TWI454592B - 用於最佳化的電漿室接地電極總成之裝置 - Google Patents

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Description

用於最佳化的電漿室接地電極總成之裝置
本發明主要有關於一種基底製造技術，更詳而言之，用於最佳化的電漿室接地電極總成之裝置。
在如平面顯示器用的半導體基底或玻璃板之基底的製造過程中，經常會利用電漿。例如，作為基底處理過程的一部份，將基底分成數個晶粒，或矩形區域，其之每一個將變成一個積體電路。接著於一連串的步驟中處理基底，其中選擇性地移除(蝕刻)及/或沉積材料。數奈米程度之電晶體閘極關鍵尺寸(CD)的控制係最優先考慮的事，因為自目標閘極長度每一奈米的偏離會直接轉變成這些裝置的操作速度及/或可操作性。
在範例電漿程序中，將基底在蝕刻前塗覆上一層薄膜硬化乳膠(例如光阻遮罩)。接著將硬化的乳膠區域選擇性移除，使下層的構件暴露在外。接著將基底放置在電漿處理室中稱為夾頭(chuck)的基底支承結構(如單極、雙極電極、機械式)之上。接著將一組適當的電漿器體流入室內，並且產生電擊以形成電漿以蝕刻具有特定拓樸之基底的暴露區域。
茲參照第1圖，其顯示電容性耦合之電漿處理系統之簡化圖。一般而言，在接地電極106與有電的較低電極(夾頭)105之間維持電漿。第一RF產生器134產生電漿並 控制電漿密度，而第二RF產生器138產生偏壓RF，其用來控制DC偏壓以及離子撞擊能量。
匹配網路136可進一步耦合至來源RF產生器134以及偏壓RF產生器138，以嘗試將RF電力來源的阻抗與電漿110的阻抗匹配。此外，泵111常用來將電漿處理室102的環境空氣抽空，以達成維持電漿110所需要之壓力。此外，電漿可透過限制環103限制在夾頭105與接地電極106之間，該限制環可控制電漿110內的壓力。通常可藉由使用凸輪還來移動該限制環以增加相鄰限制環間的間隔或缺口。
氣體分佈系統122通常由含有電漿處理氣體(如C4 F8 、C4 F6 、CH2 F3 、CF4 、HBr、CH3 F、C2 F4 、N2 、O2 、Ar、Xe、He、H2 、NH3 、SF6 、BCl3 、Cl2 、WF6 等等)之壓縮氣瓶構成。
一般而言，為了在整個基底表面上達成實質上均勻的蝕刻劑器體分佈，接地電極點形包含孔或洞，具有噴灑頭的組態，經由其可將電漿氣體傳送到電漿室內。在常見的組態中，電極總成通常包含室蓋(以將電極構件固定地附接在電漿室內)、冷卻板以及加熱板(為了防止在孔或洞中產生電漿氣體反應)、襯板(以將電極與加熱板和冷卻板電性絕緣，同時仍允許加熱板和冷卻板與接地電極間的熱路徑)、以及接地電極本身(為了將電漿氣體散佈至整個基底表面上，以及提供有電之電極的rf返回接地路徑)。
茲參照第2圖，顯示一常見的電極總成組態的簡化圖。室蓋212通常組態成與電漿室配對以維持電漿處理用之實質上真空。一般而言，室蓋212包含頂板212b與突伸入電漿室(未圖示)內並提供可附接冷卻板208或加熱板206用之平坦表面之環型短管212a。環型短管212a進一步由溝槽(由環型短管212a與頂板212b界定)所圍繞並且其中可置有墊圈214。在一組態中，以第一組金屬扣件組合或夾層電極次總成(依照順序包含冷卻板208、加熱板206、襯板204、及接地電極202)形成單一構造，並接著以第一組金屬扣件作為一單元附接至環型短管212a，以組合該電極次總成。
冷卻板208可由冷卻器系統冷卻，該系統在冷卻板208內的孔中重複循環流體。此外，該流體可為液體(如水等等)或氣體(如空氣等等)。可將液體或空氣冷卻以達成較大的冷卻效果並可將之重複循環而達成較大的效率。通常則經由一組導管吸取此流體至熱對流的外部來源，如熱交換器，並送回至夾頭。加熱板206通常包含一組電組元件，當提供電流至該組元件時，其會輸出熱能。結合冷卻板208，加熱板206允許電漿氣體溫度維持在製法參數內，以大致上維持時蝕刻品質以及基底產率。襯板204通常由石墨製成，襯板204一般在整個接地電極202上提供均勻之溫度。
然而，襯板204通常係由頗為軟的材料製成(如石墨等等)。因此，經常需要螺紋護套(helicoil)以與螺紋金 屬扣件恰當地配對。螺紋護套通常用在可能會有螺紋破壞的任何總成中產生較堅固的螺紋之內部螺紋護套。然而，使用具有不同熱膨脹率的不同材料會在電極總成被重覆加熱與冷卻時導致其中產生缺陷。熱膨脹係數(α)通常定義為每單位溫度升高之長度增加的分量。確切的定義會隨是否在精確的溫度(真實α)或在一溫度範圍內(中數α)指定而有所變化。前者有關於長度-溫度圖之正切的坡度，而後者係由此弧線上兩個點之間的弦的坡度所決定。
一般而言，電極總成的金屬部分(如冷卻板208、加熱板206、螺紋栓等等)通常具有比電極總成的非金屬部分(如襯板等等)更高的α。例如，與具有較小的α(如6.5x10-6 K-1 )之石墨(如常用在襯板等等中)相比，鋁(如常用在冷卻板208、加熱板206、接地電極202、金屬扣件等等中)通常具有大的α(如6.5x10-6 K-1 )。換言之，每單位溫度的增加，鋁會膨脹高達石墨的四倍。然而，電極總成係使用金屬扣件以單一構造的方式組合而成，該金屬扣件延伸穿過各種構件(如冷卻板、加熱器板、襯板、接地電極等等)，因此構件間僅有少量的橫向與縱向運動。因此，溫度的重複循環會對襯板204造成應力並破壞襯板204，並因而會製造出汙染電漿室之石墨粒子。一般而言，橫向軸與基底表面平行，而縱向軸則與基底表面垂直。
此外，在電極次總成中使用金屬扣件亦增加電弧的可能性。電弧通常為高電力密度之短路，其具有微型爆炸的 效果。當在目標材料或室配件的表面上或附近發生電弧時，會發生實質的破壞，如區域性熔化。電漿電弧通常由低電漿阻抗所引起，其會不斷地增加電流流動。若電阻夠低，則電流將會無限增加(僅受限於電源供應器及阻抗)，造成短路，其中會發生所有能量轉移。例如，當從有電之電極汲取rf電性電荷至接地電極，金屬扣件，尤其在孔或洞間，會發生副電性放電。
此外，大量的金屬扣件亦會在組合、對準、取代、及/或安裝電極次總成構件時產生許多問題。例如，扣件容限可能相對的緊(如1/1000英吋等等)。然而，在電極總成重複暴露至電漿及/或溫度循環後，實際的容限可能會降低(容限縮減)。例如，汙染物可能會擠入螺紋護套中，或者扣件孔洞的尺寸會減少等等。因此，難以在不破壞電極總成本身以及不使用多個工具(如螺絲起子、鎯頭、楔子等等)的前提下安全地移除電漿總成。例如，石墨係頗為脆弱的材料。然而，若需要使用鎯頭來將冷卻板或加熱板自襯板用力移出，則可能對石墨造成實質的破壞。
此外，由於大部分的常見電極總成組態通常不包含專門的rf返回路徑，則地線的電氣特性會在連續基底或交替的製法間變化，取決於電極總成磨損，或使用之電漿氣體的電氣特性。通常，用於電極總成中的大部分的材料為導電的。然而，至地線的確切路徑實際上會移動，因此會影響電漿上的電性負載。針對給定的程序製法，較佳在電漿程序中維持穩定的rf電力傳送以獲得可靠的程序結果。
有鑑於上述，需要有用於最佳化的電漿室接地電極總成之方法及裝置。
本發明在一實施例中有關於一種電極總成，其組態成提供針對電漿處理系統之電漿處理室的接地路徑。該裝置包含組態成暴露至電漿之電極。該裝置亦包含設置在該電極之上的加熱器板，其中該加熱器板組態成加熱該電極。該裝置進一步包含設置在該加熱器板之上的冷卻板，其中該冷卻板組態成冷卻該電極。該裝置亦包含電漿室蓋，組態成限制該電漿於該電漿室內，其中該電漿室蓋包含地線。該裝置進一步包含夾環，其組態成固定該電極、該加熱器板、以及該冷卻板至該電漿室蓋，該夾環進一步組態成從該電極提供該接地路徑至該室蓋。
本發明在一實施例中有關於一種電極總成，其組態成提供針對電漿處理系統之電漿處理室的接地路徑。該裝置包含組態成暴露至電漿之電極。該裝置亦包含電漿室蓋，其組態成限制該電漿於該電漿室內，其中該電漿室蓋包含地線。該裝置進一步包含夾環，其組態成固定該電極至該電漿室蓋，該夾環進一步組態成從該電極提供該接地路徑至該室蓋。
本發明在一實施例中有關於一種電極總成，其組態成提供針對電漿處理系統之電漿處理室的接地路徑。該裝置包含組態成暴露至電漿之電極。該裝置亦包含電漿室蓋， 其組態成限制該電漿於該電漿室內，其中該電漿室蓋組態成與該電極形成籃狀容器並進一步組態成提供接地路徑。
將從下列本發明的實施方式連同附圖更詳細的描述本發明的這些與其他特徵。
茲參照如附圖中圖解的數個較佳的實施例詳細描述本發明。在下列說明中，提出各種特定細節以提供本發明之詳盡的了解。然而，對熟悉該項技藝者很明顯地本發明可不以這些特定細節的一些或全部據以實行。在其他的範例中，並未詳細顯示已知的程序步驟及/或結構亦不非必要地模糊本發明。
雖不希望被理論所限制，本案之發明人相信組態有夾環之最佳化的電極總成(如電極、冷卻板、加熱器板、襯板等等)可提供一致的rf返回路徑、可較容易且較不花時間在電漿室內安裝或移除、並且可實質上降低熱膨脹造成的粒子之產生。在下列的討論中，在本文中使用「變緊」一詞來討論將扣件移動至更穩固的結構中。此外，扣件一詞應視為適用於廣泛的固定裝置，如螺桿、螺栓、夾子、及銷。
如前述，為了達成基底表面上實質上均勻的蝕刻劑氣體分佈，電極總成(如有電的電極、接地電極等等)一般具有孔或洞(如噴灑頭)。使用具有不同熱膨脹率的不同材料會在電極總成被重覆加熱與冷卻時導致其中產生缺陷 。然而，以有利的方式，本發明允許電極次總成構件(如冷卻板、加熱器板、襯板、電極等等)放置於由夾環形成的袋部中而無需使用金屬扣件。此袋部構造比大部份常用的組態中更能允許較大量的橫向與縱向運動，因而產生較少汙染物。亦即，溫度的重複循環對襯板造成實質上較少的應力及因而較少的破壞，並因此降低產生的汙染物的量(如石墨粒子等等)。例如，在一實施例中，在電極總成構件與夾環的內部表面間之1mm的橫向容限足以降低應力。在一實施例中，在電極總成構件與之電極橫向間遠離電漿之1mm的縱向容限足以降低應力。
在一實施例中，夾環，包含位在袋部中的電極次總成構件，可固定至室蓋。一般而言，將夾環固定至室蓋會使電極次總成壓縮在一起供電漿室操作。此外，可使用一組扣件將夾環固定至室蓋，將該組扣件足夠地變緊或扭轉以將電極次總成壓縮在一起。在一實施例中，若有需要，扣件為相反凹陷或變圓滑以降低電弧。在一實施例中，以一組非金屬扣件(如陶瓷等等)將夾環固定至室蓋。在一實施例中，夾環本身形成在室蓋中，因而亦無需金屬扣件。在一實施例中，夾環/室蓋可為分級或分階式以固定電極次總成構件。
另外，由於先前夾層電極次總成(如冷卻板、加熱器板、襯板、電極等等)的扣件數量大幅減少或免除，電弧的可能性亦降低。換言之，這些扣件無須設置在可能發生電弧之電極的洞或孔附近。相較之下，夾環扣件較不易產 生電弧，因為其通常設置在遠離電極的洞或孔之地線上。如前述，電弧通常為具有微型爆炸的效果的高電力密度之短路，其會對基底以及電漿室造成破壞。實質上降低金屬扣件的數量亦降低副電性放電發生的可能性，因為rf電性電荷會被汲走。此外，專門的返回路徑亦確保連續的基底或交替的電漿製法間的地線特性保持一致。
茲參照第3A-C圖，其顯示根據本發明之一實施例的具有夾環之電極總成的一組簡化圖。第3A圖顯示根據本發明之一實施例的電極總成之橫向與等距圖。室蓋312組態成與電漿室配對以維持供電漿處理用之實質上真空。一般而言，室蓋312包含頂板312b與突伸入電漿室(未圖示)內並提供可附接冷卻板308或加熱板306用之平坦表面之環型短管312a。環型短管312a進一步由溝槽(由環型短管312a與頂板312b界定)所圍繞並且其中可置有墊圈314。
在一組態中，冷卻板308位在可由環型短管312a之下。冷卻板308之下通常為加熱板306，這兩者在一起可允許電漿氣體溫度維持在製法參數內，以大致上維持時蝕刻品質以及基底產率。加熱板306之下襯板304。通常由石墨製成，襯板304一般在整個電極302上提供均勻之溫度。
然而，與常用的組態相比，夾環301係固定至電極302，形成其中可放置冷卻板308、加熱板306、及襯板304的袋部或筒部。袋部組態允許較大的橫向與縱向運動 量，由於在袋部內無須金屬扣件來固定住構件(如冷卻板、加熱板、襯板等等)。因此，與較常用的組態相比，重複溫度循環可產生實質上較少的應力並因而對襯板較少的破壞。亦即，可降低所產生的汙染量(如石墨粒子等等)。
在一實施例中，可以一組扣件(如螺栓、螺桿等等)將夾環301固定至電極302。在一實施例中，夾環301與電極302可形成單一單元。在一實施例中，夾環301可以榫舌及溝槽(tongue and groove)組態固定至電極302。亦即，在一構件中的榫舌癌深入另一構件中的溝槽內。在一實施例中，夾環301可銲接至電極302。在一實施例中，夾環301可黏接至電極302。在一實施例中，夾環301可銲接至電極302。在一實施例中，夾環301具有朝其中央延伸的橫樑，其中電極302座落在該橫樑上。
此外，降低扣件的數量可使電極總成之組合、取代、及/或安裝變得更容易。如前述，在電極總成重複暴露至電漿極/或溫度循環時，會降低實際的容限。然而，實質上降低或免除金屬扣件，以及因而石墨襯板中的對應所需之螺紋護套，可降低螺紋護套的汙染與扣件孔內容限的縮減。另外，由於可降低容限縮減，亦可降低破壞電極構件的可能性。亦即，無需使用多種工具(如螺絲起子、鎯頭、楔子等等)來用力移出構件。
另外，在安裝於電漿處理系統之前可預先組合電極次總成(如電極、襯板、加熱器板、冷卻板、夾環等等)， 潛在降低安裝時間以及因而電漿室下線的時間。此外，夾環301可作為沿著電漿室內的電極總成的外表面之專門的rf返回路徑，降低電漿負載上移動之返回路徑的影響。如前述，針對給定的程序製法，較佳在整個程序中維持穩定的rf電力傳送以獲得可靠的程序結果。
茲參照第3B圖，其顯示根據本發明之一實施例的第3A圖之電極總成的更詳細之側視圖。除了前述的構件之外，描述額外的元件。例如，在夾環301與襯板304之間，以及在電極302與夾環301之間，可使用熱絕緣件(如真空、陶瓷、聚矽氧彈性體等等)。電性上，熱/電性絕緣件330與332皆可幫助電性絕緣夾環301與其餘的電極總成構件，以獲得前述之乾淨與一致的rf返回路徑。熱性上，熱/電性絕緣件330與332皆可幫助減弱從電漿室到電極總成內部之熱傳遞，降低任何熱膨脹。
相較之下，熱/電性傳導結合336可用在夾環301與冷卻板308之間做為相反用途。亦即，熱/電性傳導結合336電性耦合夾環301至冷卻板308，以完成rf返回路徑並確保最佳化的地線。熱性上，熱/電性傳導結合336從電漿室以及電極總成傳導熱至冷卻板308。因此，透過在冷卻板308內的孔洞中重複循環至冷卻器系統的流體，可從電極總成移除產生的熱。
茲參照第3C圖，其顯示根據本發明之一實施例的第3圖之電極總成之簡化等距圖，其中電極總成係附接至室蓋。與前述的組態不同，電極次總成構件(如冷卻板、加熱 器板、襯板等等)可迅速地放置在由夾環301與電極302形成的袋部，並且一旦冷卻器連結(未顯示)至冷卻板(未顯示)以及氣體分佈連結342至電極總成對準，則迅速地將袋部附接至室蓋312。
茲參照第4A-C圖，其顯示根據本發明之電極總成的一組簡化圖，其中夾環係整合到室蓋之中。在此組態中，室蓋由兩構件構成：夾環/頂板407以及遮蓋頂板409。夾環/頂板407組態成形成一袋部，以定位電極次總成構件，如前述，而無需進一步附接次總成本身至室蓋。亦即，夾環係整合至室蓋。此外，遮蓋頂板409組態成固定並因此壓縮電漿室操作用之次總成構件，並確保能維持恰當的室壓。
第4A圖顯示根據本發明之一實施例的電極總成的側視與等距圖。在一實施例中，夾環/頂板407可為分級或分階式以固定電極構件(如冷卻板408、加熱器板406、襯板404、電極402等等)，而無需使用金屬扣件。此外，電極402的環狀突出物可座落在夾件435的環狀橫樑上，該環狀橫樑朝中心橫向延伸以支撐電極402的環狀突出物。
藉由將遮蓋頂板409附接至夾環/頂板407而可將電極次總成構件壓縮至袋部中。在一實施例中，使用一組扣件將遮蓋頂板409固定至夾環/頂板407。在一實施例中，使用一組螺紋將遮蓋頂板409固定至夾環/頂板407，使遮蓋頂板409本身可旋入夾環/頂板407中。如前述，袋部構造 可比大多數常用的組態允許更多橫向與縱向的運動量，因為無須使用金屬扣件將電極次總成構件(如冷卻板、加熱器板、襯板等等)固定在袋部內。因此，與較常用的組態相比，重覆的溫度循環對襯板產生實質上較少的壓力以及因此較少破壞。亦即，可降低產生的汙染物(如石墨粒子等等)量。
茲參照第4B圖，其顯示根據本發明之一實施例的第4A圖之電極總成的更詳細之側視圖。除了前述的構件，描述額外的元件。例如，設置有環狀保護擋板438，使得一橫樑朝中央延伸並與夾環/頂板407之環狀橫樑與電極402間之接縫重疊(如從下可見，亦即從電漿雲)。此重疊可屏蔽該接縫不受到電漿的暴露，實質上降低滲入接縫之電漿物質的量，並潛在地破壞電極總成的構件。在一實施例中，擋板438包含SiC或碳化矽。此外，可在夾環/頂板407的頂部表面與電極的底部表面之間放置rf墊圈436以及o型環密封件，以最佳化經由夾環/頂板407之rf返回路徑。
茲參照第4C圖，其顯示根據本發明之一實施例的第4A圖之電極總成的更詳細之簡化等距圖。與前述的組態不同，一旦冷卻器連結(未顯示)至冷卻板408以及氣體分佈連結(未顯示)至電極總成對準，則可將電極次總成構件(如冷卻板、加熱器板、襯板等等)迅速地放入由夾環/頂板407形成的分級或分階式袋部中。
雖已藉由數個較佳實施例描述本發明，可有落入本發 明之範疇內的修改、變更、及等效者。例如，雖然連同來自蘭姆(Lam Research Corp.)研究公司之電漿處理系統(如ExelanTM 、ExelanTM HP、ExelanTM HPT、2300TM 、VersysTM Star等等)描述本發明，可使用其他電漿處理系統(如大氣電漿處理系統、低壓電漿處理系統、電感式耦合的電漿處理系統、電容式耦合的電漿處理系統等等)。此外，本文中使用的「之上」一詞並不要求設置在另一者「之上」的構件與另一者間有直接的接觸。本發明亦可用於具有各種直徑的基底(如200mm以及300mm等等)，以及其中頂部電極有電的系統中。此外，本文中使用的「一組」一詞包含該組之所述元件的一或更多者。例如，一組「X」意指一或更多「X」。
本發明之優點包含用於最佳化電漿室電極的裝置。額外的優點可包含至地線之一致的rf返回路徑、容易製造、組合、及安裝、降低電弧的可能性、及在電極次總成到達電漿室之前即預先組合的能力。
在已揭露範例實施例與最佳模式的情況下，可對所揭露的實施例做出變更與變化，同時維持在由下列申請專利範圍所界定之標的與精神內。
102‧‧‧電漿處理室
103‧‧‧限制環
105‧‧‧有電的較低電極(夾頭)
106‧‧‧接地電極
110‧‧‧電漿
111‧‧‧泵
122‧‧‧氣體分佈系統
134‧‧‧第一RF產生器
136‧‧‧匹配網路
138‧‧‧第二RF產生器
202‧‧‧接地電極
204‧‧‧襯板
206‧‧‧加熱板
208‧‧‧冷卻板
212‧‧‧室蓋
212a‧‧‧環型短管
212b‧‧‧頂板
214‧‧‧墊圈
301‧‧‧夾環
302‧‧‧電極
304‧‧‧襯板
306‧‧‧加熱板
308‧‧‧冷卻板
312‧‧‧室蓋
312a‧‧‧環型短管
312b‧‧‧頂板
314‧‧‧墊圈
330與332‧‧‧熱/電性絕緣件
336‧‧‧熱/電性傳導結合
342‧‧‧氣體分佈連結
402‧‧‧電極
404‧‧‧襯板
406‧‧‧加熱器板
407‧‧‧夾環/頂板
408‧‧‧冷卻板
409‧‧‧遮蓋頂板
435‧‧‧夾件
436‧‧‧rf墊圈
438‧‧‧環狀保護擋板
在附圖的圖中範例性而非限制性地圖解本發明，圖中類似的參考符號參照類似的元件，且其中：第1圖顯示電容性耦合之電漿處理系統的簡化圖； 第2圖顯示常用之電極總成的簡化圖；第3A-C圖顯示根據本發明之一實施例的具有夾環之電極總成的一組簡化圖；以及第4A-C圖顯示根據本發明之電極總成的一組簡化圖，其中夾環係整合到室蓋之中。
302‧‧‧電極
304‧‧‧襯板
306‧‧‧加熱板
308‧‧‧冷卻板
312‧‧‧室蓋
312a‧‧‧環型短管
312b‧‧‧頂板
314‧‧‧墊圈

Claims (17)

  1. 一種電極總成，組態成提供針對電漿處理系統之電漿處理室的接地路徑，該電極總成包含：電極，組態成暴露至電漿；加熱器板，設置在該電極之上，其中該加熱器板組態成加熱該電極；冷卻板，設置在該加熱器板之上，其中該冷卻板組態成冷卻該電極；電漿室蓋，組態成限制該電漿於該電漿室內，其中該電漿室蓋包含地線；夾環，組態成固定該電極至該電漿室蓋，其中該夾環與該電極形成籃狀容器，且至少該加熱器板係置於該籃狀容器內而使該夾環圍繞該加熱器板，該籃狀容器組態成允許縱向與橫向容限，以因應該加熱器板因重複的熱循環而熱膨脹，該夾環進一步組態成從該電極提供該接地路徑至該室蓋；以及擋板，屏蔽該夾環的底部之至少一部分，該夾環的底部之該部分係設置在該擋板與該電極之間，該擋板包含設置在該夾環的底部之該部分之下的橫樑，該夾環之該部分係設置在該電極的外環狀部分之下。
  2. 如申請專利範圍第1項之電極總成，其中該夾環係設置在該電漿室蓋與該電極之間。
  3. 如申請專利範圍第1項之電極總成，進一步包含設置在該電極與該加熱器板之間的襯板，其中該襯板組態成 實質上電性隔離該電極與該加熱器板。
  4. 如申請專利範圍第1項之電極總成，進一步包含設置於該夾環與該加熱器板之間的第一夾環電性絕緣器，其中該第一夾環電性絕緣器組態成實質上電性隔離該夾環與該加熱器板。
  5. 如申請專利範圍第1項之電極總成，進一步包含設置於該夾環與該冷卻板之間的第二夾環電性絕緣器，其中該第二夾環電性絕緣器組態成實質上電性隔離該夾環與該冷卻板。
  6. 如申請專利範圍第1項之電極總成，其中該電極包含噴灑頭。
  7. 如申請專利範圍第1項之電極總成，其中該電極以及該夾環形成為單一單元。
  8. 如申請專利範圍第1項之電極總成，其中該夾環係設置在該電極與該冷卻板之間。
  9. 如申請專利範圍第1項之電極總成，其中該夾環包含鋁。
  10. 如申請專利範圍第3項之電極總成，進一步包含電極次總成，其中該電極次總成至少包含該電極、該加熱器板、該冷卻板、該襯板、與該夾環，且其中該夾環組態成作為該電漿處理室中沿著該電極次總成之外表面的RF返回路徑。
  11. 如申請專利範圍第1項之電極總成，其中該電漿處理系統為大氣電漿處理系統、低壓電漿處理系統、電感式 耦合的電漿處理系統、及電容式耦合的電漿處理系統之一。
  12. 一種電極總成，組態成提供針對電漿處理系統之電漿處理室的接地路徑，該電極總成包含：電極，組態成暴露至電漿；一組構件，至少包含加熱器板與冷卻板；電漿室蓋，組態成限制該電漿於該電漿室內；夾環，組態成固定該電極至該電漿室蓋，其中該夾環與該電極形成籃狀容器，且該組構件係置於該籃狀容器內而使該夾環圍繞該加熱器板，該籃狀容器組態成允許縱向與橫向容限，以因應該組構件因重複的熱循環而熱膨脹，該夾環進一步組態成從該電極提供該接地路徑至該室蓋；以及擋板，屏蔽該夾環的底部之至少一部分，該夾環的底部之該部分係設置在該擋板與該電極之間，該擋板包含設置在該夾環的底部之該部分之下的橫樑，該夾環之該部分係設置在該電極的外環狀部分之下。
  13. 如申請專利範圍第12項之電極總成，其中該夾環係設置在該電漿室蓋與該電極之間。
  14. 如申請專利範圍第12項之電極總成，其中該電極包含噴灑頭。
  15. 如申請專利範圍第12項之電極總成，其中該電極以及該夾環形成為單一單元。
  16. 如申請專利範圍第12項之電極總成，其中該夾環 包含鋁。
  17. 如申請專利範圍第12項之電極總成，其中該電漿處理系統為大氣電漿處理系統、低壓電漿處理系統、電感式耦合的電漿處理系統、以及電容式耦合的電漿處理系統之一。
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