JPH0258832A - プラズマアッシング装置 - Google Patents
プラズマアッシング装置Info
- Publication number
- JPH0258832A JPH0258832A JP21123888A JP21123888A JPH0258832A JP H0258832 A JPH0258832 A JP H0258832A JP 21123888 A JP21123888 A JP 21123888A JP 21123888 A JP21123888 A JP 21123888A JP H0258832 A JPH0258832 A JP H0258832A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- plasma
- semiconductor substrate
- counter electrodes
- gate valve
- resist film
- Prior art date
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- Pending
Links
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 12
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 12
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 5
- 238000000576 coating method Methods 0.000 abstract description 2
- 235000002918 Fraxinus excelsior Nutrition 0.000 abstract 1
- 239000002956 ash Substances 0.000 abstract 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 abstract 1
- 210000002381 plasma Anatomy 0.000 description 15
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 description 2
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- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Feedback Control In General (AREA)
- Stabilization Of Oscillater, Synchronisation, Frequency Synthesizers (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、プラズマアッシング装置に関する。
第３図は従来のプラズマアッシング装置の一例を説明す
るための装置の断面図である。同図に示すように、半導
体基板１を入口側予備排気室２からゲートバルブ３を通
し、処理テーブル４上に水平に設置する。ゲートバルブ
３を閉じ、真空ポンプ１２により反応室内を真空にした
後、０２ガス供給口５より０２を供給する。高周波電源
６ａから出力電力が半導体基板に対向し平行に設置され
た１枚の均一な対向電極７ａに供給され、０□プラズマ
８ａが発生する。これにより、半導体基板１上のレジス
ト９を灰化させる。処理終了後、ゲートバルブ１０を開
き、半導体基板１を出口側予備排気室１１より搬送して
いた。
るための装置の断面図である。同図に示すように、半導
体基板１を入口側予備排気室２からゲートバルブ３を通
し、処理テーブル４上に水平に設置する。ゲートバルブ
３を閉じ、真空ポンプ１２により反応室内を真空にした
後、０２ガス供給口５より０２を供給する。高周波電源
６ａから出力電力が半導体基板に対向し平行に設置され
た１枚の均一な対向電極７ａに供給され、０□プラズマ
８ａが発生する。これにより、半導体基板１上のレジス
ト９を灰化させる。処理終了後、ゲートバルブ１０を開
き、半導体基板１を出口側予備排気室１１より搬送して
いた。
上述した従来のプラズマアッシング装置では、１枚の対
向電極により発生する均一な０２プラズマによりレジス
トを灰化する。一般に半導体基板上にレジストを回転塗
布法により塗布するため、レジスト膜が同心円状に厚さ
の不均一部分を生じてしまう。このような状態でプラズ
マ除去すると、レジスト膜の厚い部分は残存し、逆に薄
い部分ではプラズマの影響で半導体基板にダメージを発
生してしまう欠点があった。
向電極により発生する均一な０２プラズマによりレジス
トを灰化する。一般に半導体基板上にレジストを回転塗
布法により塗布するため、レジスト膜が同心円状に厚さ
の不均一部分を生じてしまう。このような状態でプラズ
マ除去すると、レジスト膜の厚い部分は残存し、逆に薄
い部分ではプラズマの影響で半導体基板にダメージを発
生してしまう欠点があった。
本発明の目的は、半導体基板上のレジスト膜厚にばらつ
きがある場合でも、−度のプラズマ処理で効率良くレジ
ストを除去することが可能なプラズマアッシング装置を
提供することにある。
きがある場合でも、−度のプラズマ処理で効率良くレジ
ストを除去することが可能なプラズマアッシング装置を
提供することにある。
本発明のプラズマアッシングは、平行平板型の対向電極
を有するプラズマアッシング装置において、前記対向電
極を少なくとも２つ以上に分割し、前記分割された対向
電極各々の制御装置を含んで構成される。
を有するプラズマアッシング装置において、前記対向電
極を少なくとも２つ以上に分割し、前記分割された対向
電極各々の制御装置を含んで構成される。
次に、本発明の実施例について図面を参照して説明する
。
。
第１図は本発明のプラズマアッシング装置の第１の実施
例を説明するための装置の断面図である。同図に示すよ
うに、半導体基板１を入口側予備排気室からゲートバル
ブ３を通し、処理テーブル４上に水平に設置する。次に
、ゲートバルブ３を閉じ、真空ポンプ１２により反応室
内を真空にした後、０２ガス供給口５より０２を供給す
る。
例を説明するための装置の断面図である。同図に示すよ
うに、半導体基板１を入口側予備排気室からゲートバル
ブ３を通し、処理テーブル４上に水平に設置する。次に
、ゲートバルブ３を閉じ、真空ポンプ１２により反応室
内を真空にした後、０２ガス供給口５より０２を供給す
る。
塗布時に生じた主に同心円状のレジスト膜厚のばらつき
に応じ、あらかじめ設定された高周波電源６ａ及び高周
波電源６ｂからの出力電源を、それぞれ同心円状に分割
された対向電極７ａ及び対向電極７ｂに供給することに
より、０□プラズマ８ａ及び０２プラズマ８ｂが発生す
る。これにより、半導体基板１上のレジスト膜を膜厚が
変化している場合でも効率良く灰化することができる。
に応じ、あらかじめ設定された高周波電源６ａ及び高周
波電源６ｂからの出力電源を、それぞれ同心円状に分割
された対向電極７ａ及び対向電極７ｂに供給することに
より、０□プラズマ８ａ及び０２プラズマ８ｂが発生す
る。これにより、半導体基板１上のレジスト膜を膜厚が
変化している場合でも効率良く灰化することができる。
処理終了後、ゲートバルブ１０を開き、半導体基板１を
出口側予備排気室１１より搬送し、灰化処理を終了する
。
出口側予備排気室１１より搬送し、灰化処理を終了する
。
第２図は本発明の第２の実施例を説明するための装置の
断面図である。同図に示すように、本実施例では対向電
極を３分割し、高周波電源６ａ、６ｂ、６ｃからの個別
の出力電力を対向電極７ａ、７ｂ、７ｃに供給すること
により、半導体基板１上のレジスト膜９上に３種の０２
プラズマ８ａ、８ｂ、 ８ｃが発生するため、レジスト
膜のばらつきに対して、より高精度な灰化処理が可能と
なる。
断面図である。同図に示すように、本実施例では対向電
極を３分割し、高周波電源６ａ、６ｂ、６ｃからの個別
の出力電力を対向電極７ａ、７ｂ、７ｃに供給すること
により、半導体基板１上のレジスト膜９上に３種の０２
プラズマ８ａ、８ｂ、 ８ｃが発生するため、レジスト
膜のばらつきに対して、より高精度な灰化処理が可能と
なる。
以上２つの実施例は、対向電極を２及び３分割した例で
説明したが、本発明は、対ｐ電極の分割数が複数であれ
ば同様な効果が得られる。
説明したが、本発明は、対ｐ電極の分割数が複数であれ
ば同様な効果が得られる。
以上説明したように、本発明は、対向電極を分割し、各
々の電極に供給する高周波電力をレジスト膜厚に応じて
設定できるため、半導体基板上のレジスト膜厚にばらつ
きがあっても、−度のプラズマ処理により効率良くレジ
スト除去ができるという効果がある。
々の電極に供給する高周波電力をレジスト膜厚に応じて
設定できるため、半導体基板上のレジスト膜厚にばらつ
きがあっても、−度のプラズマ処理により効率良くレジ
スト除去ができるという効果がある。
源、７ａ、７ｂ、７ｃ・・・対向電極、８ａ、８ｂ８ｃ
・・・０２プラズマ、９・・・レジスト膜、１０・・・
出口（則ゲートバルブ、１１・・・出口側予備排気室、
１２・・・真空ポンプ。
・・・０２プラズマ、９・・・レジスト膜、１０・・・
出口（則ゲートバルブ、１１・・・出口側予備排気室、
１２・・・真空ポンプ。
Claims (1)
- 平行平板型の対向電極を有するプラズマアッシング装置
において、前記対向電極を少なくとも２つ以上に分割し
、前記分割された対向電極各々の制御装置を設けること
を特徴とするプラズマアッシング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21123888A JPH0258832A (ja) | 1988-08-24 | 1988-08-24 | プラズマアッシング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21123888A JPH0258832A (ja) | 1988-08-24 | 1988-08-24 | プラズマアッシング装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0258832A true JPH0258832A (ja) | 1990-02-28 |
Family
ID=16602574
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21123888A Pending JPH0258832A (ja) | 1988-08-24 | 1988-08-24 | プラズマアッシング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0258832A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5510457A (en) * | 1995-04-24 | 1996-04-23 | National Science Council | Method for preparing processable polyisothianaphthene |
| US5696206A (en) * | 1996-01-11 | 1997-12-09 | National Science Council | Method for preparing processable polyisothianaphthene |
| WO2007059749A1 (de) * | 2005-11-21 | 2007-05-31 | Von Ardenne Anlagentechnik Gmbh | Trenneinrichtung für prozesskammern von vakuumbeschichtungsanlagen und vakuumbeschichtungsanlage |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6324623A (ja) * | 1986-07-17 | 1988-02-02 | Mitsubishi Electric Corp | プラズマ処理装置 |
| JPS63107025A (ja) * | 1986-10-24 | 1988-05-12 | Hitachi Ltd | 処理装置 |
-
1988
- 1988-08-24 JP JP21123888A patent/JPH0258832A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6324623A (ja) * | 1986-07-17 | 1988-02-02 | Mitsubishi Electric Corp | プラズマ処理装置 |
| JPS63107025A (ja) * | 1986-10-24 | 1988-05-12 | Hitachi Ltd | 処理装置 |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5510457A (en) * | 1995-04-24 | 1996-04-23 | National Science Council | Method for preparing processable polyisothianaphthene |
| US5696206A (en) * | 1996-01-11 | 1997-12-09 | National Science Council | Method for preparing processable polyisothianaphthene |
| WO2007059749A1 (de) * | 2005-11-21 | 2007-05-31 | Von Ardenne Anlagentechnik Gmbh | Trenneinrichtung für prozesskammern von vakuumbeschichtungsanlagen und vakuumbeschichtungsanlage |
| US9057131B2 (en) | 2005-11-21 | 2015-06-16 | Von Ardenne Gmbh | Separating device for process chambers of vacuum coating installations and vacuum coating installation |
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