KR860007717A - 플라스마 엣칭방법과 장치 - Google Patents

플라스마 엣칭방법과 장치 Download PDF

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Abstract

내용 없음

Description

플라스마 엣칭방법과 장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제 1 도는 본 발명에 따른 단일웨이퍼엣칭기의 개략도.
제 2 도는 웨이퍼에칭시스템, 예를 들어 제 1 도에서 보인 형태의 엣칭기에 사용하기 위하여 본 발명에 따라 구성된 새로운 상부전극조립체의 부분확대단면도.
제3A도와 제3B도는 요구의 외측모서리가 본 발명에 따라 이렇게 경사지게 형성되는가 하는 것과, 요구와 기재상부면의 인접한 부분에서 경사진 모서리가 금속층의 퇴적이 어떻게 효과적으로 이루어지도록 하는가하는 것을 보인 엣칭된 반도체기재의 부부확대단면도.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
22…플라스마 엣칭실 30…터보분자펌프 34…상부전극
36…하부전극 41…기체공급제어수단 42…RF 전원
45…기체공급원 82…기체공급부재 106…기체공급부재

Claims (15)

  1. 반도 체웨이퍼의 플라스마 에칭을 위한 장치에 있어서, 이 장치가 공정실, 이 공정실에 착설되고 적어도 하나의 웨이퍼가 엣칭되도록 사이에 배치되는 제 1 및 제 2 전극, 상기 공정실을 소기시키기 위한 수단, 상기 공정실에 적어도 하나의 반응성 부식기체를 주입하기 위한 기체 공급수단과, 상기 적어도 하나의 반응성 부식기체를 이온화시켜 상기 전극사이에 놓인 웨이퍼에 충돌하여 이를 부식시키는 플라스마를 형성하도록 상기전극에 연결된 전원수단으로 구성되고, 상기 제 1 전극은 제 1 기체공급 수단이 상기 제 2 전극에 지지된 웨이퍼의 평면에 대하여 직각방향으로 향하는 다수의 기체흐름에서 적어도 하나의 반응성부식기체를 방출하도록 배설된 다수의 제 1 방출 개방부로 구성되고, 제 2 기 체공급수단이 상기 제 2 전극에 지지된 웨이퍼의 평면에 대하여 예각방향으로 적어도 하나의 반응성부식기체를 방출하도록 배설된 다수의 제 2 방출개방부로 구성되며, 기체흐름 제어수단은 상기 기체공급수단에 상기 제 1 기체 공급수단을 선택적으로 연결하여 상기 적어도 하나응의 반성부식기체가 상기 제 2 전극에 대하여 직각으로 상기 제 2 전극을 향하여 흐르는 다수의 흐름으로 상기 제 1 방출개방부를 통하여 분산되게 하는 제 1 수단과, 상기 기체공급수단에 상기 제 2 기체 공급수단을 선택적으로 연결하여 상기 적어도 하나의 부식기체가 상기 제 2 전극에 대하여 예각으로 제 2 전극을 향하여 흐르는 다수의 흐름으로 상기 제 2 방출 개방부를 통하여 분산되게 하는 제 2 수단으로 구성됨을 특징으로 하는 플라스마 엣칭장치.
  2. 청구범위 1항에 있어서, 상기 제 2 기체공급수단은 상기 적어도 하나의 부식기체가 사전에 결정된 순서로 상기 제 2 개방부의 다른 개방부로 공급되도록 배설된 바의 장치.
  3. 청구범위 1항에 있어서, 상기 제 2 기체공급수단은 상기 제 1 기체 공급수단을 둘러싸고 있는 바의 장치.
  4. 청구범위 1항에 있어서, 상기 제 2 기체공급수단이 상기 적어도 하나의 기체를 통과시키도록 연속된 통로를 갖는 다공성부재로 구성되는 바의 장치.
  5. 청구범위 4항에 있어서, 상기 제 2 기체공급수단이 상기 제 1 전극을 둘러싸고 있는 보호판의 형태로 되어 있는 바의 장치.
  6. 청구범위 5항에 있어서, 상기 전극사이에서만 상기 플라스마가 제한 형성되도록 상기 보호판의 선택된 부분을 전기적으로 절연하기 위한 수단을 포함하는 바의 장치.
  7. 청구범위 4항에 있어서, 상기 제 1 기체공급수단이 상기 제 1 전극에 취부된 다공성 기체공급판으로 구성된 바의 장치.
  8. 청구범위 4항에 있어서, 상기 기체유량제수단이 상기 제 1 전극의 둘레에서 이들의 각 위치에 따라 상기 보호판의 선택된 부분으로 기체를 주입할 수 있게된 바의 장치.
  9. 경사진 모서리를 갖는 요구를 형성하도록 반도체 공작물을 엣칭하는 방법에 있어서, 이 방법이, 적어도 하나의 요구를 형성하는 일측에 마스크를 갖는 반도체 공작물의 준비하는 단계, 이 공작물을 공정실에 착설된 제 1 및 제 2 전극 사이에 배치하여 상기 공작물이 상기 제 2 전극에 인접하고 상기 일측부가 상기 제 1 전극에 접하도록 하는 단계, 상기 전극사이에 RF 전기장을 생성하도록 상기 전극에 RF전원을 연결하는 단계 상기 공장물으 상기 일측부에 대하여 수직으로 상기 제2전극을 향하여 다수의 흐름으로 상기 기체를 방출하도록 록배설된 제 1 기체공급수단을 통하여 반응성 부식기체를 선택적으로 공급하는 단계와, 상기 공작물의 상기 일측부에 예각으로 상기 제 2 전극을 향하여 다수의 흐름으로 상기 기체를 방출하도록 배설된 제 2 기체 공급수단을 통하여 반응성 부식기체를 선택적으로 공급하는 단계로 구성되고, 상기 제 1 및 제 2 기체공급수단으로부터 방출된 기체흐름이 상기 적어도 하나의 엣칭공을 통하여 통과하도록 이온화되고 상기 제 2 전극을 향하여 가속되며, 상기 제 1 기체 공급수단으로부터의 기체흐름이 예리한 외측모서리를 갖는 상기 공작물에 요구를 형성하도록 상기 일측부에 대하여 수직인 적어도 하나의 엣칭공을 통하여 통과하고, 상기 제 2 기체 공급수단으로부터의 기체흐름이 상기 외측모서리가 경사지게 형성되도록 상기 일측부에 대하여 예각으로 적어도 하나의 엣칭공을 통해 통과함을 특징으로 하는 플라즈마 엣칭방법.
  10. 청구범위 9항에 있어서, 상기 공작물마스크가 다수의 엣칭공을 가지며, 상기 제 1 및 제 2 기체공급수단의 다수의 기체방출공으로 구성된 바의 방법.
  11. 청구범위 10항에 있어서, 상기 기체가 상기 제 1 기체공급수단으로 공급된 후 상기 제 2 기체공급수단에 공급되는 바의 방법.
  12. 청구범위 9항에 있어서, 상기 제 2 기체공급수단이 공작물의 주위로 연장되는 어레이형태로 배열된 다수의 방출공으로 구성된 바의 방법.
  13. 청구범위 12항에 있어서, 기체가 짧은 시간주기의 사전에 선택된 순서로 상기 제 1 및 제 2 기체공급 수단에 공급되는 바의 방법.
  14. 청구범위 13항에 있어서, 기체가 상기 제 1 및 제 2 기체공급수단에 동시에 공급되는 바의 방법.
  15. 반도체 웨이퍼를 플라스 엣칭하기 위한 장치에 있어서, 이 장치가 공정실, 상기 공정실에 착설되고 적어도 하나의 웨이퍼가 처리되도록 사이에 배치되게 배설된 제 1 및 제 2 전극, 상기 공정실을 소기하기 위한 수단, 상기 공정실에 적어도 하나의 반응성 부식기체를 주입 하기 위한 기체공급수단, 상기 적어도 하나의 반응성 부식기체를 이온화하고 상기 전극사이에 위치하는 웨이 퍼에 충돌하여 이를 부식시키는 플라스마를 형성하도록 상기 전극에 연결된 RF 전원수단으로 구성되고, 상기 제 1 전극은 상기 제 2 전극에 대하여 제 1 각도로 상기 제 2 전극을 향하여 반응선 부식기체를 공급하기 위한 제 1 기체 공급수단과, 상기 제 2 전극에 대하여 제 2 각도로 상기 제 2 전극을 향하여 반응성 부식기체를 공급하기 위한 제 2 기체공급수단이 특징이며, 반응성 부식기체가 상기 제 1 또는 제 2 기체공급수단에 의하여 상기 제 2 전극에 공급하도록 상기 기체 공급수단에 상기 제 1 및 제 2 기체공급수단을 선택적으로 연결하기 위한 수단으로 구성됨을 특징으로 하는 플라스마 엣칭장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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