KR100230116B1 - 에미터로부터 방출된 전자상의 주위 전기 포텐셜 상태의 비균일 영향을 극소화시킬수 있는 전계 방출 전자총 - Google Patents

에미터로부터 방출된 전자상의 주위 전기 포텐셜 상태의 비균일 영향을 극소화시킬수 있는 전계 방출 전자총 Download PDF

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Abstract

기판의 예정부상에 형성된 에미터(104)와, 기판의 잔유부상에 형성된 절연막(105)와, 각각의 에미터와 제1게이트 전극(101)사이의 스페이스를 가진 에미터를 둘러싸도록 절연막상에 형성되고 제1전압이 가해지는 제1게이트 전극(101)과, 제1게이트 전극과 제2게이트 전극의 외주면사이의 간격을 가진 제1게이트 전극의 외주면을 둘러싸도록 절연막상에 형성되고 제1전압보다 적은 제2전압이 가해지는 제2게이트 전극(102)을 포함하는 전계 방출 전자총에 있어서, 에미터는 기판의 중심부를 제외하고 기판상에 형성된다. 상기 제1게이트 전극은 기판의 중심부상에 위치된 절연막의 중심부를 노출시키는 구멍(107)을 형성하는 내주면을 갖는다. 제3게이트 전극(106)은 제1전압보다 적은 제3전압이 가해지고 제1게이트 전극과 제3게이트 전극의 내주면사이의 다른 간격을 가진 절연막의 중심부상에 형성될 수 있다.

Description

에미터로부터 방출된 전자상의 주위 전기 포텐셜 상태의 비균일 영향을 극소화시킬수 있는 전계 방출 전자총
본 발명은 끝이 뾰족한 복수의 에미터를 포함하는 전계 방출 전자총에 관한 것이다.
전계 방출 전자총은 전기장을 집중시키는 끝이 뾰족한 형상의 에미터, 에미터 부근에 위치된 게이트 전극 및, 양전극을 포함한다. 전계 방출 전자총에서 총전류량은 복수의 에미터를 집적화시킴으로써 증가될 수 있다.
전계 방출 전자총은 광범위하게 적용될 수 있다. 전계 방출 전자총이 평면 디스플레이 장치에 사용되는 경우, 형광부재가 전자총으로부터 1㎜ 정도의 간격으로 위치된다. 전자는 전자빔으로서 에미터로부터 형광부재를 향해서 방출된다.
자연적으로, 전자빔은 특정 발산각으로 방출된다. 발산각이 크면, 전자빔은 형광부재상의 단면적이나 충분히 작은 직경을 형성할 수 없다. 그래서 형광부재의 발광을 감소시킨다.
경험적으로, 20 내지 30 정도의 발산각이 확실했었다. 충분한 발광을 보증하도록, 발산각을 억제시키고자한 여러 가지 제안이 있었다. 예를들면, 일본 특허 공개공보 제343000/1993호, 제242794/1993호, 제266806/1993호 및, 제29484/1995호에는 전자비임의 발산을 억제시키도록 전자의 반발력을 야기시키는 포커싱 전극이나 편향 전극의 사용이 개시되어 있다.
후술되는 바와같이, 종래의 전계 방출 전자총은 에미터로부터 방출되는 전자상의 주위 전기 포텐셜 상태의 비균일 영향을 극소화시킬 수 없다.
그러므로, 본 발명의 목적은 방출영역의 에미터로부터 방출되는 전자상의 주위 전기 포텐셜 상태의 비균일 영향을 극소화시킬 수 있는 전계 방출 전자총을 제공하는 것이다.
본 발명의 다른 목적은 방출영역의 에미터에 공통인 균일한 전자 방출특성을 성취할 수 있는, 서술된 형태의 전계 방출 전자총을 제공하는 것이다.
본 발명의 또다른 목적은 후술되는 설명으로부터 명백해진다.
본 발명에 적용될 수 있는 전계 방출 전자총은 전도성 재료의 기판, 각각 끝이 뾰족한 형상이며 전자를 방출하기 위한 기판의 복수의 예정부상에 형성된 복수의 에미터, 기판의 잔유부상에 형성된 절연체 막, 각각의 에미터와 제1게이트 전극 사이의 스페이스를 가진 에미터를 둘러싸도록 절연막상에 형성되고 제1전압이 가해지는 제1게이트 전극 및, 제1게이트 전극과 제2게이트 전극의 외주면 사이의 간격을 가진 제1게이트 전극의 외주면을 둘러싸도록 절연막상에 형성되고 제1전압보다 적은 제2전압이 가해지는 제2게이트 전극을 포함한다.
본 발명에 따르면, 상기 에미터는 기판의 중심부를 제외하고 기판상에 형성된다. 상기 제1게이트 전극은 기판의 중심부상에 위치된 절연막의 중심부를 노출시키는 구멍을 형성하는 내주면을 갖는다.
양호하게는, 제3게이트 전극은 제1전압보다 적은 제3전압이 가해지고 제1게이트 전극과 제3게이트 전극의 내주면사이의 다른 간격을 가진 절연막의 중심부상에 형성될 수 있다.
제3전극에 적용된 전압 및 구멍의 크기를 적절히 선택함으로써, 방출영역의 에미터로부터 방출된 전자상의 주위 전기 포텐셜 상태의 불균일 영향을 극소화시키고, 개개의 전자의 방출 특성을 균일하게 하도록 제어하는 것이 가능하게 된다.
제1도는 종래의 전계 방출 전자총의 단면도.
제2도는 본 발명의 제1실시예에 따른 전계 방출 전자총의 단면도.
제3도는 제2도에 도시된 전계 방출 전자총의 평면도.
제4(a)도 내지 제4(d)도는 제2도에 도시된 전계 방출 전자총의 제조공정을 설명하기 위한 단면도.
제5도는 제4(a)도 내지 제4(d)도에 도시된 공정에 의해 제조된 전계 방출 전자총의 시뮬레이션 결과를 보여주는 그래프.
제6도는 본 발명의 제2실시예에 따른 전계 방출 전자총의 평면도.
제7도는 본 발명의 제3실시예에 따른 전계 방출 전자총의 평면도.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
101 : 제1게이트 전극 102 : 제2게이트 전극
104 : 에미터 106 : 제3게이트 전극
107 : 구멍 109 : 기판
먼저, 제1도를 참조하여, 본 발명의 이해를 돕기 위해 종래의 전계 방출 전자총에 대해 서술한다. 전계 방출 전자총은 명세서의 전제부에서 설명한 종래의 전계 방출 전자총과 같고, 이중 게이트 구조를 갖는다.
전계 방출 전자총은 예를들어, 실리콘(Si) 같은 전도성 재료의 기판(109)을 포함한다. 전도성 재료는 다른 반도체나 도체일 수 있다. 각각 끝이 뾰족한 원추형인 복수의 에미터(104)는 전자 방출을 위해 기판(109)의 복수의 예정부상에 형성된다. 절연막(105)는 기판(109)의 잔유부상에 형성된다.
금속막의 제1게이트 전극(101)(또는 추출)은 제1게이트 전극(101)과 각각의 에미터(104)사이의 스페이스를 가진 에미터(104)를 둘러싸도록 절연막(105)상에 형성된다. 제1게이트 전극(101)은 제1전압(V1)으로 가해진다.
제2게이트 전극(102)(또는 포커싱 전극)은 제2게이트 전극(102)과 제1게이트 전극(101)의 외주면사이의 간격(또는 갭)을 가진 제1게이트 전극(101)의 외주면을 둘러싸도록 절연막(105)상에 형성된다. 제2게이트 전극(102)은 제2전압으로 가해진다. 제2전압(V2)은 제1전압(V1)보다 작다.
양전극(108)은 제1 및 제2게이트 전극(101, 102)상에 배열된다. 양전극(102)은 다른 전압(Va)으로 가해진다.
제1전압(V1)의 제1전원은 기판(109)과 제1게이트 전극(101) 사이에 접속된다. 제2전압(V2)의 제2전원은 기판(109)과 제2게이트 전극(102)사이에 접속된다. 기판(109)의 전압 드롭이 거의 무시할 수 있는 정도이기 때문에, 제1전압(V1)이 에미터(104)와 제1게이트 전극(101)사이에 인가되고 제2전압(V2)이 에미터(104)와 제2게이트 전극(102)사이에 인가되는 것으로 이해된다. 전원의 다른 전원은 기판(109)과 양전극(108)사이에 연결된다.
각 에미터(104)의 팁부로부터 방출된 전자는 제2게이트 전극(102)에 의해 편향된다. 제1게이트 전극(101)을 통과한 후, 전자는 양전극(108)의 양전위에 의해 가속된다. 마지막으로, 전자는 전자빔으로서 양전극(108)상에 집중된다.
상술된 전계 방출 전자총에서, 각 에미터(104)의 팁부로부터 방출된 전자는 제1게이트 전극(101)의 제1전압(V1)보다 낮은 전기 포텐셜을 가진 제2게이트 전극(102)에 의해 편향된다. 복수의 에미터(104)가 단일의 제2게이트 전극(102)에 의해 둘러싸이므로, 각각의 개별적인 에미터(104)와 제2게이트 전극(102)사이의 기질적인 관계는 각각의 개별적인 에미터(104)의 위치에 따라 다르다. 에미터(104)는 제1게이트 전극(101)의 외주면에 의해 형성된 방출영역(E)내에 배열된다. 방출영역(E)의 중심부와 외주부에 위치된 에미터(104)는 내, 외부 에미터로서 칭한다. 제2게이트 전극(102)에 의한 영향은 내부 에미터(104)로부터 방출된 전자와 외부 에미터(104)로부터 방출된 전자사이에서 크게 다르다. 특히, 제2게이트 전극(102)에 인접한 외부 에미터(104)로부터 방출된 전자는 제2게이트 전극(102)으로부터 보다 큰영향을 받는다.
제1 및 제2게이트 전극(101, 102)은 전기 절연 되어야 한다. 이 때문에, 제1 및 제2게이트 전극(101, 102)은 제1도에 도시된 바와같이, 이들 사이에 갭을 형성하도록 서로로부터 분리되어 있다. 이 갭을 통해서, 전자가 기판(109)의 전기 포텐셜에 의해 영향을 받게 된다.
특히, 방출영역(E)의 외주부에서, 전자는 중심부에 배열된 내부 에미터(104)의 전기 포텐셜에 의해 영향을 받게 된다. 한편, 제1게이트 전극(101)의 외주면은 방출영역(E)의 외주부에 존재한다. 또한, 제1 및 제2게이트 전극(101, 102)사이의 갭은 제1게이트 전극(101)의 외주면의 외측부에 존재한다. 제2게이트 전극(102)의 갭이 외면에 위치된다.
상술한 구조에서, 전자는 제1게이트 전극(101)의 전기 포텐셜 보다 낮은 전기 포텐셜을 유지하는 내부 에미터(104)로부터 내부 반발력을 받는다. 또한, 전자는 제1게이트 전극(101)의 전기 포텐셜 보다 낮은 전기 포텐셜을 가진 갭으로부터 내부 반발력을 받는다. 여기서 주목할 것은, 전자가 갭으로부터 받게되는 반발력이 제1게이트 전극(101)의 외주면으로 부터의 간격에 의존한다는 점이다. 이 간격이 크게되면, 반발력의 영향이 작게된다.
그래서, 전계 방출 전자총은 방출영역(E)에 배열된 에미터(104)로부터 방출된 전자상에 주위 전기 포텐셜 상태의 비균일 영향을 필연적으로 받게 된다.
제2도 및 제3도를 참조하면, 본 발명의 제1실시예에 따른 전계 방출 전자총이 도시되어 있다. 제2도는 제3도의 I-I선을 따라 취한 단면도이다.
제2도 및 제3도에서, 전계 방출 전자총은 후술하는 것을 제외하고는 제1도의 전계 방출 전자총과 유사하다. 다시말해서, 에미터(104)는 기판(109)의 중심부를 제외한 기판상에 형성되어 있다. 이 경우, 에미터(104)는 기판(109)의 중심부 주변의 복수의 링을 형성하도록 기판(109)상에 배열된다.
제1게이트 전극(101)은 절연막(105)의 중심부를 노출시키는 구멍(107)을 형성하는 내주면을 갖는다. 절연막(105)의 중심부는 기판(109)의 중심부상에 위치된다.
금속막의 제3게이트 전극(106)(또는 내부 포커싱 전극)은 제3게이트 전극(106)과 제1게이트 전극(101)의 내주면사이에 있는 다른 간격으로 절연막(105)의 중심부상에 형성된다. 제3게이트 전극(106)은 제1전압(V1)보다 작은 제3전압(V3)으로 인가된다. 양호하게는, 제3전압(V3)은 후술되는 바와같이, 제2전압(V2)보다 적거나 같다. 제3전압(V3)의 제3전원은 기판(109)과 제3게이트 전극(106)사이에 연결된다.
제2 및 제3게이트 전극(102, 106)은 개개의 전원에 의해 독립적으로 전압 제어된다. 각 에미터(104)의 팁부로부터 방출된 전자는 제2게이트 전극(102)에 의해 편향된다. 제1게이트 전극(101)을 통과한후, 전자는 양전극(108)의 양전위에 의해 가속된다. 마지막으로, 전자는 전자빔으로서 양전극(108)상에 집중된다. 전자의 발산을 억제하기 위하여, 제2전압(V2)(또는 포커싱 전압)과 제3전압(V3)(또는 내부 포커싱 전압)은 게이트 전압(V1)보다 적게 선택된다.
제1게이트 전극(101)용 제3전압(V3; 내부 포커싱 전압)영향이 제2전압(V2; 포커싱 전압)의 영향보다 크기 때문에, 제3전압(V3; 내부 포커싱 전압)은 제2전압(V2; 포커싱 전압)보다 작거나 같다. 제3도에서, 에미터(104)는 방출영역(E)의 중심부주변에 복수의 링을 형성하도록 50㎛의 직경을 가진 방출영역(E)내에 배열된다. 제2전극(2)은 원형 링형상을 갖는다. 제1 및 제3전극(101, 106)은 각각 인출선(20, 22)에 접속된다. 제2전극(102)은 한쌍의 인출선(21)에 접속된다.
제4(a)도 내지 제4(d)도를 참조로, 제2도의 전계 방출 전자총의 제조 공정에 대해 설명한다. 먼저, 제4(a)도를 참조하면, 절연막(105)이 기판(109)상에 500nm의 두께로 형성된다. 절연막(105)은 단일 또는 복수층의 실리콘 디옥사이드나 실리콘 니트라이드를 포함할 수 있다. 제1게이트 전극(102)(제2도), 제2게이트 전극(102)(제2도) 및 제3게이트 전극(106)(제2도)으로서 사용하기 위해, 텅스텐 실리사이드 막(10)이 200nm두께로 절연막(105)상에 형성된다. 텅스텐 실리사이드 막(10) 대신에, 알루미늄, 니오븀, 텅스텐 등의 막으로 만들어질수도 있다.
다음으로, 제4(b)도를 참조하면, 포토-리지스트 막(11)이 텅스텐 실리사이드 막(10)상에 도포된다. 제1게이트 전극(101), 제2게이트 전극(102) 및 제3게이트 전극(106)은 포토리소그래피같은 공지의 기술로 분리형성된다.
포토-리지스트 막(11)이 다시 도포된후, 복수의 게이트 구멍(12)이 제4(c)도에 도시된 바와 같이, 기판(109)의 표면을 국부적으로 노출시키도록 형성된다.
제4(d)도에 도시된 바와 같이, 에미터(4)는 각각 게이트 구멍(12)에 형성된다.
상술된 제조 공정에서, 제1게이트 전극(101), 제2제이트 전극(102) 및 제3게이트 전극(106)은 200nm두께의 텅스텐 실리사이드 막(10)으로 동시에 형성된다. 그래서, 제조공정이 단순화된다.
제5도는 상술된 공정에 의해 제조된 전계 방출 전자총에 의해 얻어진 시뮬레이션 결과를 도시한다. 각 에미터(104)가 1.2㎛의 직경을 갖는 것으로 가정한다. 방출영역(E)은 50㎛의 직경을 갖는다. 제1 및 제2게이트 전극(101, 102)사이의 갭은 5㎛와 같다. 갭과 최외부 에미터(104)나 최내부 에미터(4)사이의 가장자리 간격은 5㎛와 같다. 제1전압(V1)과 제2전압(V2)은 각각 70V 및 50V와 같다. 제2전압(V2)과 제3전압(V3)사이의 관계가 최적이다. 상술된 조건하에서, 제3게이트 전극(106)의 직경은 1 내지 45㎛로 변화된다.
제5도에서, 횡좌표는 방출영역(E)의 직경에 대한 제3게이트 전극(106)의 직경비이고, 종좌표는 에미터(104)상부의 1㎜에 위치하는 형광부재에 의해 검출된 비임 직경이다. 비임직경은 제3게이트 전극(106)이 형성되지 않은 즉, 상술된 비가 제로인 경우의 단일성과 같다고 가정하면, 상대치로서 주어진다.
제5도를 참조하면, 비임직경은 상술된 비의 증가로 선형으로 감소한다. 그래서, 제3게이트 전극(106)의 직경에 대한 비임직경의 의존이 입증된다. 제5도로부터 알 수 있는 바와같이, 에미터(104)로부터 방출된 전자의 발산은 제3게이트 전극(106)의 증가로 인해 억제된다. 갭 간격이 5㎛이고, 가장자리 간격이 5㎛일지라도, 이들 직경은 에미터(104)의 직경에 따라 변화될 수 있다. 양호하게는, 갭 간격 및 가장자리 간격은 1 내지 20㎛의 범위내에서 선택된다.
제6도를 참조하면, 본 발명의 제2실시예에 따른 전계 방출 전자총은 제3게이트 전극(106)과 인출선(22)이 생력된 점에서 제1실시예와 다르다. 특히, 제1게이트 전극(101)의 내주면에 의해 형성된 구멍(107)은 절연막(105)의 중심부를 노출시킨다. 제2실시예에서, 에미터로부터 방출된 전자는 절연막(105)을 통해 기판의 전기 포텐셜에 의해 영향을 받는다.
제1전압(V1)과 구멍의 직경(107)을 효과적으로 활용함으로써, 제3게이트 전극(106)이 없는 상술된 구조는 제1실시예와 같은 유사한 효과를 성취할 수 있다. 제3게이트 전극(106)을 위한 인출선(22)이 더 이상 필요치 않기 때문에, 에미터(104)는 대칭이나 원형 패턴으로 배열될 수 있다. 그래서, 대칭이나 원형 단면을 가진 전자비임이 형성될 수 있다.
제7도를 참조하면, 본 발명의 제3실시예에 따른 전계 방출 전자총은 후술되는 에미터(104)의 구성을 제외하고는 제1실시예의 구조와 유사하다. 잔유부에 대한 설명은 더 이상 필요없다.
제3실시예에서, 에미터(104)는 기판(109)의 중심부주변에 단일 링을 형성하도록 기판(109)상에 배열된다. 제2게이트 전극(102; 포커싱 전극)과 제3게이트 전극(106; 내부 포커싱 전극)이 각 에미터(104)에 밀접하게 위치될 수 있으므로, 포커싱영향이 증가된다.
한편, 진공중에서, 양이온이나 래디컬이 에미터(104)를 향해 양전극(8)으로부터 발생되어 에미터(4)와 충돌된다. 이러한 충돌은 종종 비소망의 방전을 발생시킨다. 렌즈 시스템이 축 대칭 구조를 갖는 경우, 예를들면, 양이온이나 래디컬은 에미터(104)의 중심부에 집중된다. 상술된 각각의 구조에서 이온은 에미터(104)와의 충돌없이 구멍(107)이나 제3게이트 전극(106)에 도달된다. 그래서, 본 발명은 장수명화의 장점을 제공하는 것이다.
제3게이트 전극(106)이나 구멍(107)이 전술한 설명의 원형과 다른 적절한 형상을 가질 수 있다. 예를들면, 직사각형 홈으로 대체될 수 있다. 제3게이트 전극(106)이나 구멍(107)의 크기는 방출상태에 따라 선택될 수 있다. 제1게이트 전극(101), 제2게이트 전극(102) 및 제3게이트 전극(106) 각각의 재료 및 두께는 특별히 상술한 것으로 제한되지 않는다.
본 발명에 따르면, 제3게이트 전극(106)과 구멍(107)의 콤비네이션이나 구멍(107)만이 방출영역(E)의 중심부에 형성된다. 이 구조에서는, 중심부에 위치된 에미터(104)로부터 방출된 전자와 외주부에 위치된 에미터로부터 방출된 전자를 위한 균일한 이동방향을 성취하는 것이 가능하게 된다.
종래 기술에서, 개개의 에미터로부터 방출된 전자는 개개의 에미터의 위치에 따라 다른 발산각과 이동방향을 갖는다. 그러므로, 고밀도 전류가 얻어질 수 없게 된다. 한편, 본 발명에 따르면, 비교적 큰 스페이스를 차지하는 방출영역으로부터 방출된 전자를 포커싱할 수 있다.
그러므로, 에미터 영역은 고밀도 전류 비임을 실현할 수 있도록 증가될 수 있다.

Claims (11)

  1. 전도성 재료의 기판과, 각각 끝이 뾰족한 형상이며 전자를 방출하기 위한 기판의 복수의 예정부상에 형성된 복수의 에미터와, 기판의 잔유부상에 형성된 절연막과, 각각의 에미터와 제1게이트 전극 사이의 스페이스를 가진 에미터를 둘러싸도록 절연막상에 형성되고 제1전압이 인가되는 제1게이트 전극과, 제1게이트 전극과 제2게이트 전극의 외주면사이의 간격을 가진 제1게이트 전극의 외주면을 둘러싸도록 절연막상에 형성되고 제1전압보다 적은 제2전압이 인가되는 제2게이트 전극을 포함하며, 상기 에미터는 기판의 중심부를 제외하고 기판상에 형성되며, 상기 제1게이트 전극은 기판의 중심부상에 위치된 절연막의 중심부를 노출시키는 구멍을 형성하는 내주면을 갖는 것을 특징으로 하는 전계 방출 전자총.
  2. 제1항에 있어서, 상기 기판의 전도성 재료는 도체인 것을 특징으로 하는 전계 방출 전자총.
  3. 제1항에 있어서, 상기 기판의 전도성 재료는 반도체인 것을 특징으로 하는 전계 방출 전자총.
  4. 제1항에 있어서, 상기 에미터는 기판의 중심부 주변에 복수의 링을 형성하도록 기판상에 배열되는 것을 특징으로 하는 전계 방출 전자총.
  5. 제1항에 있어서, 상기 에미터는 기판의 중심부 주변에 단일 링을 형성하도록 기판상에 배열되는 것을 특징으로 하는 전계 방출 전자총.
  6. 제1항에 있어서, 제1전압보다 적은 제3전압이 인가되고 제1게이트 전극과 제3게이트 전극의 내주면사이의 다른 간격을 가진 절연막의 중심부상에 형성되는 제3게이트 전극을 부가로 포함하는 것을 특징으로 하는 전계 방출 전자총.
  7. 제6항에 있어서, 상기 제3전압은 제2전압보다 크지 않은 것을 특징으로 하는 전계 방출 전자총.
  8. 제6항에 있어서, 상기 기판의 전도성 재료는 도체인 것을 특징으로 하는 전계 방출 전자총.
  9. 제6항에 있어서, 상기 기판의 전도성 재료는 반도체인 것을 특징으로 하는 전계 방출 전자총.
  10. 제6항에 있어서, 상기 에미터는 기판의 중심부 주변에 복수의 링을 형성하도록 기판상에 배열되는 것을 특징으로 하는 전계 방출 전자총.
  11. 제6항에 있어서, 상기 에미터는 기판의 중심부 주변에 단일링을 형성하도록 기판상에 배열된 것을 특징으로 하는 전계 방출 전자총.
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Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2891196B2 (ja) * 1996-08-30 1999-05-17 日本電気株式会社 冷陰極電子銃およびこれを用いた電子ビーム装置
JP3127844B2 (ja) * 1996-11-22 2001-01-29 日本電気株式会社 電界放出型冷陰極
JP2940498B2 (ja) * 1996-11-25 1999-08-25 日本電気株式会社 冷陰極素子支持方式
US6255768B1 (en) 1999-07-19 2001-07-03 Extreme Devices, Inc. Compact field emission electron gun and focus lens
US6429596B1 (en) 1999-12-31 2002-08-06 Extreme Devices, Inc. Segmented gate drive for dynamic beam shape correction in field emission cathodes
JP4169496B2 (ja) 2001-07-05 2008-10-22 松下電器産業株式会社 受像管装置
KR101065393B1 (ko) * 2005-09-22 2011-09-16 삼성에스디아이 주식회사 전자 방출 디바이스와 이를 이용한 전자 방출 표시디바이스
ATE515052T1 (de) * 2007-12-28 2011-07-15 Selex Sistemi Integrati Spa Feldemissionsbauelement des hochfrequenz- triodentyps und herstellungsprozess dafür
US9782136B2 (en) 2014-06-17 2017-10-10 The University Of North Carolina At Chapel Hill Intraoral tomosynthesis systems, methods, and computer readable media for dental imaging
US10980494B2 (en) 2014-10-20 2021-04-20 The University Of North Carolina At Chapel Hill Systems and related methods for stationary digital chest tomosynthesis (s-DCT) imaging

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4578614A (en) * 1982-07-23 1986-03-25 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy Ultra-fast field emitter array vacuum integrated circuit switching device
US5191217A (en) * 1991-11-25 1993-03-02 Motorola, Inc. Method and apparatus for field emission device electrostatic electron beam focussing
DE69204629T2 (de) * 1991-11-29 1996-04-18 Motorola Inc Herstellungsverfahren einer Feldemissionsvorrichtung mit integraler elektrostatischer Linsenanordnung.
JP2629521B2 (ja) * 1992-06-05 1997-07-09 双葉電子工業株式会社 電子銃及び陰極線管
JPH0729484A (ja) * 1993-07-07 1995-01-31 Futaba Corp 集束電極を有する電界放出カソード及び集束電極を有する電界放出カソードの製造方法
US5666024A (en) * 1995-06-23 1997-09-09 Texas Instruments Incorporated Low capacitance field emission device with circular microtip array

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