CN211654862U - 一种硅基有源矩阵式有机发光显示器的反射阳极结构 - Google Patents
一种硅基有源矩阵式有机发光显示器的反射阳极结构 Download PDFInfo
- Publication number
- CN211654862U CN211654862U CN201922250291.0U CN201922250291U CN211654862U CN 211654862 U CN211654862 U CN 211654862U CN 201922250291 U CN201922250291 U CN 201922250291U CN 211654862 U CN211654862 U CN 211654862U
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- metal layer
- layer
- metal
- organic light
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 title claims abstract description 8
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims description 7
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 title claims description 7
- 239000010703 silicon Substances 0.000 title claims description 7
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 50
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 50
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 16
- 238000002955 isolation Methods 0.000 claims abstract description 10
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 8
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N Zirconium dioxide Chemical compound O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims description 6
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 claims description 5
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 4
- 229910004205 SiNX Inorganic materials 0.000 claims description 3
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052593 corundum Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910001845 yogo sapphire Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 14
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 abstract description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 5
- 238000011982 device technology Methods 0.000 abstract description 2
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 abstract description 2
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 6
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 229920001621 AMOLED Polymers 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 2
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 2
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 2
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 2
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000005281 excited state Effects 0.000 description 1
- 238000011049 filling Methods 0.000 description 1
- 238000011031 large-scale manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/805—Electrodes
- H10K59/8051—Anodes
- H10K59/80518—Reflective anodes, e.g. ITO combined with thick metallic layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/20—Changing the shape of the active layer in the devices, e.g. patterning
- H10K71/231—Changing the shape of the active layer in the devices, e.g. patterning by etching of existing layers
Landscapes
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
本实用新型公开了一种有源矩阵式有机发光显示器的反射阳极，其特征是它包括基板(4)和依次生长在基板(4)上的第一金属层(1)及第二金属层(2)，第一金属层(1)和第二金属层(2)接触连接；在第一金属层(1)之间填充中间隔离层(3)，中间隔离层(3)将第一金属层(1)分隔成一个个相互隔离的像素电极。本实用新型实现了OLED电极工艺与代工厂之间的工艺兼容，同时还能实现高性能的OLED器件工艺。本实用新型电极结构简单，可靠性好，制造工艺简单易行，有利于提高生产效率，提高成品率，降低工艺成本。
Description
技术领域
本实用新型涉及一种反射阳极电极结构，具体涉及一种用于有机发光装置的反射阳极电极结构及由该结构制造的反射阳极电极。
背景技术
有机发光二极管(OLED)显示器是一种通过使用发光的有机发光二极管来显示图像的自发光显示装置。通过控制激子从激发态回落时产生的能量来产生光。通过电子和空穴在有机发射层中结合来产生激子。通常有机发光二极管显示器包括晶体管驱动矩阵和有机发光二极管显示单元。
使用单晶硅作为衬底制作晶体管驱动矩阵，由于单晶硅具有非常高的迁移率，所以可以实现非常高的分辨率。使用单晶硅作为衬底制作的有机发光二极管显示器的显示尺寸通常小于1英寸，属于微型有源矩阵有机发光二极管显示器。为了实现微显示器件的较高分辨率，通常器件的阳极像素大小在2um～20um的量级。同时使用硅基板作为衬底，需要制作顶发射的有机发光二极管器件。因此希望器件阳极，第一要具有较高的反射率，第二要保持空气中的稳定性，第三要具有极低的表面粗糙度。专利CN 101459226等报道使用Al、Mo、Cr、Ti等作为阳极使用，但是Mo、Cr等材料在半导体代工厂中通常不使用。因此为了实现OLED电极工艺与代工厂工艺实现兼容，同时还能实现高性能的OLED器件工艺，需要开发新型的电极结构和制作工艺。
实用新型内容
本实用新型要解决的技术问题是针对目前的有机发光二极管阳极因所使用的材料不能实现规模化生产的问题，发明一种两次图形化金属方法，该方法实现与半导体代工厂工艺兼容，同时制作的反射阳极满足以下条件：第一具有较高的反射率，第二保持空气中的稳定性，第三具有极低的表面粗糙度，满足AMOLED器件工艺要求。
本实用新型的技术方案是：
一种有源矩阵式有机发光显示器的反射阳极，其特征是它包括基板和依次生长在基板上的第一金属层及第二金属层，在第一金属层之间填充中间隔离层，中间隔离层将第一金属层分隔成一个个相互隔离的像素电极。
优选的，所述的基板为硅片或玻璃。
优选的，所述的第一金属层厚度为100nm～500nm，第二金属层厚度为5nm～20nm。
优选的，第一金属层和第二金属层上有刻蚀后的阳极电极图形。
优选的，所述的第一金属层材料为铝，第二金属层材料为氮化钛。
优选的，所述的中间隔离层所用的材料为无机材料SiO2、Al2O3、MgO、TiO2、ZrO2、SiO2、SiNx或以上各组组合。
本实用新型的有益效果是：
本实用新型实现了OLED电极工艺与代工厂之间的工艺兼容，同时还能实现高性能的OLED器件工艺。
本实用新型电极结构简单，可靠性好，制造工艺简单易行，有利于提高生产效率，提高成品率，降低工艺成本。
附图说明
图1是本新型实用阳极结构示意图。
具体实施方式
下面结构附图和实施例对本实用新型作进一步的说明。
实施例一：
如图1所示：
一种有源矩阵式有机发光显示器的反射阳极，它包括基板4和依次生长在基板4上的第一金属层1及第二金属层2，在第一金属层1之间填充中间隔离层3，中间隔离层3将第一金属层1分隔成一个个相互隔离的像素电极。
优选的，所述的基板4为硅片或玻璃。
优选的，所述的第一金属层1材料为铝，第二金属层2材料为氮化钛。
优选的，所述的中间隔离层3所用的材料为无机材料SiO2、Al2O3、MgO、TiO2、ZrO2、SiO2、SiNx或以上各组组合。
本实用新型的制备方法，它包括以下步骤：
(1)在硅基(或玻璃)基板4上使用溅射金属沉积的方法，沉积制备第一金属层1(Al层)，第一金属层1的厚度为100nm～500nm。
(2)在第一金属层1上，旋涂上i-line的光刻胶，进行曝光显影等工序，在光刻胶上实现需要的阳极电极图形。然后使用干法刻蚀等方法，对金属薄膜进行刻蚀，最后再将光刻胶去除，实现金属薄膜的图形化。
(3)在步骤(2)制作完成之后，使用化学气相沉积等方法，沉积一层无机材料层，用于将金属阳极之间的间隙填充，形成中间隔离层3。
(4)在步骤(3)之后，对背板顶部的无机材料层进行抛光，直到露出第一金属层1停止。
(5)在步骤(4)之后，使用溅射金属沉积的方法，沉积制备第二金属层2(金属TiN层)，第二金属层2的厚度为5nm～20nm。在第二金属层2上，旋涂上i-line的光刻胶，进行曝光显影等工序，在光刻胶上实现需要的阳极电极图形。然后使用干法刻蚀等方法，对金属薄膜进行刻蚀，最后再将光刻胶去除，实现金属薄膜的图形化。
由上述步骤可知：本实用新型中，第一金属层1和第二金属层2不是一次图形化形成，采用两次图形化形成。
尽管这里参照本实用新型的多个解释性实施例对本实用新型进行了描述，但是，应该理解，本领域技术人员可以设计出很多其他的修改和实施方式，这些修改和实施方式将落在本申请公开的原则范围和精神之内。
本实用新型未涉及部分与现有技术相同或可采用现有技术加以实现。
Claims (6)
1.一种有源矩阵式有机发光显示器的反射阳极，其特征是它包括基板(4)和依次生长在基板(4)上的第一金属层(1)及第二金属层(2)，第一金属层(1)和第二金属层(2)接触连接；在第一金属层(1)之间填充中间隔离层(3)，中间隔离层(3)将第一金属层(1)分隔成一个个相互隔离的像素电极。
2.如权利要求1所述的反射阳极，其特征是所述的基板(4)为硅片或玻璃。
3.如权利要求1所述的反射阳极，其特征是所述的第一金属层(1)材料为铝，第二金属层(2)材料为氮化钛。
4.如权利要求3所述的反射阳极，其特征是所述的第一金属层(1)厚度为100nm～500nm，第二金属层(2)厚度为5nm～20nm。
5.如权利要求1所述的反射阳极，其特征是第一金属层(1)和第二金属层(2)上有刻蚀后的阳极电极图形。
6.如权利要求1所述的反射阳极，其特征是所述的中间隔离层(3)所用的材料为无机材料SiO2、Al2O3、MgO、TiO2、ZrO2、SiO2或SiNx。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201922250291.0U CN211654862U (zh) | 2019-12-13 | 2019-12-13 | 一种硅基有源矩阵式有机发光显示器的反射阳极结构 |
| PCT/CN2020/090719 WO2021114573A1 (zh) | 2019-12-13 | 2020-05-17 | 一种硅基有源矩阵式有机发光显示器的反射阳极结构 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201922250291.0U CN211654862U (zh) | 2019-12-13 | 2019-12-13 | 一种硅基有源矩阵式有机发光显示器的反射阳极结构 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN211654862U true CN211654862U (zh) | 2020-10-09 |
Family
ID=72696280
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201922250291.0U Active CN211654862U (zh) | 2019-12-13 | 2019-12-13 | 一种硅基有源矩阵式有机发光显示器的反射阳极结构 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN211654862U (zh) |
| WO (1) | WO2021114573A1 (zh) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN113054148A (zh) * | 2021-03-16 | 2021-06-29 | 安徽熙泰智能科技有限公司 | 一种避免阴极断裂的pdl的制备方法 |
| CN113644105A (zh) * | 2021-08-11 | 2021-11-12 | 苏州清越光电科技股份有限公司 | 显示面板的引线结构及其制备方法、显示面板 |
| CN113793906A (zh) * | 2021-08-30 | 2021-12-14 | 南京国兆光电科技有限公司 | 硅基有源矩阵式oled显示器及其制作方法 |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100466398B1 (ko) * | 2000-11-14 | 2005-01-13 | 현대엘씨디주식회사 | 전계발광소자의 음극 전극 형성방법 |
| CN104934548A (zh) * | 2015-06-04 | 2015-09-23 | 中国电子科技集团公司第五十五研究所 | 有源矩阵式有机发光显示器的反射阳极及制作方法 |
| CN107331786A (zh) * | 2017-06-23 | 2017-11-07 | 安徽熙泰智能科技有限公司 | Oled微显示器件阳极结构及该阳极结构的制造方法 |
| CN107623074A (zh) * | 2017-09-18 | 2018-01-23 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种oled器件及制备用于该器件的待喷射液态材料的方法 |
| CN110246982A (zh) * | 2019-06-17 | 2019-09-17 | 南京国兆光电科技有限公司 | 有源矩阵式有机发光显示器的反射阳极及制作方法 |
-
2019
- 2019-12-13 CN CN201922250291.0U patent/CN211654862U/zh active Active
-
2020
- 2020-05-17 WO PCT/CN2020/090719 patent/WO2021114573A1/zh active Application Filing
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN113054148A (zh) * | 2021-03-16 | 2021-06-29 | 安徽熙泰智能科技有限公司 | 一种避免阴极断裂的pdl的制备方法 |
| CN113644105A (zh) * | 2021-08-11 | 2021-11-12 | 苏州清越光电科技股份有限公司 | 显示面板的引线结构及其制备方法、显示面板 |
| CN113793906A (zh) * | 2021-08-30 | 2021-12-14 | 南京国兆光电科技有限公司 | 硅基有源矩阵式oled显示器及其制作方法 |
| CN113793906B (zh) * | 2021-08-30 | 2024-03-01 | 南京国兆光电科技有限公司 | 硅基有源矩阵式oled显示器及其制作方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| WO2021114573A1 (zh) | 2021-06-17 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN211654862U (zh) | 一种硅基有源矩阵式有机发光显示器的反射阳极结构 | |
| WO2020253432A1 (zh) | 有源矩阵式有机发光显示器的反射阳极及制作方法 | |
| CN110112172B (zh) | 基于氮化镓纳米孔阵列/量子点混合结构的全色微米led显示芯片及其制备方法 | |
| WO2019196601A1 (zh) | Oled显示面板及其制造方法、显示装置 | |
| KR101322310B1 (ko) | 유기전기발광소자 및 그 제조방법 | |
| US7939820B2 (en) | Organic light emitting display (OLED) and its method of fabrication | |
| WO2012017503A1 (ja) | 有機ｅｌ素子 | |
| CN104934548A (zh) | 有源矩阵式有机发光显示器的反射阳极及制作方法 | |
| JP5677434B2 (ja) | 有機ｅｌ素子 | |
| WO2015062297A1 (zh) | 发光器件、阵列基板、显示装置及发光器件的制造方法 | |
| JP2003022035A (ja) | 有機ｅｌパネルおよびその製造方法 | |
| JP2001249627A (ja) | アクティブ駆動型有機ｅｌ表示装置およびその製造方法 | |
| WO2018112992A1 (zh) | 有机发光器件及其制作方法 | |
| WO2020253429A1 (zh) | 微型有源矩阵式有机发光显示器及其制作方法 | |
| JP2018536961A (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子及びその作製方法、表示装置 | |
| KR101579457B1 (ko) | 유기발광소자용 광추출 기판 제조방법, 유기발광소자용 광추출 기판 및 이를 포함하는 유기발광소자 | |
| CN113793908A (zh) | 一种硅基有源矩阵式有机发光显示器及其制作方法 | |
| CN108539036B (zh) | 一种电极结构、qled及制备方法 | |
| CN110729407B (zh) | 显示面板及其制备方法、显示装置 | |
| JP2023534085A (ja) | 量子ドット発光構造、量子ドット発光構造の製作方法、アレイ基板及び表示装置 | |
| KR20050024592A (ko) | 유기 전계 발광 표시 장치 | |
| CN116018034A (zh) | 一种显示器件像素电极结构的制备方法 | |
| WO2021139657A1 (zh) | 有机电致发光结构及其制作方法、显示装置 | |
| TW444235B (en) | Method of fabricating and patterning oleds | |
| CN111048698B (zh) | 一种有机发光二极管结构的制造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |