CN113054148A - 一种避免阴极断裂的pdl的制备方法 - Google Patents

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刘胜芳
韩旭
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Abstract

本发明公开了一种避免阴极断裂的PDL的制备方法，包括以下步骤：在间隔设有阳极膜层的CMOS基板上进行PDL成膜，得到第一基板；在所述第一基板的阳极膜层之间的PDL膜层上涂覆光刻胶，并进行曝光显影，得到第二基板；对所述第二基板进行干法刻蚀除去阳极膜层表面的PDL膜层，得到第三基板；对所述第三基板进行清洗，去除光刻胶，可得到阳极膜层与PDL膜层紧密贴合交替布置的CMOS基板，通过此方法可避免因阳极及PDL角度问题导致的阴极断裂问题，同时该方法不会改变阳极和PDL的表面形貌，且可根据设计的需求调节阳极及PDL膜层的厚度和角度，工艺流程简单、成本较低。

Description

一种避免阴极断裂的PDL的制备方法
技术领域
本发明属于OLED技术领域，涉及一种避免阴极断裂的PDL的制备方法，具体涉及一种避免Mirco OLED阴极断裂的PDL的制备方法。
背景技术
在目前的硅基Micro OLED微型显示器件的造过程中，因阳极像素间距小，加电后容易造成横向电学串扰，通过PDL制程可以避免阳极横向导通和阴极断裂问题。
现有的PDL制程工艺是通过在CMOS基板上先进行PDL成膜，通过涂覆光刻胶、曝光显影、干法刻蚀后，进行阳极镀膜，并最后通过研磨工艺使阳极镀膜与PDL层的高度相同。其虽然可以解决阳极横向导通和阴极断裂问题，但是该方法中研磨会使阳极和PDL的表面形貌发生变化，影响产品的电学性能，且此种方法只能得到阳极镀膜与PDL层的高度相同的基底，对于设计要求的阳极高度与PDL层的高度不同的方案却无法实现。
发明内容
本发明提供了一种避免阴极断裂的PDL的制备方法，该工艺方法不会改变阳极和PDL的表面形貌，且可根据设计的需求调节阳极及PDL膜层的厚度和角度，工艺流程简单、成本较低。
为实现上述目的，本发明采取的技术方案为：
一种避免阴极断裂的PDL的制备方法，包括以下步骤：
(1)在间隔设有阳极膜层的CMOS基板上进行PDL成膜，得到第一基板；
(2)在所述第一基板的阳极膜层之间的PDL膜层上涂覆光刻胶，并进行曝光显影，得到第二基板；
(3)对所述第二基板进行干法刻蚀除去阳极膜层表面的PDL膜层，得到第三基板；在对阳极膜层表面的PDL膜层进行刻蚀时，为保证阳极膜层表面的PDL膜层被全部刻蚀掉，阳极膜层会出现过刻进而使阳极膜层在爬坡处的角度变缓，可进一步降低阴极断裂的风险。
(4)对所述第三基板进行清洗，去除光刻胶，可得到阳极膜层与PDL膜层紧密贴合交替布置的CMOS基板。
进一步地，步骤(1)中，所述成膜的厚度可小于、等于或者大于阳极膜层的厚度，所述成膜的厚度优选为40-150nm。
所述PDL成膜的方法为PECVD。
所述步骤(1)之前包括对间隔设有阳极膜层的CMOS基板进行清洗的步骤。
所述PDL膜层的材料为SiNx。
步骤(1)中，在CMOS基板上进行阳极成膜、涂覆光刻胶、曝光显影、干法刻蚀得到间隔设有阳极膜层的CMOS基板。
所述阳极成膜的方法为物理气相沉积法(PVD)。
本发明提供的PDL的制备方法中，通过先在基底上制备阳极结构，再进行PDL成膜，这样由于PDL膜层是直接填充到阳极结构之间的，无论阳极结构的厚度及角度如何变化，PDL膜层均可配合阳极的厚度及角度进行填充成膜，且PDL可与阳极无缝贴合，通过此方法可避免因阳极及PDL角度问题导致的阴极断裂问题。
与现有技术相比，本发明具有以下有益效果：
1.阳极及PDL厚度的厚度及角度的可调范围较宽，工艺要求低。
2.阳极及PDL角度要求小的问题可以优化改善，且PDL角度工艺窗口变大；
3.因阳极像素间间隙小，加电后容易造成横向电学串扰，通过本发明的PDL制程可以避免因没有PDL层造成的阳极横向导通问题；
附图说明
图1为实施例1中PDL的制备流程图；
图2为实施例2中制备得到的含有阳极和PDL的基板；
图3为实施例3中制备得到的含有阳极和PDL的基板；
其中，1-CMOS基板、2-阳极、3-PDL、4-光刻胶。
具体实施方式
下面结合实施例对本发明进行详细说明。
实施例1
一种避免阴极断裂的PDL的制备方法，包括以下步骤：
(1)在CMOS基板上进行阳极镀膜、涂覆光刻胶、曝光显影、干法刻蚀得到间隔设有阳极膜层的CMOS基板，对其进行清洗、干燥，然后在其上进行PDL成膜，PDL膜层的厚度与阳极膜层相同，得到第一基板；
(2)在所述第一基板的阳极膜层之间的PDL膜层上涂覆光刻胶，并进行曝光显影，得到第二基板；
(3)对所述第二基板进行干法刻蚀除去阳极膜层表面的PDL膜层，得到第三基板；
(4)对所述第三基板进行清洗，去除光刻胶，可得到阳极膜层与PDL膜层厚度相同且紧密贴合交替布置的CMOS基板，其在蒸镀阴极之后阴极不会发生断裂。
实施例2
其他同实施例1，只是PDL膜层的厚度小于阳极膜层的厚度。
实施例3
其他同实施例1，只是PDL膜层的厚度大于阳极膜层的厚度。
上述参照实施例对一种避免阴极断裂的PDL的制备方法进行的详细描述，是说明性的而不是限定性的，可按照所限定范围列举出若干个实施例，因此在不脱离本发明总体构思下的变化和修改，应属本发明的保护范围之内。

Claims (6)

1.一种避免阴极断裂的PDL的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
(1)在间隔设有阳极膜层的CMOS基板上进行PDL成膜，得到第一基板；
(2)在所述第一基板的阳极膜层之间的PDL膜层上涂覆光刻胶，并进行曝光显影，得到第二基板；
(3)对所述第二基板进行干法刻蚀除去阳极膜层表面的PDL膜层，得到第三基板；
(4)对所述第三基板进行清洗，去除光刻胶，可得到阳极膜层与PDL膜层紧密贴合交替布置的CMOS基板。
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述成膜的厚度可小于、等于或者大于阳极膜层的厚度。
3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤(1)中，所述成膜的厚度为40-150nm。
4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤(1)之前包括对间隔设有阳极膜层的CMOS基板进行清洗的步骤。
5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述PDL膜层的材料为SiNx。
6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤(1)中，在CMOS基板上进行阳极成膜、涂覆光刻胶、曝光显影、干法刻蚀得到间隔设有阳极膜层的CMOS基板。
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