CN113793906A - 硅基有源矩阵式oled显示器及其制作方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种硅基有源矩阵式OLED显示器及其制作方法，硅基有源矩阵式OLED显示器的阳极结构包括基板和生长在基板上的金属层，在金属层之间设置第一沟道，第一沟道将金属层分隔成一个个相互隔离的子像素，在位于第一沟道下方的基板上开设第二沟道，第二沟道宽度小于第一沟道宽度；制作方法包括采用两次图形化工艺方法，利用线宽差异，在金属层和基板上分别刻蚀得到第一沟道和第二沟道，第一沟道与第二沟道之间形成台阶。本发明实现了具有较高台阶的阳极结构，能有效促使后续OLED有机蒸发工艺中的有机膜层在台阶处的断裂，实现降低子像素间横向电流导通的作用，有效提升OLED显示器的色域。
Description
技术领域
本发明属于OLED显示器技术领域，具体涉及一种硅基有源矩阵式OLED显示器及其制作方法。
背景技术
有机发光二极管（OLED）显示器是一种通过使用发光的有机发光二极管来显示图像的自发光显示装置，其具有能耗低、视角宽等特点。其发光机理为在发光层中，通过上下两层的电子和空穴注入，引发辐射复合。要实现图像的显示，OLED通常包括晶体管驱动单元及有机发光二极管单元。
OLED微显示技术由于其在AR、VR领域广阔的应用前景，受到业界的广泛关注。相较于传统的OLED显示器使用玻璃作为基板，OLED微显示技术由于其更高的分辨率需求，常选用单晶硅作为衬底制备晶体管驱动矩阵，其显示尺寸常小于1英寸，单个子像素小于20um。由于子像素相对较小，精细金属掩膜版（FMM）的制备困难，在后续的蒸发工艺中通常使用open mask，采取整面蒸发的方式，区别于玻璃基板OLED显示器的R、G、B子像素单独蒸发。由于OLED发光层及电子、空穴传输层均存在导电性，在驱动背板给单个子像素注入电流时，会有微弱的电流通过导电性强的膜层到达其旁边的子像素，造成横向电流导通，严重影响OLED器件的色域。专利CN 112563436 A中提到了通过在子像素之间接地，抑制OLED像素之间的微电流，但此种方式需要多次图形化来实现。因此需要开发更加有效的抑制OLED显示器子像素间横向电流导通的方式。
发明内容
发明目的：针对现有技术中存在的问题，本发明公开了一种硅基有源矩阵式OLED显示器及其制作方法，降低OLED显示器子像素间的横向电流导通。
技术方案：为了实现上述发明目的，本发明采用如下技术方案：一种硅基有源矩阵式OLED显示器，其阳极结构包括基板和生长在基板上的金属层，在金属层之间设置第一沟道，第一沟道厚度等于金属层厚度，第一沟道将金属层分隔成一个个相互隔离的子像素，在位于第一沟道下方的基板上开设第二沟道，第二沟道厚度小于基板厚度，第二沟道宽度小于第一沟道宽度，第一沟道与第二沟道之间形成台阶结构。
优选地，所述金属层厚度的范围为100nm~300nm，所述第一沟道宽度的范围为500nm~3000nm，所述第二沟道厚度的范围为50nm~1000nm，第二沟道宽度的范围为400nm~1500nm。
优选地，第一沟道与第二沟道之间的宽度差范围为200nm~1000nm。
优选地，所述第一沟道侧壁的角度范围为45°~90°，所述第二沟道侧壁的角度范围为60°~90°。
优选地，所述基板为硅片或玻璃。
优选地，所述金属层为铝或银。
一种硅基有源矩阵式OLED显示器的制作方法，其阳极结构的制作方法，包括如下步骤：
步骤A、在基板上制备金属层；
步骤B、采用光刻和干法刻蚀对金属层进行图形化工艺处理，得到第一沟道以及独立的子像素结构；
步骤C、完成步骤B之后，采用光刻和干法刻蚀对基板进行图形化工艺处理，得到第二沟道，完成阳极结构的制作。
有益效果：与现有技术相比较，本发明具有如下有益效果：
1、本发明通过两次图形化处理分别得到第一沟道和第二沟道，第一沟道和第二沟道之间形成台阶，实现了具有较高台阶的阳极结构，能有效促使后续OLED有机蒸发工艺中的有机膜层在台阶处的断裂，降低子像素间的横向电流导通，有效提升OLED显示器的色域；
2、本发明所得的阳极结构制备工艺简单，与传统的半导体图形化工艺兼容性好，易于大规模制备和生产，并有利于提升OLED显示器性能；
3、本发明中金属层采用铝或银，使得所得的阳极结构具有较高的反射率；
4、本发明所得的阳极结构中，第一沟道和第二沟道之间的台阶高度及形貌可控，表面粗糙度较低，满足AMOLED器件工艺要求。
附图说明
图1为本发明所述的OLED显示器的阳极结构的结构示意图；
图2为本发明所述的阳极结构的OLED显示器的制作方法的过程示意图；
其中，1-基板，2-金属层，3-第一沟道，4-第二沟道。
具体实施方式
下面结合附图对本发明作更进一步的说明。
本发明公开了一种硅基有源矩阵式OLED显示器，其阳极结构如图1所示，包括基板1和生长在基板1上的金属层2。基板1可以是硅片或玻璃，本发明的一种实施例中，基板1还包括其表面生长的膜层，膜层的材料为SiOx或SiNx。金属层2可以是铝（Al）或银（Ag），使得阳极结构具有较高的反射率。优选的，金属层2厚度的范围为100nm~300nm。
通过图形化工艺过程在金属层2之间形成第一沟道3，第一沟道3将金属层2分隔成一个个相互隔离的子像素，图形化工艺过程通过光刻和刻蚀的方式实现。第一沟道3厚度等于金属层2厚度。
优选的，第一沟道3的侧壁与第一沟道3的底面延长线形成的角度范围为45°~90°。优选地，第一沟道3宽度的范围为500nm~3000nm。
通过图形化工艺过程在子像素间的基板1上，即位于第一沟道3下方的基板1上形成第二沟道4，图形化工艺过程通过光刻和刻蚀的方式实现，其中光刻包括涂胶、曝光和显影三个步骤。第二沟道4厚度小于基板1厚度，第二沟道4宽度小于第一沟道3宽度，第一沟道3与第二沟道4之间形成台阶。台阶结构能有效促使后续OLED有机蒸发工艺中的有机膜层的断裂，实现降低子像素间横向电流导通的作用，有效提升OLED显示器的色域。
优选的，第二沟道4厚度的范围，也即台阶厚度的范围为50nm~1000nm。优选的，第二沟道4的侧壁与第二沟道4的底面延长线形成的角度范围为60°~90°。优选地，第二沟道4宽度的范围为400nm~1500nm。优选地，第一沟道3与第二沟道4之间的宽度差范围为200nm~1000nm。
通过第一沟道3的厚度、宽度和侧壁角度的变化，以及第二沟道4的厚度、宽度和侧壁角度的变化，第一沟道3和第二沟道4之间的台阶结构可控，而台阶结构会影响后续OLED有机蒸发工艺中的有机膜层的断裂，从而影响OLED显示器的显示效果和低亮度下的发光行为；且表面粗糙度较低，满足AMOLED器件工艺要求。
本发明还公开了一种硅基有源矩阵式OLED显示器的制作方法，其阳极结构的金属图形化与沟道刻蚀通过两次图形化工艺的线宽差异实现，如图2所示，包括如下步骤：
步骤A、在基板1上制备金属层2，采用的方式可以为物理气相沉积方法和电子束蒸发方法中的一种或几种，如图2（a）所示；
步骤B、采用光刻和干法刻蚀对金属层2进行图形化工艺处理，得到第一沟道3以及阵列化的独立的子像素结构，如图2（b）所示；
步骤C、完成步骤B之后，采用光刻和干法刻蚀对基板1进行图形化工艺处理，得到第二沟道4，完成阳极结构的制作，如图2（c）所示。
实施例
本实施例具体公开了一种硅基有源矩阵式OLED显示器的阳极结构的制作方法，具体包括如下步骤：
（1）在基板1上采用溅射金属沉积的方式制备金属层2，控制金属层2的厚度范围为100nm～300nm；
（2）在步骤（1）所述金属层2上旋涂上i-line的光刻胶，进行曝光显影工序，在光刻胶上形成需要的阳极电极图形，控制图形线宽范围为500nm~3000nm；
（3）使用干法刻蚀方法，对金属层2进行刻蚀得到第一沟道3，最后再将光刻胶去除，实现步骤（1）所述金属层2的图形化；
（4）在步骤（3）制作完成之后，再次在步骤（1）所述基板1和金属层2上旋涂i-line光刻胶，进行曝光显影工序，在基板1的光刻胶上形成400nm~1500nm的图形线宽，步骤（4）中的所述图形线宽小于步骤（2）中的所述图形线宽，线宽差为200nm~1000nm；
（5）在步骤（4）之后，使用干法刻蚀方法，对基板1进行刻蚀得到第二沟道4，第一沟道3与第二沟道4之间形成台阶，控制第二沟道4的厚度范围即台阶的厚度范围为50nm~1000nm，最后再将光刻胶去除，实现步骤（1）所述基板1的图形化，完成制作过程。
以上所述仅是本发明的优选实施方式，应当指出：对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围。
本发明未涉及部分与现有技术相同或可采用现有技术加以实现。
Claims (7)
1.一种硅基有源矩阵式OLED显示器，其特征在于，其阳极结构包括基板（1）和生长在基板（1）上的金属层（2），在金属层（2）之间设置第一沟道（3），第一沟道（3）厚度等于金属层（2）厚度，第一沟道（3）将金属层（2）分隔成一个个相互隔离的子像素，在位于第一沟道（3）下方的基板（1）上开设第二沟道（4），第二沟道（4）厚度小于基板（1）厚度，第二沟道（4）宽度小于第一沟道（3）宽度，第一沟道（3）与第二沟道（4）之间形成台阶结构。
2.根据权利要求1所述的一种硅基有源矩阵式OLED显示器，其特征在于，所述金属层（2）厚度的范围为100nm~300nm，所述第一沟道（3）宽度的范围为500nm~3000nm，所述第二沟道（4）厚度的范围为50nm~1000nm，第二沟道（4）宽度的范围为400nm~1500nm。
3.根据权利要求2所述的一种硅基有源矩阵式OLED显示器，其特征在于，第一沟道（3）与第二沟道（4）之间的宽度差范围为200nm~1000nm。
4.根据权利要求1所述的一种硅基有源矩阵式OLED显示器，其特征在于，所述第一沟道（3）侧壁的角度范围为45°~90°，所述第二沟道（4）侧壁的角度范围为60°~90°。
5.根据权利要求1所述的一种硅基有源矩阵式OLED显示器，其特征在于，所述基板（1）为硅片或玻璃。
6.根据权利要求1所述的一种硅基有源矩阵式OLED显示器，其特征在于，所述金属层（2）为铝或银。
7.一种硅基有源矩阵式OLED显示器的制作方法，其特征在于，其阳极结构的制作方法，包括如下步骤：
步骤A、在基板（1）上制备金属层（2）；
步骤B、采用光刻和干法刻蚀对金属层（2）进行图形化工艺处理，得到第一沟道（3）以及独立的子像素结构；
步骤C、完成步骤B之后，采用光刻和干法刻蚀对基板（1）进行图形化工艺处理，得到第二沟道（4），完成阳极结构的制作。
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
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| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
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| GR01 | Patent grant | ||
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