KR20050081537A - 전계방출형 고주파 증폭기 - Google Patents
전계방출형 고주파 증폭기 Download PDFInfo
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Abstract
전계방출형 고주파 증폭기가 개시된다. 개시된 전계방출형 고주파 증폭기는 기판 상에 RF 증폭부를 비한다. 상기 RF 증폭부는, 상기 기판 상에 형성된 캐소드 전극과, 상기 캐소드 전극의 일측에 이격되게 형성된 게이트전극과, 상기 게이트전극의 일측에 형성된 애노드 전극과, 상기 캐소드 전극 상에서 형성된 전자방출원과, 상기 기판의 상방에 상기 기판과 나란하게 형성된 반사전극을 구비한다. 상기 캐소드전극에 RF 신호입력단과 DC 캐소드 바이어스 전압이 전기적으로 연결되며, 상기 애노드전극에 RF 출력단과 DC 애노드 바이어스 전압이 전기적으로 연결된다.
Description
본 발명은 전계방출형 고주파 증폭기에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 전계방출소자가 증폭작용을 하는 고주파 증폭기(radio frerqency amplifier)에 관한 것이다.
RF 증폭기는 소정의 DC 바이어스 전압을 인가한 상태에서 고주파를 가지는 신호를 RF 입력단에 입력하고, RF 출력단으로 진폭이 증폭되 고주파를 출력한다. 이러한 RF 증폭을 위해서는 상기 입력단 및 출력단 사이에 RF 증폭부를 배치한다.
상기 RF 증폭부로는 트랜지스터가 사용될 수 있다. 그러나, 트랜지스터는 실리콘 고체를 사용하므로 전자의 모빌러티(mobility)가 나쁘다.
따라서, 진공상태에서 전자의 이동이 가능한 진공관이 트랜지스터 대신으로 사용될 수 있으나, 종래의 진공관은 그 부피가 큰 문제가 있다.
최근에는 진공 패널내의 전계방출소자를 상기 증폭부로 사용하는 연구가 진행되고 있다. J. Vac. Sci. Techno. B 13(2), Mar/Apr 1995 pp. 576-579 에 개재된 D. Palmer 등의 "Silicon field emitter arrays with low capacitance and improved transconductance for microwave amplifier applications" 에는 silicon field emitter array를 사용하여 RF 증폭을 이루었다.
그러나, 상기 RF 증폭에 이용된 FEA(feield emission array) 구조는 4 ㎛ 실리콘 옥사이드 두께의 게이트 절연층을 사용하므로 게이트 및 캐소드 사이의 커패시턴스의 증가로 RF 기기의 표준 입출력 저항 50 Ω을 매칭하기가 어렵다. 또한, 이러한 커패시턴스의 증가는 출력 전류를 작게 하므로 RF 시그널의 증폭 효과가 적은 문제점이 있다.
본 발명은 진공 전계방출소자를 평판형으로 배치하여 다른 RF 단자와의 임피던스 매칭을 용이하게 하고, RF 증폭효과가 향상된 전계방출형 고주파 증폭기를 제공함에 그 목적이 있다.
상기 목적을 달성하기 위하여 본 발명에 따른 전계방출형 고주파 증폭기는:
기판 상에 RF 증폭부를 포함하며, 상기 RF 증폭부는,
기판 상에 RF 증폭부를 포함하는 RF 증폭기에 있어서,
상기 RF 증폭부는,
상기 기판 상에 형성된 캐소드 전극;
상기 캐소드 전극의 일측에 이격되게 형성된 게이트전극;
상기 게이트전극의 일측에 상기 캐소드전극과 반대방향의 일측에 형성된 애노드 전극;
상기 캐소드 전극 상에서 전계에 의해 전자를 방출하는 전자방출원;
상기 기판의 상방에 상기 기판과 나란하게 형성된 반사전극;을 구비하며,
상기 캐소드전극에 RF 신호입력단과 DC 캐소드 바이어스 전압이 전기적으로 연결되며, 상기 애노드전극에 RF 출력단과 DC 애노드 바이어스 전압이 전기적으로 연결되는 것을 특징으로 한다.
상기 반사전극 및 상기 기판 사이에는 상기 캐소드전극, 상기 게이트전극 및 상기 애노드전극을 포함하는 진공공간이 형성될 수 있다.
상기 반사전극에는 상기 전자방출원으로부터의 전자를 반사시켜서 상기 애노드전극으로 유도하도록 음극 전압이 인가된다.
상기 애노드 전극, 상기 게이트 전극 및 상기 캐소드 전극은 상기 기판 상에 동일한 평면에 배치된다.
상기 전자방출원은 CNT인 것이 바람직하다.
상기 목적을 달성하기 위하여 본 발명에 따른 전계방출형 고주파 증폭기는:
기판 상에 복수의 RF 증폭부를 포함하며, 상기 RF 증폭부는,
상기 기판 상에 형성된 캐소드 전극;
상기 캐소드 전극의 일측에 이격되게 형성된 게이트전극;
상기 게이트전극의 일측에 상기 캐소드전극과 반대방향의 일측에 형성된 애노드 전극;
상기 캐소드 전극 상에서 전계에 의해 전자를 방출하는 전자방출원;
상기 기판의 상방에 상기 기판과 나란하게 형성된 반사전극;을 구비하며,
상기 캐소드전극에 RF 신호입력신호와 DC 캐소드 바이어스 전압이 전기적으로 연결되며, 상기 애노드전극에 RF 출력신호와 DC 애노드 바이어스 전압이 전기적으로 연결되는 것을 특징으로 한다.
상기 RF 증폭부들은 직렬로 연결된다.
상기 RF 증폭부들 사이에는 커패시터가 연결되며,
상기 커패시터는 그 일단이 선행하는 RF 증폭부의 애노드전극에 연결되고, 타단이 이어지는 RF 증폭부의 캐소드전극에 연결되는 것이 바람직하다.
이하 첨부된 도면을 참조하면서, 본 발명에 따른 전계방출형 고주파 증폭기의 바람직한 실시예들을 상세히 설명한다. 이 과정에서 도면에 도시된 층이나 영역들의 두께는 명세서의 명확성을 위해 과장되게 도시된 것이다.
도 1은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 전계방출형 고주파 증폭기에 사용되는 고주파 증폭부의 개략적 구성을 보여주는 단면도이다.
도 1을 참조하면, 고주파 증폭기에 사용되는 기판(110)의 상부에 애노드전극(140), 게이트전극(130) 및 캐소드전극(120)이 소정 간격으로 이격되게 배치되어 있다. 상기 캐소드전극(120) 상에는 전자방출원, 예컨대 CNT 에미터(121)가 형성된다. 상기 기판(110)으로부터 소정 간격을 두고 반사전극(150)이 배치되어 있다. 상기 반사전극(150)의 외곽과 상기 기판(110) 사이에는 벽체(160)가 형성되어 있으며, 그 내부는 진공공간이 형성된다. 상기 진공공간을 진공으로 하는 방법은 종래의 평판 디스플레이에서 사용되는 고온 배개스 방법이 사용될 수 있다. 또한, 상기 기판(110) 및/또는 반사전극(150)의 내면에 ST122 와 같은 개스를 흡착하는 게터 물질을 배치하여 진공 공간을 형성할 수도 있다.
상기 기판(110)으로는 절연물질, 주로 알루미나 물질 또는 석영이 사용될 수 있다.
상기 애노드전극(140), 게이트전극(130) 및 캐소드전극(120)은 도전성 물질인 ITO 또는 Cr을 0.25 ㎛ 정도의 두께로 제조될 수 있다. 게이트전극(130) 및 캐소드전극(120) 사이에는 50 ㎛ 갭이 형성되어 있다. 상기 애노드전극(140), 게이트전극(130) 및 캐소드전극(120)은 500~900 ㎛ 폭으로 형성될 수 있다. 이러한 500~900 ㎛ 폭 설계는 RF 마이크로스트립 회로와 임피던스 매칭을 용이하게 한다.
상기 CNT 에미터(121)의 증착은 스크린 프린팅 및 베이킹 공정으로 이루어질 수 있으며, 또한, 캐소드전극(120) 상에 CNT 증착금속을 형성한 뒤에 탄소함유개스를 흘러보내서 상기 CNT 증착금속 위로 CNT를 성장시킬 수도 있다.
도 2는 도 1의 전자방출소자의 작용을 시뮬레이션한 도면이다. 도 1 및 도 2를 함께 참조하면, 애노드전극(140), 게이트전극(130) 및 캐소드전극(120)은 동일한 평면에 배치하였으며, 각각 900, 500, 500 ㎛ 폭으로 설계하였으며, 애노드전극(140) 및 게이트전극(130) 사이의 갭 및 게이트전극(130) 및 캐소드전극(120) 사이의 갭은 각각 800 ㎛ 및 50 ㎛ 로 설계하였다. 상기 전극들의 길이방향은 1 mm 로 설계하였다. 그리고, 반사전극(150)은 하부전극들로부터 1.1 mm 이격되게 배치하였다.
또한, 애노드전극(140), 캐소드전극(120) 및 반사전극(150)에는 각각 1.5 kV, -130 V, -140 V DC 전압을 인가하였으며, 게이트전극(130)은 그라운드시켰다. 상기 반사전극(150)에는 상기 캐소드전극(120)에 인가되는 전압보다 큰 음전압이 인가되는 것이 바람직하다. 게이트전극(130)에 의해서 캐소드전극(120)으로부터 추출된 전자는 게이트전극(130) 방향으로 휘어져서 진행되며, 음전압으로 인가된 반사전극(150)에 의해서 그 방향이 바뀌면서 강한 전압이 인가된 애노드전극(140)에 충돌한다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 RF 증폭기의 개략적인 평면도이다. 상기 실시예의 구성요소와 실질적으로 동일한 구성요소에는 동일한 참조부호를 사용하고 상세한 설명은 생략한다.
도 3을 참조하면, RF 증폭기에는 RF 증폭부가 배치되어 있다. 각 RF 증폭부는 기판(110) 상의 전극들(120,130,140)과, 상기 전극들(120,130,140)과 대향되게 상방으로 이격되게 배치된 반사전극(150)과, 반사전극(150)의 외곽과 기판(110)을 실링하는 벽체들(도 1의 160)로 이루어져 있다. RF 증폭부의 내부 공간은 진공 상태로 유지된다.
캐소드전극(120)의 일측에는 RF 입력단(210)으로부터의 RF 신호가 입력된다. 상기 RF 신호 및 상기 캐소드전극(120) 사이에는 직류 바이어스 전압을 필터링하는 커패시터(C1)가 배치되어 있다. 또한, 각 캐소드전극(120)에는 외부 DC 바이어스 캐소드 전압(-Vc)이 인덕터(L1)를 통해서 인가된다. 이 인덕터(L1)는 캐소드전극(120)으로 교류 성분이 입력되는 것을 필터링한다.
게이트전극(130)은 접지되어 있다.
애노드전극에는 인덕터(L3)를 통해서 DC 바이어스 애노드 전압(+Va)이 인가된다. 이 인덕터(L3)는 애노드전극(140)으로 교류 성분이 입력되는 것을 차단한다.
애노드전극(140)으로부터 증폭된 RF 신호는 커패시터(C3)를 거쳐서 RF 출력단(220)으로 입력된다. 상기 커패시터(C3)는 직류 바이어스 전압이 RF 출력단(110)으로 흐르는 것을 차단한다.
한편, 커패시터(C4,C5)는 RF 입력단(210)으로부터 RF 신호가 리크되는 것을 차단하는 블로킹 커패시터이다. 이 커패시터와, 상기 커패시터와 대응되는 인덕터는 저주파 필터를 형성한다.
상기 구조의 RF 증폭기의 작용을 도면을 참조하여 설명한다.
먼저, RF 입력단(210)으로부터 입력된 RF 신호는 캐소드전극(120)에서 DC 바이어스 캐소드 전압(-Vc)과 합성된다. 이어서, 게이트전극(130)에 의해 캐소드전극(120) 상의 CNT 에미터(121)로부터 전자가 방출되어서 게이트전극(130) 측으로 휘어진다. 이때 반사전극(150)에 인가된 음전압에 의해서 전자들은 반사전극(150)으로부터 반사되며 애노드전극(140)으로 향한다. 이때 캐소드전압(-Vc) 및 게이트전압 사이의 전압차의 크기에 따라서 애노드전극(140)에서의 RF 신호의 전류변화폭이 상승한다. 즉, 게이트전극(130)이 접지되고 캐소드전극(120)에 -120 ~ -140 V DC 전압이 인가되면, 애노드전극(140)에 충돌하는 전자에 의해서 애노드전극(140)에서의 RF 신호의 전류변화폭(△I)이 증가되며, 따라서, RF 신호는 메탈 스트립(metal strip)인 애노드전극(140)의 임피던스와 상기 전류변화폭(△I)의 곱인 전압변화폭(△V)을 갖는다. 즉, RF 입력단(210)에 입력된 RF 신호의 전압변화폭이 애노드전극(140)에서 증가된 상태로 되므로, RF 신호가 증폭된다.
참조번호 C1는 커패시터로서 RF 입력단(210)으로부터 입력되는 RF 신호에서 DC 성분을 제거한다.
한편, L1 및 L3는 인덕터로서 캐소드 바이어스 전압(-Vc) 또는 애노드 바이어스 전압(+Va)으로부터의 DC 바이어스 전압을 통과시키고 교류 성분을 블로킹한다.
참조번호 C4, C5는 캐소드전극(120) 및 애노드전극(140)에서의 RF 신호가 인덕터(L1,L3)를 통해서 리크되는 것을 블로킹한다.
도 4는 도 3의 등가회로도이다.
도 4를 참조하면, Z1 및 Z4는 각각 해당 전극에 연결된 바이어스 DC 전압의 경로에 있는 커패시터 및 인덕터의 커패시턴스 및 인덕턴스로 형성된 임피던스를 가리킨다. 상기 구조의 임피던스는 커패시턴스의 감소로 RF 회로의 임피던스 매칭에 필요한 표준 임피던스에 가깝게 용이하게 형성할 수 있다.
도 5는 본 발명의 다른 실시예에 따른 RF 증폭기의 개략적인 평면도이다. 상기 실시예의 구성요소와 실질적으로 동일한 구성요소에는 동일한 참조부호를 사용하고 상세한 설명은 생략한다.
도 5를 참조하면, RF 증폭기에는 두 개의 RF 증폭부가 배치되어 있다. 각 RF 증폭부는 기판(110) 상의 전극들(120,130,140)과, 상기 전극들(120,130,140)과 대향되게 상방으로 이격되게 배치된 반사전극(150)과, 반사전극(150)의 외곽과 기판(110)을 실링하는 벽체들(도 1의 160)로 이루어져 있다. 이들 RF 증폭부의 내부 공간은 진공 상태로 유지된다.
각 RF 증폭부 사이에는 커패시터(C2)가 배치되어서 제1 RF 증폭부로부터의 RF 파워 중 DC 바이어스 전압을 필터링하고, RF 신호만 통과시킨다.
각 캐소드전극(120)의 일측에는 RF 입력단(210)으로부터의 RF 신호 또는 제1 RF 증폭부에서 증폭된 RF 신호가 입력된다. 상기 RF 신호 및 상기 캐소드전극(120) 사이에는 직류 바이어스 전압을 필터링하는 커패시터(C1 및 C2)가 배치되어 있다. 또한, 각 캐소드전극(120)에는 외부 DC 바이어스 캐소드 전압(-Vc)이 각각 인덕터(L1, L2)를 통해서 인가된다. 이 인덕터(L1,L2)는 캐소드전극(120)으로 교류 성분이 입력되는 것을 필터링한다.
각 게이트전극(130)은 접지되어 있다.
각 애노드전극에는 인덕터(L3,L4)를 통해서 DC 바이어스 애노드 전압(Va)이 인가된다. 이 인덕터(L3,L4)는 애노드전극(140)으로 교류 성분이 입력되는 것을 차단한다.
제2 RF 증폭부를 통과하여 애노드전극(140)으로부터 증폭된 RF 신호는 커패시터(C3)를 거쳐서 RF 출력단(220)으로 입력된다. 상기 커패시터(C3)는 직류 바이어스 전압이 RF 출력단으로 흐르는 것을 차단한다.
한편, 커패시터(C4,C5)는 RF 입력단(210)으로부터 또는 2차 증폭부로 입력된 RF 신호가 리크되는 것을 차단하는 블로킹 커패시터이다. 이 커패시터와 대응되는 인덕터는 저주파 필터를 형성한다.
상기 구조의 RF 증폭기의 작용을 도면을 참조하여 설명한다.
먼저, RF 입력단(210)으로부터 입력된 RF 신호는 캐소드전극(120)에서 DC 바이어스 캐소드 전압(-Vc)과 합성된다. 이어서, 게이트전극(130)에 의해 캐소드전극(120) 상의 CNT 에미터(121)로부터 전자가 방출되어서 게이트전극(130) 측으로 휘어진다. 이때 반사전극(150)에 인가된 음전압에 의해서 전자들은 반사전극(150)으로부터 반사되며 애노드전극(140)으로 향한다. 이때 캐소드전압(-Vc) 및 게이트전압 사이의 전압차의 크기에 따라서 애노드전극(140)에서의 RF 신호의 전류변화폭이 상승한다. 즉, 게이트전극(130)이 접지되고 캐소드전극(120)에 -120 ~ -140 V DC 전압이 인가되면, 애노드전극(140)에 충돌하는 전자에 의해서 애노드전극(140)에서의 RF 신호의 전류변화폭(△I)이 증가되며, 따라서, RF 신호는 메탈 스트립(metal strip)인 애노드전극(140)의 임피던스와 상기 전류변화폭(△I)의 곱인 전압변화폭(△V)을 갖는다. 즉, RF 입력단(210)에 입력된 RF 신호의 전압변화폭이 애노드전극(140)에서 증가된 상태로 되므로, RF 신호가 증폭된다.
이어서, 애노드전극(140)에서 증폭된 RF 신호는 커패시터(C2)를 통과하면서 DC 바이어스는 블로킹된다. 따라서, 제2 RF 증폭부의 캐소드전극(120)으로 1차 증폭된 RF 신호가 입력된다. 이렇게 제2 RF 증폭부로 입력된 RF 신호는 전술한 것과 같은 방법으로 제2 RF 증폭부에서 증폭된 상태로 출력되어서 커패시터(C3)로 입력된다. 커패시터(C3)를 통과한 RF 신호는 DC 전압이 제거된 상태로 RF 출력단(220)으로 출력된다.
참조번호 C1는 커패시터로서 RF 입력단(210)으로부터 입력되는 RF 신호에서 DC 성분을 제거한다.
한편, L1 ~ L4는 인덕터로서 캐소드 바이어스 전압(-Vc) 또는 애노드 바이어스 전압(+Va)으로부터의 DC 바이어스 전압을 통과시키고 교류 성분을 블로킹한다.
참조번호 C4, C5는 캐소드전극(120) 및 애노드전극(140)에서의 RF 신호가 인덕터를 통해서 리크되는 것을 블로킹한다.
도 6은 도 5의 등가회로도이다.
도 6을 참조하면, Z1~Z4는 각각 해당 전극에 연결된 바이어스 DC 전압의 경로에 있는 커패시터 및 인덕터의 커패시턴스 및 인덕턴스로 형성된 임피던스를 가리킨다. 상기 구조의 임피던스는 커패시턴스의 감소로 RF 회로의 임피던스 매칭에 필요한 표준 임피던스에 가깝게 용이하게 형성할 수 있다.
상기 실시예에서는 2개의 RF 증폭부를 구비한 RF 증폭기를 설명하였지만, 반드시 이에 한정하는 것은 아니다. 즉, 3개 이상의 RF 증폭부를 구비한 RF 증폭기도 가능한 것이다.
본 발명에 따른 전계방출형 고주파 증폭기는 고주파 증폭부로서 진공상태의 평판형 전계방출소자를 사용하므로, 증폭부에서의 전자의 모빌러티가 증가되어서 증폭효율이 향상된다. 또한, 전계방출소자를 이루는 전극들을 평판에 배치함으로써 게이트전극 및 캐소드전극 사이의 커패시턴스를 줄일 수 있으므로, 표준 임피던스를 형성하기가 용이하므로 향후 RF 증폭기에 유용하게 사용될 수 있다.
본 발명은 도면을 참조하여 실시예를 참고로 설명되었으나, 이는 예시적인 것에 불과하며, 당해 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서, 본 발명의 진정한 기술적 보호범위는 첨부된 특허청구범위에 한해서 정해져야 할 것이다.
도 1은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 전계방출형 고주파 증폭기에 사용되는 고주파 증폭부의 개략적 구성을 보여주는 단면도이다.
도 2는 도 1의 전자방출소자의 작용을 시뮬레이션한 도면이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 RF 증폭기의 개략적인 평면도이다.
도 4는 도 3의 등가회로도이다.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 *
110: 기판 120: 캐소드전극
121: 전자방출원(CNT 에미터) 130: 게이트전극
140: 애노드전극 150: 반사전극
160: 벽체 210: RF 입력단
220: RF 출력단 C1~C5: 커패시터
L1~L4: 인덕터 Z1~Z4: 임피던스
Claims (12)
- 기판 상에 RF 증폭부를 포함하는 RF 증폭기에 있어서,상기 RF 증폭부는,상기 기판 상에 형성된 캐소드 전극;상기 캐소드 전극의 일측에 이격되게 형성된 게이트전극;상기 게이트전극의 일측에 상기 캐소드전극과 반대방향의 일측에 형성된 애노드 전극;상기 캐소드 전극 상에서 전계에 의해 전자를 방출하는 전자방출원;상기 기판의 상방에 상기 기판과 나란하게 형성된 반사전극;을 구비하며,상기 캐소드전극에 RF 신호입력단과 DC 캐소드 바이어스 전압이 전기적으로 연결되며, 상기 애노드전극에 RF 출력단과 DC 애노드 바이어스 전압이 전기적으로 연결되는 것을 특징으로 하는 전계방출형 고주파 증폭기.
- 제 1 항에 있어서,상기 반사전극 및 상기 기판 사이에는 상기 캐소드전극, 상기 게이트전극 및 상기 애노드전극을 포함하는 진공공간이 형성된 것을 특징으로 하는 전계방출형 고주파 증폭기.
- 제 1 항에 있어서,상기 반사전극에는 상기 전자방출원으로부터의 전자를 반사시켜서 상기 애노드전극으로 유도하도록 음극 전압이 인가되는 것을 특징으로 하는 전계방출형 고주파 증폭기.
- 제 1 항에 있어서,상기 애노드 전극, 상기 게이트 전극 및 상기 캐소드 전극은 상기 기판 상에 동일한 평면에 배치된 것을 특징으로 하는 전계방출형 고주파 증폭기.
- 제 1 항에 있어서,상기 전자방출원은 CNT인 것을 특징으로 하는 전계방출형 고주파 증폭기.
- 기판 상에 복수의 RF 증폭부를 포함하는 RF 증폭기에 있어서,상기 RF 증폭부는,상기 기판 상에 형성된 캐소드 전극;상기 캐소드 전극의 일측에 이격되게 형성된 게이트전극;상기 게이트전극의 일측에 상기 캐소드전극과 반대방향의 일측에 형성된 애노드 전극;상기 캐소드 전극 상에서 전계에 의해 전자를 방출하는 전자방출원;상기 기판의 상방에 상기 기판과 나란하게 형성된 반사전극;을 구비하며,상기 캐소드전극에 RF 신호입력신호와 DC 캐소드 바이어스 전압이 전기적으로 연결되며, 상기 애노드전극에 RF 출력신호와 DC 애노드 바이어스 전압이 전기적으로 연결되는 것을 특징으로 하는 전계방출형 고주파 증폭기.
- 제 6 항에 있어서,상기 반사전극 및 상기 기판 사이에는 상기 RF 증폭부들의 상기 캐소드전극들, 상기 게이트전극들 및 상기 애노드전극들을 포함하는 진공공간이 형성된 것을 특징으로 하는 전계방출형 고주파 증폭기.
- 제 6 항에 있어서,상기 반사전극에는 상기 전자방출원으로부터의 전자를 반사시켜서 대응되는 상기 애노드전극으로 유도하도록 음극 전압이 인가되는 것을 특징으로 하는 전계방출형 고주파 증폭기.
- 제 6 항에 있어서,상기 애노드 전극, 상기 게이트 전극 및 상기 캐소드 전극은 상기 기판 상에 동일한 평면에 배치된 것을 특징으로 하는 전계방출형 고주파 증폭기.
- 제 6 항에 있어서,상기 전자방출원은 CNT인 것을 특징으로 하는 전계방출형 고주파 증폭기.
- 제 6 항에 있어서,상기 RF 증폭부들은 직렬로 연결되는 것을 특징으로 하는 전계방출형 고주파 증폭기.
- 제 11 항에 있어서,상기 RF 증폭부들 사이에는 커패시터가 연결되며,상기 커패시터는 그 일단이 선행하는 RF 증폭부의 애노드전극에 연결되고, 타단이 이어지는 RF 증폭부의 캐소드전극에 연결되는 것을 특징으로 하는 전계방출형 고주파 증폭기.
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