JP2001023961A - ドライエッチング装置とドライエッチング方法 - Google Patents
ドライエッチング装置とドライエッチング方法Info
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
- H01J37/32082—Radio frequency generated discharge
- H01J37/321—Radio frequency generated discharge the radio frequency energy being inductively coupled to the plasma
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 パーティクルが発生しにくく装置稼働率が高
く、セラミックス製ドームの寿命の長いドライエッチン
グ装置とドライエッチング方法を提供する。 【解決手段】 誘導結合プラズマ型ドライエッチング装
置は、エッチングチャンバ１０と、セラミック製ドーム
２０とを有しており、エッチングチャンバー１０には、
ゲート１１とガス導入口１２とが設けられており、内部
にはセラミック製のＥＳＣステージ３１が設けられ、外
部に圧力計１３と圧力制御器４０とが接続されており、
ＥＳＣステージ３１には第１の高周波電源２３が接続し
ている。ドーム２０の外部には第１のコイル２１と第２
のコイル２２とが互いに相手のコイルの間になるように
螺旋状に配設されており、第１のコイル２１は第２の高
周波電源２４に接続され、第２のコイル２２は第３の高
周波電源２５に接続されており、所定の間隔で切り換え
られる。
く、セラミックス製ドームの寿命の長いドライエッチン
グ装置とドライエッチング方法を提供する。 【解決手段】 誘導結合プラズマ型ドライエッチング装
置は、エッチングチャンバ１０と、セラミック製ドーム
２０とを有しており、エッチングチャンバー１０には、
ゲート１１とガス導入口１２とが設けられており、内部
にはセラミック製のＥＳＣステージ３１が設けられ、外
部に圧力計１３と圧力制御器４０とが接続されており、
ＥＳＣステージ３１には第１の高周波電源２３が接続し
ている。ドーム２０の外部には第１のコイル２１と第２
のコイル２２とが互いに相手のコイルの間になるように
螺旋状に配設されており、第１のコイル２１は第２の高
周波電源２４に接続され、第２のコイル２２は第３の高
周波電源２５に接続されており、所定の間隔で切り換え
られる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はドライエッチング装
置とドライエッチング方法とに関し、特に誘導結合プラ
ズマ型ドライエッチング装置とドライエッチング方法と
に関する。
置とドライエッチング方法とに関し、特に誘導結合プラ
ズマ型ドライエッチング装置とドライエッチング方法と
に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体製造工程のウェーハ処理工程にお
いて、ウェーハに形成された薄膜の所定の領域を所定の
厚さだけ除去するために、減圧下の活性ガスプラズマを
利用してエッチングを行うドライエッチング処理が行わ
れており、ドライエッチング装置の１種として誘導結合
プラズマ（ＩＣＰ：Ｉｎｄｕｃｔｉｖｅｌｙ ｃｏｕｐ
ｌｅｄ ｐｌａｓｍａ）型ドライエッチング装置が用い
られている。誘導結合プラズマ型ドライエッチング装置
は、高周波誘導磁場により生ずる誘導電界により電子が
加速され、これによって生成されるプラズマを用いたプ
ラズマエッチング装置であり、誘導結合アンテナの形状
に柱状コイル方式と平板状コイル方式とがある。
いて、ウェーハに形成された薄膜の所定の領域を所定の
厚さだけ除去するために、減圧下の活性ガスプラズマを
利用してエッチングを行うドライエッチング処理が行わ
れており、ドライエッチング装置の１種として誘導結合
プラズマ（ＩＣＰ：Ｉｎｄｕｃｔｉｖｅｌｙ ｃｏｕｐ
ｌｅｄ ｐｌａｓｍａ）型ドライエッチング装置が用い
られている。誘導結合プラズマ型ドライエッチング装置
は、高周波誘導磁場により生ずる誘導電界により電子が
加速され、これによって生成されるプラズマを用いたプ
ラズマエッチング装置であり、誘導結合アンテナの形状
に柱状コイル方式と平板状コイル方式とがある。
【０００３】図３は、従来例の誘導結合プラズマ型ドラ
イエッチング装置の模式的断面図であり、（ａ）は全体
の断面図、（ｂ）はドームの断面図である。従来例の誘
導結合プラズマ型ドライエッチング装置は、エッチング
処理の対象となるウェーハ１３０を格納するエッチング
チャンバ１１０と、エッチングチャンバ１１０の開口部
に接続して内部でプラズマを発生させるためのセラミッ
ク製ドーム１２０とを有しており、エッチングチャンバ
１１０はドーム１２０を結合した状態で気密状態に保持
することが可能となっている。
イエッチング装置の模式的断面図であり、（ａ）は全体
の断面図、（ｂ）はドームの断面図である。従来例の誘
導結合プラズマ型ドライエッチング装置は、エッチング
処理の対象となるウェーハ１３０を格納するエッチング
チャンバ１１０と、エッチングチャンバ１１０の開口部
に接続して内部でプラズマを発生させるためのセラミッ
ク製ドーム１２０とを有しており、エッチングチャンバ
１１０はドーム１２０を結合した状態で気密状態に保持
することが可能となっている。
【０００４】エッチングチャンバー１１０には、ウェー
ハ１３０を搬出入するためのゲート１１１とエッチング
ガスを導入するためのガス導入口１１２とが設けられて
おり、内部にはウェーハ１３０を固定するセラミック製
のＥＳＣ（静電チャック；Ｅｌｅｃｒｏ−ｓｔａｔｉｃ
ｃｈｕｃｋ）ステージ１３１が設けられ、外部に圧力
計１１３とチャンバー内のガス圧力の調整とガスの排出
とを行う圧力制御器１４０とが接続されており、ＥＳＣ
ステージ１３１には高周波電流を供給するための第１の
高周波電源１２３が接続している。
ハ１３０を搬出入するためのゲート１１１とエッチング
ガスを導入するためのガス導入口１１２とが設けられて
おり、内部にはウェーハ１３０を固定するセラミック製
のＥＳＣ（静電チャック；Ｅｌｅｃｒｏ−ｓｔａｔｉｃ
ｃｈｕｃｋ）ステージ１３１が設けられ、外部に圧力
計１１３とチャンバー内のガス圧力の調整とガスの排出
とを行う圧力制御器１４０とが接続されており、ＥＳＣ
ステージ１３１には高周波電流を供給するための第１の
高周波電源１２３が接続している。
【０００５】ドーム１２０の外部にはコイル１２１が螺
旋状に配設されており、コイル１２１は第２の高周波電
源１２４に接続されている。
旋状に配設されており、コイル１２１は第２の高周波電
源１２４に接続されている。
【０００６】次に従来例の誘導結合プラズマ型ドライエ
ッチング装置を用いたエッチング方法について説明す
る。ウェーハ１３０をエッチングチャンバー１１０のゲ
ート１１１を経由して、ウェーハ保持機能を有するセラ
ミックスＥＳＣステージ１３１上に搬送する。セラミッ
クＥＳＣステージ１３１上に固定されたウェーハ１３０
に対し、ガス導入口１１２からエッチングガスをウェー
ハ１３０直上に導入し、圧力計１１３によりエッチング
チャンバー１１０内部の圧力を検知して、排気ガス流路
となる圧力制御器１４０のオリフィスと連動させ、オリ
フィスを変化させることにより、エッチングチャンバー
１１０内を所定の圧力に制御する。
ッチング装置を用いたエッチング方法について説明す
る。ウェーハ１３０をエッチングチャンバー１１０のゲ
ート１１１を経由して、ウェーハ保持機能を有するセラ
ミックスＥＳＣステージ１３１上に搬送する。セラミッ
クＥＳＣステージ１３１上に固定されたウェーハ１３０
に対し、ガス導入口１１２からエッチングガスをウェー
ハ１３０直上に導入し、圧力計１１３によりエッチング
チャンバー１１０内部の圧力を検知して、排気ガス流路
となる圧力制御器１４０のオリフィスと連動させ、オリ
フィスを変化させることにより、エッチングチャンバー
１１０内を所定の圧力に制御する。
【０００７】第２の高周波電源１２４によりセラミック
ス製ドーム１２０の外側表面に配設されたコイル１２１
に１３．５６ＭＨｚの高周波電力を印加し、次に、セラ
ミックス製のＥＳＣステージ１３１に第１の高周波電源
１２３より１３．５６ＭＨｚの高周波電力を印加し、エ
ッチングチャンバー１１０内にあるエッチングガスを励
起させてプラズマを生成する。励起されたプラズマは、
セラミックス製のＥＳＣステージ１３１上にあるウェー
ハ１３０をエッチング処理する。
ス製ドーム１２０の外側表面に配設されたコイル１２１
に１３．５６ＭＨｚの高周波電力を印加し、次に、セラ
ミックス製のＥＳＣステージ１３１に第１の高周波電源
１２３より１３．５６ＭＨｚの高周波電力を印加し、エ
ッチングチャンバー１１０内にあるエッチングガスを励
起させてプラズマを生成する。励起されたプラズマは、
セラミックス製のＥＳＣステージ１３１上にあるウェー
ハ１３０をエッチング処理する。
【０００８】エッチング処理の際、図１（ｂ）に示すよ
うにセラミックス製ドーム１２０の内部表面の、コイル
１２１と対応する箇所ではドーム１２０のセラミックス
がエッチングされ、反対にコイル１２１の無い場所に対
応する箇所にデポジション１２６が付着する。
うにセラミックス製ドーム１２０の内部表面の、コイル
１２１と対応する箇所ではドーム１２０のセラミックス
がエッチングされ、反対にコイル１２１の無い場所に対
応する箇所にデポジション１２６が付着する。
【０００９】エッチング処理終了後、第１の高周波電源
１２３，第２の高周波電源１２４を停止し、エッチング
ガスの供給を停止する。エッチング処理が完了したら、
エッチングチャンバー１１０のゲート１１１を経由して
ウェーハ１３０を搬出する。
１２３，第２の高周波電源１２４を停止し、エッチング
ガスの供給を停止する。エッチング処理が完了したら、
エッチングチャンバー１１０のゲート１１１を経由して
ウェーハ１３０を搬出する。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述の
従来例の誘導結合プラズマ型ドライエッチング装置には
次のような問題点があった。
従来例の誘導結合プラズマ型ドライエッチング装置には
次のような問題点があった。
【００１１】第１にセラミックス製ドーム１２０内部表
面のコイル１２１の無い場所と対応する箇所に反応生成
物がデポジション１２６として付着するので、そのまま
ウェーハ処理を続けるとデポジション１２６が剥離し、
ウェーハのパーティクルの原因となりやすい。そのため
短い周期でドーム１２０の内部をクリーニングする必要
があり、パーティクルが発生しやすいことと、装置稼働
率が低下するという問題点がある。
面のコイル１２１の無い場所と対応する箇所に反応生成
物がデポジション１２６として付着するので、そのまま
ウェーハ処理を続けるとデポジション１２６が剥離し、
ウェーハのパーティクルの原因となりやすい。そのため
短い周期でドーム１２０の内部をクリーニングする必要
があり、パーティクルが発生しやすいことと、装置稼働
率が低下するという問題点がある。
【００１２】第２には、コイル１２１と対応する箇所で
は、セラミックス製ドーム１２０の内部のエッチングが
進行し、セラミックス製ドーム１２０が削れてしまうた
め、ドーム１２０の寿命が短くなるという問題点があ
る。
は、セラミックス製ドーム１２０の内部のエッチングが
進行し、セラミックス製ドーム１２０が削れてしまうた
め、ドーム１２０の寿命が短くなるという問題点があ
る。
【００１３】本発明の目的は、パーティクルが発生しに
くく装置稼働率が高く、セラミックス製ドームの寿命の
長いドライエッチング装置とドライエッチング方法を提
供することにある。
くく装置稼働率が高く、セラミックス製ドームの寿命の
長いドライエッチング装置とドライエッチング方法を提
供することにある。
【００１４】
【課題を解決するための手段】本発明のドライエッチン
グ装置は、エッチングチャンバ内に保持されたウェーハ
に減圧下の活性ガスプラズマを作用させてエッチング処
理を行う誘導結合プラズマ型ドライエッチング装置であ
って、ドライエッチング装置は、エッチングチャンバ
と、プラズマ形成手段と、ウェーハ保持手段と、エッチ
ングガス供給手段と、ガス圧力制御手段とを備える。プ
ラズマ形成手段は、切替え可能な２組の高周波電源と、
その高周波電源に接続する２組の高周波電力印加用のコ
イルとを有し、２組の高周波電力印加用のコイルはそれ
ぞれが互いに相手のコイルの間に位置するように近接し
て配設されている。
グ装置は、エッチングチャンバ内に保持されたウェーハ
に減圧下の活性ガスプラズマを作用させてエッチング処
理を行う誘導結合プラズマ型ドライエッチング装置であ
って、ドライエッチング装置は、エッチングチャンバ
と、プラズマ形成手段と、ウェーハ保持手段と、エッチ
ングガス供給手段と、ガス圧力制御手段とを備える。プ
ラズマ形成手段は、切替え可能な２組の高周波電源と、
その高周波電源に接続する２組の高周波電力印加用のコ
イルとを有し、２組の高周波電力印加用のコイルはそれ
ぞれが互いに相手のコイルの間に位置するように近接し
て配設されている。
【００１５】プラズマ形成手段はドームを有し、２組の
高周波電力印加用のコイルはそれぞれが互いに相手のコ
イルの間に位置するように螺旋状にそのドームの外周に
配設されていてもよく、プラズマ形成手段は石英板を有
し、２組の高周波電力印加用のコイルはそれぞれが互い
に相手のコイルの間に位置するように渦巻状にその石英
板の外面に配設されていてもよい。
高周波電力印加用のコイルはそれぞれが互いに相手のコ
イルの間に位置するように螺旋状にそのドームの外周に
配設されていてもよく、プラズマ形成手段は石英板を有
し、２組の高周波電力印加用のコイルはそれぞれが互い
に相手のコイルの間に位置するように渦巻状にその石英
板の外面に配設されていてもよい。
【００１６】本発明のドライエッチング方法は、エッチ
ングチャンバ内に保持されたウェーハに減圧下の活性ガ
スプラズマを作用させてエッチング処理を行うドライエ
ッチング方法であって、エッチングチャンバ内にウェー
ハを搬入して固定し、エッチングガスをそのエッチング
チャンバ内に導入し、そのエッチングチャンバ内を所定
の圧力に調整し、それぞれが互いに相手のコイルの間に
位置するように近接して配設されているプラズマ形成手
段の２組の高周波印加用コイルのいずれかに高周波電源
から高周波電力を供給し、エッチングガスを活性化させ
てウェーハにエッチング処理を行う誘導結合プラズマ型
ドライエッチング装置を用いたドライエッチング方法に
おいて、所定の間隔で２組の高周波電源を切り換えて、
それぞれの電源に接続する２組の高周波印加用コイルに
交互に高周波電力を供給する。
ングチャンバ内に保持されたウェーハに減圧下の活性ガ
スプラズマを作用させてエッチング処理を行うドライエ
ッチング方法であって、エッチングチャンバ内にウェー
ハを搬入して固定し、エッチングガスをそのエッチング
チャンバ内に導入し、そのエッチングチャンバ内を所定
の圧力に調整し、それぞれが互いに相手のコイルの間に
位置するように近接して配設されているプラズマ形成手
段の２組の高周波印加用コイルのいずれかに高周波電源
から高周波電力を供給し、エッチングガスを活性化させ
てウェーハにエッチング処理を行う誘導結合プラズマ型
ドライエッチング装置を用いたドライエッチング方法に
おいて、所定の間隔で２組の高周波電源を切り換えて、
それぞれの電源に接続する２組の高周波印加用コイルに
交互に高周波電力を供給する。
【００１７】高周波電源の切り換えの間隔が、１枚のウ
ェーハの所定のエッチング処理に要する時間の偶数分の
１であってもよく、１枚のウェーハの所定のエッチング
処理に要する時間の１／２であってもよく、１枚のウェ
ーハの所定のエッチング処理に要する時間であり、ウェ
ーハの交換ごとに高周波電源を切り換えてもよい。
ェーハの所定のエッチング処理に要する時間の偶数分の
１であってもよく、１枚のウェーハの所定のエッチング
処理に要する時間の１／２であってもよく、１枚のウェ
ーハの所定のエッチング処理に要する時間であり、ウェ
ーハの交換ごとに高周波電源を切り換えてもよい。
【００１８】本発明のドライエッチング装置は、誘導結
合プラズマ方式のプラズマソースを用いたエッチング装
置であり、２個の誘導結合コイルを有し、それぞれのコ
イルに独立に高周波を印加することができる。
合プラズマ方式のプラズマソースを用いたエッチング装
置であり、２個の誘導結合コイルを有し、それぞれのコ
イルに独立に高周波を印加することができる。
【００１９】互いに相手のコイルの間になるように螺旋
状または渦巻状に配設された２組のコイルに交互に高周
波電力を印加するので、ドームまたは石英板の２組の裏
面のコイルに対応する個所ではエッチングとデポジショ
ンの堆積とが交互に行われるので、２組のコイルをそれ
ぞれ同一時間用いてエッチング処理することにより、多
数のウェーハを繰り返し連続エッチング処理してもデポ
ジションの堆積量が低減でき、デポジションの剥離によ
るウェーハのパーティクルを抑制できる。
状または渦巻状に配設された２組のコイルに交互に高周
波電力を印加するので、ドームまたは石英板の２組の裏
面のコイルに対応する個所ではエッチングとデポジショ
ンの堆積とが交互に行われるので、２組のコイルをそれ
ぞれ同一時間用いてエッチング処理することにより、多
数のウェーハを繰り返し連続エッチング処理してもデポ
ジションの堆積量が低減でき、デポジションの剥離によ
るウェーハのパーティクルを抑制できる。
【００２０】
【発明の実施の形態】次に、本発明の実施の形態のドラ
イエッチング装置とドライエッチング方法について図面
を参照して説明する。図１は本発明の第１の実施の形態
の誘導結合プラズマ型ドライエッチング装置の模式的断
面図であり、（ａ）は全体の断面図、（ｂ）はドームの
断面図である。第１の実施の形態の誘導結合プラズマ型
ドライエッチング装置は、エッチング処理の対象となる
ウェーハ３０を格納するエッチングチャンバ１０と、エ
ッチングチャンバ１０の開口部に接続して内部でプラズ
マを発生させるためのセラミック製ドーム２０とを有し
ており、エッチングチャンバ１０はドーム２０を結合し
た状態で気密状態に保持することが可能となっている。
イエッチング装置とドライエッチング方法について図面
を参照して説明する。図１は本発明の第１の実施の形態
の誘導結合プラズマ型ドライエッチング装置の模式的断
面図であり、（ａ）は全体の断面図、（ｂ）はドームの
断面図である。第１の実施の形態の誘導結合プラズマ型
ドライエッチング装置は、エッチング処理の対象となる
ウェーハ３０を格納するエッチングチャンバ１０と、エ
ッチングチャンバ１０の開口部に接続して内部でプラズ
マを発生させるためのセラミック製ドーム２０とを有し
ており、エッチングチャンバ１０はドーム２０を結合し
た状態で気密状態に保持することが可能となっている。
【００２１】エッチングチャンバー１０には、ウェーハ
３０を搬出入するためのゲート１１とエッチングガスを
導入するためのガス導入口１２とが設けられており、内
部にはウェーハ３０を固定するセラミック製のＥＳＣ
（静電チャック；Ｅｌｅｃｒｏ−ｓｔａｔｉｃ ｃｈｕ
ｃｋ）ステージ３１が設けられ、外部に圧力計１３とチ
ャンバー内のガス圧力の調整とガスの排出とを行う圧力
制御器４０とが接続されており、ＥＳＣステージ３１に
は高周波電流を供給するための第１の高周波電源２３が
接続している。
３０を搬出入するためのゲート１１とエッチングガスを
導入するためのガス導入口１２とが設けられており、内
部にはウェーハ３０を固定するセラミック製のＥＳＣ
（静電チャック；Ｅｌｅｃｒｏ−ｓｔａｔｉｃ ｃｈｕ
ｃｋ）ステージ３１が設けられ、外部に圧力計１３とチ
ャンバー内のガス圧力の調整とガスの排出とを行う圧力
制御器４０とが接続されており、ＥＳＣステージ３１に
は高周波電流を供給するための第１の高周波電源２３が
接続している。
【００２２】ドーム２０の外部には第１のコイル２１と
第２のコイル２２とが互いに相手のコイルの間になるよ
うに螺旋状に配設されており、第１のコイル２１は第２
の高周波電源２４に接続され、第２のコイル２２は第３
の高周波電源２５に接続されている。
第２のコイル２２とが互いに相手のコイルの間になるよ
うに螺旋状に配設されており、第１のコイル２１は第２
の高周波電源２４に接続され、第２のコイル２２は第３
の高周波電源２５に接続されている。
【００２３】次に本発明の第１の実施の形態の誘導結合
プラズマ型ドライエッチング装置を用いたエッチング方
法について説明する。ウェーハ３０をエッチングチャン
バー１０のゲート１１を経由して、ウェーハ保持機能を
有するセラミックス製のＥＳＣステージ３１上に搬送す
る。セラミック製ＥＳＣステージ３１上に固定されたウ
ェーハ３０に対し、ガス導入口１２からエッチングガス
をウェーハ３０の直上に導入し、圧力計１３によりエッ
チングチャンバー１０内部の圧力を検知して、排気ガス
流路となる圧力制御器４０のオリフィスと連動させ、オ
リフィスを変化させることにより、エッチングチャンバ
ー１０内を所定の圧力に制御する。
プラズマ型ドライエッチング装置を用いたエッチング方
法について説明する。ウェーハ３０をエッチングチャン
バー１０のゲート１１を経由して、ウェーハ保持機能を
有するセラミックス製のＥＳＣステージ３１上に搬送す
る。セラミック製ＥＳＣステージ３１上に固定されたウ
ェーハ３０に対し、ガス導入口１２からエッチングガス
をウェーハ３０の直上に導入し、圧力計１３によりエッ
チングチャンバー１０内部の圧力を検知して、排気ガス
流路となる圧力制御器４０のオリフィスと連動させ、オ
リフィスを変化させることにより、エッチングチャンバ
ー１０内を所定の圧力に制御する。
【００２４】第２の高周波電源２４によりセラミックス
製ドーム２０の外表面に配設されたコイル２１に１３．
５６ＭＨｚの高周波電力を印加し、次に、セラミックス
製のＥＳＣステージ３１に第１の高周波電源２３より１
３．５６ＭＨｚの高周波電力を印加し、エッチングチャ
ンバー１０内にあるエッチングガスを励起させてプラズ
マを生成する。励起されたプラズマは、セラミックス製
のＥＳＣステージ３１上にあるウェーハ３０をエッチン
グ処理する。
製ドーム２０の外表面に配設されたコイル２１に１３．
５６ＭＨｚの高周波電力を印加し、次に、セラミックス
製のＥＳＣステージ３１に第１の高周波電源２３より１
３．５６ＭＨｚの高周波電力を印加し、エッチングチャ
ンバー１０内にあるエッチングガスを励起させてプラズ
マを生成する。励起されたプラズマは、セラミックス製
のＥＳＣステージ３１上にあるウェーハ３０をエッチン
グ処理する。
【００２５】ウェーハ３０をエッチング処理する際、所
定のエッチング処理に要する時間の半分の時間を経過し
た時点で、第２の高周波電源２４より第１のコイル２１
に印加されている１３．５６ＭＨｚの高周波電力を切
り、直ちに、第１のコイル２１と互いに相手のコイルの
間になるように螺旋状に配設された第２のコイル２２に
第３の高周波電源２５より１３．５６ＭＨｚの高周波電
力を印加し、プラズマを切らずに、残りの半分の時間エ
ッチング処理を継続する。
定のエッチング処理に要する時間の半分の時間を経過し
た時点で、第２の高周波電源２４より第１のコイル２１
に印加されている１３．５６ＭＨｚの高周波電力を切
り、直ちに、第１のコイル２１と互いに相手のコイルの
間になるように螺旋状に配設された第２のコイル２２に
第３の高周波電源２５より１３．５６ＭＨｚの高周波電
力を印加し、プラズマを切らずに、残りの半分の時間エ
ッチング処理を継続する。
【００２６】エッチング処理終了後、第１の高周波電源
２３，第２の高周波電源２４、および第３の高周波電源
２５を停止し、エッチングガスの供給を停止する。エッ
チング処理が完了したら、エッチングチャンバー１０の
ゲート１１を経由してウェーハ３０を搬出する。
２３，第２の高周波電源２４、および第３の高周波電源
２５を停止し、エッチングガスの供給を停止する。エッ
チング処理が完了したら、エッチングチャンバー１０の
ゲート１１を経由してウェーハ３０を搬出する。
【００２７】エッチング処理の際、セラミックス製ドー
ム２０の内部表面の、高周波電力印加中のコイル２１ま
たはコイル２２と対応する箇所ではドーム２０のセラミ
ックスがエッチングされ、反対に高周波電力印加中のコ
イル２１またはコイル２２の無い場所に対応する箇所に
デポジション２６が付着する。
ム２０の内部表面の、高周波電力印加中のコイル２１ま
たはコイル２２と対応する箇所ではドーム２０のセラミ
ックスがエッチングされ、反対に高周波電力印加中のコ
イル２１またはコイル２２の無い場所に対応する箇所に
デポジション２６が付着する。
【００２８】まず、第１のコイル２１に第２の高周波電
源２４より高周波電力を印加し、エッチングチャンバー
１０内にプラズマを励起させウェーハ３０をエッチング
処理すると、エッチング処理によりセラミックス製ドー
ム２０内の表面の第１のコイル２１と対応する箇所はエ
ッチングされ、同時に第１のコイル２１の無い場所に対
応する箇所にデポジション２６が付着する。
源２４より高周波電力を印加し、エッチングチャンバー
１０内にプラズマを励起させウェーハ３０をエッチング
処理すると、エッチング処理によりセラミックス製ドー
ム２０内の表面の第１のコイル２１と対応する箇所はエ
ッチングされ、同時に第１のコイル２１の無い場所に対
応する箇所にデポジション２６が付着する。
【００２９】次に、第１のコイル２１の高周波印加を停
止して第２のコイル２２に高周波を印加することによ
り、先ほど、セラミックス製ドーム２０内の表面の第２
のコイル２２に対応する個所に付着したデポジション２
６はエッチングされる。これと並行して第２のコイル２
２の無い場所に対応するドーム２０の内側表面にデポジ
ション２６が付着し、先ほど第１のコイル２１に高周波
を印加した時にエッチングされた第１のコイル２１に対
応する箇所にもデポジション２６が堆積する。
止して第２のコイル２２に高周波を印加することによ
り、先ほど、セラミックス製ドーム２０内の表面の第２
のコイル２２に対応する個所に付着したデポジション２
６はエッチングされる。これと並行して第２のコイル２
２の無い場所に対応するドーム２０の内側表面にデポジ
ション２６が付着し、先ほど第１のコイル２１に高周波
を印加した時にエッチングされた第１のコイル２１に対
応する箇所にもデポジション２６が堆積する。
【００３０】従って、第１のコイル２１、第２のコイル
２２に対する高周波の印加時間を同じにすることによっ
て、第１のコイル２１、第２のコイル２２に対応するド
ーム２０の内面の個所ではエッチングの進行とデポジシ
ョン２６の堆積の進行とが抑制され、図１（ｂ）に示す
ようにデポジション２６の堆積は第１のコイル２１、第
２のコイル２２のないドーム２０の頂面付近のみとな
り、デポジション２６の剥離によるウェーハ３０のパー
ティクルが抑制され、デポジション２６の洗浄の頻度を
押さえることができるる。
２２に対する高周波の印加時間を同じにすることによっ
て、第１のコイル２１、第２のコイル２２に対応するド
ーム２０の内面の個所ではエッチングの進行とデポジシ
ョン２６の堆積の進行とが抑制され、図１（ｂ）に示す
ようにデポジション２６の堆積は第１のコイル２１、第
２のコイル２２のないドーム２０の頂面付近のみとな
り、デポジション２６の剥離によるウェーハ３０のパー
ティクルが抑制され、デポジション２６の洗浄の頻度を
押さえることができるる。
【００３１】次に、本発明の第２の実施の形態のドライ
エッチング装置とドライエッチング方法について図面を
参照して説明する。図２は本発明の第２の実施の形態の
誘導結合プラズマ型ドライエッチング装置の模式的断面
図であり、（ａ）は全体の断面図、（ｂ）は石英板の上
面図、（ｃ）は石英板の裏面図である。第１の実施の形
態の誘導結合プラズマ型ドライエッチング装置は柱状コ
イル型であったのに対し、第２の実施の形態の誘導結合
プラズマ型ドライエッチング装置は平板状コイル型であ
る。
エッチング装置とドライエッチング方法について図面を
参照して説明する。図２は本発明の第２の実施の形態の
誘導結合プラズマ型ドライエッチング装置の模式的断面
図であり、（ａ）は全体の断面図、（ｂ）は石英板の上
面図、（ｃ）は石英板の裏面図である。第１の実施の形
態の誘導結合プラズマ型ドライエッチング装置は柱状コ
イル型であったのに対し、第２の実施の形態の誘導結合
プラズマ型ドライエッチング装置は平板状コイル型であ
る。
【００３２】第２の実施の形態の誘導結合プラズマ型ド
ライエッチング装置は、エッチング処理の対象となるウ
ェーハ８０を格納するエッチングチャンバ６０と、エッ
チングチャンバ６０の開口部に接続してエッチングチャ
ンバ６０の内部にプラズマを発生させるための石英板７
０とを有しており、エッチングチャンバ６０は石英板７
０を結合した状態で気密状態に保持することが可能とな
っている。
ライエッチング装置は、エッチング処理の対象となるウ
ェーハ８０を格納するエッチングチャンバ６０と、エッ
チングチャンバ６０の開口部に接続してエッチングチャ
ンバ６０の内部にプラズマを発生させるための石英板７
０とを有しており、エッチングチャンバ６０は石英板７
０を結合した状態で気密状態に保持することが可能とな
っている。
【００３３】エッチングチャンバー６０には、ウェーハ
８０を搬出入するためのゲート６１とエッチングガスを
導入するためのガス導入口６２とが設けられており、内
部にはウェーハ８０を固定するセラミック製のＥＳＣス
テージ８１が設けられ、外部に圧力計６３とチャンバー
内のガス圧力の調整とガスの排出とを行う圧力制御器９
０とが接続されており、ＥＳＣステージ８１には高周波
電流を供給するための第１の高周波電源７３が接続して
いる。
８０を搬出入するためのゲート６１とエッチングガスを
導入するためのガス導入口６２とが設けられており、内
部にはウェーハ８０を固定するセラミック製のＥＳＣス
テージ８１が設けられ、外部に圧力計６３とチャンバー
内のガス圧力の調整とガスの排出とを行う圧力制御器９
０とが接続されており、ＥＳＣステージ８１には高周波
電流を供給するための第１の高周波電源７３が接続して
いる。
【００３４】石英板７０の外部には第１のコイル７１と
第２のコイル７２とが互に相手のコイルの間になるよう
に渦巻状に配設されており、第１のコイル７１は第２の
高周波電源７４に接続され、第２のコイル７２は第３の
高周波電源７５に接続されている。
第２のコイル７２とが互に相手のコイルの間になるよう
に渦巻状に配設されており、第１のコイル７１は第２の
高周波電源７４に接続され、第２のコイル７２は第３の
高周波電源７５に接続されている。
【００３５】次に本発明の第２の実施の形態の誘導結合
プラズマ型ドライエッチング装置を用いたエッチング方
法について説明する。ウェーハ８０をエッチングチャン
バー６０のゲート６１を経由して、ウェーハ保持機能を
有するセラミックス製のＥＳＣステージ８１上に搬送す
る。セラミック製ＥＳＣステージ８１上に固定されたウ
ェーハ８０に対し、ガス導入口６２からエッチングガス
をウェーハ８０の直上に導入し、圧力計６３によりエッ
チングチャンバー６０内部の圧力を検知して、排気ガス
流路となる圧力制御器９０のオリフィスと連動させ、オ
リフィスを変化させることにより、エッチングチャンバ
ー６０内を所定の圧力に制御する。
プラズマ型ドライエッチング装置を用いたエッチング方
法について説明する。ウェーハ８０をエッチングチャン
バー６０のゲート６１を経由して、ウェーハ保持機能を
有するセラミックス製のＥＳＣステージ８１上に搬送す
る。セラミック製ＥＳＣステージ８１上に固定されたウ
ェーハ８０に対し、ガス導入口６２からエッチングガス
をウェーハ８０の直上に導入し、圧力計６３によりエッ
チングチャンバー６０内部の圧力を検知して、排気ガス
流路となる圧力制御器９０のオリフィスと連動させ、オ
リフィスを変化させることにより、エッチングチャンバ
ー６０内を所定の圧力に制御する。
【００３６】第２の高周波電源７４により石英板７０の
外表面に配設されたコイル７１に１３．５６ＭＨｚの高
周波電力を印加し、次に、セラミックス製のＥＳＣステ
ージ８１に第１の高周波電源７３より１３．５６ＭＨｚ
の高周波電力を印加し、エッチングチャンバー６０内に
あるエッチングガスを励起させてプラズマを生成する。
励起されたプラズマは、セラミックス製のＥＳＣステー
ジ８１上にあるウェーハ８０をエッチング処理する。
外表面に配設されたコイル７１に１３．５６ＭＨｚの高
周波電力を印加し、次に、セラミックス製のＥＳＣステ
ージ８１に第１の高周波電源７３より１３．５６ＭＨｚ
の高周波電力を印加し、エッチングチャンバー６０内に
あるエッチングガスを励起させてプラズマを生成する。
励起されたプラズマは、セラミックス製のＥＳＣステー
ジ８１上にあるウェーハ８０をエッチング処理する。
【００３７】ウェーハ８０をエッチング処理する際、所
定のエッチング処理に要する時間の半分の時間を経過し
た時点で、第２の高周波電源７４より第１のコイル７１
に印加されている１３．５６ＭＨｚの高周波電力を切
り、直ちに、第１のコイル７１と互いに相手のコイルの
間になるように渦巻状に配設された第２のコイル７２に
第３の高周波電源７５より１３．５６ＭＨｚの高周波電
力を印加し、プラズマを切らずに、残りの半分の時間エ
ッチング処理を継続する。
定のエッチング処理に要する時間の半分の時間を経過し
た時点で、第２の高周波電源７４より第１のコイル７１
に印加されている１３．５６ＭＨｚの高周波電力を切
り、直ちに、第１のコイル７１と互いに相手のコイルの
間になるように渦巻状に配設された第２のコイル７２に
第３の高周波電源７５より１３．５６ＭＨｚの高周波電
力を印加し、プラズマを切らずに、残りの半分の時間エ
ッチング処理を継続する。
【００３８】エッチング処理終了後、第１の高周波電源
７３，第２の高周波電源７４、および第３の高周波電源
７５を停止し、エッチングガスの供給を停止する。エッ
チング処理が完了したら、エッチングチャンバー６０の
ゲート６１を経由してウェーハ８０を搬出する。
７３，第２の高周波電源７４、および第３の高周波電源
７５を停止し、エッチングガスの供給を停止する。エッ
チング処理が完了したら、エッチングチャンバー６０の
ゲート６１を経由してウェーハ８０を搬出する。
【００３９】エッチング処理の際、石英板７０の下面
の、高周波電力印加中のコイル７１またはコイル７２と
対応する箇所では石英板７０の石英がエッチングされ、
反対に高周波電力印加中のコイル７１またはコイル７２
の無い場所に対応する箇所にデポジション７６が付着す
る。
の、高周波電力印加中のコイル７１またはコイル７２と
対応する箇所では石英板７０の石英がエッチングされ、
反対に高周波電力印加中のコイル７１またはコイル７２
の無い場所に対応する箇所にデポジション７６が付着す
る。
【００４０】まず、第１のコイル７１に第２の高周波電
源７４より高周波電力を印加し、エッチングチャンバー
６０内にプラズマを励起させウェーハ８０をエッチング
処理すると、エッチング処理により石英板７０の下面の
第１のコイル７１と対応する箇所はエッチングされ、同
時に第１のコイル７１の無い場所に対応する箇所にデポ
ジション７６が付着する。
源７４より高周波電力を印加し、エッチングチャンバー
６０内にプラズマを励起させウェーハ８０をエッチング
処理すると、エッチング処理により石英板７０の下面の
第１のコイル７１と対応する箇所はエッチングされ、同
時に第１のコイル７１の無い場所に対応する箇所にデポ
ジション７６が付着する。
【００４１】次に、第１のコイル７１の高周波印加を停
止して第２のコイル７２に高周波を印加することによ
り、先ほど、石英板７０の下面の第２のコイル７２に対
応する個所に付着したデポジション７６はエッチングさ
れる。これと並行して第２のコイル７２の無い場所に対
応する石英板７０の下面にデポジション７６が付着し、
先ほど第１のコイル７１に高周波を印加した時にエッチ
ングされた第１のコイル７１に対応する箇所にもデポジ
ション７６が堆積する。
止して第２のコイル７２に高周波を印加することによ
り、先ほど、石英板７０の下面の第２のコイル７２に対
応する個所に付着したデポジション７６はエッチングさ
れる。これと並行して第２のコイル７２の無い場所に対
応する石英板７０の下面にデポジション７６が付着し、
先ほど第１のコイル７１に高周波を印加した時にエッチ
ングされた第１のコイル７１に対応する箇所にもデポジ
ション７６が堆積する。
【００４２】従って、第１のコイル７１、第２のコイル
７２に対する高周波の印加時間を同じにすることによっ
て、第１のコイル７１、第２のコイル７２に対応する石
英板７０の下面の個所ではエッチングの進行とデポジシ
ョン７６の堆積の進行とが抑制され、図２（ｃ）に示す
ようにデポジション７６の堆積は第１のコイル７１、第
２のコイル７２のない石英板７０の中心部付近のみとな
り、デポジション７６の剥離によるウェーハ８０のパー
ティクルが抑制され、デポジション７６の洗浄の頻度を
押さえることができるる。
７２に対する高周波の印加時間を同じにすることによっ
て、第１のコイル７１、第２のコイル７２に対応する石
英板７０の下面の個所ではエッチングの進行とデポジシ
ョン７６の堆積の進行とが抑制され、図２（ｃ）に示す
ようにデポジション７６の堆積は第１のコイル７１、第
２のコイル７２のない石英板７０の中心部付近のみとな
り、デポジション７６の剥離によるウェーハ８０のパー
ティクルが抑制され、デポジション７６の洗浄の頻度を
押さえることができるる。
【００４３】次に、本発明の第３の実施の形態のドライ
エッチング方法について図１および図２を参照して説明
する。本発明の第３の実施の形態のドライエッチング方
法は第１の実施の形態と第２の実施の形態のドライエッ
チング装置のいずれにも適用できる。従ってドライエッ
チング装置の構成については説明を省略する。
エッチング方法について図１および図２を参照して説明
する。本発明の第３の実施の形態のドライエッチング方
法は第１の実施の形態と第２の実施の形態のドライエッ
チング装置のいずれにも適用できる。従ってドライエッ
チング装置の構成については説明を省略する。
【００４４】ドライエッチング方法も基本的には第１の
実施の形態と第２の実施の形態と同じなので相違点につ
いてのみ説明する。第１の実施の形態と第２の実施の形
態のドライエッチング方法では、１枚のウェーハに対
し、所定のエッチング処理に要する時間の半分の時間が
経過した時点で第２の高周波電源より第１のコイルに印
加されている１３．５６ＭＨｚの高周波電力を切り、直
ちに、第１のコイルと互いに相手のコイルの間になるよ
うに螺旋状または渦巻状に配設された第２のコイルに第
３の高周波電源より１３．５６ＭＨｚの高周波電力を印
加し、プラズマを切らずに、残りの半分の時間エッチン
グ処理を継続していたが、第３の実施の形態では、ウェ
ーハをエッチング処理する際、処理開始ウェーハは、第
１のコイル２１または７１を使用しエッチング処理を行
い、次に搬送されるウェーハは、第２のコイル２２また
は７２を使用しエッチング処理を実施する。
実施の形態と第２の実施の形態と同じなので相違点につ
いてのみ説明する。第１の実施の形態と第２の実施の形
態のドライエッチング方法では、１枚のウェーハに対
し、所定のエッチング処理に要する時間の半分の時間が
経過した時点で第２の高周波電源より第１のコイルに印
加されている１３．５６ＭＨｚの高周波電力を切り、直
ちに、第１のコイルと互いに相手のコイルの間になるよ
うに螺旋状または渦巻状に配設された第２のコイルに第
３の高周波電源より１３．５６ＭＨｚの高周波電力を印
加し、プラズマを切らずに、残りの半分の時間エッチン
グ処理を継続していたが、第３の実施の形態では、ウェ
ーハをエッチング処理する際、処理開始ウェーハは、第
１のコイル２１または７１を使用しエッチング処理を行
い、次に搬送されるウェーハは、第２のコイル２２また
は７２を使用しエッチング処理を実施する。
【００４５】このようにウェーハ処理枚数の奇数枚目
は、第１のコイル２１または７１を使用してエッチング
処理し、偶数枚目は、第２のコイル２２または７２を使
用してエッチング処理を実施する。相当枚数のウェーハ
処理を行った場合には、第１のコイル２１または７１と
第２のコイル２２または７２への高周波電力印加時間は
ほぼ等しくなり、第１の実施の形態あるいは第２の実施
の形態と同様の効果を得られる。
は、第１のコイル２１または７１を使用してエッチング
処理し、偶数枚目は、第２のコイル２２または７２を使
用してエッチング処理を実施する。相当枚数のウェーハ
処理を行った場合には、第１のコイル２１または７１と
第２のコイル２２または７２への高周波電力印加時間は
ほぼ等しくなり、第１の実施の形態あるいは第２の実施
の形態と同様の効果を得られる。
【００４６】次に、本発明の第４の実施の形態のドライ
エッチング方法について図１および図２を参照して説明
する。本発明の第４の実施の形態のドライエッチング方
法は第１の実施の形態と第２の実施の形態のドライエッ
チング装置のいずれにも適用できる。従ってドライエッ
チング装置の構成については説明を省略する。
エッチング方法について図１および図２を参照して説明
する。本発明の第４の実施の形態のドライエッチング方
法は第１の実施の形態と第２の実施の形態のドライエッ
チング装置のいずれにも適用できる。従ってドライエッ
チング装置の構成については説明を省略する。
【００４７】ドライエッチング方法も基本的には第１の
実施の形態と第２の実施の形態と同じなので相違点につ
いてのみ説明する。第１の実施の形態と第２の実施の形
態のドライエッチング方法では、１枚のウェーハに対
し、所定のエッチング処理に要する時間の半分の時間が
経過した時点で第２の高周波電源より第１のコイルに印
加されている１３．５６ＭＨｚの高周波電力を切り、直
ちに、第１のコイルと互いに相手のコイルの間になるよ
うに螺旋状または渦巻状に配設された第２のコイルに第
３の高周波電源より１３．５６ＭＨｚの高周波電力を印
加し、プラズマを切らずに、残りの半分の時間エッチン
グ処理を継続していたが、第４の実施の形態では、ウェ
ーハをエッチング処理する際、所定のエッチング処理に
要する時間より十分に短い時間、例えば、所定のエッチ
ング処理に要する時間の１／１０の時間の間隔で、第１
のコイル２１または７１と第２のコイル２２または７２
に交互に高周波を印加し、エッチングを行う。第１のコ
イル２１または７１と第２のコイル２２または７２への
高周波電力印加時間はほぼ等しくなり、第１の実施の形
態あるいは第２の実施の形態と同様の効果を得られる。
実施の形態と第２の実施の形態と同じなので相違点につ
いてのみ説明する。第１の実施の形態と第２の実施の形
態のドライエッチング方法では、１枚のウェーハに対
し、所定のエッチング処理に要する時間の半分の時間が
経過した時点で第２の高周波電源より第１のコイルに印
加されている１３．５６ＭＨｚの高周波電力を切り、直
ちに、第１のコイルと互いに相手のコイルの間になるよ
うに螺旋状または渦巻状に配設された第２のコイルに第
３の高周波電源より１３．５６ＭＨｚの高周波電力を印
加し、プラズマを切らずに、残りの半分の時間エッチン
グ処理を継続していたが、第４の実施の形態では、ウェ
ーハをエッチング処理する際、所定のエッチング処理に
要する時間より十分に短い時間、例えば、所定のエッチ
ング処理に要する時間の１／１０の時間の間隔で、第１
のコイル２１または７１と第２のコイル２２または７２
に交互に高周波を印加し、エッチングを行う。第１のコ
イル２１または７１と第２のコイル２２または７２への
高周波電力印加時間はほぼ等しくなり、第１の実施の形
態あるいは第２の実施の形態と同様の効果を得られる。
【００４８】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、互いに相
手のコイルの間になるように螺旋状または渦巻状に配設
された２組のコイルに交互に高周波電力を印加するの
で、ドームまたは石英板の裏面の２組のコイルに対応す
る個所ではエッチングとデポジションの堆積とが交互に
行われるので、２組のコイルをそれぞれ同一時間用いて
エッチング処理することにより、多数のウェーハを繰り
返し連続エッチング処理してもデポジションの堆積量が
低減でき、デポジションの剥離によるウェーハのパーテ
ィクルを抑制できるという効果がある。
手のコイルの間になるように螺旋状または渦巻状に配設
された２組のコイルに交互に高周波電力を印加するの
で、ドームまたは石英板の裏面の２組のコイルに対応す
る個所ではエッチングとデポジションの堆積とが交互に
行われるので、２組のコイルをそれぞれ同一時間用いて
エッチング処理することにより、多数のウェーハを繰り
返し連続エッチング処理してもデポジションの堆積量が
低減でき、デポジションの剥離によるウェーハのパーテ
ィクルを抑制できるという効果がある。
【００４９】また、洗浄の頻度を押さえることができる
ので装置稼働率を向上できるという効果がある。
ので装置稼働率を向上できるという効果がある。
【００５０】さらに、ドームまたは石英板のエッチング
の進行が抑制されるので、ドームまたは石英板の寿命を
延長することができるという効果がある。
の進行が抑制されるので、ドームまたは石英板の寿命を
延長することができるという効果がある。
【図１】本発明の第１の実施の形態の誘導結合プラズマ
型ドライエッチング装置の模式的断面図である。（ａ）
は全体の断面図である。（ｂ）はドームの断面図であ
る。
型ドライエッチング装置の模式的断面図である。（ａ）
は全体の断面図である。（ｂ）はドームの断面図であ
る。
【図２】本発明の第２の実施の形態の誘導結合プラズマ
型ドライエッチング装置の模式的断面図である。（ａ）
は全体の断面図である。（ｂ）は石英板の上面図であ
る。（ｃ）は石英板の裏面図である。
型ドライエッチング装置の模式的断面図である。（ａ）
は全体の断面図である。（ｂ）は石英板の上面図であ
る。（ｃ）は石英板の裏面図である。
【図３】従来例の誘導結合プラズマ型ドライエッチング
装置の模式的断面図である。（ａ）は全体の断面図であ
る。（ｂ）はドームの断面図である。
装置の模式的断面図である。（ａ）は全体の断面図であ
る。（ｂ）はドームの断面図である。
１０、６０、１１０ エッチングチャンバ １１、６１、１１１ ゲート １２、６２、１１２ ガス導入口 １３、６３、１１３ 圧力計 ２０、１２０ ドーム ２１、７１ 第１のコイル ２２、７２ 第２のコイル ２３、７３、１１３ 第１の高周波電源 ２４、７４、１１４ 第２の高周波電源 ２５、７５ 第３の高周波電源 ２６、７６、１２６ デポジション ３０、８０、１３０ ウェーハ ３１、８１、１３１ ＥＳＣステージ ４０、９０、１４０ 圧力制御器 ７０ 石英板 １２１ コイル
Claims (7)
- 【請求項１】 エッチングチャンバ内に保持されたウェ
ーハに減圧下の活性ガスプラズマを作用させてエッチン
グ処理を行うドライエッチング装置であって、 前記ドライエッチング装置は、エッチングチャンバと、
プラズマ形成手段と、ウェーハ保持手段と、エッチング
ガス供給手段と、ガス圧力制御手段とを備え、 前記プラズマ形成手段は、切替え可能な２組の高周波電
源と、該高周波電源に接続する２組の高周波電力印加用
のコイルとを有し、２組の前記高周波電力印加用のコイ
ルはそれぞれが互いに相手のコイルの間に位置するよう
に近接して配設されていることを特徴とする誘導結合プ
ラズマ型ドライエッチング装置。 - 【請求項２】 前記プラズマ形成手段はドームを有し、
２組の前記高周波電力印加用のコイルはそれぞれが互い
に相手のコイルの間に位置するように螺旋状に該ドーム
の外周に配設されている請求項１に記載の誘導結合プラ
ズマ型ドライエッチング装置。 - 【請求項３】 前記プラズマ形成手段は石英板を有し、
２組の前記高周波電力印加用のコイルはそれぞれが互い
に相手のコイルの間に位置するように渦巻状に該石英板
の外面に配設されている請求項１に記載の誘導結合プラ
ズマ型ドライエッチング装置。 - 【請求項４】 エッチングチャンバ内に保持されたウェ
ーハに減圧下の活性ガスプラズマを作用させてエッチン
グ処理を行うドライエッチング方法であって、 エッチングチャンバ内に前記ウェーハを搬入して固定
し、エッチングガスを該エッチングチャンバ内に導入
し、該エッチングチャンバ内を所定の圧力に調整し、そ
れぞれが互いに相手のコイルの間に位置するように近接
して配設されているプラズマ形成手段の２組の高周波印
加用コイルのいずれかに高周波電源から高周波電力を供
給し、エッチングガスを活性化させて前記ウェーハにエ
ッチング処理を行う誘導結合プラズマ型ドライエッチン
グ装置を用いたドライエッチング方法において、 所定の間隔で２組の高周波電源を切り換えて、それぞれ
の電源に接続する２組の前記高周波印加用コイルに交互
に高周波電力を供給することを特徴とするドライエッチ
ング方法。 - 【請求項５】 前記高周波電源の切り換えの間隔が、１
枚の前記ウェーハの所定のエッチング処理に要する時間
の偶数分の１である請求項４に記載のドライエッチング
方法。 - 【請求項６】 前記高周波電源の切り換えの間隔が、１
枚の前記ウェーハの所定のエッチング処理に要する時間
の１／２である請求項５に記載のドライエッチング方
法。 - 【請求項７】 前記高周波電源の切り換えの間隔が、１
枚の前記ウェーハの所定のエッチング処理に要する時間
であり、前記ウェーハの交換ごとに前記高周波電源を切
り換える請求項４に記載のドライエッチング方法。
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