JPH03175627A - ガス配給システム - Google Patents
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- JPH03175627A JPH03175627A JP2214884A JP21488490A JPH03175627A JP H03175627 A JPH03175627 A JP H03175627A JP 2214884 A JP2214884 A JP 2214884A JP 21488490 A JP21488490 A JP 21488490A JP H03175627 A JPH03175627 A JP H03175627A
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- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01J37/3244—Gas supply means
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- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
- H01L21/3105—After-treatment
- H01L21/311—Etching the insulating layers by chemical or physical means
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、プラズマエツチング装置に関し、特に、プラ
ズマエツチング装置用のガス配給システムに関する。
ズマエツチング装置用のガス配給システムに関する。
（従来技術とその問題点）
従来、薄い酸化物フィルムをエツチングするのに使われ
るプラズマエツチング装置には、ポリマー粒子による半
導体装置の汚染という問題があった。ポリマー物質の薄
い層が反応チャンバの内面に積る。該ポリマーは、酸化
物エツチングプロセスに関与する化学反応の結果として
生じる。プラズマエツチングプロセス用のガスは、ガス
配給板のガス入口穴を通じて反応チャンバに注入される
が、この板は、反応チャンバ内で、カソード構造に取り
つけられた半導体ウェーハの真上に位置する。プラズマ
が反応チャンバに形成されるが、このプラズマはガス出
口穴を通じて延在してガス供給マニホールドに入り込ん
で、ガス入口穴の中に、そしてガスマニホールドにさえ
もポリマー物質を生じさせる。ガス供給マニホールド及
びガス配給板のガス出口穴に形成されるポリマー物質の
粒子は、壊れて、エツチングされている半導体ウェーハ
上に落下する。これらの粒子は、ウェーハを汚染し、そ
の結果として、ウェーハから得られる歩留りを減少させ
る。
るプラズマエツチング装置には、ポリマー粒子による半
導体装置の汚染という問題があった。ポリマー物質の薄
い層が反応チャンバの内面に積る。該ポリマーは、酸化
物エツチングプロセスに関与する化学反応の結果として
生じる。プラズマエツチングプロセス用のガスは、ガス
配給板のガス入口穴を通じて反応チャンバに注入される
が、この板は、反応チャンバ内で、カソード構造に取り
つけられた半導体ウェーハの真上に位置する。プラズマ
が反応チャンバに形成されるが、このプラズマはガス出
口穴を通じて延在してガス供給マニホールドに入り込ん
で、ガス入口穴の中に、そしてガスマニホールドにさえ
もポリマー物質を生じさせる。ガス供給マニホールド及
びガス配給板のガス出口穴に形成されるポリマー物質の
粒子は、壊れて、エツチングされている半導体ウェーハ
上に落下する。これらの粒子は、ウェーハを汚染し、そ
の結果として、ウェーハから得られる歩留りを減少させ
る。
（発明の概要）
本発明の目的は、二酸化ケイ素のプラズマエツチングプ
ロセスにおけるポリマー物質汚染を減少させる装置及び
方法を提供することである。
ロセスにおけるポリマー物質汚染を減少させる装置及び
方法を提供することである。
本発明の、この目的及びその他の目的に従って、改良さ
れたガス配給板を含む改良されたシステムと、半導体ウ
ェーハ上の酸化物層をプラズマエツチングする改良され
た方法とが提供される。プラズマエツチングチャンバへ
のガス入口穴の断面積を、該ガス入口穴でプラズマが生
じない点まで減少させることによって、二酸化ケイ素の
プラズマ支援エツチングプロセスにおいて半導体ウェー
ハに落下するポリマー粒子に起因する汚染の量を著しく
減少させることが出来ることを本発明者は発見した。二
酸化ケイ素をエツチングするプラズマ支援プロセスの一
例は、入力ガスとしてＣＨＦ、、Ａｒ及びＣＦ、を使用
するが、この際チャンバの内面を被覆するポリマーが生
じる。ガス入口穴の中のこのポリマーの積層は、ガス入
口穴の壁からのポリマー粒子の剥落を促進するように思
われる。
れたガス配給板を含む改良されたシステムと、半導体ウ
ェーハ上の酸化物層をプラズマエツチングする改良され
た方法とが提供される。プラズマエツチングチャンバへ
のガス入口穴の断面積を、該ガス入口穴でプラズマが生
じない点まで減少させることによって、二酸化ケイ素の
プラズマ支援エツチングプロセスにおいて半導体ウェー
ハに落下するポリマー粒子に起因する汚染の量を著しく
減少させることが出来ることを本発明者は発見した。二
酸化ケイ素をエツチングするプラズマ支援プロセスの一
例は、入力ガスとしてＣＨＦ、、Ａｒ及びＣＦ、を使用
するが、この際チャンバの内面を被覆するポリマーが生
じる。ガス入口穴の中のこのポリマーの積層は、ガス入
口穴の壁からのポリマー粒子の剥落を促進するように思
われる。
該粒子は、処理されているウェーハ上に落下して、その
上に形成されている電子構造を汚染する。
上に形成されている電子構造を汚染する。
本発明のシステムは、半導体ウェーハを内蔵するプラズ
マチャンバを包含する。該プラズマチャンバの成る部分
は、ガス配給機能を実行する。それには、ガスを該プラ
ズマチャンバ内に配給するガス入口穴が幾つか形成され
ている。本発明の重要な特徴は、ガス入口穴の断面積が
、その中でのプラズマの形成を防止するのに充分に小さ
くなる様に、エツチングプロセス・パラメータの特定の
組についてガス入口穴の大きさが設定されることである
。これにより、液穴の内面におけるポリマー物質の形成
が阻止され、その後の汚染粒子の剥落が無くなる。臨界
サイズより小さい穴を有する該ガス配給板の特別の実施
例は、石英ガス配給板である。本発明の一つの好適な実
施例では、液穴は円形のパターンを成して等間隔に配置
され、該石英板は、処理されるべきウェーハの上に位置
する。本発明の他の好適な実施例では、ガス配給板部材
は、半径方向に延在する数個のチャネルを有し、その各
々は該チャンバへのガス入口穴で終端し、該ガス入口穴
はウェーハの上には位置しない。
マチャンバを包含する。該プラズマチャンバの成る部分
は、ガス配給機能を実行する。それには、ガスを該プラ
ズマチャンバ内に配給するガス入口穴が幾つか形成され
ている。本発明の重要な特徴は、ガス入口穴の断面積が
、その中でのプラズマの形成を防止するのに充分に小さ
くなる様に、エツチングプロセス・パラメータの特定の
組についてガス入口穴の大きさが設定されることである
。これにより、液穴の内面におけるポリマー物質の形成
が阻止され、その後の汚染粒子の剥落が無くなる。臨界
サイズより小さい穴を有する該ガス配給板の特別の実施
例は、石英ガス配給板である。本発明の一つの好適な実
施例では、液穴は円形のパターンを成して等間隔に配置
され、該石英板は、処理されるべきウェーハの上に位置
する。本発明の他の好適な実施例では、ガス配給板部材
は、半径方向に延在する数個のチャネルを有し、その各
々は該チャンバへのガス入口穴で終端し、該ガス入口穴
はウェーハの上には位置しない。
この構成では、汚染粒子があっても、それがウェーハ上
に落下するのを防止することが出来る。該チャネルは、
配給板の周辺縁面に位置する穴で終端する。本発明の実
施例では、０．８８９ ｍｍ以下の直径のガス入口穴が
好都合であることを本発明者は発見したが、本発明者が
使用した好都合なサイズは０．５０８ ｍｍである。
に落下するのを防止することが出来る。該チャネルは、
配給板の周辺縁面に位置する穴で終端する。本発明の実
施例では、０．８８９ ｍｍ以下の直径のガス入口穴が
好都合であることを本発明者は発見したが、本発明者が
使用した好都合なサイズは０．５０８ ｍｍである。
本発明の改良された方法は、複数のガス入口穴を通じて
反応チャンバ内にＣＨＦ、ガス、Ａｒガス、及びＣＦ、
ガスを供給するステップを含んでおり、そのガス入口穴
の断面積は、プラズマがその中に形成されて該ガス入口
穴の内面にポリマー物質を積もらせるのを防止するのに
充分に小さい。
反応チャンバ内にＣＨＦ、ガス、Ａｒガス、及びＣＦ、
ガスを供給するステップを含んでおり、そのガス入口穴
の断面積は、プラズマがその中に形成されて該ガス入口
穴の内面にポリマー物質を積もらせるのを防止するのに
充分に小さい。
このガスは、アルミニウム及び石英の板についての構造
解説に関連して上記した様に形成された穴を通じて供給
される。本発明の一実施例では、反応チャンバは大気圧
より低い圧力に保たれ、ガス入口穴の直径は好ましくは
０．８８９ ｍｍより小さい。
解説に関連して上記した様に形成された穴を通じて供給
される。本発明の一実施例では、反応チャンバは大気圧
より低い圧力に保たれ、ガス入口穴の直径は好ましくは
０．８８９ ｍｍより小さい。
次に、添付図面を参照して本発明の詳細な説明する。
（実施例）
次に、本発明の好適な実施例を参照するが、その例が添
付図面に示されている。その好適な実施例との関連で本
発明を説明するが、それは本発明を該実施例に限定する
ものではない。逆に、本発明は、特許請求の範囲の欄に
おいて定義されている本発明の範囲内に含まれる代替物
、変形物及び等細物を包摂するものである。
付図面に示されている。その好適な実施例との関連で本
発明を説明するが、それは本発明を該実施例に限定する
ものではない。逆に、本発明は、特許請求の範囲の欄に
おいて定義されている本発明の範囲内に含まれる代替物
、変形物及び等細物を包摂するものである。
第１図は、プラズマエツチングされるべきシリコン半導
体ウェーハ１２を内蔵する円筒状のプラズマチャンバ１
０を示す。後述するプラズマチャンバと、付随の構成要
素とは、カリフォルニア州すンタクララのアプライド・
マテリアルズ社（Ａｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ
、 Ｉｎｃ、 ）がプレシジョン５ｏｏｏエツチ・シス
テム（Ｐｒｅｃｉｓｉｏｎ ５０００Ｅｔｃｈ Ｓｙｓ
ｔｅｍ ）として製造している、磁気強化プラズマ付き
の低圧反応性イオン・エツチングシステムに組み込まれ
る。
体ウェーハ１２を内蔵する円筒状のプラズマチャンバ１
０を示す。後述するプラズマチャンバと、付随の構成要
素とは、カリフォルニア州すンタクララのアプライド・
マテリアルズ社（Ａｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ
、 Ｉｎｃ、 ）がプレシジョン５ｏｏｏエツチ・シス
テム（Ｐｒｅｃｉｓｉｏｎ ５０００Ｅｔｃｈ Ｓｙｓ
ｔｅｍ ）として製造している、磁気強化プラズマ付き
の低圧反応性イオン・エツチングシステムに組み込まれ
る。
ウェーハ１２は、カソード・ペデスタル組立体１４に載
置される。低圧チャンバ１０の頂部はガス配給構造１６
を包含し、この構造は、半導体集積回路装置の製造に一
般に必要とされる二酸化ケイ素の選択的エツチングを行
うためにＣＩ−Ｉ Ｆ ３及びＡｒなどのガスを該チャ
ンバに送るためのカス配給マニホールド板１８及び石英
ガス配給板２０を包含する。ガス配給マニホールド板１
８及び石英ガス配給板２０は、図に示されている様に、
半導体ウェーハ１２の上に装置されている。
置される。低圧チャンバ１０の頂部はガス配給構造１６
を包含し、この構造は、半導体集積回路装置の製造に一
般に必要とされる二酸化ケイ素の選択的エツチングを行
うためにＣＩ−Ｉ Ｆ ３及びＡｒなどのガスを該チャ
ンバに送るためのカス配給マニホールド板１８及び石英
ガス配給板２０を包含する。ガス配給マニホールド板１
８及び石英ガス配給板２０は、図に示されている様に、
半導体ウェーハ１２の上に装置されている。
第２図は、薄い石英ガス配給板２０の平面である。等間
隔に離間した複数のガス入口穴２２（象徴的に示されて
いる）が石英板２０を通して形成されている。従来技術
の石英配給板では、１．７７８ｍｍの直径を持ったガス
入口穴が使用された。しかし、ＣＨＦ、プラズマが形成
するポリマーは、液穴の内面を覆う傾向を持っているこ
とが見い出された。エツチングサイクルの開始時に、初
期ガス圧がポリマー物質の粒子を追い払い、エツチング
されている半導体ウェーハの表面に該粒子が落下して該
ウェーハを汚染する傾向がある。本発明では、穴のサイ
ズを小さくすることによって、ガス入口穴の中でのプラ
ズマの形成を阻止し、その結果として、液穴の画定する
内面にポリマー物質が積るのを防止する。直径０．８８
９ ｍｍ又は０．５０８１１１ｍの、等間隔に離間した
７２個の穴を使用すれば、処理される半導体の粒子汚染
を減らせることを本発明者は発見した。ガス配給板２０
は、大きな中央開口部２４と、螺子を装置するための４
個の穴２６も有する。板２０は、硬質陽極酸化されてい
る。
隔に離間した複数のガス入口穴２２（象徴的に示されて
いる）が石英板２０を通して形成されている。従来技術
の石英配給板では、１．７７８ｍｍの直径を持ったガス
入口穴が使用された。しかし、ＣＨＦ、プラズマが形成
するポリマーは、液穴の内面を覆う傾向を持っているこ
とが見い出された。エツチングサイクルの開始時に、初
期ガス圧がポリマー物質の粒子を追い払い、エツチング
されている半導体ウェーハの表面に該粒子が落下して該
ウェーハを汚染する傾向がある。本発明では、穴のサイ
ズを小さくすることによって、ガス入口穴の中でのプラ
ズマの形成を阻止し、その結果として、液穴の画定する
内面にポリマー物質が積るのを防止する。直径０．８８
９ ｍｍ又は０．５０８１１１ｍの、等間隔に離間した
７２個の穴を使用すれば、処理される半導体の粒子汚染
を減らせることを本発明者は発見した。ガス配給板２０
は、大きな中央開口部２４と、螺子を装置するための４
個の穴２６も有する。板２０は、硬質陽極酸化されてい
る。
第４図、第５図及び第６図は、ガス配給マニホールド板
Ｉ８の詳細を示す。石英板２０のガス入口穴２２の各々
に対応して、同数のガス通し穴（３２として象徴的に示
されている）がある。穴３２と、石英板２０の対応する
ガス入口穴２２とにガスを運ぶ円形チャネル３４が板１
８の上面に形成されている。該石英板の穴２６に対応し
て４個の螺子装置穴が板１８に設けられている。板１８
をチャンバ１０の土壁に取りつけるために８個の抑大３
８が設けられており、該チャンバに内蔵されるプラズマ
へのアクセスのために大きな中央開口部４０も設けられ
ている。組み立てられると、板１８．２０は、いろいろ
なガス入口穴２２を通じてガスをプラズマチャンバ内に
向ける。
Ｉ８の詳細を示す。石英板２０のガス入口穴２２の各々
に対応して、同数のガス通し穴（３２として象徴的に示
されている）がある。穴３２と、石英板２０の対応する
ガス入口穴２２とにガスを運ぶ円形チャネル３４が板１
８の上面に形成されている。該石英板の穴２６に対応し
て４個の螺子装置穴が板１８に設けられている。板１８
をチャンバ１０の土壁に取りつけるために８個の抑大３
８が設けられており、該チャンバに内蔵されるプラズマ
へのアクセスのために大きな中央開口部４０も設けられ
ている。組み立てられると、板１８．２０は、いろいろ
なガス入口穴２２を通じてガスをプラズマチャンバ内に
向ける。
第７Ａ図は、直径１．７７８ ｍｍの従来技術のガス入
口穴を使用するプラズマエツチングチャンバを通して処
理されるウェーハの数の関数として、０．３ミクロンよ
り大きな粒子の数を示すグラフである。２００ウエーハ
後、粒子の数は１００を越える。粒子の数の全目盛値は
１８０である。
口穴を使用するプラズマエツチングチャンバを通して処
理されるウェーハの数の関数として、０．３ミクロンよ
り大きな粒子の数を示すグラフである。２００ウエーハ
後、粒子の数は１００を越える。粒子の数の全目盛値は
１８０である。
第７Ｂ図は、０．８８９ ｍｍのガス入口穴を有するプ
ラズマエツチングチャンバを通して処理されるウェーハ
の数の関数として、０．３ミクロンより大きな粒子の数
を示すグラフである。粒子の数の全目盛値は２０である
。４００ウエーハ後、粒子の数は依然として２０より少
なく、従来技術のガス入口穴と比べて著しい向上を示す
。本発明のガスマニホールドの穴及び円形チャネル３４
と石英板の穴２２とにはポリマー物質が積もらなかった
ことに注意しなければならない。ポリマーの形成が無い
ことが、粒子の著しい減少の原因である。
ラズマエツチングチャンバを通して処理されるウェーハ
の数の関数として、０．３ミクロンより大きな粒子の数
を示すグラフである。粒子の数の全目盛値は２０である
。４００ウエーハ後、粒子の数は依然として２０より少
なく、従来技術のガス入口穴と比べて著しい向上を示す
。本発明のガスマニホールドの穴及び円形チャネル３４
と石英板の穴２２とにはポリマー物質が積もらなかった
ことに注意しなければならない。ポリマーの形成が無い
ことが、粒子の著しい減少の原因である。
第８図は本発明の他の実施例を示し、この場合には、ガ
スマニホールド板と石英配給板とは、■部材のガス配給
板４０に組み合わされている。第９図は、板４０が、半
径方向に延在する数個のチャネル（４２として象徴的に
示されている）を有することを示している。例えば、７
２個のチャネルが板４０に設けられている。第１０図は
、該チャネルの断面を示す。該チャネルの直径は０．８
８９ｍｍ以下であり、０．５０８ ｍｍが典型的な値で
さ、る。
スマニホールド板と石英配給板とは、■部材のガス配給
板４０に組み合わされている。第９図は、板４０が、半
径方向に延在する数個のチャネル（４２として象徴的に
示されている）を有することを示している。例えば、７
２個のチャネルが板４０に設けられている。第１０図は
、該チャネルの断面を示す。該チャネルの直径は０．８
８９ｍｍ以下であり、０．５０８ ｍｍが典型的な値で
さ、る。
第８図は、該チャネルの終端部のガス入口穴４４がウェ
ーハの上には位置しておらず、該ウェーハの外側に位置
することを示している。若し粒子が形成されても、それ
はウェーハの側に落下し、つ工−ハ自体を汚染させるこ
とはない。
ーハの上には位置しておらず、該ウェーハの外側に位置
することを示している。若し粒子が形成されても、それ
はウェーハの側に落下し、つ工−ハ自体を汚染させるこ
とはない。
本発明の一つの特別の実施例では、アプライドマテリア
ルズ社のプレシジョン５０００エツチ・システムにおい
て次のプロセスパラメータ＝６５０ワットの高周波電力
；６０ガウスの磁場；６０ＳＣＣｍのＡｒ ； ３０
ｓｃｃｍのＣＨＦ３ 、及び２ ＳＣＣｍのＣＦ、
、を使用した。
ルズ社のプレシジョン５０００エツチ・システムにおい
て次のプロセスパラメータ＝６５０ワットの高周波電力
；６０ガウスの磁場；６０ＳＣＣｍのＡｒ ； ３０
ｓｃｃｍのＣＨＦ３ 、及び２ ＳＣＣｍのＣＦ、
、を使用した。
本発明の特別の実施例に関する以上の説明は、例解及び
説明を目的とする。それらは網羅的でもなく、開示され
た形に発明を厳密に限定するものでもなく、明らかに多
数の修正及び変形が叙上に鑑みて可能である。本発明の
原理及びその実用的用途を最善に説明し、本発明と、目
的に応じているいろな変更を加えたいろいろな実施例と
を他の当業者が最善に利用出来るように実施例を選択し
説明した。本発明の範囲は、特許請求の範囲の欄の記載
内容及びその同等物により定義されるものとする。
説明を目的とする。それらは網羅的でもなく、開示され
た形に発明を厳密に限定するものでもなく、明らかに多
数の修正及び変形が叙上に鑑みて可能である。本発明の
原理及びその実用的用途を最善に説明し、本発明と、目
的に応じているいろな変更を加えたいろいろな実施例と
を他の当業者が最善に利用出来るように実施例を選択し
説明した。本発明の範囲は、特許請求の範囲の欄の記載
内容及びその同等物により定義されるものとする。
第１図は、本発明のプラズマエツチング反応チャンバの
断面図である。 第２図は、本発明のガス出口板の平面図である。 第３図は、第２図の切断線３−３に沿うガス出口板の断
面図である。 第４図は、ガス配給マニホールド板の上面図である。 第５図は、第４図のガス配給マニホールド板の底面図で
ある。 第６図は、第４図の切断線６−６に沿う、第４図のガス
配給マニホールド板の断面図である。 第７Ａ図は、典型的な従来技術のプラズマ酸化物エツチ
ングチャンバで処理された数個のウェーハについての汚
染粒子の個数を示すグラフである。 第７Ｂ図は、本発明のプラズマ酸化物エツチングチャン
バで処理された数個のウェーハについての汚染粒子の個
数を示すグラフである。 第８図は、本発明のプラズマエツチングチャンバの他の
実施例の断面図である。 第９図は、本発明の１部材ガス配給板の平面図である。 第１０図は、切断線１０−１０に沿う、第９図のガス配
給板の断面図である。 １０・・・・・・プラズマチャンバ、 １２・・・・・・シリコン半導体ウェーハ、１４・・・
・・・カソード・ペデスタル組立体、１６・・・・・・
低圧チャンバ、 １８・・・・・・ガス配給マニホールド板、２０・・・
・・・石英ガス配給板、 ２２・・・・・・ガス入口穴、 ２４・・・・・・中央
開口部、２６・・・・・・石英板、 ３４・・・・
・・円形チャネル、３８・・・・・・抑大、 １
１０・・・・・・中央開口部、４４・・・・・・ガス入
口穴。 １３８−
断面図である。 第２図は、本発明のガス出口板の平面図である。 第３図は、第２図の切断線３−３に沿うガス出口板の断
面図である。 第４図は、ガス配給マニホールド板の上面図である。 第５図は、第４図のガス配給マニホールド板の底面図で
ある。 第６図は、第４図の切断線６−６に沿う、第４図のガス
配給マニホールド板の断面図である。 第７Ａ図は、典型的な従来技術のプラズマ酸化物エツチ
ングチャンバで処理された数個のウェーハについての汚
染粒子の個数を示すグラフである。 第７Ｂ図は、本発明のプラズマ酸化物エツチングチャン
バで処理された数個のウェーハについての汚染粒子の個
数を示すグラフである。 第８図は、本発明のプラズマエツチングチャンバの他の
実施例の断面図である。 第９図は、本発明の１部材ガス配給板の平面図である。 第１０図は、切断線１０−１０に沿う、第９図のガス配
給板の断面図である。 １０・・・・・・プラズマチャンバ、 １２・・・・・・シリコン半導体ウェーハ、１４・・・
・・・カソード・ペデスタル組立体、１６・・・・・・
低圧チャンバ、 １８・・・・・・ガス配給マニホールド板、２０・・・
・・・石英ガス配給板、 ２２・・・・・・ガス入口穴、 ２４・・・・・・中央
開口部、２６・・・・・・石英板、 ３４・・・・
・・円形チャネル、３８・・・・・・抑大、 １
１０・・・・・・中央開口部、４４・・・・・・ガス入
口穴。 １３８−
Claims (21)
- （１）半導体ウェーハ上の酸化物層をプラズマエッチン
グする改良されたシステムであって、 エッチングされるべき半導体ウェーハを内蔵するプラズ
マチャンバを備えており、 前記プラズマチャンバのガス配給部分には、反応ガスを
前記プラズマチャンバに配給するための複数のガス入口
穴が形成されており、前記入口穴の断面積は、前記入口
穴にプラズマを存在させず、且つ前記入口穴に画定され
る内面におけるポリマー物質の形成を防止するのに充分
に小さいことを特徴とするシステム。 - （２）前記ガス配給部分は、複数のガス入口穴が形成さ
れたガス配給板部材を含むことを特徴とする請求項１に
記載のシステム。 - （３）前記ガス配給板部材は石英板を含み、この板の中
には、その表面を貫通する複数のガス入口穴が形成され
ていることを特徴とする請求項２に記載のシステム。 - （４）前記ガス入口穴は円形パターンを成して排列され
ていることを特徴とする請求項１に記載のシステム。 - （５）前記ガス配給部分は前記半導体ウェーハの上に位
置し、前記の複数のガス入口穴は前記半導体ウェーハの
上に位置することを特徴とする請求項１に記載のシステ
ム。 - （６）前記ガス配給板部材は前記半導体ウェーハの上に
位置し、前記ガス配給板部材には、半径方向に延在する
複数のチャネルが形成されており、各チャネルは、前記
ガス配給板部材内の、前記半導体ウェーハの上ではない
位置のガス入口穴内で終端することを特徴とする請求項
２に記載のシステム。 - （７）前記ガス入口穴は、前記ガス配給板部材の周辺縁
に沿って配置されていることを特徴とする請求項６に記
載のシステム。 - （８）前記反応ガスはＣＨＦ＿３を含むことを特徴とす
る請求項１に記載のシステム。 - （９）前記入口穴の直径は０．８８９ｍｍ以下であるこ
とを特徴とする請求項１に記載のシステム。 - （１０）二酸化ケイ素をエッチングするためにプラズマ
支援装置にガスを注入するための、改良されたガス配給
板であって、反応物質を反応チャンバに注入するための
複数のガス入口穴を有する板部材から成り、前記ガス入
口穴の断面積は、前記ガス入口穴内でのプラズマの形成
を防止すると共に、前記ガス入口穴における望ましくな
い残留ポリマー皮膜の形成を防止するのに充分に小さい
ことを特徴とするガス配給板。 - （１１）前記板は石英で形成されることを特徴とする請
求項１０に記載のガス配給板。 - （１２）前記ガス出口穴は、前記半導体ウェーハに相対
して位置する該ガス配給板の表面に配置されており、前
記ガス出口穴は円形パターンを成して配置されているこ
とを特徴とする請求項１０に記載のガス配給板。 - （１３）前記ガス入口穴は、前記ガス配給板の周辺縁面
に沿って前記ガス配給板に配置されていることを特徴と
する請求項１０に記載のガス配給板。 - （１４）前記ガス入口穴の直径は０．８８９ｍｍである
ことを特徴とする請求項１０に記載のガス配給板。 - （１５）半導体ウェーハ上の酸化物層をプラズマエッチ
ングする改良されたシステムであって、 エッチングされるべき半導体ウェーハを内蔵するプラズ
マチャンバを備えており、 前記プラズマチャンバのガス配給部分には、反応ガスを
前記プラズマチャンバに配給するための複数のガス入口
穴が形成されており、前記入口穴の断面積は０．８８９
ｍｍ以下であることを特徴とするシステム。 - （１６）ポリマーを生成するプラズマ支援プロセスステ
ップでエッチングされる二酸化ケイ素の表面を有する半
導体ウェーハのポリマー粒子汚染を減少させる方法であ
って、 前記半導体基板を反応チャンバ内に置き、 プラズマを中に形成させないのに充分に小さい複数のガ
ス入口穴を通じてＣＨＦ＿３を前記反応チャンバ内に送
り込み、 前記反応チャンバ内にプラズマを形成させるが前記ガス
入口穴内にはプラズマを形成させず、前記ガス入口穴の
画定する内面にポリマー物質が積もらず、従って前記ガ
ス入口穴の内面からポリマー粒子が離れて前記半導体ウ
ェーハを汚染することによる前記半導体ウェーハの汚染
が減少することとなる様に前記プラズマ支援エッチング
プロセスを操作するステップから成ることを特徴とする
方法。 - （１７）前記反応チャンバ内の圧力を大気圧より低く保
つステップを含むことを特徴とする請求項１６に記載の
システム。 - （１８）０．８８９ｍｍより小さい直径を有するガス入
口穴を通じて前記ＣＨＦ＿３ガスを送るステップを含む
ことを特徴とする請求項１６に記載の方法。 - （１９）前記半導体ウェーハの上に円形パターンを成し
て位置する前記ガス入口穴を設けるステップを含むこと
を特徴とする請求項１６に記載の方法。 - （２０）前記半導体ウェーハの上に位置する配給板のガ
ス入口穴を通じてＣＨＦ＿３ガスを供給するステップを
含み、前記ガス入口穴が前記半導体ウェーハの真上には
位置しない様に配置された前記配給板の周辺縁面に沿っ
て前記ガス入口穴が配置されていることを特徴とする請
求項１６に記載の方法。 - （２１）ポリマー物質の粒子による半導体ウェーハの汚
染を減少させる方法であって、ガス入口穴を通じて反応
チャンバにガスを送り込むステップから成り、前記反応
チャンバの断面積は、前記ガス入口穴内での前記ポリマ
ー物質の形成を防止してポリマー物質の粒子による前記
半導体ウェーハの汚染を減少させるのに充分に小さいこ
とを特徴とする方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US39315389A | 1989-08-14 | 1989-08-14 | |
| US393153 | 1989-08-14 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03175627A true JPH03175627A (ja) | 1991-07-30 |
Family
ID=23553500
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2214884A Pending JPH03175627A (ja) | 1989-08-14 | 1990-08-14 | ガス配給システム |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5451290A (ja) |
| EP (1) | EP0413239B1 (ja) |
| JP (1) | JPH03175627A (ja) |
| KR (1) | KR0160288B1 (ja) |
| DE (1) | DE69024719T2 (ja) |
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