CN101346492A - 用于优化的等离子室接地电极总成的设备 - Google Patents

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Abstract

公开一种配置为为等离子处理系统的等离子处理室提供接地路径的电极总成。该设备包括配置为暴露于等离子的电极。该设备还包括设置在该电极上面的加热板，其中该加热板配置为加热该电极。该设备进一步包括设在该加热板上面的冷却板，其中该冷却板配置为冷却该电极。该设备还包括等离子室盖，配置为将等离子限制在该等离子室中，其中该等离子室盖包括接地。该设备进一步包括夹紧环，配置为将该电极、该加热板和该冷却板固定到该等离子室盖，该夹紧环进一步配置为提供从电极到室盖的接地路径。

Description

用于优化的等离子室接地电极总成的设备
技术领域
本发明大体上涉及基片制造工艺，更具体地，涉及用于优化的等离子室电极总成的设备。
背景技术
在基片，例如半导体基片或玻璃面板(如在平面显示器制造中所使用)的处理过程中，往往使用到等离子。例如，作为基片处理的一部分，将基片分为多个模片或者矩形区域，其中每个将会成为集成电路。然后，将在一系列步骤中处理基片，在这些步骤中有选择地去除(蚀刻)和沉积材料。将晶体管门关键尺寸(CD)控制在几个纳米的数量级是最优先的，因为目标门长度的每个纳米的偏差会直接影响到这些装置的运行速度和/或运转性能。
在一个示例性的等离子工艺中，在蚀刻之前在基片上涂上硬化的感光剂(如，光刻胶掩模)。然后有选择地去除该硬化的感光剂的多个区域，导致下面的暴露出来。然后将基片设在该等离子处理室中称为卡盘的(例如，单极、双极电极、机械的等)基片支撑件上。然后将一组适当的等离子气体流入该室，并激发形成等离子以蚀刻具有特定几何图案的暴露的基片区域。
现在参考图1，示出电容耦合等离子处理系统的简图。通常，在接地电极106和供电的下部电极(卡盘)105之间保持等离子。第一RF发生器134产生等离子并且控制等离子密度，而第二RF发生器138产生偏置RF，通常用来控制DC偏置以及离子轰击能量。
进一步连接到源RF发生器134和偏置RF发生器138的是匹配网络136，其试图将RF功率源的阻抗与等离子110匹配。此外，为了获得需要的压力以保持等离子110，通常是用泵111来将空气从等离子室102排出。另外，可凭借限制环103将等离子110限制在卡盘105和接地电极106之间，该限制环103可控制等离子110内的压力。通过去除限制环103可以增加和减少两个邻近限制环之间的间距或间隙，通常通过利用凸轮环来完成。气体分配系统122通常由一些包含等离子处理气体的气瓶组成(例如，C4F8、C4F6、CHF3、CH2F3、CF4、HBr、CH3F、C2F4、N2，O2、Ar、Xe、He、H2、NH3、SF6、BCI3、Cl2、WF6等)。
通常，为了获得整个基片表面基本上均匀的蚀刻剂气体分配，接地电极通常包括穿孔或小孔，形成喷头结构，等离子气体可通过其进入等离子室。在一般的构造中，电极总成通常包括室盖(为了在该等离子室中牢固地连接电极组件)，冷却板和加热板(为了防止等离子气体反应穿孔或小孔中发生)，背板(为了将电极与加热板和冷却板绝缘，同时仍留出该加热板、冷却板和该接地电极之间的热传递路径)，以及接地电极自身(为了将等离子气体分布到整个基片表面，并且为通电电极提供RF返回接地路径)。
现在参考图2，示出一般的电极总成结构的简图。室盖212通常配置为与该等离子室紧密配合以保持用于等离子处理的基本上真空的环境。通常，室盖212包括顶板212b和环形桩212a，该环形桩突入该等离子室(未示)并且提供环形表面，冷却板208或加热板206可连接到该表面上。环形桩212a进一步被凹槽围绕(由环形桩212a和顶板212b限定)，其中通常凹槽内设有垫圈214。在一种结构中，电极分总成(依次包括冷却板208、加热板206、背板204和接地电极202)利用第一组金属紧固件组装成或者层叠为单体结构，然后作为一个单元利用第二组金属紧固件连接到环形桩212a，以组装该电极总成。
冷却板208由冷却系统冷却，该冷却系统通过该冷却板208内的空腔循环流体。另外，该流体可以是液体(例如，水等)或者气体(例如，空气等)。液体或者空气可以是冰冷的以产生更好的冷却效果并且可以循环以得到更高的效率。这个流体转而通过一组管道泵到外部热对流源，如热交换器，然后返回到该卡盘。加热板206通常包括一组电阻元件，当向这组元件提供电流时，这些元件输出热量。与冷却板208相结合，加热板206允许等离子气体温度保持在制法参数内，从而大体上维持蚀刻质量和基片产量。背板204通常由石墨制成，背板大体上提供纵贯接地电极202的温度均一性。
然而，背板204通常由相对软的材料制成(例如，石墨等)。因此，为了与螺纹金属紧固件正确地配合，往往需要螺旋线圈插入物。螺旋线圈通常是内螺纹插入物，用于在任何可能造成螺纹损伤的装备中产生更强的螺纹。然而，使用具有不同热膨胀率的不同材料由于其反复受热和冷却可能导致在电极总成中形成缺陷。热膨胀系数(α)通常定义为温度每升高一个单位，长度上的分数增加。确切的定义依赖于是在精确的温度(实际的α)上指定或者是在温度范围内(平均α)指定。前者可能与长度-温度图的切线的斜率有关，而后者可能取决于这个曲线上两点之间弦的斜率。
通常，该电极总成的金属部分(例如，冷却板208、加热板206、螺栓等)具有一般比该电极总成的非金属部分(例如，背板等)更高的α。例如，与具有较小α(例如6.5×10-6K-1)的石墨(一般用于背板204)相比，铝(一般用于冷却板208、加热板206、接地电极202、金属紧固件等中)通常具有相对大的α(例如，23.1x10-6K-1)。即，温度每增加一个单位，铝的膨胀可高达石墨的四倍。然而，利用金属紧固件将电极总成组装为单体结构，该金属紧固件贯穿多个不同的部件(例如，冷却板、加热板、背板、接地电极等)，并因此具有最小的在组件之间的横向和纵向运动。因此，温度的反复循环会对背板204施压并因此损坏背板，并因此产生石墨微粒，其会污染等离子室。通常，横轴平行于基片表面，而纵轴垂直于基片表面。
另外，在电极分总成中使用金属紧固件也会增加电弧放电的可能。电弧通常是高功率密度短电路，其具有微型爆炸的效果。当电弧发生在目标材料或者室固定装置的表面或者在表面附近时，会造成重大的损害，如局部融化。等离子电弧通常是由低等离子阻抗导致的，其产生稳定增加的电流。如果这个电阻足够低，那么电流将无限增加(仅受到电源和阻抗的限制)，进而产生短路，其中发生全部能量转移。这个会导致对基片以及等离子室的损伤。例如，因为RF电荷从通电电极向接地电极排走，次级放电会发生于金属紧固件，特别是跨过穿孔或小孔。
此外，大量的金属紧固件也使得组装、对准、替换和/或安装电极分总成出现问题。例如，紧固件公差可能相对紧密(例如，1/1000″英寸等)。然而，在电极总成重复地暴露于等离子和/或温度循环之后，实际的公差会减小(公差收缩)。例如，污染物会挤进螺旋线圈，或者紧固件孔尺寸减少等。所以，在不使用多个工具的情况下(例如，螺丝刀，锤子，楔子等)，难以以安全的方式去除电极总成而不造成对电极总成本身的损坏。例如，石墨是相对脆的材料。然而，如果需要使用锤子从背板取出冷却板或加热板，会对石墨造成极大损害。
另外，由于大多数通用的电极总成通常不包括专门的RF返回路径，所以接地的电气特性会在接连的基片和交替的制法之间变化，取决于电极总成磨损或者所使用的等离子气体的电特性。通常，在电极总成中使用的大部分材料是导电的。然而，确切的接地返回路径会发生物理上的转变，并因此影响等离子上的电载荷。对于给定的工艺制法，RF功率传输在整个等离子工艺中保持稳定对于获得稳定的处理结果通常是有好处的。
综上所述，需要一种用于优化的等离子室电极总成的方法和设备。
发明内容
在一个实施方式中，本发明涉及一种电极总成，其配置为为等离子处理系统的等离子处理室提供接地路径。该设备包括配置为暴露于等离子的电极。该设备还包括设在电极上面的加热板，其中该加热板配置为加热该电极。该设备进一步包括设在该加热板上面的冷却板，其中该冷却板配置为冷却该电极。该设备还包括等离子室盖，配置为将等离子限制在等离子室内，其中该等离子室盖包括接地。该设备进一步包括夹紧环，配置为将该电极、该加热板和该冷却板固定于该等离子室盖，该夹紧环进一步配置为提供从电极到该室盖的接地路径。
在一个实施方式中，本发明涉及一种电极总成，配置为为等离子处理系统的等离子处理室提供接地路径。该设备包括配置为暴露于等离子的电极。该设备还包括等离子室盖，配置为将等离子限制在该等离子室中，其中该等离子室盖包括接地。该设备进一步包括夹紧环，配置为将该电极固定到该等离子室盖，该夹紧环进一步配置为提供从该电极到该室盖的接地路径。
在一个实施方式中，本发明涉及一种电极总成，配置为为等离子处理系统中的等离子处理室提供接地路径。该设备包括配置为暴露于等离子的电极。该设备还包括等离子室盖，配置为将等离子限制在该等离子室中，其中该等离子室盖配置为与该电极形成篮筐式(basket)并且进一步配置为提供接地路径。
本发明的这些和其他特征将在下面的具体描述中结合附图更详细地说明。
附图说明
在附图中，本发明作为示例而不是作为限制来说明，其中类似的参考标号指出相似的元件，其中：
图1示出电容耦合等离子处理系统的简化图；
图2示出一般使用的电极总成的简化图；
图3A-C示出，根据本发明的实施方式，一组具有夹紧环的电极总成简化图；以及
图4A-C示出，根据本发明的实施方式，电极总成的简化图，其中夹紧环集成在该室盖中。
具体实施方式
现在将根据其如在附图中说明的几个实施方式来具体描述本发明。在下面的描述中，阐述许多具体细节以提供对本发明的彻底理解。然而，对于本领域技术人员，显然，本发明可不利用这些具体细节的一些或者全部而实施。在有的情况下，公知的工艺步骤和/或结构没有说明，以避免不必要的混淆本发明。
尽管不希望受限于理论，但是发明人相信在这里配置为具有夹紧环的优化的电极总成(例如，电极，冷却板，加热板，背板等)提供始终如一的RF返回路径，更简单并且在等离子室中安装和移除花费更少的时间，并且大大减少了由热膨胀导致的微粒生成。在下面的讨论中，在此使用术语“扣紧”来讨论将紧固件移入固定结构。此外，术语“紧固件”应当理解为应用广泛的固定装置，如螺钉、螺栓、夹子和钉。
如前面所讨论的，为了实现整个基片表面基本上均一的蚀刻剂气体分布，电极总成(例如，通电电极，接地电极等)通常具有穿孔或者小孔(例如，喷头)。使用具有不同膨胀率的不同材料会因此导致在电极总成中产生缺陷，因为其重复加热和冷却。然而，在一种有利的方式中，当前的发明允许电极分总成组件(例如，冷却板，加热板，背板，电极等)设置在由夹紧环形成的凹坑(pocket)里，而不需要使用金属紧固件。这个凹坑结构可允许比在常用的构造中更大的横向和纵向运动，并因此产生更少的污染物。也就是，温度的重复循环会产生大大降低的对背板的压力以及由此大大降低对背板的损伤，并因此使所产生的污染物的数量最少(例如，，石墨微粒等)。例如，在一个实施方式中，电极总成组件和夹紧环内部表面之间1mm的横向公差足以减小压力。在一个实施方式中，电极总成组件和电极远离等离子的横向表面之间1mm的纵向公差可足以减少压力。
在一个实施方式中，夹紧环，包括设在凹坑中的电极分总成组件，可固定于室盖。通常，将夹紧环固定到该室盖上会将电极分总成组件压在一起，用于等离子室运行。另外，该夹紧环可利用一组紧固件固定到室盖，这些紧固件充分扣紧或拧紧以将该电极分总成压在一起。在一个实施方式中，如果需要，该紧固件沉头或者倒圆角以减小电弧放电。在一个实施方式中，该夹紧环利用一组非金属紧固件(例如，陶瓷等)固定到室盖。在一个实施方式中，该夹紧环本身形成在室盖中，并因此不需要金属紧固件。在一个实施方式中，该夹紧环/室盖是层叠的或者是阶梯状的以固定电极分总成组件。
此外，因为先前插入电极分总成(例如，冷却板，加热板，背板，电极，等)的紧固件的数量大大减少或者排除，所以也降低了电弧放电的可能性。也就是，这些紧固件不再设置在很可能发生电弧放电的该电极的小孔或者穿孔附近。相反，夹紧环紧固件因为通常远离电极的小孔或者穿孔设置并且在接地路径上，所以产生电弧的可能性更小。如前面讨论的，电弧通常是高功率密度短路，其具微型爆炸的效果，会导致对基片以及等离子室的损坏。大大减少金属紧固件的数量也会减少由于排走RF电荷而发生的次级放电的可能性。此外，专门的返回路径也会确保接地的电特性在连续的基片或交替的等离子制法之间保持一致。
现在参考图3A-3C，根据本发明的实施方式，一组具有夹紧环的电极总成的简化图。图3示出根据本发明的实施方式的电极总成的横向、等轴视图。室盖312配置为与等离子室配合以维持用于等离子处理的基本上的真空。通常，室盖312包括顶板312b和环形桩312a(circular stub)，该环形桩突出入该等离子室(未示)并且提供环形表面，冷却板308或者加热板306可以设置在该表面上。环形桩312a进一步被凹槽围绕(由环形桩312a和顶板312b限定)，垫圈314通常设置在该凹槽中。
在一种构造中，冷却板308设置在环形桩312a的下方。在冷却板308下方通常是加热板306，其结合起来允许等离子气体温度维持在制法参数范围内，以便大体上保持蚀刻质量和基片产量。在加热板306下方是背板304。一般由石墨制成，背板通常提供纵贯电极302的温度均一性。
然而，与一般所使用的构造不同，夹紧环301固定到电极302，形成凹坑或者桶，冷却板308、加热板306和背板304可设在其中。凹坑构造允许更大的横向和纵向运动，因为不需要金属紧固件来在该凹坑内固定组件(如冷却板，加热板，背板等)。因此，温度的重复循环会对背板产生比通常所用的构造大大减少的压力并因此产生更少的损伤。也就是，所产生的污染物(例如，石墨微粒，等)最少。
在一个实施方式中，夹紧环301可利用一组紧固件(例如，螺栓、螺钉等)固定到电极302。在一个实施方式中，夹紧环301和电极302可形成为单个单元。在一个实施方式中，该夹紧环301可以舌槽(tongue and groove)构造固定到电极302。也就是，一个组件的舌伸入另一组件的凹槽中。在一个实施方式中，夹紧环301可焊接到电极302。在一个实施方式中，夹紧环301可粘结到电极302。在一个实施方式中，夹紧环301具有朝向该夹紧环301中央横向延伸的凸缘，其中电极302位于该横向凸缘上。
此外，减少紧固件的数量也会使组装、替换和/或安装电极总成大大容易。如前面描述的，在电极总成重复暴露于等离子和/或温度循环之后，实际公差会减小。然而，大大减少或者排除金属紧固件，并因此减少对应的在石墨背板中所需螺旋线圈，也会减少螺旋线圈污染物和紧固件孔内的公差收缩。另外，因为公差收缩被最小化，所以也减少了对电极组件造成损伤的可能性。因此，不再需要工具(如螺丝刀、锤子、楔子等)来取出这些组件。
另外，电极分总成(如，电极，背板，加热板，冷却板，夹紧环等)可以是在安装在等离子处理系统之前预先组装的，大大地减少了安装时间并因此减少该等离子室关闭的时间周期。此外，夹紧环301可作为沿该等离子室内电极总成的外表面的专门的RF返回路径，使得转变的返回路径对等离子载荷的影响最小。如先前描述的，对给定工艺制法，RF功率传输在整个等离子工艺中保持稳定对于获得稳定的处理结果通常是有好处的。
现在参考图3B，根据本发明的实施方式，示出图3A的电极总成更具体的横向视图。除了先前描述的组件，还描述了额外的零件。例如，在夹紧环301和背板304之间，以及在电极302和夹紧环301之间，使用绝热体(例如，真空，陶瓷，硅弹性体等)。电方面，热/电绝缘体330和332都帮助将夹紧环301与电极分总成组件的剩余部分电绝缘，以便获得如先前描述干净和始终一致的RF返回路径。热方面，热/电绝缘体330和332都帮助减弱从等离子室到电极总成内部的热传递，最小化任何热膨胀。
相反，出于相反的原因，导热/导电粘结剂336可用在夹紧环301和冷却板308之间。也就是说，导热/导电粘结剂336将夹紧环301电连接到冷却板308，以完成RF返回路径并且确保优化的接地。热方面，导热/导电粘结剂336从等离子室以及电极总成传导热量至冷却板308。因此，所产生的热量通过在经过冷却板308内空腔的流体循环从电极总成移到冷却器系统。
现在参考图3C，根据本发明的实施方式，示出图3A的电极总成的简化的等轴视图，其中电极总成连接到该室盖。与先前的构造不同，一旦冷却器连接件(未示)和冷却板(未示)以及气体分配连接件342和电极总成对准，电极分总成组件(例如冷却板，加热板，背板，等)可快速地设在由夹紧环301和电极302形成的凹坑中，然后快速地连接到室盖312。
现在参考图4A-C，根据本发明的实施方式，一组电极总成的简化图，其中夹紧环集成入该室盖。在这个构造中，该室盖由两个组件组成：夹紧环/顶板407和盖顶板409(cover top plate)。夹紧环/顶板407配置为形成凹坑，以如先前描述的设置该电极分总成组件，而不必进一步将该分总成本身连接到该室盖。也就是，该夹紧环集成入该室盖。另外，盖顶板409配置为固定并由此压缩该分总成组件，用于等离子室运行，以及确保维持正确的室压。
图4A示出，根据本发明的实施方式，电极总成的横向等轴视图。在一个实施方式中，夹紧环/顶板407可以是层叠的或者阶梯状的以固定电极组件(例如冷却版408，加热板406，背板404，电极402，等)，而不用金属紧固件。另外，该电极402的环形突出部分可位于夹具435的环形凸缘上，该夹具的环形凸缘向中间横向延伸以支撑电极402的环形突出。
然后通过将盖顶板409连接到夹紧环/顶板407而将电极分总成组件压入该凹坑。在一个实施方式中，利用一组紧固件将盖顶板409固定到夹紧环/顶板407。在一个实施方式中，利用一组螺纹将盖顶板409固定到夹紧环/顶板407，以便其本身可以拧入夹紧环/顶板407。如先前描述的，该凹坑构造允许比通常使用的构造更大的横向和纵向运动，因为不需要金属紧固件在该凹坑内固定电极分总成组件(例如，冷却板，加热板，背板，等)。因此，温度的重复循环对背板产生比通常使用的构造大大减小的压力并因此大大减少损伤。也就是，最小化所产生的污染物(例如，石墨微粒，等)的数量。
现在参考图4B，根据本发明的实施方式，示出图4A的电极总成的更具体的横向视图。除了先前描述的部件，还描述了额外的零件。例如，设有环形保护罩438，从而横向凸缘向中间延伸并且覆盖夹紧环/顶板407和电极402之间的缝隙(如从下面看到的，即从等离子云)。这个覆盖可防止该缝隙暴露于等离子，大大减少渗入该缝隙并且可能损伤该电极总成的组件的等离子物质的数量。在一个实施方式中，罩438包括SiC或碳化硅。另外，RF垫圈436和O形密封件可设在夹紧环/顶板407的顶部表面和电极402的底部表面之间，以优化经过夹紧环/顶板407的RF返回路径。
现在参考图4C，根据本发明的实施方式，示出图4A的电极总成的简化的等轴视图。与先前的构造不同，一旦冷却器连接件(未示)和冷却板408以及气体分配连接件(未示)和电极总成对准，电极分总成组件(例如，冷却板，加热板，背板，等)可快速地设在由夹紧环/顶板407形成的层叠的或者阶梯状的凹坑内。
尽管本发明依照多个实施方式描述，但是存在落入本发明范围内的改变、置换和等同物。例如，尽管结合来自Lam Research Corp.(例如，ExelanTM，ExelanTM HP，ExelanTM HPT，VersysTM Star等)来描述本发明，但是可以使用其它的低压等离子处理系统(例如，大气压等离子处理系统，低压等离子处理系统，电感耦合等离子处理系统，电容耦合等离子处理系统等)。另外，这里所使用的词语“上面”并不要求组件与设置在其上的另一个组件之间直接接触。这个发明还可用于各种直径(如，200mm，300mm等)的基片，以及用于顶部电极通电的系统中。此外，这里使用的词语“组”包括一个或者多个该组中指明的元件。例如，一组“X”指一个或多个“X”。
本发明的优点包括用于优化的等离子室电极的设备。另外的优点可包括始终一致的RF接地返回路径，容易制造、组装和安装，大大减少金属紧固件的使用，降低电弧放电的可能性以及能够在到达等离子室之前预先组装电极分总成。
公开了示范性的实施方式和最佳模式，可对该公开的实施方式进行修改和变化，而仍在由下面的权利要求限定的本发明的主题和精神内。

Claims (25)

1.一种电极总成，配置为为等离子处理系统的等离子处理室提供接地路径，包括：
电极，配置为暴露于等离子；
加热板，设在所述电极上面，其中所述加热板配置为加热所述电极；
冷却板，设在所述加热板上面，其中所述冷却板配置为冷却所述电极；
等离子室盖，配置为将所述等离子限制在所述等离子室中，其中所述等离子室盖包括接地；
夹紧环，配置为将所述电极、所述加热板和所述冷却板固定到所述等离子室盖，所述夹紧环进一步配置为提供从所述电极到所述室盖的所述接地路径。
2.根据权利要求1所述的设备，其中所述电极和所述夹紧环形成篮筐式。
3.根据权利要求2所述的设备，其中所述电极是通电电极和接地电极之一。
4.根据权利要求3所述的设备，进一步包括设在所述电极和所述加热板之间的背板，其中所述背板配置为基本上将所述电极与所述加热板电绝缘。
5.根据权利要求4所述的设备，进一步包括设在所述夹紧环和所述加热板之间的第一夹紧环电绝缘体，其中所述第一夹紧环电绝缘体配置为大体上将所述夹紧环与所述加热板电绝缘。
6.根据权利要求5所述的设备，进一步包括设在所述夹紧环和所述冷却板之间的第二夹紧环电绝缘体，其中所述第二夹紧环电绝缘体配置为大体上将所述夹紧环与所述冷却板电绝缘。
7.根据权利要求6所述的设备，其中所述电极包括喷头
8.根据权利要求7所述的设备，其中所述电极和所述夹紧环形成为单个单元。
9.根据权利要求8所述的设备，其中所述加热板、所述冷却板和所述夹紧环不是用金属紧固件固定在一起。
10.根据权利要求9所述的设备，其中所述夹紧环包括铝。
11.根据权利要求10所述的设备，其中所述电极、所述加热板，所述冷却板、所述背板和所述夹紧环在连接到所述室盖之前预先组装成分总成。
12.根据权利要求11所述的设备，其中，所述等离子处理系统是大气压等离子处理系统、低压等离子处理系统、电感耦合等离子处理系统和电容耦合等离子处理系统之一。
13.一种电极总成，配置为为等离子处理系统的等离子处理室提供接地路径，包括：
电极，配置为暴露于等离子；
等离子室盖，配置为将所述等离子限制在所述等离子室中；
夹紧环，配置为将所述电极固定到所述等离子室盖，以及所述夹紧环进一步配置为提供从所述电极到所述室盖的所述接地路径，其中所述电极和所述夹紧环形成篮筐式。
14.根据权利要求13所述的设备，其中所述电极是通电电极和接地电极之一。
15.根据权利要求14所述的设备，其中所述电极包括喷头。
16.根据权利要求15所述的设备，其中所述电极和所述夹紧环形成为单个单元。
17.根据权利要求16所述的设备，其中所述夹紧环包括铝。
18.根据权利要求17所述的设备，其中所述等离子处理系统是大气压等离子处理系统、低压等离子处理系统、电感耦合等离子处理系统和电容耦合等离子处理系统之一。
19.一种电极总成，配置为为等离子处理系统的等离子处理室提供接地路径，包括：
电极，配置为暴露于等离子；以及
等离子室盖，配置为将所述等离子限制在所述等离子室中，所述等离子室盖进一步配置为与所述电极形成篮筐式并提供接地路径。
20.根据权利要求19所述的设备，进一步包括设在所述电极上面的加热板，其中所述加热板配置为加热所述电极。
21.根据权利要求20所述的设备，进一步包括设置在所述加热板上面的冷却板，其中所述冷却板配置为冷却所述电极。
22.根据权利要求21所述的设备，其中所述电极是通电电极和接地电极之一。
23.根据权利要求22所述的设备，其中所述电极包括喷头。
24.根据权利要求23所述的设备，其中所述夹紧环包括铝。
25.根据权利要求24所述的设备，其中所述等离子处理系统是大气压等离子处理系统、低压等离子处理系统、电感耦合等离子处理系统和电容耦合等离子处理系统之一。
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