JPH04286317A - 半導体装置のアッシング方法及びアッシング装置 - Google Patents
半導体装置のアッシング方法及びアッシング装置Info
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- JPH04286317A JPH04286317A JP5095291A JP5095291A JPH04286317A JP H04286317 A JPH04286317 A JP H04286317A JP 5095291 A JP5095291 A JP 5095291A JP 5095291 A JP5095291 A JP 5095291A JP H04286317 A JPH04286317 A JP H04286317A
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- 238000004380 ashing Methods 0.000 title claims abstract description 51
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 48
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 27
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims abstract description 46
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 46
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 31
- -1 oxygen ions Chemical class 0.000 claims abstract description 15
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 claims abstract description 11
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 claims description 13
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 12
- 239000010453 quartz Substances 0.000 claims description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 238000011109 contamination Methods 0.000 abstract 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 8
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 4
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 238000002513 implantation Methods 0.000 description 1
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
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- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、高ドーズ量イオン注入
を行ったレジスト膜のドライアッシング方法及びドライ
アッシング装置に関するものである。
を行ったレジスト膜のドライアッシング方法及びドライ
アッシング装置に関するものである。
【０００２】半導体装置の高集積化・高速化に伴い半導
体チップのパターンの加工におけるドライエッチング工
程では、パターン寸法・形状に対してより精度の高い技
術が要求されており、特に最近は半導体装置の機能に大
きな影響を及ぼすレジストのアッシングの際のダメージ
が重要視されている。
体チップのパターンの加工におけるドライエッチング工
程では、パターン寸法・形状に対してより精度の高い技
術が要求されており、特に最近は半導体装置の機能に大
きな影響を及ぼすレジストのアッシングの際のダメージ
が重要視されている。
【０００３】以上のような状況から、半導体装置の性能
にダメージを与えないでレジストをアッシングすること
が可能な半導体装置の製造方法が要望されている。
にダメージを与えないでレジストをアッシングすること
が可能な半導体装置の製造方法が要望されている。
【０００４】
【従来の技術】従来のレジストをアッシングする半導体
装置のアッシング方法及びアッシング装置について図４
〜図６により詳細に説明する。
装置のアッシング方法及びアッシング装置について図４
〜図６により詳細に説明する。
【０００５】半導体装置の製造工程において半導体基板
３４の表面に形成されているレジスト膜３５に高ドーズ
量イオンを注入した場合には、図４に示すように半導体
基板３４の表面に形成されているレジスト膜３５の表面
が変質層３５ａに変わり、この変質層３５ａを除去する
ためにはイオンを照射することが必要である。
３４の表面に形成されているレジスト膜３５に高ドーズ
量イオンを注入した場合には、図４に示すように半導体
基板３４の表面に形成されているレジスト膜３５の表面
が変質層３５ａに変わり、この変質層３５ａを除去する
ためにはイオンを照射することが必要である。
【０００６】しかし、イオンに長時間さらすと半導体基
板３４の表面に形成されているデバイスの機能が劣化す
るので、レジスト膜をアッシングする工程を２工程にわ
けて行っている。
板３４の表面に形成されているデバイスの機能が劣化す
るので、レジスト膜をアッシングする工程を２工程にわ
けて行っている。
【０００７】まずこの変質層３５ａ を除去する第１の
工程においては、図５に示すような反応室４１に反応ガ
ス供給部４２から導入した反応ガス、例えば酸素を高周
波電源４５を用いて酸素イオン及び酸素ラジカルにし、
主としてこの酸素イオンによりヒータ４６ａ により加
熱した載物台４６の表面に載置した半導体基板３４の表
面の図４に示すようなレジスト膜３５の変質層３５ａ
を除去している。
工程においては、図５に示すような反応室４１に反応ガ
ス供給部４２から導入した反応ガス、例えば酸素を高周
波電源４５を用いて酸素イオン及び酸素ラジカルにし、
主としてこの酸素イオンによりヒータ４６ａ により加
熱した載物台４６の表面に載置した半導体基板３４の表
面の図４に示すようなレジスト膜３５の変質層３５ａ
を除去している。
【０００８】つぎにこのアッシング装置から半導体基板
３４を取り出し、図６に示すような反応室５１に供給口
５１ｂ から導入した反応ガス、例えば酸素を、マグネ
トロン３１により発生させ、導波管３２により導入して
石英窓３３を透過したマイクロ波を用いて酸素ラジカル
にし、反応室５１の供給口５１ｂ と載物台５６の中間
に設けた遮蔽板５７の小孔を透過したこの酸素ラジカル
のみにより、ヒータ５６ａ により加熱した載物台５６
の表面に載置した半導体基板３４の表面の図４に示すよ
うなレジスト膜３５を除去している。
３４を取り出し、図６に示すような反応室５１に供給口
５１ｂ から導入した反応ガス、例えば酸素を、マグネ
トロン３１により発生させ、導波管３２により導入して
石英窓３３を透過したマイクロ波を用いて酸素ラジカル
にし、反応室５１の供給口５１ｂ と載物台５６の中間
に設けた遮蔽板５７の小孔を透過したこの酸素ラジカル
のみにより、ヒータ５６ａ により加熱した載物台５６
の表面に載置した半導体基板３４の表面の図４に示すよ
うなレジスト膜３５を除去している。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】以上説明した従来の半
導体装置のアッシング方法及びアッシング装置において
は、半導体基板の表面のレジスト膜の変質層を酸素イオ
ンによって除去する工程と、変質層が除去されたレジス
ト膜をマイクロ波により生成した酸素ラジカルによって
除去する工程の２工程でアッシングを行っているため、
２種類の装置を必要とし、この工程の間に装置間の半導
体基板の搬送を行うので工数が増加し、この搬送時に半
導体基板が汚染されるという問題点があった。
導体装置のアッシング方法及びアッシング装置において
は、半導体基板の表面のレジスト膜の変質層を酸素イオ
ンによって除去する工程と、変質層が除去されたレジス
ト膜をマイクロ波により生成した酸素ラジカルによって
除去する工程の２工程でアッシングを行っているため、
２種類の装置を必要とし、この工程の間に装置間の半導
体基板の搬送を行うので工数が増加し、この搬送時に半
導体基板が汚染されるという問題点があった。
【００１０】本発明は以上のような状況から、単一の装
置を用い、半導体基板を汚染することなくレジスト膜の
変質層及びレジスト膜の除去を連続して行うことが可能
となる半導体装置のアッシング方法及びアッシング装置
の提供を目的としたものである。
置を用い、半導体基板を汚染することなくレジスト膜の
変質層及びレジスト膜の除去を連続して行うことが可能
となる半導体装置のアッシング方法及びアッシング装置
の提供を目的としたものである。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体装置のア
ッシング方法は、半導体基板上の高ドーズ量イオンが注
入されたレジスト膜を除去するアッシング工程において
、このレジスト膜の表面に形成されている変質層を酸素
ラジカル及び酸素イオンにより除去する工程と、このレ
ジスト膜を酸素ラジカルのみにより除去する工程と、を
同一反応室内において連続して行うように構成する。
ッシング方法は、半導体基板上の高ドーズ量イオンが注
入されたレジスト膜を除去するアッシング工程において
、このレジスト膜の表面に形成されている変質層を酸素
ラジカル及び酸素イオンにより除去する工程と、このレ
ジスト膜を酸素ラジカルのみにより除去する工程と、を
同一反応室内において連続して行うように構成する。
【００１２】本発明の半導体装置のアッシング装置は、
この変質層を除去する場合には遮蔽板を用いないで主と
して酸素イオンにより変質層を除去し、変質層を除去し
たレジスト膜を除去する場合には移動手段を用いて遮蔽
板を移動し、この遮蔽板の小孔を透過した酸素ラジカル
のみによりレジスト膜を除去するように構成する。
この変質層を除去する場合には遮蔽板を用いないで主と
して酸素イオンにより変質層を除去し、変質層を除去し
たレジスト膜を除去する場合には移動手段を用いて遮蔽
板を移動し、この遮蔽板の小孔を透過した酸素ラジカル
のみによりレジスト膜を除去するように構成する。
【００１３】
【作用】即ち本発明においては、単一のアッシング装置
内においてまず主として酸素イオンによってレジスト膜
の変質層を除去し、つぎに移動手段と支持ローラにより
遮蔽板を反応室内に移動し、この遮蔽板を透過した酸素
ラジカルのみによりレジスト膜を除去するので、半導体
基板の表面に形成した素子等にダメージを与えることな
く、レジスト膜の除去を行うことが可能となる。
内においてまず主として酸素イオンによってレジスト膜
の変質層を除去し、つぎに移動手段と支持ローラにより
遮蔽板を反応室内に移動し、この遮蔽板を透過した酸素
ラジカルのみによりレジスト膜を除去するので、半導体
基板の表面に形成した素子等にダメージを与えることな
く、レジスト膜の除去を行うことが可能となる。
【００１４】
【実施例】以下図１により本発明の第１の実施例につい
て、図２により本発明の第２の実施例について、図３に
より本発明の第３の実施例について詳細に説明する。
て、図２により本発明の第２の実施例について、図３に
より本発明の第３の実施例について詳細に説明する。
【００１５】図１は本発明による第１の実施例に用いる
アッシング装置を示す図、図２は本発明による第２の実
施例に用いるアッシング装置を示す図、図３は本発明に
よる第３の実施例に用いるアッシング装置を示す図であ
り、図４は高ドーズ量イオンが注入されたレジスト膜を
示す図である。
アッシング装置を示す図、図２は本発明による第２の実
施例に用いるアッシング装置を示す図、図３は本発明に
よる第３の実施例に用いるアッシング装置を示す図であ
り、図４は高ドーズ量イオンが注入されたレジスト膜を
示す図である。
【００１６】下記の条件でイオンを注入した図４に示す
ようなレジスト膜３５の表面に形成された変質層３５ａ
は、酸素イオンでなければ除去するのが困難であるか
ら、この変質層３５ａ を除去するためにはイオンを照
射することが必要である。
ようなレジスト膜３５の表面に形成された変質層３５ａ
は、酸素イオンでなければ除去するのが困難であるか
ら、この変質層３５ａ を除去するためにはイオンを照
射することが必要である。
【００１７】イオン種──────燐（Ｐ＋）， 注
入エネルギー───────６０ ｋｅＶ ドーズ量──────５×１０１６ｃｍ−２図１のアッ
シング装置は、高周波電源５を印加した電極板３とアー
スと接続された電極板４とを反応室１内で側壁に平行し
て対向させ、反応室１の上部の反応ガス供給部２から反
応ガス、例えば酸素を供給し、この高周波電源５による
高周波電圧の印加により生成されたプラズマにより酸素
イオンと酸素ラジカルを発生させる装置である。
入エネルギー───────６０ ｋｅＶ ドーズ量──────５×１０１６ｃｍ−２図１のアッ
シング装置は、高周波電源５を印加した電極板３とアー
スと接続された電極板４とを反応室１内で側壁に平行し
て対向させ、反応室１の上部の反応ガス供給部２から反
応ガス、例えば酸素を供給し、この高周波電源５による
高周波電圧の印加により生成されたプラズマにより酸素
イオンと酸素ラジカルを発生させる装置である。
【００１８】このアッシング装置においては反応室１の
下部に設けたヒータ６ａを内蔵している載物台６の上に
半導体基板３４を載置し、この半導体基板３４の表面に
形成されている図４に示すようなレジスト膜３５の表面
を覆っている変質層３５ａ のアッシングを行っている
。
下部に設けたヒータ６ａを内蔵している載物台６の上に
半導体基板３４を載置し、この半導体基板３４の表面に
形成されている図４に示すようなレジスト膜３５の表面
を覆っている変質層３５ａ のアッシングを行っている
。
【００１９】このアッシング工程は下記の条件で行い、
２分間で変質層３５ａの除去が可能である。 反応ガス及びガス流量──────酸素（Ｏ２） ８０
ＳＣＣＭ、窒素（Ｎ２）１０ＳＣＣＭ 反応室内圧───１．０ Ｔｏｒｒ、
載物台加熱温度───────２５０ ℃ 高周波電源周波数─── １３．５６ ＭＨｚ、 高
周波電源電力───────５００ Ｗ つぎに変質層３５ａ がなくなれば、反応室１の側壁に
設けた副室１ｃ内の遮蔽板７をエアシリンダ８などの移
動手段により、支持ローラ９の上を移動させて図の右側
に示すような位置に置いて反応室１を上下に分割する。
２分間で変質層３５ａの除去が可能である。 反応ガス及びガス流量──────酸素（Ｏ２） ８０
ＳＣＣＭ、窒素（Ｎ２）１０ＳＣＣＭ 反応室内圧───１．０ Ｔｏｒｒ、
載物台加熱温度───────２５０ ℃ 高周波電源周波数─── １３．５６ ＭＨｚ、 高
周波電源電力───────５００ Ｗ つぎに変質層３５ａ がなくなれば、反応室１の側壁に
設けた副室１ｃ内の遮蔽板７をエアシリンダ８などの移
動手段により、支持ローラ９の上を移動させて図の右側
に示すような位置に置いて反応室１を上下に分割する。
【００２０】この遮蔽板７は直径３ｍｍ程度の孔を板厚
２ｍｍのアルミニウム板に形成したもので、この遮蔽板
７は上部の酸素イオンと酸素ラジカルの内の酸素ラジカ
ルのみを透過するので、載物台６上の半導体基板３４の
表面のレジスト膜３５を半導体基板３４の素子にダメー
ジを与えないで、酸素ラジカルのみによってドライエッ
チングすることが可能となる。この場合のドライエッチ
ング条件は変質層３５ａ を除去する場合と同じである
が、時間は１分間でレジスト膜３５を除去することが可
能である。
２ｍｍのアルミニウム板に形成したもので、この遮蔽板
７は上部の酸素イオンと酸素ラジカルの内の酸素ラジカ
ルのみを透過するので、載物台６上の半導体基板３４の
表面のレジスト膜３５を半導体基板３４の素子にダメー
ジを与えないで、酸素ラジカルのみによってドライエッ
チングすることが可能となる。この場合のドライエッチ
ング条件は変質層３５ａ を除去する場合と同じである
が、時間は１分間でレジスト膜３５を除去することが可
能である。
【００２１】図２のアッシング装置は、反応室１１の上
部の周囲を取り囲むようにコイル１０を配設し、下部に
は載物台１６を設け、反応室１１の上部の反応ガス供給
部１２から反応ガス、例えば酸素とマイクロ波とを導入
して上記のコイル１０により形成された発散磁場により
酸素イオンと酸素ラジカルを発生させる装置である。
部の周囲を取り囲むようにコイル１０を配設し、下部に
は載物台１６を設け、反応室１１の上部の反応ガス供給
部１２から反応ガス、例えば酸素とマイクロ波とを導入
して上記のコイル１０により形成された発散磁場により
酸素イオンと酸素ラジカルを発生させる装置である。
【００２２】このアッシング装置においては反応室１１
の下部に設けた載物台１６の上に半導体基板３４を載置
し、この半導体基板３４の表面に形成されている図４に
示すようなレジスト膜３５の表面を覆っている変質層３
５ａ のアッシングを行っている。
の下部に設けた載物台１６の上に半導体基板３４を載置
し、この半導体基板３４の表面に形成されている図４に
示すようなレジスト膜３５の表面を覆っている変質層３
５ａ のアッシングを行っている。
【００２３】このアッシング工程は下記の条件で行い、
３分間で変質層３５ａ の除去が可能である。 反応ガス及びガス流量──────酸素（Ｏ２）１００
ＳＣＣＭ、窒素（Ｎ２）２０ＳＣＣＭ 反応室内圧───１．０ ｍＴｏｒｒ 、つぎに変質層
３５ａ がなくなれば反応室１１内の遮蔽板１７をエア
シリンダ１８などの移動手段により、支持ローラ１９の
上を移動させて図の右側に示すような位置に置いて反応
室１１を上下に分割する。
３分間で変質層３５ａ の除去が可能である。 反応ガス及びガス流量──────酸素（Ｏ２）１００
ＳＣＣＭ、窒素（Ｎ２）２０ＳＣＣＭ 反応室内圧───１．０ ｍＴｏｒｒ 、つぎに変質層
３５ａ がなくなれば反応室１１内の遮蔽板１７をエア
シリンダ１８などの移動手段により、支持ローラ１９の
上を移動させて図の右側に示すような位置に置いて反応
室１１を上下に分割する。
【００２４】この遮蔽板１７は直径３ｍｍ程度の孔を板
厚２ｍｍのアルミニウム板に形成したもので、この遮蔽
板１７の上部の酸素イオンと酸素ラジカルの内の酸素ラ
ジカルのみを透過するので、載物台１６上の半導体基板
３４の表面のレジスト膜３５を半導体基板３４の素子に
ダメージを与えないで、酸素ラジカルのみによってドラ
イエッチングすることが可能となる。
厚２ｍｍのアルミニウム板に形成したもので、この遮蔽
板１７の上部の酸素イオンと酸素ラジカルの内の酸素ラ
ジカルのみを透過するので、載物台１６上の半導体基板
３４の表面のレジスト膜３５を半導体基板３４の素子に
ダメージを与えないで、酸素ラジカルのみによってドラ
イエッチングすることが可能となる。
【００２５】この場合のドライエッチング条件は反応ガ
ス及びガス流量は変質層３５ａ を除去する場合と同じ
であるが、反応室内圧は１０．０ｍＴｏｒｒ で時間は
２分間でレジスト膜３５を除去することが可能である。
ス及びガス流量は変質層３５ａ を除去する場合と同じ
であるが、反応室内圧は１０．０ｍＴｏｒｒ で時間は
２分間でレジスト膜３５を除去することが可能である。
【００２６】図３のアッシング装置は、反応室２１に供
給口２１ｂ から導入した反応ガス、例えば酸素をマグ
ネトロン３１により発生させ、導波管３２により導入さ
れ石英窓３３を透過したマイクロ波を用いて酸素イオン
と酸素ラジカルを発生させる装置である。
給口２１ｂ から導入した反応ガス、例えば酸素をマグ
ネトロン３１により発生させ、導波管３２により導入さ
れ石英窓３３を透過したマイクロ波を用いて酸素イオン
と酸素ラジカルを発生させる装置である。
【００２７】このアッシング装置においては反応室２１
の下部に設けたヒータ２６ａ を内蔵している載物台２
６の上に半導体基板３４を載置し、この半導体基板３４
の表面に形成されている図４に示すようなレジスト膜３
５の表面を覆っている変質層３５ａ のアッシングを行
っている。
の下部に設けたヒータ２６ａ を内蔵している載物台２
６の上に半導体基板３４を載置し、この半導体基板３４
の表面に形成されている図４に示すようなレジスト膜３
５の表面を覆っている変質層３５ａ のアッシングを行
っている。
【００２８】このアッシング工程は下記の条件で行い、
２分間で変質層３５ａ の除去が可能である。 反応ガス及びガス流量──酸素（Ｏ２） １，０００
ｃｃ／ｍｉｎ、窒素（Ｎ２）２０ＳＣＣＭ 反応室内圧───１．５ Ｔｏｒｒ、 つぎに変質層３５ａ がなくなれば反応室２１内の遮蔽
板２７をエアシリンダ２８などの移動手段により、支持
ローラ２９の上を移動させて図の右側に示すような位置
に遮蔽板２７を置いて反応室１１を上下に分割する。
２分間で変質層３５ａ の除去が可能である。 反応ガス及びガス流量──酸素（Ｏ２） １，０００
ｃｃ／ｍｉｎ、窒素（Ｎ２）２０ＳＣＣＭ 反応室内圧───１．５ Ｔｏｒｒ、 つぎに変質層３５ａ がなくなれば反応室２１内の遮蔽
板２７をエアシリンダ２８などの移動手段により、支持
ローラ２９の上を移動させて図の右側に示すような位置
に遮蔽板２７を置いて反応室１１を上下に分割する。
【００２９】この遮蔽板２７は直径３ｍｍ程度の孔を板
厚２ｍｍのアルミニウム板に形成したもので、この遮蔽
板２７の上部の酸素イオンと酸素ラジカルの内の酸素ラ
ジカルのみを透過するので、載物台２６上の半導体基板
３４の表面のレジスト膜３５を半導体基板３４の素子に
ダメージを与えないで、酸素ラジカルのみによってドラ
イエッチングすることが可能となる。
厚２ｍｍのアルミニウム板に形成したもので、この遮蔽
板２７の上部の酸素イオンと酸素ラジカルの内の酸素ラ
ジカルのみを透過するので、載物台２６上の半導体基板
３４の表面のレジスト膜３５を半導体基板３４の素子に
ダメージを与えないで、酸素ラジカルのみによってドラ
イエッチングすることが可能となる。
【００３０】この場合のドライエッチング条件は変質層
３５ａ を除去する場合と同じであるが、１分間でレジ
スト膜３５を除去することが可能である。
３５ａ を除去する場合と同じであるが、１分間でレジ
スト膜３５を除去することが可能である。
【００３１】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
によれば移動手段を用いて遮蔽板を移動し、変質層を除
去する場合は遮蔽板を用いないで、レジスト膜を除去す
る場合は遮蔽板を用いて酸素イオンを除いた酸素ラジカ
ルのみにより半導体基板上のレジスト膜を除去すること
が可能となる利点があり、著しい経済的及び、信頼性向
上の効果が期待できる半導体装置のアッシング方法及び
アッシング装置の提供が可能である。
によれば移動手段を用いて遮蔽板を移動し、変質層を除
去する場合は遮蔽板を用いないで、レジスト膜を除去す
る場合は遮蔽板を用いて酸素イオンを除いた酸素ラジカ
ルのみにより半導体基板上のレジスト膜を除去すること
が可能となる利点があり、著しい経済的及び、信頼性向
上の効果が期待できる半導体装置のアッシング方法及び
アッシング装置の提供が可能である。
【図１】 本発明による第１の実施例に用いるアッシ
ング装置を示す図、
ング装置を示す図、
【図２】 本発明による第２の実施例に用いるアッシ
ング装置を示す図、
ング装置を示す図、
【図３】 本発明による第３の実施例に用いるアッシ
ング装置を示す図、
ング装置を示す図、
【図４】 高ドーズ量イオンが注入されたレジスト膜
を示す図、
を示す図、
【図５】 従来のレジスト膜の変質層の除去に用いる
アッシング装置を示す図、
アッシング装置を示す図、
【図６】 従来のレジスト膜の除去に用いるアッシン
グ装置を示す図、
グ装置を示す図、
１，１１，２１は反応室１
１ａ，１１ａ，２１ａは排気口、
２１ｂは供給口、
１ｃ，２１ｃは副室、
２，１２は反応ガス供給部、
３は電極板、
４は電極板、
５は高周波電源、
６，１６，２６は載物台、
６ａ，２６ａはヒータ、
７，１７，２７は遮蔽板、
８，１８，２８はエアシリンダ、
９，１９，２９は支持ローラ、
１０はコイル、
３１はマグネトロン、
３２は導波管、
３３は石英窓、
３４は半導体基板、
３５はレジスト膜、
３５ａは変質層、
Claims (4)
- 【請求項１】 半導体基板（３４）上の高ドーズ量イ
オンが注入されたレジスト膜（３５）を除去するアッシ
ング工程において、前記レジスト膜（３５）の表面に形
成されている変質層（３５ａ） を酸素ラジカル及び酸
素イオンにより除去する工程と、前記レジスト膜（３５
）を酸素ラジカルのみにより除去する工程と、を同一反
応室（１，１１，２１） 内において連続して行うこと
を特徴とする半導体装置のアッシング方法。 - 【請求項２】 請求項１記載の半導体装置のアッシン
グ方法により前記レジスト膜（３５）を除去するのに用
いる装置であって、上部に反応ガス供給部（２） 、下
部に半導体基板（３４）を搭載する載物台（６） と反
応ガスの排気口（１ａ）とを備えた反応室（１） と、
該反応室（１） の左右の側壁に平行で、該左右の側壁
の近傍に対向して設けた電極板（３） と電極板（４）
と、前記電極板（３） に接続された高周波電源（５
） と、前記電極板（３，４） と前記載物台（６）
の中間の、前記反応室（１） の前記左右の側壁に設け
た副室（１ｃ）内から、前記反応室（１） 内に移動手
段（８，９） により移動可能な遮蔽板（７） と、を
具備することを特徴とする半導体装置のアッシング装置
。 - 【請求項３】 請求項１記載の半導体装置のアッシン
グ方法により前記レジスト膜（３５）を除去するのに用
いる装置であって、上部に反応ガスとマイクロ波を導入
する反応ガス供給部（１２）、下部に半導体基板（３４
）を搭載する載物台（１６）と反応ガスの排気口（１１
ａ） とを備えた反応室（１１）と、該反応室（１１）
の側壁の外側を取り囲むコイル（１０）と、前記コイル
（１０）と前記載物台（１６）の中間の前記反応室（１
１）内に設けられ、移動手段（１８，１９） により前
記反応室（１１）内を移動可能な遮蔽板（１７）と、を
具備することを特徴とする半導体装置のアッシング装置
。 - 【請求項４】 請求項１記載の半導体装置のアッシン
グ方法により前記レジスト膜（３５）を除去するのに用
いる装置であって、マグネトロン（３１）から出された
マイクロ波を導入する導波管（３２）と、該導波管（３
２）と石英窓（３３）を介して接続され、側壁に反応ガ
スを導入する供給口（２１ｂ） 、下部に半導体基板（
３４）を搭載する載物台（２６）と反応ガスの排気口（
２１ａ） とを備えた反応室（２１）と、前記供給口（
２１ｂ） と前記載物台（２６）の中間の反応室（２１
）の側壁に設けた副室（２１ｃ） 内から、前記反応室
（２１）内に移動手段（２８，２９） により移動可能
な遮蔽板（２７）と、を具備することを特徴とする半導
体装置のアッシング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5095291A JPH04286317A (ja) | 1991-03-15 | 1991-03-15 | 半導体装置のアッシング方法及びアッシング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5095291A JPH04286317A (ja) | 1991-03-15 | 1991-03-15 | 半導体装置のアッシング方法及びアッシング装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04286317A true JPH04286317A (ja) | 1992-10-12 |
Family
ID=12873163
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5095291A Withdrawn JPH04286317A (ja) | 1991-03-15 | 1991-03-15 | 半導体装置のアッシング方法及びアッシング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04286317A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0910118A1 (en) * | 1997-09-19 | 1999-04-21 | Fujitsu Limited | Ashing method |
| JP2008085231A (ja) * | 2006-09-28 | 2008-04-10 | Sharp Manufacturing System Corp | 基板上の残留有機物除去方法 |
| JP2015037166A (ja) * | 2013-08-16 | 2015-02-23 | 株式会社アルバック | レジスト剥離方法およびレジスト剥離装置 |
-
1991
- 1991-03-15 JP JP5095291A patent/JPH04286317A/ja not_active Withdrawn
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0910118A1 (en) * | 1997-09-19 | 1999-04-21 | Fujitsu Limited | Ashing method |
| US6043004A (en) * | 1997-09-19 | 2000-03-28 | Fujitsu Limited | Ashing method |
| JP2008085231A (ja) * | 2006-09-28 | 2008-04-10 | Sharp Manufacturing System Corp | 基板上の残留有機物除去方法 |
| JP2015037166A (ja) * | 2013-08-16 | 2015-02-23 | 株式会社アルバック | レジスト剥離方法およびレジスト剥離装置 |
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|---|---|---|---|
| A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
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