KR900701034A - 플라즈마 핀치 시스템과 그 사용방법 - Google Patents

플라즈마 핀치 시스템과 그 사용방법

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Abstract

내용 없음

Description

플라즈마 핀치 시스템과 그 사용방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 반도체 제조공정의 일부를 도시한 개략도로서 본발명에 따라 구성된 플라즈마 핀치 시스템을 채용하고 있다.
제2도는 본 발명의 가스 함입 핀치 형성을 위한 다수의 해결방법을 도시하는 그래프이다.
제4도는 약 1기압의 아르곤에서 3㎜프라즈마 핀치의 계산거동을 나타내는 그래프이다.
제9도는 본 발명의 시스템을 보다 명확히 하기 위해서 약 20.000°K에서 흑체(blackbody)용 전형적인 스펙티컬 파워 스펙트럼(spectical power spectrum)을 나타내는 그래프이다.

Claims (20)

  1. 중앙의 좁고 미세하게 유동하는 압력 유체를 둘러싸는 미세증기로 사전 조정된 증기층으로 구성되는 플라즈마 발생원을 형성하는 유체-제트 핀치 수단과, 길이를 따라 플라즈마를 형성하기 위하여 유동유체의 일부를 통해 전류를 공급하기 위한, 상기 유체-제트 핀치 수단에 전기적으로 연결된 방전 수단을 구비하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 핀치 시스템.
  2. 제1항에 있어서, 방전수단이 내부에너지를 저장하여 주기적으로 상기 전류를 공급하기 위해 에너지를 방전시키는 충전기 수단을 구비하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 핀치 시스템
  3. 제2항에 있어서, 충전기 수단에 충전되고 그 뒤 교대로 방전되게 하기 위한 스위치 수단을 상기 방전수단이 구비하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 핀치 시스템.
  4. 제3항에 있어서, 방전수단이 유체-제트 핀치수단의 사전 조정된 증기층 양단부에 대향하게 간격져 배치된 한쌍의 전극조립체를 구비하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 핀치 시스템.
  5. 제4항에 있어서, 각각의 전극조립체가 관통하여 유체를 통과시키는 수단을 구비하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 핀치 시스템.
  6. 제5항에 있어서, 전극조립체가 각각 상기 유체에 부식되지 않는 전도성 재료로된 전극을 구비하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 핀치 시스템.
  7. 제6항에 있어서, 유체-제트 핀치수단이 유체를 관통하여 통과시키는 수단으로 유체연결되는 유체압력원을 구비하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 핀치 시스템.
  8. 제7항에 있어서, 유체-제트 핀치 수단이 유동압력유체가 내부를 관통하여 통과하고 전극조립체가 간격져서 위에 배치되는 챔버를 형성하는 수단을 구비하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 핀치 시스템.
  9. 제8항에 있어서, 유체-제트 핀치 수단이 유동 압력 유체가 내부를 관통하여 통과하고 전극 조립체가 간격져서 위에 배치되는, 챔버를 형성하는 수단을 구비하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 핀치 시스템.
  10. 제9항에 있어서, 유체-제트 수단이 상기 출구 수집기를 개재하여 챔버로 부터 유동유체를 빨아들이는 집수통 수단을 구비하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 핀치 시스템.
  11. 제1항에 있어서, 유체가 위의 기능에 적당한 표면장력, 증기압 및 점성을 지는 물, 데칸 및 펜탄으로 구성되는 그룹에서 선택되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 핀치 시스템.
  12. 중앙의 좁고 미세하게 유동하는 압력유체를 에워싸는 희박한 증기의 사전조정된 증기층으로 구성하여 플라즈마 발생원을 형성시키고, 길이방향으로 플라즈마를 형성시키기 위하여 유동하는 유체의 부분을 통과하여 전류를 공급하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 핀치 발생방법.
  13. 제12항에 있어서, 상기 전류를 공급하기 위해 뒤에 방전되는 충전기 수단을 방전시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 핀치 발생방법.
  14. 제13항에 있어서, 상기 유체가 물, 데칸 및 펜탄으로 구성되는 그룹에서 선택되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 핀치 발생방법.
  15. 반도체 웨이퍼로 부터 반도체 칩을 제조하는 방법에 있어서, 중앙의 좁고 미세하게 유동하는 압력유체를 에워싸는 희박한 증기로 사전조정된 증기층으로 구성되는 플라즈마 발생원을 형성시키는 단계와, 분산 광선을 발생시키기 위해 길이방향을 따라서 플라즈마를 형성시키도록 유동유체의 일부를 관통하여 전류를 공급하는 단계와, 반도체 웨이퍼를 위의 분산광선에 노출시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체칩 제조방법.
  16. 제15항에 있어서, 전류를 공급하기 위해 방전되는 충전기를 충전시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 칩 제조방법.
  17. 제15항에 있어서, 유체가 물, 데칸 및 펜탄으로 구성되는 그룹에서 선택되는 것을 특징으로 하는 반도체 칩 제조방법.
  18. 제15항에 있어서, 상기 노출시키는 단계가 에칭목적으로 마스크를 플라즈마와 웨이퍼사이에 넣는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체칩 제조방법.
  19. 제15항에 있어서, 상기 웨이퍼를 노출시키는 단계가 플라즈마에 대하여 일련의 유사한 웨이퍼를 운반하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체칩 제조방법.
  20. 제15항에 있어서, 웨이퍼를 분산광선에 노출시키는 단계가 웨이퍼를 어닐링 시키기에 충분한 시간동안 웨이퍼를 노출시키는 것을 특징으로 하는 반도체칩 제조방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019890701480A 1987-12-07 1988-12-02 플라즈마 핀치 시스템과 그 사용방법 KR930008523B1 (ko)

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