CN113582846B - 一种光刻胶单体及其制备方法以及一种光刻胶 - Google Patents
一种光刻胶单体及其制备方法以及一种光刻胶 Download PDFInfo
- Publication number
- CN113582846B CN113582846B CN202110896543.6A CN202110896543A CN113582846B CN 113582846 B CN113582846 B CN 113582846B CN 202110896543 A CN202110896543 A CN 202110896543A CN 113582846 B CN113582846 B CN 113582846B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- photoresist
- prepolymer
- monomer
- glycidyl ether
- allyl glycidyl
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 title claims abstract description 81
- 239000000178 monomer Substances 0.000 title claims abstract description 36
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title abstract description 7
- 239000002994 raw material Substances 0.000 claims abstract description 8
- STMDPCBYJCIZOD-UHFFFAOYSA-N 2-(2,4-dinitroanilino)-4-methylpentanoic acid Chemical compound CC(C)CC(C(O)=O)NC1=CC=C([N+]([O-])=O)C=C1[N+]([O-])=O STMDPCBYJCIZOD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 20
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 17
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 16
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 13
- OYHQOLUKZRVURQ-HZJYTTRNSA-N Linoleic acid Chemical compound CCCCC\C=C/C\C=C/CCCCCCCC(O)=O OYHQOLUKZRVURQ-HZJYTTRNSA-N 0.000 claims description 11
- OYHQOLUKZRVURQ-IXWMQOLASA-N linoleic acid Natural products CCCCC\C=C/C\C=C\CCCCCCCC(O)=O OYHQOLUKZRVURQ-IXWMQOLASA-N 0.000 claims description 11
- 235000020778 linoleic acid Nutrition 0.000 claims description 11
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 claims description 10
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 claims description 6
- FPYJFEHAWHCUMM-UHFFFAOYSA-N maleic anhydride Chemical compound O=C1OC(=O)C=C1 FPYJFEHAWHCUMM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- CDVAIHNNWWJFJW-UHFFFAOYSA-N 3,5-diethoxycarbonyl-1,4-dihydrocollidine Chemical group CCOC(=O)C1=C(C)NC(C)=C(C(=O)OCC)C1C CDVAIHNNWWJFJW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 238000006555 catalytic reaction Methods 0.000 claims description 4
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 4
- LLHKCFNBLRBOGN-UHFFFAOYSA-N propylene glycol methyl ether acetate Chemical compound COCC(C)OC(C)=O LLHKCFNBLRBOGN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- GYXAHUXQRATWDV-UHFFFAOYSA-N (1,3-dioxoisoindol-2-yl) trifluoromethanesulfonate Chemical compound C1=CC=C2C(=O)N(OS(=O)(=O)C(F)(F)F)C(=O)C2=C1 GYXAHUXQRATWDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- FAYMLNNRGCYLSR-UHFFFAOYSA-M triphenylsulfonium triflate Chemical compound [O-]S(=O)(=O)C(F)(F)F.C1=CC=CC=C1[S+](C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 FAYMLNNRGCYLSR-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims 1
- 238000011161 development Methods 0.000 abstract description 9
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 abstract description 8
- 238000000576 coating method Methods 0.000 abstract description 8
- OYHQOLUKZRVURQ-NTGFUMLPSA-N (9Z,12Z)-9,10,12,13-tetratritiooctadeca-9,12-dienoic acid Chemical compound C(CCCCCCC\C(=C(/C\C(=C(/CCCCC)\[3H])\[3H])\[3H])\[3H])(=O)O OYHQOLUKZRVURQ-NTGFUMLPSA-N 0.000 abstract description 7
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 abstract description 2
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 10
- 125000003178 carboxy group Chemical group [H]OC(*)=O 0.000 description 8
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 8
- 125000002915 carbonyl group Chemical group [*:2]C([*:1])=O 0.000 description 7
- 239000010408 film Substances 0.000 description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 description 6
- 239000000047 product Substances 0.000 description 6
- 238000005886 esterification reaction Methods 0.000 description 5
- 238000007142 ring opening reaction Methods 0.000 description 5
- NKULBUOBGILEAR-UHFFFAOYSA-N 2,2-difluoroethyl trifluoromethanesulfonate Chemical compound FC(F)COS(=O)(=O)C(F)(F)F NKULBUOBGILEAR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 4
- VLLPVDKADBYKLM-UHFFFAOYSA-M 1,1,2,2,3,3,4,4,4-nonafluorobutane-1-sulfonate;triphenylsulfanium Chemical compound [O-]S(=O)(=O)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)F.C1=CC=CC=C1[S+](C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 VLLPVDKADBYKLM-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 150000008064 anhydrides Chemical class 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 125000003700 epoxy group Chemical group 0.000 description 3
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 2
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 2
- 125000004185 ester group Chemical group 0.000 description 2
- 239000012467 final product Substances 0.000 description 2
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 2
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 description 2
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 2
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 2
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 2
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 2
- DEXFNLNNUZKHNO-UHFFFAOYSA-N 6-[3-[4-[2-(2,3-dihydro-1H-inden-2-ylamino)pyrimidin-5-yl]piperidin-1-yl]-3-oxopropyl]-3H-1,3-benzoxazol-2-one Chemical compound C1C(CC2=CC=CC=C12)NC1=NC=C(C=N1)C1CCN(CC1)C(CCC1=CC2=C(NC(O2)=O)C=C1)=O DEXFNLNNUZKHNO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000008065 acid anhydrides Chemical class 0.000 description 1
- 238000004026 adhesive bonding Methods 0.000 description 1
- 239000003153 chemical reaction reagent Substances 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000032050 esterification Effects 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 1
- 239000003292 glue Substances 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- -1 linoleyl ester Chemical class 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- JGTNAGYHADQMCM-UHFFFAOYSA-N perfluorobutanesulfonic acid Chemical compound OS(=O)(=O)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)F JGTNAGYHADQMCM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- WLOQLWBIJZDHET-UHFFFAOYSA-N triphenylsulfonium Chemical compound C1=CC=CC=C1[S+](C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 WLOQLWBIJZDHET-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012953 triphenylsulfonium Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07C—ACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
- C07C69/00—Esters of carboxylic acids; Esters of carbonic or haloformic acids
- C07C69/52—Esters of acyclic unsaturated carboxylic acids having the esterified carboxyl group bound to an acyclic carbon atom
- C07C69/593—Dicarboxylic acid esters having only one carbon-to-carbon double bond
- C07C69/60—Maleic acid esters; Fumaric acid esters
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/027—Non-macromolecular photopolymerisable compounds having carbon-to-carbon double bonds, e.g. ethylenic compounds
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Addition Polymer Or Copolymer, Post-Treatments, Or Chemical Modifications (AREA)
Abstract
本发明公开了一种光刻胶单体及其制备方法以及一种光刻胶，光刻胶单体的原料来源于植物基亚麻油酸，可大幅降低对石油化工原料的依赖，具有环境友好型的特点，通过在亚麻油酸的结构中引入支链结构得到，具有高的不饱和度，加快了曝光后烘烤的效率，可大幅度降低光刻胶的PEB时间，含有本发明所述的光刻胶单体的光刻胶经涂布、曝光、显影后的膜层也更为致密。
Description
技术领域
本发明属于光刻胶技术领域，具体涉及一种光刻胶单体及其制备方法以及一种光刻胶。
背景技术
随着半导体产业蓬勃发展，半导体IC和半导体器件已经在各行各业广泛使用，无论从手机数码产品、卫星通信、信息工业至普通家用产品、小家电等，同时伴随着半导体产业的迅猛发展，人们的生活愈来愈便捷和智能。
半导体产业在发展的过程中，分工逐渐精细，而半导体产业的核心，就是光刻胶。光刻胶(Photoresist)又称光致抗蚀剂，是指通过紫外光、电子束、离子束、X射线等的照射或辐射，其溶解度发生变化的耐蚀剂刻薄膜材料。由感光树脂、增感剂和溶剂3种主要成分组成的对光敏感的混合液体。在光刻工艺过程中，用作抗腐蚀涂层材料。半导体材料在表面加工时，若采用适当的有选择性的光刻胶，可在表面上得到所需的图像。
光刻胶按其形成的图像分类有正性、负性两大类。在光刻胶工艺过程中，涂层曝光、显影后，曝光部分被溶解，未曝光部分留下来，该涂层材料为正性光刻胶。如果曝光部分被保留下来，而未曝光被溶解，该涂层材料为负性光刻胶。按曝光光源和辐射源的不同，又分为紫外光刻胶(包括紫外正、负性光刻胶)、深紫外光刻胶、X-射线胶、电子束胶、离子束胶等。光刻胶主要应用于显示面板、集成电路和半导体分立器件等细微图形加工作业。
光刻工艺过程一般包括涂胶、曝光、显影过程，曝光过程又包括曝光前烘(SB)、曝光后烘(PEB)，曝光前烘也称为软烘，是使光刻胶中的溶剂挥发，从而使胶层成为固态的薄膜，并使光刻胶与圆片表面粘附力增强的工序；曝光后烘可以有效降低驻波效应的影响，如果曝光后烘的时间较长会影响光刻的效率。
现有的光刻胶多是石油化工产品，固化效率低，需要较长的PEB时间。
发明内容
为解决上述技术问题，本发明提供了一种光刻胶单体及其制备方法，所述光刻胶单体具有高的不饱和度，可大幅度降低光刻胶的PEB时间，经涂布、曝光、显影后的膜层也更为致密。
本发明还提供了一种光刻胶，其含有本发明所述的光刻胶单体，该光刻胶经涂布、曝光、显影后的膜层较为致密。
本发明采取的技术方案如下：
一种光刻胶单体，所述光刻胶单体的结构式为：
本发明还提供了所述的光刻胶单体的制备方法，所述制备方法包括以下步骤：
(1)将亚麻油酸逐滴加入到热的烯丙基缩水甘油醚中，在催化剂催化条件下，在惰性气体保护下，加热反应，得到预聚物A；
(2)将步骤(1)得到的预聚物A加入到马来酸酐中，加热反应，得到预聚物B；
(3)将预聚物B逐滴加入到热的烯丙基缩水甘油醚中，在催化剂催化条件下，在惰性气体保护下，加热反应，得到光刻胶单体。
步骤(1)中，所述亚麻油酸、烯丙基缩水甘油醚的摩尔比为1:1-1.1；所述催化剂的用量为亚麻油酸、烯丙基缩水甘油醚重量之和的1-1.5％。
步骤(1)中，所述加热反应的条件为140-160℃反应2-3h。
步骤(2)中，所述预聚物A、马来酸酐的摩尔比为1:1-1.1。
步骤(2)中，所述加热反应的条件为60-80℃反应2h。
步骤(1)和步骤(3)中，所述热的烯丙基缩水甘油醚温度为100-120℃；所述催化剂为乙酰丙酮铁；所述惰性气体为氮气。
步骤(3)中，所述预聚物B、烯丙基缩水甘油醚的摩尔比为1:1-1.1；所述催化剂的用量为亚麻油酸、烯丙基缩水甘油醚重量之和的1-1.5％。
步骤(3)中，所述加热反应的条件为140-160℃反应2-3h。
本发明还提供了一种光刻胶，所述光刻胶中含有所述的光刻胶单体。
所述光刻胶包括以下重量百分比的原料：所述光刻胶单体5-15％、2,2-二氟乙基三氟甲磺酸酯0.5-1.5％、全氟丁基磺酸三苯基锍盐1-5％、丙二醇单甲醚乙酸酯80-92％。
本发明提供的光刻胶单体的原料来源于植物基亚麻油酸，可大幅降低对石油化工原料的依赖，具有环境友好型的特点，通过在亚麻油酸的结构中引入支链结构得到，具有高的不饱和度，加快了曝光后烘烤的效率，可大幅度降低光刻胶的PEB时间，含有本发明所述的光刻胶单体的光刻胶经涂布、曝光、显影后的膜层也更为致密。
附图说明
图1为本发明中的光刻胶单体的结构式；
图2为本发明中的光刻胶单体的合成路线图；
图3为亚麻油酸、预聚物A的红外图；
图4为预聚物A、预聚物B的红外图；
图5为预聚物B、光刻胶单体的红外图。
具体实施方式
下面结合实施例对本发明进行详细说明。
实施例中所使用的试验材料和试剂等，如无特殊说明，均可从商业途径获得。
2,2-二氟乙基三氟甲磺酸酯、全氟丁基磺酸三苯基锍盐的CAS号分别为74427-22-8、144317-44-2
实施例1
一种光刻胶单体，所述光刻胶单体的结构式为：
所述光刻胶单体的制备方法包括以下步骤：
(1)在500ml的烧瓶中加入1mol的烯丙基缩水甘油醚，加入占该步骤反应原料总质量1％的乙酰丙酮铁，搅拌，升温至100℃后加入1mol的亚麻油酸，在氮气保护下，升温至150℃反应2h，得到预聚物A；
(2)在500ml的烧瓶中加入1mol马来酸酐，升温至60℃，将1mol步骤(1)制备得到的预聚物A缓慢加入马来酸酐中，升温至80℃反应2h，得到预聚物B；
(3)在500ml烧瓶中加入1mol烯丙基缩水甘油醚，加入占该步骤反应原料总质量1％的乙酰丙酮铁，搅拌，升温至100℃后加入1mol步骤(2)制备得到的预聚物B，在氮气保护下，升温至150℃反应3h，最终产物经过滤后得到光刻胶单体。
所述光刻胶单体的合成路线如图2所示。
图3中为亚麻油酸、预聚物A的红外图；当烯丙基缩水甘油醚中的环氧基团与亚麻油酸的羧基基团发生环氧开环酯化反应时，会生成羟基，对应的预聚物A中3490cm-1处出现了羟基伸缩振动吸收峰；同时羧基和酯基上的羰基的红外吸收峰是有区别的，羧基上的羰基吸收峰的波数由于氢键的关系会偏低，低于酯基上的羰基吸收峰。由图3可见，亚麻油酸的羰基吸收峰在1710cm-1处，而预聚物A的羰基吸收峰则处在1730cm-1处。同时预聚物A上1160cm-1和1050cm-1处吸收峰对应为C-O的伸缩振动，表明了亚麻油酸的羧基基团与烯丙基缩水甘油醚的环氧基团发生了开环酯化反应，证明了预聚物A的存在，1640cm-1处C＝C的伸缩振动峰的明显增强也佐证了目标产物的存在。图中，2854cm-1、2920cm-1和1460cm-1处对应为-CH2-的对称和不对称伸缩振动峰；3000cm-1处对应为-CH3的伸缩振动峰。
图4为预聚物A、预聚物B的红外图；当预聚物A中的羟基基团与马来酸酐(MAH)中的酸酐发生开环酯化反应时，MAH即被连接到亚油酯长链分子中，酸酐消失，生成羧基。由图中可见，在预聚物B的红外图上已经没有酸酐基团位于1847cm-1和1748cm-1处的红外吸收峰。证明了酸酐已发生开环酯化反应，同时伴随着羧基基团的生成，羧基位于3400cm-1-3000cm-1的吸收峰和羧基基团上的羰基吸收峰也随之出现，进一步证明了预聚物B的生成。
图5为预聚物B、光刻胶单体的红外图。当MAH支化产物上的羧基基团进一步与烯丙基缩水甘油醚上的环氧基团进行环氧开环酯化反应时，烯丙基缩水甘油醚也被链接到长链分子上，最终形成一种具有支化结构的预聚物即本发明中的光刻胶单体。图中光刻胶单体位于3500cm-1的吸收峰证明了羟基基团的存在，进一步证明了最终产物光刻胶单体的合成。
实施例2
一种光刻胶，其制备方法为：将2g的实施例1制备得到的光刻胶单体、0.024g 2，2-二氟乙基三氟甲磺酸酯和0.06g全氟丁基磺酸三苯基锍盐溶解在20g丙二醇单甲醚乙酸酯(PGMEA)中，最后通过过滤器过滤该混合物，最终得到光刻胶，其为负性光刻胶。
将制备好的光刻胶旋涂于硅晶片的上部，用以制备光刻胶膜层。经过涂布、曝光、显影，记录产品在显影之前固化所需要的PEB(曝光后烘)时间，曝光后烘的温度为200℃。在同等条件下以市面上现有的光刻胶为对照。市面上现有的光刻胶为容大感光RD-PTH800系列。结果见下表1。
表1
| 表干时间(s) | 实干时间(h) | PEB时间(s) | 附着力(级) | 硬度(H) | |
| 实施例2中的光刻胶 | 5 | 0.1 | 25 | 3 | 5 |
| 市面现有光刻胶 | 5 | 0.1 | 40 | 2 | 4 |
从表1中可以看出，使用本发明中的光刻胶，PEB时间显著小于市面现有光刻胶，且显影后的膜层性能更好。
上述参照实施例对一种光刻胶单体及其制备方法以及一种光刻胶进行的详细描述，是说明性的而不是限定性的，可按照所限定范围列举出若干个实施例，因此在不脱离本发明总体构思下的变化和修改，应属本发明的保护范围之内。
Claims (10)
1.一种光刻胶单体，其特征在于，所述光刻胶单体的结构式为：
2.如权利要求1所述的光刻胶单体的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括以下步骤：
(1)将亚麻油酸逐滴加入到热的烯丙基缩水甘油醚中，在催化剂催化条件下，在惰性气体保护下，加热反应，得到预聚物A；
(2)将步骤(1)得到的预聚物A加入到马来酸酐中，加热反应，得到预聚物B；
(3)将预聚物B逐滴加入到热的烯丙基缩水甘油醚中，在催化剂催化条件下，在惰性气体保护下，加热反应，得到光刻胶单体。
3.根据权利要求2所述的光刻胶单体的制备方法，其特征在于，步骤(1)中，所述亚麻油酸、烯丙基缩水甘油醚的摩尔比为1:1-1.1；所述催化剂的用量为亚麻油酸、烯丙基缩水甘油醚重量之和的1-1.5％。
4.根据权利要求2所述的光刻胶单体的制备方法，其特征在于，步骤(2)中，所述预聚物A、马来酸酐的摩尔比为1:1-1.1。
5.根据权利要求2所述的光刻胶单体的制备方法，其特征在于，步骤(2)中，所述加热反应的条件为60-80℃反应2h。
6.根据权利要求2所述的光刻胶单体的制备方法，其特征在于，步骤(1)和步骤(3)中，所述热的烯丙基缩水甘油醚温度为100-120℃；所述催化剂为乙酰丙酮铁；所述惰性气体为氮气。
7.根据权利要求2或6所述的光刻胶单体的制备方法，其特征在于，步骤(1)和步骤(3)中，所述加热反应的条件均为140-160℃反应2-3h。
8.根据权利要求2所述的光刻胶单体的制备方法，其特征在于，步骤(3)中，所述预聚物B、烯丙基缩水甘油醚的摩尔比为1:1～1.1；所述催化剂的用量为亚麻油酸、烯丙基缩水甘油醚重量之和的1-1.5％。
9.一种光刻胶，其特征在于，所述光刻胶中含有权利要求1所述的光刻胶单体。
10.根据权利要求9所述的光刻胶，其特征在于，所述光刻胶包括以下重量百分比的原料：权利要求1所述的光刻胶单体5-15％、苯二酰亚氨基三氟甲磺酸酯0.5-1.5％、三苯基硫鎓三氟甲磺酸盐1-5％、丙二醇单甲醚乙酸酯80-92％。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202110896543.6A CN113582846B (zh) | 2021-08-05 | 2021-08-05 | 一种光刻胶单体及其制备方法以及一种光刻胶 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202110896543.6A CN113582846B (zh) | 2021-08-05 | 2021-08-05 | 一种光刻胶单体及其制备方法以及一种光刻胶 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN113582846A CN113582846A (zh) | 2021-11-02 |
| CN113582846B true CN113582846B (zh) | 2023-11-24 |
Family
ID=78255502
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202110896543.6A Active CN113582846B (zh) | 2021-08-05 | 2021-08-05 | 一种光刻胶单体及其制备方法以及一种光刻胶 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN113582846B (zh) |
Citations (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE102007048189A1 (de) * | 2007-10-08 | 2009-04-09 | Evonik Röhm Gmbh | Wässrige Dispersionen aufweisend mindestens ein Alkyd-Harz und mindestens ein Polymerisat mit mindestens einem (Meth)acrylat-Segment |
| CN103123444A (zh) * | 2013-03-12 | 2013-05-29 | 上海集成电路研发中心有限公司 | 一种光刻工艺的显影方法 |
| CN105884949A (zh) * | 2014-12-02 | 2016-08-24 | 苏州瑞红电子化学品有限公司 | 一种以支化型光敏聚苯乙烯马来酸酐为基体树脂的光刻胶组合物 |
| WO2017003685A1 (en) * | 2015-06-30 | 2017-01-05 | Elevance Renewable Sciences, Inc. | Photostabilizing compounds and methods of making and using the same |
| CN106886128A (zh) * | 2017-03-28 | 2017-06-23 | 深圳市道尔顿电子材料有限公司 | 一种负性光刻胶 |
| CN111393643A (zh) * | 2019-11-28 | 2020-07-10 | 艾森半导体材料(南通)有限公司 | 一种正性光敏聚酰亚胺树脂及其制备方法 |
| CN112764313A (zh) * | 2021-01-22 | 2021-05-07 | 宁波南大光电材料有限公司 | 一种光刻胶组合物及其制备方法 |
| CN113054148A (zh) * | 2021-03-16 | 2021-06-29 | 安徽熙泰智能科技有限公司 | 一种避免阴极断裂的pdl的制备方法 |
| CN113140690A (zh) * | 2021-04-28 | 2021-07-20 | 安徽熙泰智能科技有限公司 | 一种硅基oled器件亚微米级彩色滤光层制作方法 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN115627655B (zh) * | 2022-08-31 | 2023-08-11 | 南京林业大学 | 一种气干性油改性两性聚丙烯酸酯乳液表面施胶剂的制备方法 |
-
2021
- 2021-08-05 CN CN202110896543.6A patent/CN113582846B/zh active Active
Patent Citations (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE102007048189A1 (de) * | 2007-10-08 | 2009-04-09 | Evonik Röhm Gmbh | Wässrige Dispersionen aufweisend mindestens ein Alkyd-Harz und mindestens ein Polymerisat mit mindestens einem (Meth)acrylat-Segment |
| CN103123444A (zh) * | 2013-03-12 | 2013-05-29 | 上海集成电路研发中心有限公司 | 一种光刻工艺的显影方法 |
| CN105884949A (zh) * | 2014-12-02 | 2016-08-24 | 苏州瑞红电子化学品有限公司 | 一种以支化型光敏聚苯乙烯马来酸酐为基体树脂的光刻胶组合物 |
| WO2017003685A1 (en) * | 2015-06-30 | 2017-01-05 | Elevance Renewable Sciences, Inc. | Photostabilizing compounds and methods of making and using the same |
| CN106886128A (zh) * | 2017-03-28 | 2017-06-23 | 深圳市道尔顿电子材料有限公司 | 一种负性光刻胶 |
| CN111393643A (zh) * | 2019-11-28 | 2020-07-10 | 艾森半导体材料(南通)有限公司 | 一种正性光敏聚酰亚胺树脂及其制备方法 |
| CN112764313A (zh) * | 2021-01-22 | 2021-05-07 | 宁波南大光电材料有限公司 | 一种光刻胶组合物及其制备方法 |
| CN113054148A (zh) * | 2021-03-16 | 2021-06-29 | 安徽熙泰智能科技有限公司 | 一种避免阴极断裂的pdl的制备方法 |
| CN113140690A (zh) * | 2021-04-28 | 2021-07-20 | 安徽熙泰智能科技有限公司 | 一种硅基oled器件亚微米级彩色滤光层制作方法 |
Non-Patent Citations (3)
| Title |
|---|
| "Enzymatic synthesis of structured phenolic lipids by acidolysis of flaxseed oil with selected phenolic acids";Salwa Karboune，et al;《Journal of Molecular Catalysis B: Enzymatic》;第96-105页。 * |
| "Photolithographic Patterning of Polypyrrole on Elastic Polydimethylsiloxane for Flexible and Conformal Organic Electronics";Tao Zhang et al;《IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS》;第44卷(第1期);第76-79页。 * |
| "低功耗、高灵敏的Bi2O2Se光电导探测器";李丹阳，等。;《物理学报》;第69卷(第24期);第123-134页。 * |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN113582846A (zh) | 2021-11-02 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| TW200410048A (en) | Resinous compound for negative-working photoresist composition | |
| JPH05265212A (ja) | レジスト材料およびそれを用いるパターン形成方法 | |
| JP2000122294A (ja) | 感光性組成物及びパタ―ン形成方法 | |
| JPH11258809A (ja) | 短波長結像を目的としたポリマ―および感光性耐食膜組成物 | |
| JP2000298347A (ja) | 新規なポリマー及びそれらを含有してなるフォトレジスト組成物 | |
| US6071670A (en) | Transparent resin, photosensitive composition, and method of forming a pattern | |
| JP2008170952A (ja) | 感光剤組成物及びこれを利用したパターン形成方法 | |
| CN1074141C (zh) | 低金属离子含量的对－甲酚低聚物和光敏的组合物 | |
| JP3228193B2 (ja) | ネガ型フォトレジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法 | |
| JPH10130340A (ja) | 化学増幅型のレジスト組成物 | |
| US20030118736A1 (en) | Organic polymer for anti-reflective coating layer and preparation thereof | |
| JP4102010B2 (ja) | 有機反射防止膜用組成物とその製造方法 | |
| JP2006501495A5 (zh) | ||
| KR20040030522A (ko) | 하이드록시프로필 셀룰로즈의 아릴 우레탄을 함유하는열경화성 반사방지 코팅 | |
| JP4002057B2 (ja) | 有機反射防止膜用組成物、及び有機反射防止膜パターン形成方法 | |
| CN1637601B (zh) | 交联聚合物、有机抗反射涂层组合物及形成光刻胶图案的方法 | |
| CN113582846B (zh) | 一种光刻胶单体及其制备方法以及一种光刻胶 | |
| JP2000231191A (ja) | フォトレジスト架橋剤用単量体、フォトレジスト架橋剤、フォトレジスト組成物、フォトレジストパターン形成方法、および半導体素子 | |
| JP4162389B2 (ja) | 有機反射防止膜の組成物及びその製造方法 | |
| CN113219789B (zh) | 一种星型ArF光刻胶成膜树脂及其制备方法和光刻胶组合物 | |
| JP2001188351A (ja) | レジスト樹脂用モノマーおよびそれを重合単位として含むレジスト用樹脂 | |
| JP2594112B2 (ja) | ポジ型感光性樹脂組成物 | |
| JP7017653B2 (ja) | レジスト下層膜用組成物およびこれを用いたパターン形成方法 | |
| KR20000047910A (ko) | 단파장 이미지화에 특히 적합한 포토레지스트 조성물 | |
| CN115494697A (zh) | 一种化学放大光刻胶及其制备与使用方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |