KR910005408A - 가스 분사장치 - Google Patents

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Abstract

내용 없음

Description

가스 분사장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명에 따르는 플라즈마-에칭 반응기의 단면도,
제2도는 본 발명에 따르는 가스 배출판의 평면도,
제3도는 제2도의 선 3-3을 따라서 취한 가스 배출판의 단면도.

Claims (21)

  1. 반도체 웨이퍼 상에 산화층을 플라즈마-에칭하기 위한 장치에 있어서, 에칭될 반도체 웨이퍼를 수용하기 위한 플라즈마 쳄버와, 상기 플라즈마 쳄버안으로 반응가스를 분사하기 위하여 가스분사부에 형성되고, 가스흡입구멍에 플라즈마의 제공을 차단하고, 상기 가스흡입구멍에 한정되는 내부면듈상에 폴리머 재료의 형성을 방지하도록 충분하게 작은 단면영역의 다수 상기 가스흡입구멍을 가지는 상기 플라즈마 챔버의 상기 가스분사부와로 구성되는 플라즈마-에칭을 하기 위한 장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 가스분사부는 상기 가스 분사부에 형성된 다수의 상기 가스흡입구멍들을 가지는 가스분사판 부재를 포함하도록 구성되는 플라즈마-에칭을 하기 위한 장치.
  3. 제2항에 있어서, 상기 가스분가판 부재는 상기 가스판 부재에서 상기 가스분사판 부재의 표면을 관통하여 형성된 다수의 상기 가스흡입구멍들을 가지는 수정판을 포함하도록 구성되는 플라즈마-에칭을 하기 위한 장치.
  4. 제1항에 있어서, 상기 가스흡입구멍들이 원형의 형태로 배열되도록 플라즈마-에칭을 하기 위한 장치.
  5. 제1항에 있어서, 상기 가스분사부는 상기 반도체 웨이퍼 위에 위치된 다수의 상기 가스흡입구멍들과 함께 상기 반도체 웨이퍼 위에 배치되도록 구성되는 플라즈마-에칭을 하기 위한 장치.
  6. 제2항에 있어서, 상기 가스분사판 부재는 상기 반도체 웨이프 위에서 위치되고, 상기 가스분사판 부재는 상기 반도체 웨이퍼 위에 직접적으로 위치하지 않는 사기 가스분사판의 가스흡입구멍에서 끝나는 각각의 통로와 함께 상기 가스분사판에서 형성된 다수의 방사상으로 연장한통로들을 포함하도록 구성되는 플라즈마-에칭을 하기 위한 장치.
  7. 제6항에 있어서, 상기 가스흡입구멍들은 상기 가스 분사판 부재의 외주변 가장자리를 따라서 배열되도록 구성되는 플라즈마-에칭을 하기 위한 장치.
  8. 제1항에 있어서, 상기 반응가스는 CHF3를 포함하도록 구성되는 플라즈마-에칭을 하기 위한 장치.
  9. 제1항에 있어서, 상기 가스흡입구멍들은 0.0889㎝(0.034inch)보다 적거나 동일한 지름을 가지도록 구성되는 플라즈마-에칭을 하기 위한 장치.
  10. 실리콘 이산화물의 에칭을 위한 플라즈마 보조장치안으로 가스를 주입하기 위한 가스분사판을 반응실 안으로 반응물질의 주입을 위하여 다수의 가스흡입 구멍들을 가지는 판부재로 구성되고, 상기 가스흡입구멍들은 상기 가스흡입구멍 안에서 플라즈마 형성을 방지하고 상기 가스흡입구멍들 안에서 피복하는 불필요한 잔류 폴리머 재료의 형성을 금지하도록 충분하게 작은 단면영역을 가지도록 구성되는 가스 분사판.
  11. 제10항에 있어서, 상기 가스분사판은 수정으로 형성되도록 구성되는 가스분사판.
  12. 제10항에 있어서, 상기 가스배출 구멍들은 상기 반도체 웨이퍼와 마주하여 위치한 표면에서 배열되고, 원형 형태로 배열되도록 구성되는 가스 분사판.
  13. 제10항에 있어서, 상기 가스흡입구멍들은 상기 가스분사판의 외주면 가장자리를 따라서 상기 가스분사판에 배열되도록 구성되는 가스분사판.
  14. 제10항에 있어서, 상기 가스 흡입구멍들은 지름이 0.0889㎝으로 구성되는 가스분사판.
  15. 반도체 웨이퍼상에 산화층을 플라즈마에칭을 하기 위한 장치에 있어서, 에칭 되어질 반도체 웨이퍼를 수용하기 위한 플라즈마 챔버와, 상기 플라즈마 챔버안으로 반응가스를 분사하기 위하여 가스분사부에서 형성된 0.0889㎝보다 같거나 또는 작은 다수의 가스흡입 구멍들을 가지는 상기 가스분사부와로, 구성되는 플라즈마 에칭을 하기위한장치.
  16. 폴리머가 석출되는 플라즈마 보조 공정 단계에서 에칭되는 산화규소 표면을 가지는 반도체 웨이퍼의 폴리머 입자오염을 감소시키는 방법에 있어서, 반응실에서 반도체 회로를 위치시키는 단계와, 상기 가스흡입구멍안에서 플라즈마 형성을 방지하도록 충분하게 작은 다수의 상기 가스흡입구멍을 통하여 상기 반응실 안으로 CHF3가스를 주입하는 단계와, 상기 가스흡입구멍안에서는 아니나 상기 반응실 안에서 플라즈마를 형성하는 단계와, 폴리머 재료가 상기 가스흡입구멍들로 부터 해제되고, 상기 반도체 웨이퍼를 오염시키는 폴리머 입자들에 의한 상기 반도체 회로의 오염을 감소시키도록 상기 가스흡입구멍들에 의하여 한정된 내부면상에 증착되지 않도록, 상기 플라즈마 보조에칭 공정을 작동시키는 단계로 구성되는 반도체 웨이퍼의 폴리머 오염을 감소시키는 방법.
  17. 제16항에 있어서, 대기압보다 적은 압력으로 상기 반응실의 압력을 유지하는 단계로 구성되는 폴리머 오염을 감소시키는 방법.
  18. 제16항에 있어서, 0.0889㎝보다 작은 지름을 가지는 가스흡입구멍들을 통하여 상기 CHF3가스를 주입하는 단계로 구성되는 폴리머 오염을 감소시키는 방법.
  19. 제16항에 있어서, 상기 반도체 위에 있는 원형의 형태로 배열된 상기 가스흡입구멍들을 제공하는 단계로 구성되는 폴리머 오염을 감소시키는 방법.
  20. 제16항에 있어서, 상기 가스흡입구멍들이 상기 반도체 웨이퍼 위에서 직접 위치되지 않도록, 상기 가스흡입구멍들은 상기 분사판의 외주변 가장자리 표면을 따라서 위치되는 것에서, 상기 반도체 웨이퍼위에 위치된 분사판에 있는 가스흡입구멍들을 통하여 CHF3가스를 주입하는 단계로 구성되는 폴리머 오염을 감소시키는 방법.
  21. 상기 가스흡입구멍들 안에서 상기 폴리머 재료의 형성을 방지하여서, 폴리머 재료의 입자에 의한 상기 반도체 웨이퍼의 오염을 감소시키도록 충분히 작은 단면 영역을 가지는 가스흡입구멍들을 통하여 반응실 안으로 가스를 주입하는 단계로 구성되는 폴리머 재료의 입자에 의한 반도체 웨이퍼의 오염을 감소시키는 방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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