JPH0340427A - ドライエッチング装置 - Google Patents
ドライエッチング装置Info
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- JPH0340427A JPH0340427A JP17583389A JP17583389A JPH0340427A JP H0340427 A JPH0340427 A JP H0340427A JP 17583389 A JP17583389 A JP 17583389A JP 17583389 A JP17583389 A JP 17583389A JP H0340427 A JPH0340427 A JP H0340427A
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- electrode
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- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 61
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 239000011295 pitch Substances 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
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- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明はドライエツチング装置に関し、特に相対向する
電極間隔を狭くして高速エツチングを可能にしたドライ
エツチング装置に関するものである。
電極間隔を狭くして高速エツチングを可能にしたドライ
エツチング装置に関するものである。
従来の技術
一般に、ドライエツチング装置は、第６図に示すように
、真空チャンバー１１内に例えば１５〜１００＋ｕｉ程
度の間隔をあけて下部電極１２と上部電極１３を対向配
置するとともにこれら電極１２１３間に高周波電圧を印
加する手段１４を設け、かつ真空チャンバー１１内にエ
ツチングガスを導入する手段１５を設けた構成とされて
いる。
、真空チャンバー１１内に例えば１５〜１００＋ｕｉ程
度の間隔をあけて下部電極１２と上部電極１３を対向配
置するとともにこれら電極１２１３間に高周波電圧を印
加する手段１４を設け、かつ真空チャンバー１１内にエ
ツチングガスを導入する手段１５を設けた構成とされて
いる。
また、対向配置される一対の電極１２．１３の間隔を狭
くすることによって、高いエツチングレートを確保する
ようにしたものが、例えば特開昭６２−６９６２０号公
報等にて知られている。この種ドライエツチング装置に
おいては、第５図に示すように、電極１２．１３間の狭
いギャップ内に確実にエツチングガスを導入してエツチ
ングレートと均一性を高めるために、ガス供給管１６か
ら上部電極１３内に形成されたガス導入通路１７内にエ
ツチングガスを供給し、下部電極１２との対向面に適当
間隔置きに多数形成したガス噴出口１８から電極１２．
１３間のギャップにエツチングガスを導入するように構
成され士いる。
くすることによって、高いエツチングレートを確保する
ようにしたものが、例えば特開昭６２−６９６２０号公
報等にて知られている。この種ドライエツチング装置に
おいては、第５図に示すように、電極１２．１３間の狭
いギャップ内に確実にエツチングガスを導入してエツチ
ングレートと均一性を高めるために、ガス供給管１６か
ら上部電極１３内に形成されたガス導入通路１７内にエ
ツチングガスを供給し、下部電極１２との対向面に適当
間隔置きに多数形成したガス噴出口１８から電極１２．
１３間のギャップにエツチングガスを導入するように構
成され士いる。
発明が解決しようとする課題
ところが、上記のように電極間隔を狭くしてエツチング
レートを高める場合、電極間隔を８ｍｍ以下にすると、
ガス噴出口から噴出したガスが十分に分散する前に被処
理物表面に達し、エツチングガスがその噴出口に対向す
る部分に集中するため、対向部分とその周囲とでエツチ
ングレートに差を生じ、噴出口のパターンが被処理物表
面が転写されたエツチングが行われ、そのため電極間隔
を８ｍｍ以下にしてさらにエツチングレートを高め＼名
ことができないという問題があった。
レートを高める場合、電極間隔を８ｍｍ以下にすると、
ガス噴出口から噴出したガスが十分に分散する前に被処
理物表面に達し、エツチングガスがその噴出口に対向す
る部分に集中するため、対向部分とその周囲とでエツチ
ングレートに差を生じ、噴出口のパターンが被処理物表
面が転写されたエツチングが行われ、そのため電極間隔
を８ｍｍ以下にしてさらにエツチングレートを高め＼名
ことができないという問題があった。
本発明は上記従来の問題点に鑑み、電極間隔を狭くして
エツチングレートを高めることができ、かつガス噴出口
のパターンが転写されることのないドライエツチング装
置を提供することを目的とする。
エツチングレートを高めることができ、かつガス噴出口
のパターンが転写されることのないドライエツチング装
置を提供することを目的とする。
課題を解決するための手段
本発明のドライエツチング装置は、上記目的を達成する
ために、真空チャンバーと、この真空チャンバーの内部
に４〜８１の間隔をあけて相対向して配設されかつ一方
の電極の対向面に被処理物が設置される一対の電極と、
一対の電極間に高周波電圧を印加する手段と、被処理物
を設置しない他方の電極に設けられたエツチングガスの
導入手段とを備え、前記他方の電極の対向面に形成され
るエツチングガスの噴出口を、被処理物表面に対して傾
斜させたことを特徴とする。
ために、真空チャンバーと、この真空チャンバーの内部
に４〜８１の間隔をあけて相対向して配設されかつ一方
の電極の対向面に被処理物が設置される一対の電極と、
一対の電極間に高周波電圧を印加する手段と、被処理物
を設置しない他方の電極に設けられたエツチングガスの
導入手段とを備え、前記他方の電極の対向面に形成され
るエツチングガスの噴出口を、被処理物表面に対して傾
斜させたことを特徴とする。
又、エツチングガスの噴出口を、被処理物と対向する領
域の外側に配設してもよい。
域の外側に配設してもよい。
作 用
本発明によると、電極間のギャップ内にエツチングガス
を導入するガス噴出口を被処理物表面に対して傾斜させ
ているので、電極間隔を８１１１１以下に狭くしても、
ガス噴出口から被処理物表面に達するまでのガス流の経
路長を、ガスが十分に拡散するのに必要とされる長さ以
上に確保でき、従って電極間隔を狭くしてもガス噴出口
のパターンがエツチング面に転写される恐れがなく、電
極間隔を狭くしてエツチングレートを高めるとともに均
一なエツチングを行うことができる。
を導入するガス噴出口を被処理物表面に対して傾斜させ
ているので、電極間隔を８１１１１以下に狭くしても、
ガス噴出口から被処理物表面に達するまでのガス流の経
路長を、ガスが十分に拡散するのに必要とされる長さ以
上に確保でき、従って電極間隔を狭くしてもガス噴出口
のパターンがエツチング面に転写される恐れがなく、電
極間隔を狭くしてエツチングレートを高めるとともに均
一なエツチングを行うことができる。
なお、電極間隔が４１以下では異常放電が発生し、安定
したエツチングが不可能であり、８１以上ではガス噴出
口のパターンが転写されないが、高いエツチングレート
を得ることができない。
したエツチングが不可能であり、８１以上ではガス噴出
口のパターンが転写されないが、高いエツチングレート
を得ることができない。
また、被処理物の外側にガス噴出口を配設してもそのパ
ターンがエツチング面に転写される恐れはなく、かつ電
極の外周部ではあっも電極間のギャップ内にエツチング
ガスを供給しているので、その全面に確実にエツチング
ガスを供給できて高いエツチングレートを確保すること
ができる。
ターンがエツチング面に転写される恐れはなく、かつ電
極の外周部ではあっも電極間のギャップ内にエツチング
ガスを供給しているので、その全面に確実にエツチング
ガスを供給できて高いエツチングレートを確保すること
ができる。
実施例
以下、本発明の一実施例を第１図〜第３図に基づいて説
明する。
明する。
１は真空チャンバーで、図示しない圧力制御バルブを介
して真空ポンプに接続され、所定の真空圧に保持するよ
・うに槽底されている。真空チャンバー１の内部には互
いに平行に平板状の下部電極２と上部電極３が適当間隔
あけて対向して配設されている。これら下部、上部電極
２．３間のギャップは４〜１３ ｌ１ｔｓ、この実施例
では５１に設定されている。４は、周波数が１３．５６
ＭＨｚの高周波電源で、下部電極２に接続され、上部電
極３は接地されている。下部電極２上には、被処理物５
が設置される。
して真空ポンプに接続され、所定の真空圧に保持するよ
・うに槽底されている。真空チャンバー１の内部には互
いに平行に平板状の下部電極２と上部電極３が適当間隔
あけて対向して配設されている。これら下部、上部電極
２．３間のギャップは４〜１３ ｌ１ｔｓ、この実施例
では５１に設定されている。４は、周波数が１３．５６
ＭＨｚの高周波電源で、下部電極２に接続され、上部電
極３は接地されている。下部電極２上には、被処理物５
が設置される。
上部電極３．から真空チャンバー１を貫通して上方に延
出された支持軸３ａの上端部にはエツチングガスを供給
するガス供給管６が接続され、かつこの支持軸３ａの上
端部から上部電極３内全面にわたってガス通路７が形成
されている。上部電極３の下部電極２との対向面には適
当ピッチでガス通路７と連通ずる多数のガス噴出口８が
形成されている。このガス噴出口８は、第２図に示すよ
うに上部電極３の下部電極２との対向面に垂直に立てた
線に対して適当な角度、α°だけ傾斜して形成されてい
る。その子頃斜角度は３０ａ〜６０°が好適であり、４
５°前後が最適である。又、平面視における傾斜方向は
任意に選択すればよいが、この実施例では第３図に示す
ように、電極間のギャップの全面でエツチングガスが旋
回するように周方向に沿って傾斜させている。
出された支持軸３ａの上端部にはエツチングガスを供給
するガス供給管６が接続され、かつこの支持軸３ａの上
端部から上部電極３内全面にわたってガス通路７が形成
されている。上部電極３の下部電極２との対向面には適
当ピッチでガス通路７と連通ずる多数のガス噴出口８が
形成されている。このガス噴出口８は、第２図に示すよ
うに上部電極３の下部電極２との対向面に垂直に立てた
線に対して適当な角度、α°だけ傾斜して形成されてい
る。その子頃斜角度は３０ａ〜６０°が好適であり、４
５°前後が最適である。又、平面視における傾斜方向は
任意に選択すればよいが、この実施例では第３図に示す
ように、電極間のギャップの全面でエツチングガスが旋
回するように周方向に沿って傾斜させている。
次に、動作を説明すると、下部電極２上に被処理物５を
設置し、真空チャンバー１内を真空排気し、ガス供給管
６から所定のエツチングガスを供給し、高周波電源４に
て下部、上部電極２．３間に高周波電圧を印加すると、
下部、上部電極２．３間のナロー放電によりエツチング
ガスのプラズマが発生し、被処理物５の表面が高速エツ
チングされる。このとき、エツチングガスがガス噴出口
８から被処理物５の表面に対して斜めに噴出するので、
第２図に示すように被処理物表面に達するまでのガス流
れ経路の長さｌは、電極間隔ｄに比して大きくなる。例
えば、ｄが５ｍｍのときには、ガス噴出口８の傾斜角α
を３０°に設定してもガス流れ経路長ｌは８間程度とな
り、噴出したガスが十分に拡散するのに必要な距離が確
保される。
設置し、真空チャンバー１内を真空排気し、ガス供給管
６から所定のエツチングガスを供給し、高周波電源４に
て下部、上部電極２．３間に高周波電圧を印加すると、
下部、上部電極２．３間のナロー放電によりエツチング
ガスのプラズマが発生し、被処理物５の表面が高速エツ
チングされる。このとき、エツチングガスがガス噴出口
８から被処理物５の表面に対して斜めに噴出するので、
第２図に示すように被処理物表面に達するまでのガス流
れ経路の長さｌは、電極間隔ｄに比して大きくなる。例
えば、ｄが５ｍｍのときには、ガス噴出口８の傾斜角α
を３０°に設定してもガス流れ経路長ｌは８間程度とな
り、噴出したガスが十分に拡散するのに必要な距離が確
保される。
その結果、ガス噴出口８から噴出したエツチングガスが
被処理物５の表面に達するまでに十分に拡散し、ガス噴
出口のパターンがエツチング面に転写されるのを防止で
きる。
被処理物５の表面に達するまでに十分に拡散し、ガス噴
出口のパターンがエツチング面に転写されるのを防止で
きる。
次に、５ｉｎ２膜をエツチングする場合の具体例を説明
すると、ガス噴出口８の傾斜角を４５゜とし、下部、上
部電極２．３間の間隔を５ａｕ＋＋に設定し、下部型［
２上に５ｉｎ２膜を有する０、 ８１厚の基板から成
る被処理物５を設置し、真空チャンバー１内を略１００
０ ｍＴｏｒｒに保持するとともに、ガス供給管６から
ＣＨＦ、ガスとｏ２ガスを９：１で混合した混合ガスを
１００５ｅｃｌｌの流量で供給し、高周波電源４にて４
００Ｗの出力で下部、上部電極２．３間に高周波電圧を
印加してエツチング処理を行った。
すると、ガス噴出口８の傾斜角を４５゜とし、下部、上
部電極２．３間の間隔を５ａｕ＋＋に設定し、下部型［
２上に５ｉｎ２膜を有する０、 ８１厚の基板から成
る被処理物５を設置し、真空チャンバー１内を略１００
０ ｍＴｏｒｒに保持するとともに、ガス供給管６から
ＣＨＦ、ガスとｏ２ガスを９：１で混合した混合ガスを
１００５ｅｃｌｌの流量で供給し、高周波電源４にて４
００Ｗの出力で下部、上部電極２．３間に高周波電圧を
印加してエツチング処理を行った。
その結果、３４０ｇ膜を３０００Å／ｗｉｎの高速でエ
ツチングすることができ、かつガス噴出口８のパターン
が転写されることなく均一にエツチングすることができ
た。
ツチングすることができ、かつガス噴出口８のパターン
が転写されることなく均一にエツチングすることができ
た。
尚、電極間のギャップを６１１１ｍとすると、エツチン
グレイトは２４００Å／ｍｉｎ、７ｍｍとすると２００
０人／ｍｉｎとなり、１５ｍｍになると１０００人／１
Ｉｌｉｎ程度であり、本実施例では従来の３倍以上の生
産性が得られる。
グレイトは２４００Å／ｍｉｎ、７ｍｍとすると２００
０人／ｍｉｎとなり、１５ｍｍになると１０００人／１
Ｉｌｉｎ程度であり、本実施例では従来の３倍以上の生
産性が得られる。
上記実施例では、上部Ｎ、電極の略全面に傾斜したガス
噴出口８を形成した例を示したが、第４図に示すように
、ガス噴出口８を、被処理物５と対向する領域の外側に
配設してもよい。この場合、被処理物５の外側にエツチ
ングガスが噴出されるので、ガス噴出口８のパターンが
被処理物５のエツチング面に転写される恐れはなく、か
つ下部、上部電極２．３間のギャップ内にエツチングガ
スが供給されるので、エツチング面の全面に確実にエツ
チングガスを供給できて高いエツチングレートを確保す
ることができる。この実施例において、エツチングガス
の噴出方向は適宜設定すればよいが、被処理物５の中央
部に向かって径方向内側に向かって噴出させるとより効
果的である。
噴出口８を形成した例を示したが、第４図に示すように
、ガス噴出口８を、被処理物５と対向する領域の外側に
配設してもよい。この場合、被処理物５の外側にエツチ
ングガスが噴出されるので、ガス噴出口８のパターンが
被処理物５のエツチング面に転写される恐れはなく、か
つ下部、上部電極２．３間のギャップ内にエツチングガ
スが供給されるので、エツチング面の全面に確実にエツ
チングガスを供給できて高いエツチングレートを確保す
ることができる。この実施例において、エツチングガス
の噴出方向は適宜設定すればよいが、被処理物５の中央
部に向かって径方向内側に向かって噴出させるとより効
果的である。
発明の効果
本発明によれば、電極間のギャップ内にエツチングガス
を導入するガス噴出口を被処理物表面に対して傾斜させ
ているので、電極間隔を狭くしても、ガス噴出口から被
処理物表面に達するまでのガス流の経路長を、ガスが十
分に拡散するのに必要とされる長さ以上に確保でき、従
って電極間隔を狭くしてもガス噴出口のパターンがエツ
チング面に転写される恐れがなく、電極間隔を狭くして
エツチングレートを高めるとともに均一なエツチングを
行うことができる。
を導入するガス噴出口を被処理物表面に対して傾斜させ
ているので、電極間隔を狭くしても、ガス噴出口から被
処理物表面に達するまでのガス流の経路長を、ガスが十
分に拡散するのに必要とされる長さ以上に確保でき、従
って電極間隔を狭くしてもガス噴出口のパターンがエツ
チング面に転写される恐れがなく、電極間隔を狭くして
エツチングレートを高めるとともに均一なエツチングを
行うことができる。
また、被処理物の外側にガス噴出口を配設してもそのパ
ターンがエツチング面に転写される恐れはなく、かつ電
極間のギャップ内にエツチングガスを供給しているので
、エツチング面に確実にエツチングガスを供給できて高
いエツチングレートを確保することができる等、大なる
効果を発揮する。
ターンがエツチング面に転写される恐れはなく、かつ電
極間のギャップ内にエツチングガスを供給しているので
、エツチング面に確実にエツチングガスを供給できて高
いエツチングレートを確保することができる等、大なる
効果を発揮する。
第１図は本発明のドライエツチング装置の一実施例の概
略構成図、第２図は要部を拡大して示した作用説明図、
第３図はエツチングガスの流れを説明する平面図、第４
図は本発明のドライエツチング装置の他の実施例の概略
構成図、第５図、第６図は従来のドライエツチング装置
の概略構成図である。 １・・・・・・真空チャンバー ２・・・・・・下部電
極、３・・・・・・上部電極、４・・・・・・高周波電
源、５・・・・・・被処理物６・・・・・・ガス供給管
、８・・・・・・ガス噴出口。
略構成図、第２図は要部を拡大して示した作用説明図、
第３図はエツチングガスの流れを説明する平面図、第４
図は本発明のドライエツチング装置の他の実施例の概略
構成図、第５図、第６図は従来のドライエツチング装置
の概略構成図である。 １・・・・・・真空チャンバー ２・・・・・・下部電
極、３・・・・・・上部電極、４・・・・・・高周波電
源、５・・・・・・被処理物６・・・・・・ガス供給管
、８・・・・・・ガス噴出口。
Claims (2)
- （１）真空チャンバーと、この真空チャンバーの内部に
４〜８１の間隔をあけて相対向して配設されかつ一方の
電極の対向面に被処理物が設置される一対の電極と、一
対の電極間に高周波電圧を印加する手段と、被処理物を
設置しない他方の電極に設けられたエッチングガスの導
入手段とを備え、前記他方の電極の対向面に形成される
エッチングガスの噴出口を、被処理物表面に対して傾斜
させたことを特徴とするドライエッチング装置。 - （２）真空チャンバーと、この真空チャンバーの内部に
４〜８ｍｍの間隔をあけて相対向して配設されかつ一方
の電極の対向面に被処理物が設置される一対の電極と、
一対の電極間に高周波電圧を印加する手段と、被処理物
を設置しない他方の電極に設けられたエッチングガスの
導入手段とを備え、前記他方の電極の対向面に形成され
るエッチングガスの噴出口を、被処理物と対向する領域
の外側に配設したことを特徴とするドライエッチング装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1175833A JP2733316B2 (ja) | 1989-07-07 | 1989-07-07 | ドライエッチング装置およびその方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1175833A JP2733316B2 (ja) | 1989-07-07 | 1989-07-07 | ドライエッチング装置およびその方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0340427A true JPH0340427A (ja) | 1991-02-21 |
| JP2733316B2 JP2733316B2 (ja) | 1998-03-30 |
Family
ID=16003015
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1175833A Expired - Fee Related JP2733316B2 (ja) | 1989-07-07 | 1989-07-07 | ドライエッチング装置およびその方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2733316B2 (ja) |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5919326A (ja) * | 1982-07-23 | 1984-01-31 | Hitachi Ltd | プラズマ処理装置 |
| JPS6269620A (ja) * | 1985-09-24 | 1987-03-30 | Anelva Corp | プラズマ処理装置 |
| JPS62123721A (ja) * | 1985-11-25 | 1987-06-05 | Hitachi Ltd | 処理装置 |
| JPS62281427A (ja) * | 1986-05-30 | 1987-12-07 | Teru Ramu Kk | 放電加工用電極 |
-
1989
- 1989-07-07 JP JP1175833A patent/JP2733316B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5919326A (ja) * | 1982-07-23 | 1984-01-31 | Hitachi Ltd | プラズマ処理装置 |
| JPS6269620A (ja) * | 1985-09-24 | 1987-03-30 | Anelva Corp | プラズマ処理装置 |
| JPS62123721A (ja) * | 1985-11-25 | 1987-06-05 | Hitachi Ltd | 処理装置 |
| JPS62281427A (ja) * | 1986-05-30 | 1987-12-07 | Teru Ramu Kk | 放電加工用電極 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2733316B2 (ja) | 1998-03-30 |
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