶体管基板上的投影和金属反射层在薄膜晶体管基板上的投影位于第一导电层在薄膜晶体管基板上的投影范围内，相较于现有的OLED发光器件，本申请的金属反射层在薄膜晶体管基板上的投影面积和第二导电层的在薄膜晶体管基板上的投影面积均小于第一导电层的在薄膜晶体管基板上的投影面积，当阳极层发生侧向漏电时，由于阳极层的边缘部去除了第二导电层和金属反射层，只保留了第一导电层，所以阳极层的边缘部与有机发光层位于开口外的部分的微腔结构被破坏，使得显示面板的发光光谱的杂峰强度减弱，从而减弱对器件色坐标的影响，改善了显示面板在低灰阶显示时的色偏。
附图说明
图1是本申请的显示面板的示意图；
图2是本申请的显示面板的制作方法的第一流程图；
图3是本申请的显示面板的制作方法的第二流程图；
图4是本申请的显示面板的制作方法的第三流程图；
图5A-图5L是本申请的显示面板的制作方法中步骤101-107的示意图；
图6是现有技术中显示面板的示意图；
图7是本申请的显示面板的另一示意图。
具体实施方式
本说明书和权利要求书中使用到的术语，除非另外定义，其意思与本申请所属领域的普通技术人员通常理解的含义相对应。本说明书和权利要求书中使用的术语仅为便于叙述和理解本申请的目的，并非意图把本申请限制于说明书和权利要求书中使用到的特定术语的狭义解释。
本申请提出了一种显示装置，显示装置为OLED，该显示装置包括显示面板100。
参照图1，本申请提出了一种显示面板100，包括：
薄膜晶体管基板10；
阳极层20，设置在所述薄膜晶体管基板10上，所述阳极层20包括第一导电层21、金属反射层22以及第二导电层23，所述第一导电层21设于所述薄膜晶体管基板10上，所述金属反射层22设于所述第一导电层21上，所述第二导电层23设于所述金属反射层22上；
像素界定层30，所述像素界定层30设置在所述薄膜晶体管基板10上，所述像素界定层30背离所述薄膜晶体管基板10的一表面设有开口31，所述开口31暴露所述第二导电层23的至少一部分；
有机发光层40，所述有机发光层40设于所述第二导电层23上和所述开口31的侧壁上；
阴极层50，所述阴极层50设于所述有机发光层40上；
封装层60，所述封装层60设于所述阴极层50上；
其中，所述第二导电层23在所述薄膜晶体管基板10上的投影和所述金属反射层22在所述薄膜晶体管基板10上的投影位于所述第一导电层21在所述薄膜晶体管基板10上的投影范围内。
在本申请中，阳极层20包括第一导电层21、金属反射层22以及第二导电层23，第二导电层23在薄膜晶体管基板10上的投影和金属反射层22在薄膜晶体管基板10上的投影位于第一导电层21在薄膜晶体管基板10上的投影范围内，相较于如图6所示的现有的OLED发光器件，本申请的金属反射层22在薄膜晶体管基板10上的投影面积和第二导电层23在薄膜晶体管基板10上的投影面积均小于第一导电层21在薄膜晶体管基板10上的投影面积，当阳极层20发生侧向漏电时，由于阳极层20的边缘部去除了第二导电层23和金属反射层22，只保留了第一导电层21，所以阳极层20的边缘部与有机发光层40位于开口31外的部分的微腔结构被破坏，使得显示面板100的发光光谱的杂峰强度减弱，从而减弱对器件色坐标的影响，改善了显示面板100在低灰阶显示时的色偏。
薄膜晶体管基板10包括基板和设置在基板上的多个薄膜晶体管，基板的材质为玻璃、硬性衬底、柔性衬底、透明衬底中的一种，在薄膜晶体管上设有平坦化层70，在平坦化层70上设置有阳极层20和像素界定层30。
阳极层20中的第一导电层21和第二导电层23的材质为氧化铟锡(ITO)、氟掺杂氧化锡(FTO)、氧化锌(ZNO)、石墨烯、金属纳米线、碳纳米管、导电聚合物、透明导电氧化物(TCOs)以及银、铜和铝薄膜中的一种，当第一导电层21和第二导电层23的材质为氧化铟锡时，因为氧化铟具有只吸收紫外光、不吸收可见光的特性，达到透明的效果，对氧化铟掺锡，提高其导电能力，形成氧化铟锡。金属反射层22的材质为银、铝、铜中的一种。第一导电层21和第二导电层23的材质可以相同，也可以不同。
像素界定层30(Pixel Define Layer，PDL)的材质为透明材料，以提高显示面板100的整体亮度，或者，像素界定层30的材质为黑色材料等吸光材料，用于吸收外部光线以提高显示面板100的对比度。
当显示面板100中的像素结构为顶发光时，有机发光层40包括依次层叠设置在阳极层20上的空穴注入层(HIL)、空穴传输层(HTL)、发光层(EML)、电子传输层(ETL)以及电子注入层(EIL)。阴极层50设置在电子注入层上。
封装层60包括覆盖层(Capping Layer，CPL)和封装膜层，通过气相化学沉积(Chemical Vapor Deposition，CVD)和喷墨柔性印刷(Ink-jet Printing，IJP)等方式在阴极层50上制备封装层60。
在阳极层20中，通常使用化学刻蚀、物理切割、激光切割等方式，对第二导电层23和金属反射层22的边缘部进行图案化处理，使第一导电层21的外侧面位于金属反射层22的外侧面和第二导电层23的外侧面之外。这样处理不仅破坏了阳极层20的边缘部与有机发光层40位于开口31外的部分形成的微腔结构，将器件原本的强微腔作用变成弱微腔作用，从而使得器件侧向发光的强度减弱，还通过设置第一导电层21的长度长于第二导电层23和金属反射层22，以保证器件的导电性能，避免带来器件电压的大幅度增加，影响显示面板100的显示效果。
像素界定层30的开口31沿平行于薄膜晶体管基板10的方向的截面为矩形，沿垂直于薄膜晶体管基板10的方向的截面为倒梯形。倒梯形的设计使得有机发光层40所在的开口31区域面积增大，能够进一步增大显示面板100的出光效率。同时，倾斜的表面相比于垂直的表面更利于有机材料层的形成，避免有机材料层出现断层。
参照图1，在本发明的一实施例中，所述第一导电层21包括：
主体部，所述主体部位于所述金属反射层22和所述薄膜晶体管基板10之间；
外延部，所述外延部设于所述主体部的外围，并位于所述像素界定层30和所述薄膜晶体管基板10之间。
在本发明一实施例的技术方案中，第一导电层21包括主体部和外延部，主体部和外延部在制备时一体成型且材质相同，其中，主体部、金属反射层22、第二导电层23依次层叠在薄膜晶体管基板10上，外延部位于主体部的外围，外延部与像素界定层30抵接，且外延部的至少部分结构不与金属反射层22抵接。外延部的外侧面位于金属反射层22和第二导电层23的外侧面之外，具有外延部的第一导电层21的长度长于金属反射层22和第二导电层23，使得阳极层20整体具有较好的导电性能，同时，由于金属反射层22和第二导电层23的长度短于第一导电层21的长度的设计，破坏了阳极层20的边缘部与有机发光层40位于开口31外的部分形成的微腔结构，减弱了器件边缘部分的微腔效应，减弱了在低灰阶时显示面板100的发光光谱的杂峰强度，从而减弱了对器件色坐标的影响，改善了显示面板100在低灰阶显示时的色偏。
优选地，为了减小像素结构内因横向耦合电流造成阳极层20侧向漏电，在第一导电层21、第二导电层23以及金属反射层22的边缘部设置高阻膜层或高阻材料，减小有机发光层40位于开口外的部分的发光强度；或者，将阳极层20的外侧面设置成平滑表面，由于在刻蚀过程中，阳极层20的外侧面因刻蚀而变得凹凸不平，阳极层20的外侧面上凸起的部分会形成尖端放电的结构，导致阳极层20侧向漏电，而通过处理在阳极层20的外侧面形成平滑表面，可去除阳极层20的外侧面的凸起的部分，破坏尖端放电的结构。
优选地，第二导电层23和金属反射层22在第一导电层21上的投影完全与主体部重叠，且第一导电层21、第二导电层23、金属反射层22为同心设置，保证外延部导电性能的稳定。
优选地，当第一导电层21、金属反射层22以及第二导电层23组成的阳极层20为ITO/Ag/ITO的叠层结构时，由于银膜容易被腐蚀，为了减缓银膜的氧化速度，在金属反射层22的边缘部设置隔绝层，从而减缓银膜的氧化。
在本发明的一实施例中，所述外延部在所述薄膜晶体管基板10上的投影位于所述开口31在所述薄膜晶体管基板10上的投影范围内。
参照图6，在现有技术的发光器件中，开口31在薄膜晶体管基板10上的投影位于阳极层在薄膜晶体管基板的投影范围内，由于像素结构的内部存在横向耦合电流，阳极层会发生侧向漏电，使得有机发光层不与阳极层直接接触的部分也会发光。有机发光层不与阳极层直接接触的部分和阳极层形成的微腔结构的光学腔长更长，导致显示面板的发光光谱出现杂峰，产生色偏。
参照图1，在本申请中，外延部在薄膜晶体管基板上的投影位于开口在薄膜晶体管基板上的投影范围内，此时阳极层的投影面积小于开口的投影面积，相较于现有技术而言，破坏了阳极层和不与阳极层直接接触的有机发光层的微腔结构，改善了显示面板在低灰度显示时的色偏。
在像素界定层厚度不变的前提下，可通过减小开口的内壁与薄膜晶体管基板所对应的平面的夹角来增大开口在薄膜晶体管基板上的投影面积，也可以通过刻蚀外延部的外侧面，从而减小外延部在薄膜晶体管基板上的投影面积，使外延部在薄膜晶体管基板上的投影面积小于开口在薄膜晶体管基板上的投影面积。
参照图1，在本发明的一实施例中，所述外延部的外侧面到所述金属反射层22的外侧面的距离处于2μm-10μm的范围内。
在本发明一实施例的技术方案中，外延部的外侧面位于金属反射层22的外侧面之外，当外延部的外侧面到金属反射层22的外侧面的距离处于2μm-10μm的范围内时，保证阳极层20的导电性能足以维持器件正常发光，避免因阳极层20的导电性能不足导致器件电压大幅增加，影响显示面板100的正常使用。
外延部的外侧面到金属反射层22的外侧面的距离的取值为2.0μm、2.4μm、2.8μm、3.2μm、3.6μm、4.0μm、4.4μm、4.8μm、5.2μm、5.6μm、6.0μm、6.4μm、6.8μm、7.2μm、7.6μm、8.0μm、8.4μm、8.8μm、9.2μm、9.6μm、10.0μm中的一个数值。
参照图1，在本发明的一实施例中，所述开口31的内壁与所述薄膜晶体管基板10所对应的平面的夹角处于15°-30°的范围内。
在本发明一实施例的技术方案中，设于开口31内壁上的部分有机发光层40与阳极层20之间形成有像素界定层30，阴极层50、设于开口31内壁上的部分有机发光层40以及阳极层20形成器件边缘部分的微腔结构，开口31的内壁相较于薄膜晶体管基板10所对应的平面的倾斜角(Taper Angle)会影响器件边缘部分的微腔结构的光学腔长。当倾斜角越大时，位于开口31内壁和阳极层20之间的像素界定层30的厚度就越厚，器件边缘部分的微腔结构的光学腔长就越长，微腔结构的光学腔长的增长会导致显示面板100的发光光谱的长波长处出现杂峰，对器件的色坐标造成影响而产生色偏。为了改善显示面板100的色偏问题，通过减小倾斜角，使倾斜角处于15°-30°的范围内，位于开口31内壁和阳极层20之间的像素界定层30的厚度变薄，器件边缘部分的微腔结构的光学腔长变短，显示面板100的发光光谱的长波长处的杂峰强度减弱，光谱红移展宽量减小，从而减小对器件色坐标的影响，改善显示面板100在低灰阶显示时的色偏。
开口31的内壁与薄膜晶体管基板10所对应的平面的夹角的取值为15°、16°、17°、18°、19°、20°、21°、22°、23°、24°、25°、26°、27°、28°、29°、30°中的一个数值。
由于像素界定层在厚度不变的前提下，减小开口的内壁与薄膜晶体管基板所对应的平面的夹角，可增大开口在薄膜晶体管基板上的投影面积，为了进一步提高阳极层的导电性能，可随着开口的内壁与薄膜晶体管基板所对应的平面的夹角的减小，增大外延部的外侧面到金属反射层的外侧面的距离。例如，当开口的内壁与薄膜晶体管基板所对应的平面的夹角为30°时，外延部的外侧面到金属反射层的外侧面的距离为2.0μm；当开口的内壁与薄膜晶体管基板所对应的平面的夹角为15°时，外延部的外侧面到金属反射层的外侧面的距离为10μm。
同时，开口31的内壁与薄膜晶体管基板10所对应的平面的夹角也取决于显示面板100的分辨率。当显示面板的分辨率越高时，薄膜晶体管基板单位面积上的像素结构越多，为了在单位面积上容纳更多数量的像素结构，可通过增大开口的内壁与薄膜晶体管基板所对应的平面的夹角，从而减小单个像素结构的占用空间，但这样会相对减小单个像素结构的导电性能，因为随着开口的内壁与薄膜晶体管基板所对应的平面的夹角增大，外延部的外侧面到金属反射层的外侧面的距离也相应减小，导致单个像素结构的导电性能降低。相对的，当显示面板的分辨率越低时，可减小开口的内壁与薄膜晶体管基板所对应的平面的夹角，在满足分辨率的前提下提高单个像素结构的导电性能。
参照图7，在本发明的一实施例中，所述阳极层还包括第三导电层，所述第三导电层设于所述第一导电层上，且位于所述金属反射层的外侧面之外，所述第二导电层与所述第三导电层一体成型。
由于第二导电层和金属反射层的边缘部被刻蚀，使得阳极层的导电性能相对下降，为了提高阳极层的导电性能，在金属反射层的外侧面设置有第三导电层。由于阳极层的边缘部的微腔结构的光学腔长取决于金属反射层，在金属反射层尺寸不变的情况下，增加第三导电层不会增大显示面板的色偏，但可以增大阳极层的导电性能。为了使阳极层便于加工，第二导电层和第三导电层可使用同种材料一体成型。
具体的制作方法是，在薄膜晶体管基板上形成第一导电层；在第一导电层上形成金属反射层；对金属反射层图案化，以刻蚀金属反射层的端部，使金属反射层在薄膜晶体管基板上的投影小于第一导电层在薄膜晶体管基板上的投影；在金属反射层和第一导电层上同时形成第二导电层和第三导电层，第二导电层和第三导电层使用同种材料一体成型；对第三导电层图案化，以刻蚀第三导电层的端部，使第三导电层在薄膜晶体管基板上的投影小于第一导电层在薄膜晶体管基板上的投影；对第一导电层图案化，以刻蚀第一导电层的端部，使外延部的外侧面到金属反射层的外侧面的距离处于2μm-10μm的范围内。
参照图1，在本发明的一实施例中，所述第二导电层23的外侧面与所述金属反射层22的外侧面齐平。
在本发明一实施例的技术方案中，金属反射层22通常采用Ag膜，Ag膜容易被氧化而失去其导电功能，故第二导电层23的外侧面需与金属反射层22的外侧面齐平，以减缓金属反射层22的氧化速率，保证金属反射层22的导电性能，使显示面板100能够正常发光，避免金属反射层22氧化后，阳极层20的电阻增大，带来器件电压的大幅增加。同时，第二导电层23的外侧面与金属反射层22的外侧面齐平，还可以降低阳极层20的阻抗。
参照图1，在本发明的一实施例中，所述第二导电层23在所述薄膜晶体管基板10上的投影位于所述金属反射层22在所述薄膜晶体管基板10上的投影范围内。
在本发明一实施例的技术方案中，由于金属反射层22暴露于第二导电层23的部分被像素界定层30覆盖，所以金属反射层22暴露于第二导电层23的部分的氧化速率也会减缓，从而保证金属反射层22的导电性能，使显示面板100能够正常发光，避免金属反射层22氧化后，阳极层20的电阻增大，带来器件电压的大幅增加。
参照图1，在本发明的一实施例中，所述第一导电层和所述第二导电层均为透明导电层。
当第一导电层和第二导电层为透明导电层时，其材质为氧化铟锡(ITO)、金属纳米线(如银、铜等)、石墨烯、碳纳米管、透明导电聚合物等。
参照图1至图2、图5A-图5L，本申请还提出了一种显示面板100的制作方法，所述显示面板100的制作方法包括以下步骤：
101、在薄膜晶体管基板10上形成阳极层20，所述阳极层20包括第一导电层21、金属反射层22以及第二导电层23，所述第一导电层21设于所述薄膜晶体管基板10上，所述金属反射层22设于所述第一导电层21上，所述第二导电层23设于所述金属反射层22上；
薄膜晶体管基板10包括基板和设置在基板上的多个薄膜晶体管，基板的材质为玻璃、硬性衬底、柔性衬底、透明衬底中的一种，在薄膜晶体管上形成平坦化层70，在平坦化层70上形成阳极层20，其中，阳极层20为第一导电层21、金属反射层22、第二导电层23的三层结构。阳极层20中的第一导电层21和第二导电层23的材质为氧化铟锡、氟掺杂氧化锡、氧化锌、石墨烯、金属纳米线、碳纳米管、导电聚合物、透明导电氧化物以及银、铜和铝薄膜中的一种，当第一导电层21和第二导电层23的材质为氧化铟锡时，因为氧化铟具有只吸收紫外光、不吸收可见光的特性，达到透明的效果，对氧化铟掺锡，提高其导电能力，形成氧化铟锡。金属反射层22的材质为银、铝、铜中的一种。
102、对所述阳极层20的边缘部进行刻蚀，所述第一导电层21的外侧面位于所述第二导电层23的外侧面和所述金属反射层22的外侧面之外；
可通过干法蚀刻或湿法蚀刻对阳极层20的边缘部进行刻蚀，从而使第一导电层21的外侧面位于金属反射层22的外侧面和第二导电层23的外侧面之外。在干法蚀刻的过程中，可采用等离子体或蚀刻气体去除第一导电层21和金属反射层22的外侧面，干法蚀刻会产生气态产物，这些产物会扩散到大量气体中并通过真空系统排出。干法蚀刻有三种类型：化学反应(通过使用反应性等离子体或气体刻蚀)、物理去除(通过动量传递刻蚀)以及化学反应和物理去除的组合。湿法蚀刻仅为化学过程，湿法刻蚀工艺具有设备简单，刻蚀效率高、选择性高的优点。
103、在所述薄膜晶体管基板10上设置像素界定层30；
在完成阳极层20的刻蚀后，在薄膜晶体管基板10上形成像素界定层30，像素界定层30覆盖在阳极层20的外表面，像素界定层30的材质为透明材料，以提高显示面板100的整体亮度，或者，像素界定层30的材质为黑色材料等吸光材料，用于吸收外部光线以提高显示面板100的对比度。
104、在所述像素界定层30上设置开口31，所述开口31暴露所述第二导电层23的至少一部分；
开口31暴露阳极层20的一部分，使得后续蒸镀有机发光层40时可直接与阳极层20接触。
105、在所述第二导电层23和所述开口31的侧壁上形成有机发光层40；
通过蒸镀在第二导电层23和开口31的侧壁上形成有机发光层40，部分有机发光层40会蒸镀在像素界定层30上。有机发光层40包括依次层叠设置在阳极层20上的空穴注入层(HIL)、空穴传输层(HTL)、发光层(EML)、电子传输层(ETL)以及电子注入层(EIL)。
106、在所述有机发光层40和所述像素界定层30上形成阴极层50；
107、在所述阴极层50上形成封装层60。
通过气相化学沉积和喷墨柔性印刷等方式在阴极层50上依次制备阴极层50和封装层60。
参照图2、图5A-图5L，在本发明的一实施例中，所述对阳极层20的边缘部进行刻蚀的步骤包括：
102a、对所述第二导电层23的边缘部进行刻蚀，所述第一导电层21的外侧面位于所述第二导电层23的外侧面之外；
102b、对所述金属反射层22的边缘部进行刻蚀，所述第一导电层21的外侧面位于所述金属反射层22的外侧面之外。
在本发明一实施例的技术方案中，在薄膜晶体管基板10上形成阳极层20后，由于阳极层20为第一导电层21、金属反射层22、第二导电层23的叠层结构，需依次对第二导电层23和金属反射层22的边缘部进行刻蚀处理。
首先，在第二导电层23上涂覆光刻胶80，采用设定的掩模板对光刻胶80进行显影，去除光刻胶80对应第二导电层23和金属反射层22的边缘部上方的光刻胶80；通过刻蚀去除未被光刻胶80覆盖的第二导电层23的边缘部，再通过刻蚀去除未被光刻胶80覆盖的金属反射层22的边缘部，最后通过显影去除剩余覆盖在第二导电层23上方的光刻胶80。在本实施例中，刻蚀第二导电层23和金属反射层22的方法为干法刻蚀或湿法刻蚀，其中，干法刻蚀包括离子铣刻蚀、等离子刻蚀和反应离子刻蚀，湿法刻蚀包括化学刻蚀，化学刻蚀可使用同种蚀刻液对第二导电层23和金属反射层22进行刻蚀，也可以使用不同的蚀刻液对第二导电层23和金属反射层22进行刻蚀，从而更好地控制阳极层20的刻蚀效率和刻蚀效果。
参照图3、图5A-图5L在本发明的一实施例中，所述对阳极层20的边缘部进行刻蚀的步骤还包括：
102c、对所述第一导电层21的边缘部进行刻蚀，所述第一导电层21的外侧面到所述金属反射层22的外侧面的距离处于2μm-10μm的范围内。
在本发明一实施例的技术方案中，在对第二导电层23的边缘部和金属反射层22的边缘部完成刻蚀后，需对第一导电层21进行刻蚀，使第一导电层21的外侧面到金属反射层22的外侧面的距离处于2μm-10μm的范围内。
在第一导电层21和第二导电层23上涂覆光刻胶80，采用设定的掩模板对光刻胶80进行显影，去除光刻胶80对应第一导电层21的边缘部上方的光刻胶80；通过刻蚀去除未被光刻胶80覆盖的第一导电层21的边缘部，通过控制刻蚀速率和刻蚀时间确保第一导电层21的外侧面到金属反射层22的外侧面的距离处于2μm-10μm之间；最后再通过显影去除剩余覆盖在第二导电层23上方和第一导电层21上方的光刻胶80。在本实施例中，刻蚀第一导电层21的方法为干法刻蚀或湿法刻蚀，其中，干法刻蚀包括离子铣刻蚀、等离子刻蚀和反应离子刻蚀，湿法刻蚀包括化学刻蚀。
外延部的外侧面到金属反射层的外侧面的距离的取值为2.0μm、2.4μm、2.8μm、3.2μm、3.6μm、4.0μm、4.4μm、4.8μm、5.2μm、5.6μm、6.0μm、6.4μm、6.8μm、7.2μm、7.6μm、8.0μm、8.4μm、8.8μm、9.2μm、9.6μm、10.0μm中的一个数值。
参照图1至图2、图5A-图5L，在本发明的一实施例中，在所述像素界定层30上设置开口31的步骤包括：
在所述像素界定层30背离所述薄膜晶体管基板10的一表面形成所述开口31，所述开口31的内壁与所述薄膜晶体管基板10所对应的平面的夹角处于15°-30°的范围内。
在完成对阳极层20的刻蚀后，在薄膜晶体管基板10上形成像素界定层30，像素界定层30覆盖薄膜晶体管基板10和阳极层20，在像素界定层30背离薄膜晶体管基板10的一表面涂覆光刻胶80；采用设定的掩模板对光刻胶80进行显影，去除将要形成开口31的区域上方的光刻胶80；通过刻蚀去除未被光刻胶80覆盖的像素界定层30，形成贯穿像素界定层30的开口31，暴露出像素界定层30下方的阳极层20的第二导电层23。在本实施例中，刻蚀像素界定层30的方法为干法刻蚀或湿法刻蚀，其中，干法刻蚀包括离子铣刻蚀、等离子刻蚀和反应离子刻蚀，湿法刻蚀包括化学刻蚀。由于像素界定层30为非金属材质，阳极层20含有金属材质，所以刻蚀液、刻蚀气体或等离子体不会对阳极层20造成影响。
开口31内壁与薄膜晶体管基板10所对应的平面的夹角可通过对掩模板的设计、曝光率等参数的调整来控制，使夹角处于15°-30°的范围内。
在对像素界定层30图案化处理形成开口31后，通过蒸镀在第二导电层23和开口31侧壁上形成有机发光层40，在有机发光层40上通过气相化学沉积、喷墨柔性印刷或蒸镀分别形成阴极层50和封装层60，从而完成显示面板100的制作。
开口31内壁与薄膜晶体管基板10所对应的平面的夹角的取值为15°、16°、17°、18°、19°、20°、21°、22°、23°、24°、25°、26°、27°、28°、29°、30°中的一个数值。
以上对本申请的具体实施方式作了详细说明。本申请所揭示的上述实施方式，仅是本申请的优选实施方式，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本申请构思的前提下，还可以做出许多变形和改进。这些变形和改进均落入本申请的权利要求书所限定的保护范围内。
Claims (10)
1.一种显示面板，其特征在于，包括：
薄膜晶体管基板；
阳极层，设置在所述薄膜晶体管基板上，所述阳极层包括第一导电层、金属反射层以及第二导电层，所述第一导电层设于所述薄膜晶体管基板上，所述金属反射层设于所述第一导电层上，所述第二导电层设于所述金属反射层上；
像素界定层，所述像素界定层设置在所述薄膜晶体管基板上，所述像素界定层背离所述薄膜晶体管基板的一表面设有开口，所述开口暴露所述第二导电层的至少一部分；
有机发光层，所述有机发光层设于所述第二导电层上和所述开口的侧壁上；
阴极层，所述阴极层设于所述有机发光层上；和
封装层，所述封装层设于所述阴极层上；
其中，所述第二导电层在所述薄膜晶体管基板上的投影和所述金属反射层在所述薄膜晶体管基板上的投影位于所述第一导电层在所述薄膜晶体管基板上的投影范围内。
2.如权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述第一导电层包括：
主体部，所述主体部位于所述金属反射层和所述薄膜晶体管基板之间；和
外延部，所述外延部设于所述主体部的外围，并位于所述像素界定层和所述薄膜晶体管基板之间。
3.如权利要求2所述的显示面板，其特征在于，所述外延部在所述薄膜晶体管基板上的投影位于所述开口在所述薄膜晶体管基板上的投影范围内。
4.如权利要求3所述的显示面板，其特征在于，所述外延部的外侧面到所述金属反射层的外侧面的距离处于2μm-10μm的范围内。
5.如权利要求4所述的显示面板，其特征在于，所述开口的内壁与所述薄膜晶体管基板所对应的平面的夹角处于15°-30°的范围内。
6.如权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述阳极层还包括第三导电层，所述第三导电层设于所述第一导电层上，且位于所述金属反射层的外侧面之外，所述第二导电层与所述第三导电层一体成型。
7.如权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述第二导电层的外侧面与所述金属反射层的外侧面齐平。
8.如权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述第二导电层在所述薄膜晶体管基板上的投影位于所述金属反射层在所述薄膜晶体管基板上的投影范围内。
9.如权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述第一导电层和所述第二导电层均为透明导电层。
10.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求1-9中任一项所述的显示面板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202311347967.2A CN118102806A (zh) | 2023-10-17 | 2023-10-17 | 显示面板和显示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202311347967.2A CN118102806A (zh) | 2023-10-17 | 2023-10-17 | 显示面板和显示装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
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| CN118102806A true CN118102806A (zh) | 2024-05-28 |
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Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202311347967.2A Pending CN118102806A (zh) | 2023-10-17 | 2023-10-17 | 显示面板和显示装置 |
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| Country | Link |
|---|---|
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-
2023
- 2023-10-17 CN CN202311347967.2A patent/CN118102806A/zh active Pending
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