KR20050084104A - 디스플레이 및 그 제조 방법 - Google Patents

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허버트 리프카
스테인 쿠이퍼
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코닌클리즈케 필립스 일렉트로닉스 엔.브이.
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Abstract

본 발명은 디스플레이 제조 방법에 관한 것으로, 특히, 플렉시블 디스플레이 제조 방법에 관한 것이다. 사용되는 기판(1)에는 작은 개구들(2)이 제공되는데, 이들은 이 기판을 다공적으로 하며 기판(1)에 트렌치를 형성한다. 제거 가능한 층(3)이 기판(1)에 부착된다. 에칭 및 온도 내성층(4)이 제거 가능한 층(3) 상으로 제공되며, 디스플레이는 이 에칭 및 온도 내성층(4) 상에서 처리된다. 제거 가능한 층(3)은 기판(1)의 개구들(2)을 통한 에칭에 의해 제거되며 기판은 재사용될 수 있다.

Description

디스플레이 및 그 제조 방법{METHOD FOR THE MANUFACTURE OF A DISPLAY}
본 발명은 디스플레이 제조 방법에 관한 것이다.
디스플레이, 특히 플렉시블 디스플레이(flexible displays)는 미래 지향적 요구조건이다. 플렉시블 디스플레이는 PDA 및 e-북(e-books)과 같은 소비자 제품용 자유형상 디스플레이에 사용될 수 있다. 주변을 돌아가며 어떠한 각도에서도 정보를 볼 수 있는 라운드 디스플레이(round displays)는, 예를 들어 광고 간판에 유용하다. 플렉시블 디스플레이에 관련된 또 다른 적용은 롤업 디스플레이(rollup displays)인데, 이는 예를 들어 일간 신문용으로 사용될 수 있다.
현재의 디스플레이 제조 방법은 통상적으로 경직되고 고비용인 기판의 사용을 포함한다. 현재 사용되는 통상적인 물질은 폴리머(polymers) 또는 얇은 유리이다. 그렇지만, 전술한 바와 같이, 여러 적용에 있어서, 유연하며 경량의 디스플레이가 바람직한데, 이는 제조 동안 경직된 기판을 이용하는 것을 어렵게 한다.
여러 디스플레이 기술, 예를 들어, 능동 매트릭스는 우수한 품질의 디스플레이를 구성하기 위해 고온을 필요로 한다. 그러나, 투명 연성 기판은 처리 동안에 필요한 고온을 견디지 못한다. 예를 들어, 폴리머 및 유리로 구성되는 기판은 250°C 이상의 처리 온도에 잘 견딜 수 없다.
유럽 특허 1 024 523에는 태양 전지 및 발광 다이오드와 같은 박막 반도체 장치의 제조 방법이 개시되어 있다. 모든 고온 처리에서 호환 가능한 고품질의 재사용 가능한 기판을 사용한다. 반도체 막은 이 재사용 가능한 기판 표면상에 형성되는 다공층(a porous layer)에서 성장시킨다. 완료된 박막 반도체 장치를 지지부에 부착시킨 후, 다공층의 습식 에칭에 의해 기판으로부터 들어 올린다.
그러나 박막을 기판으로부터 분리하는 분리 단계는 유럽 특허 1 024 523에 따른 방법에서 중요한 단계이다. 기판의 크기에 따라, 다공층을 제거하기 위해 수 센티미터에 걸친 측면 에칭을 수행하는 처리가 요구된다. 또한, 이 에칭 처리는 박막 및 그 안의 반도체 소자에 대해 선택적인 방식으로 다공층을 제거해야 하며, 기판에 대해서도 마찬가지이다.
유럽 특허 1 024 523에 따르면, 에칭 마스크는 제조된 디스플레이의 한 측면이 에칭 용액에 노출되는 것을 방지할 뿐이다. 디스플레이 부품이 에칭 용액에 민감한 경우에는, 처리 동안 에칭 용액이 디스플레이와 일정하게 접촉되기 때문에 유럽 특허 1 024 523에 따른 방법을 사용할 수 없다.
또한, 유럽 특허 1 024 523에 따르면, 디스플레이를 기판으로부터 제거하기 위해 측면 에칭을 수행한다. 화학 용액들이 다공층에 접근하는 것이 제한되기 때문에, 이러한 측면 에칭은, 특히, 처리되는 디스플레이의 표면이 큰 경우에 수행하기 어렵다. 또한, 제조 비용을 절감하기 위해, 소형 디스플레이도 대형 기판에서 제조하여 많은 디스플레이를 동시에 제조할 수 있게 하는 것이 바람직하다. 그러나, 요구되는 측면 에칭의 제한으로 인해, 유럽 특허 1 024 523에 따른 방법은 대형 기판에서 여러 소형 디스플레이를 제조하는 데에는 적합하지 않다.
또한, 유럽 특허 1 024 523에 개시된 에칭 내성 지지부(etch resistant support)는 바람직하게는 플라스틱 또는 폴리머로 구성되므로 온도 내성적이지 않다. 그러므로, 처리가 고온을 요구하는 경우, 지지부는 디스플레이를 처리할 때까지 사용되어서는 안 된다.
도 1은 본 발명에 따른 방법의 개략적인 구성이다.
도 2는 본 발명에 따른 기판, 층들 및 에칭 개구의 단면도이다.
그러므로 본 발명의 목적은 저렴하고 간단하며 신뢰할 수 있는 디스플레이 제조 방법을 제공하는 것이며, 특히, 증착(etchant)가 디스플레이와 접촉하지 않고, 디스플레이의 고온 처리와 제거 가능한 층의 에칭에 의한 기판 재사용을 허용하는 플렉시블 디스플레이에 관한 것이다.
이 목적 및 다른 목적들은 달성하는 디스플레이 제조 방법은,
- 기판을 제공하는 단계와,
- 이 기판의 적어도 일부를 덮는 제거 가능한 층을 이 기판으로 증착하는 단계를 포함하되,
- 제거 가능한 층을 반드시 덮도록 에칭 및 온도 내성층을 제거 가능한 층 상에 증착하며,
- 에칭 및 온도 내성층 상의 적어도 일부에서 디스플레이를 처리하고,
- 에칭제를 이용한 에칭에 의해 제거 가능한 층을 제거하며, 에칭 및 온도 내성층은 에칭제가 디스플레이와 접촉하는 것을 방지한다.
본 발명을 이루게 한 연구 작업에서, 재사용 가능한 기판 및 제거 가능한 층을 사용하는 디스플레이 제조에 대한 새로운 접근 방식이 개발되었다.
발명가들은, 그 제거 가능한 층을 덮는 에칭 및 온도 내성층을 증착하여, 에칭제가 디스플레이와 접촉하도록 하지 않고, 이 에칭 및 온도 내성층 상에서 디스플레이를 처리할 수 있게 하고, 제거 가능한 층을 에칭하여 기판을 재사용할 수 있게 하는 놀라운 방식을 발견하였다.
따라서 에칭 및 온도 내성층의 온도 내성은, 디스플레이 부품이 에칭제와 접촉할 필요 없이, 재사용 가능한 기판 상에서 고온 디스플레이 처리가 수행되도록한다.
청구항 제 2 항에서 정의되는 양태는 에칭이 넓은 표면을 거쳐 동시에 수행되어, 측면 에칭이 수행되는 종래 기술에 비해, 제거 가능한 층의 보다 신속하고 균일한 에칭을 허용한다는 장점을 지닌다. 에칭 개구가 제공되는 기판을 구비하는 장점은 에칭 및 온도 내성층의 존재 유무와 관계없이 달성된다는 점을 유의해야 한다.
제 3 항 내지 제 6 항에서 정의되는 양태는 실리콘/폴리실리콘이 매우 견고한 물질이며, 처리 단계 및 장비가 쉽게 이용 가능하다는 장점을 지닌다.
제 7 항에서 정의되는 양태는 디스플레이가 여러 형태로 제조될 수 있다는 장점을 지닌다.
본 발명의 이들 및 다른 양태는 후술항 실시예로부터 명백해 질 것이다.
첨부된 도면을 참조하여 본 발명을 보다 상세히 설명할 것이다.
기판(1)은 처리 측면에 제거 가능한 층(3)에 의해 폐쇄되는 작은 에칭 개구를 갖는다(비부합 증착(non conformal deposition)). 필요한 경우, 후속 평탄화 및 어닐링을 사용할 수 있다(도시 생략). 에칭 및 온도 내성층(4)의 추가적 증착이 필수적이다. 디스플레이는 이 에칭 및 온도 내성층(4)에서 처리된다.
디스플레이 처리를 완료한 후, 기판(1)의 개구(2)를 통한 습식 에칭에 의해 이 디스플레이를 기판으로부터 분리한다. 에칭제를 기판 후면으로부터 개구로 진입시켜서 기판 정면의 제거 가능한 층을 에칭할 수 있다. 이 에칭제를 디스플레이가 처리되었던 에칭 및 온도 내성층(4)에 의해 정지시킨다. 이어서 디스플레이를 느슨하게 절단하고 필요한 경우 보호한다. 기판(1)은 세정하여 재사용할 수 있다.
여기서 "기판"이라는 용어는 디스플레이 보호용으로 사용되는 지지부를 지칭한다. 기판은 부품(들)이 제조되는 구조적으로 안정된 물질로 구성된다.
"에칭 개구"라는 용어는 기판의 작은 구멍들을 지칭하는데, 이들은 기판을 다공성으로 만들고 에칭제가 통과할 수 있는 기판의 트렌치(trenches)를 형성한다.
"제거 가능한 층"이라는 용어는 에칭 개구를 폐쇄하는 비부합적 증착을 지칭한다. 이 제거 가능한 층은 에칭제에 의해 용해될 수 있으며 디스플레이를 기판으로부터 분리할 때 제거된다. 이 제거 가능한 층도 온도 내성적이어야 한다.
"에칭 및 온도 내성층"이라는 용어는 강한 온도 내성층, 에칭 마스크를 지칭하는데, 이는 제거 가능한 층을 밀봉하고 에칭에 영향 받지 않는다. 또한, 디스플레이 처리 동안의 고온에 의해서도 영향 받지 않는다.
"에칭"이라는 용어는 물질의 반응 및 용해 가능한 제품의 형성을 지칭한다.
"에칭제"라는 용어는 디스플레이에 손상을 입히지 않고 제거 가능한 층을 에칭할 수 있는 용액을 지칭하는데, 에칭 및 온도 내성층은 에칭할 수 없다.
기판 및 에칭 개구
본 발명에 따른 방법에서 사용되는 다공성이며 재사용 가능한 기판은 여러 상이한 방법으로 구성될 수 있다. 바람직하게는, 이 기판은 실리콘 재료를 포함한다. 예를 들어 강철 또는 세라믹과 같은 다른 기판도 사용될 수 있지만 잘 알려져 있지는 않다.
본 발명에 따른 방법에서 사용되는 가장 바람직한 기판은 폴리실리콘으로 구성된다. 폴리실리콘은 어떠한 치수에서도 이용 가능하며, 실제 대형 디스플레이가 구성될 수 있다. 기판의 에칭 개구는 이중 플라즈마 에칭 방법에 의해 구성한다.
실리콘 재료에서, 1㎛ 실리콘 옥사이드를 (1000°C에서 H2O/O2가 88%/12%인) 퍼니스(a furnace)에서 성장시킨다. 이 옥사이드의 정면(처리될 디스플레이 측면)에서, 레지스트(resist)를 코팅하고, 노출하며 2㎛ 이하의 한 방향으로 치수를 갖는 소형 라인 패턴으로 성장시킨다. 이 레지스트 마스크는 플라즈마 옥사이드 에칭기(etcher)에서 실리콘 옥사이드를 에칭하는 데 이용한다. 그 후 실리콘 옥사이드는 메인 마스크로서 실리콘을 약 40㎛ 깊이로 에칭하는 데 사용한다. 레지스트는 산소 플라즈마(배럴)를 이용하여 제거하고 50nm 산화를 수행한다. LPCVD를 이용하여 100nm SiN 증착을 수행한다. 후면을 레지스트로 코팅하고, 노출시켜 (구멍들을 제공하는) 원형 패턴 또는 큰 라인으로 성장시킨다. (라인을 사용하였지만 원을 사용할 수도 있다. 라인은 전면의 라인에 대해 90°C 회전되었다.) 옥사이드를 다시 에칭하고 난 후, 실리콘을 홈(grooves)에서 에칭하여 SiN를 생성한다. 다시 레지스트를 제거하고, 100nm 실리콘 옥사이드를 성장시키고 140°C의 H3PO4/H2SO4에서 에칭한다. 그 후, 보호 LPCVD를 증착한다.
본 발명에 따라 사용되는 기판을 얻는 다른 비용-효율적 방법은 <110> 실리콘 웨이퍼에서 이방성 습식 에칭을 하는 것이다. KOH 용액을 이용하여 <110> 실리콘에서 수직 트렌치를 에칭할 수 있다. 웨이퍼 전면에서, 약 1㎛의 폭을 갖는 긴 트렌치를 에칭할 수 있다. 트렌치에서 트렌치로의 거리도 약 1㎛으로 선택할 수 있다. 거리가 길수록 기판은 더 강해지지만, 디스플레이 처리 완료 후 기판 분리 에칭에 대해 더 긴 시간이 소모된다. 트렌치의 이용 가능한 길이-폭 비는 리소그래피 단계의 정확성에 의존한다. 큰 트렌치들을 웨이퍼 후면으로부터 에칭하여 작은 트렌지들과 만나게 할 수 있으므로, 웨이퍼 전체를 통해 작은 트렌치들을 에칭할 필요가 없다.
산업상 이용 가능한 실리콘 마이크로시브(microsieves)도 본 발명에 따른 방법에서 이용될 수 있다. 이들 시브는 미세다공 실리콘 지지부(a microporous silicon support)에 부착되는 거대다공 실리콘 질화막으로 구성한다. 이들은 습식 및 건식 에칭 기술의 조합을 이용하여 제조한다.
본 발명에 따른 방법에서 사용되는 기판을 얻기 위해 다른 처리를 이용할 수도 있는데, 이 방법에서는 HF 용액 및 UV-광을 이용하여 실리콘 웨이퍼를 통해 구멍들을 에칭한다.
바람직하게는, 이 기판은 평평한 판이다. 디스플레이의 특수 전면판이 요구되는 경우, 기판은 반대 형상을 가질 수 있다. 특수 외부결합 구조로서, 디스플레이 상의 소형 렌즈를 고려할 수 있다. 평면형이 아닌 전면 또는 후면을 갖는 디스플레이는 특수 외부결합 구조 또는 예를 들어 3차원 텔레비전용 렌즈로 구성될 수 있다.
또한, 기판은 분리 후 디스플레이 상에 구조를 형성하기 위해 디스플레이 상으로 통과될 수 있는 높이 프로파일(height profile)을 가질 수 있다. 따라서, 어떠한 기하학적 형태 또는 치수의 기판도 본 발명에 따른 방법에서 사용될 수 있다.
바람직하게는 에칭 개구는 제거 가능한 층의 적용 후에 제거 가능한 층에 수직하도록 배열되는 방식으로 형성될 수 있다. 그러나, 에칭제가 기판을 통과하여 제거 가능한 층에 접촉할 수만 있다면 개구의 배열이 본 발명에 있어서 필수적이지는 않다.
본 발명의 다른 실시예에서, 기판의 일부는 기판을 통과하는 구멍들을 갖는다. 바람직하게는, 후속되는 디스플레이 분리를 돕기 위해, 가장자리에서는 개구가 형성되지 않는다.
본 발명의 바람직한 실시예에서, 완성 기판을 통과하는 적은 수의 개구를 갖는 기판의 상부에 홈 패턴(a groove pattern)이 제공된다.
바람직하게는, 전면에는 작은 개구들이 존재하고, 소수의 큰 개구들은 이 작은 개구를 향해 후면으로부터 도달한다.
제거 가능한 층의 증착
다공성 기판 상에, 고압에서 5㎛ PECVD 300°C SiO2 증착을 수행한다. 이는 구멍들을 2㎛에 이르도록 폐쇄한다. 이용 가능한 적합한 제거 가능한 층의 예로서는 SiO2의 LPCVD가 있다. 어떤 금속 뿐만 아니라 AlO도 적합할 수 있다. 예를 들어, 스퍼터링(sputtering) 또는 아마 PVD로도 증착하는 경우, Al이 유용할 것이다.
PECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition)는 저온에서 전기적으로 충전된 입자 또는 플라즈마를 함유하는 증기를 사용하여 향상된 웨이퍼 표면에 고체 절연층 또는 도전층을 형성하기 위해 하나 이상의 가스 반응자(gaseous reactors)를 이용하는 기술이다.
다공성 기판의 개구 폐쇄를 성공적으로 테스트하였다.
기판 평탄화
선택적으로, 기판은 예를 들어 SOG(Spin On Glass) 또는 CMP(Chemical Mechanical Polishing)에 의해 평탄화할 수 있다. 그러나, 잔여 굴곡 정도(indentation)가 더 작기 때문에 평탄화는 선택적으로 생략할 수 있다.
몇몇 적용에 있어서, 기판은 디스플레이 상에 특수 형태를 구성하기 위해 깊이 구조를 가질 수도 있다. 이는 예를 들어 보다 우수한 광 외부결합을 위해 픽셀 상에 마이크로렌즈를 구성하는 데 유용할 수 있다. 또한, 평면 방향으로 보다 많은 수의 외부결합이 이 기술로 얻어질 수 있다. 이는 (능동 매트릭스) LCD 디스플레이의 시야-각 문제를 보상하는 데 유용할 것이다.
바람직하게는, 기판은 디스플레이 처리에서 요구되는 최고 온도에서 어닐링된다. 예에서는, 30분 800°C N2 어닐링을 사용되었다. 실리콘 옥사이드는 안정되게 유지된다.
디스플레이 처리용 에칭 및 온도 내성층
강하고 투과적이며 온도와 에칭에 내성이 있는 층의 추가 증착은 필수적이다.
기판 상에서, 에칭 및 온도 내성층, 밀봉층, 200nm LPCVD Si3N4 625°C가 증착되었다. 적합한 에칭 및 온도 내성층의 다른 예로는, 질화물 및 실리콘 옥사이드/실리콘 질화물층으로서, 예를 들어, Si3N4와 SiO2 또는 SiON층, Si3N4와 SiON층, SiO2와 SiON층, Si3N4, SiO2와 SiON층이 있다.
이 층에서, 추가 디스플레이 처리를 수행할 수 있다. 바람직하게는, 에칭 내성층은 강하고, 투과적이며 온도 내성적이다.
LPCVD(Low Pressure Chemical Vapor Deposition)은 저압 및 고온인 조건 하에서 웨이퍼 표면상에 고체 절연층 또는 도전층을 형성하기 위해 하나 이상의 가스 반응자를 이용하는 기술이다.
디스플레이 처리
(처리는 요구되는 디스플레이에 의존하며 본 발명에서 필수적이지는 않다)
바람직하게는, 본 발명에 따른 방법은 플렉시블 디스플레이를 제조하는 데 이용되며, 특히, 능동 매트릭스 폴리LED/OLED 및 능동 매트릭스 LCD 디스플레이에 이용된다.
능동 매트릭스 폴리실리콘 폴리LED에 있어서, 이는 주입, 구조 단계, 레이저 재결정화 및 상호접속을 이용하여 트랜지스터를 처리하는 것을 의미한다. ITO, PEDOT, PPV 후에, 캐소드를 증착할 수 있다. 그 후, 게터(getters)를 갖는 리드(lids)를 접착하거나 상부 강화층에 박막 패키징을 이용한다.
디스플레이 분리
처리된 디스플레이는 제거 가능한 층을 에칭하여 기판으로부터 분리한다.
기판의 에칭 개구를 통한 에칭은 NH4F : HF를 7:1로 하여 PECVD 옥사이드를 제거한다. 이 에칭은 옥사이드를 에칭하지만 LPCVD Si3N4는 에칭하지 않는다. 디스플레이는, 개구가 형성되지 않는 것이 바람직한 기판의 가장 자리에 여전히 부착된다. 그 후, 디스플레이를 기판으로부터 절단/느슨하게 하고, 필요한 경우, 디스플레이 정면의 보호층, 예를 들어 투과성 플라스틱을 접착 또는 다른 방법으로 부착한다.
적합한 에칭제는 에칭될 물질과 에칭되면 안되는 물질에 의존한다. SiO-SiN 조합에 있어서, 다른 버퍼링된 또는 버퍼링되지 않은 HF 용액이 사용될 수 있다.
따라서 본 발명은 재사용 가능한 기판 및 제거 가능한 층을 이용하여 디스플레이 제조에 대한 새롭고 향상된 방법을 제공한다. 본 발명에 따른 방법은 고온 처리 및 에칭제에 디스플레이 부품이 접촉하지 않고 제거 가능한 층의 에칭을 허용한다.
본 발명의 바람직한 실시예에 대한 설명은 본 발명의 범위를 제한하는 것으로 간주되어서는 안 된다. 물론, 본 발명을 실시하는 다른 방식, 예를 들어, 플라스틱 전자소자와 같은 디스플레이가 아닌 적용, 수동 집적소자 및 MEMS(Micro-ElectroMechanical System)도 본 발명의 범위 내에 속한다.

Claims (18)

  1. 디스플레이 제조 방법으로서,
    기판을 제공하는 단계와,
    상기 기판의 적어도 일부를 덮는 제거 가능한 층을 상기 기판에 증착하는 단계를 포함하되,
    상기 제거 가능한 층을 반드시 덮도록 에칭 및 온도 내성층을 상기 제거 가능한 층 상에 증착하며,
    상기 에칭 및 온도 내성층 상의 적어도 일부에서 디스플레이를 처리하고,
    에칭제(etchant)를 이용한 에칭에 의해 상기 제거 가능한 층을 제거하며, 상기 에칭 및 온도 내성층은 상기 에칭제가 상기 디스플레이와 접촉하는 것을 방지하는
    디스플레이 제조 방법.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 기판에는 에칭 개구가 제공되고, 상기 에칭은 상기 에칭 개구를 통해 상기 기판을 거치도록 에칭제를 유도함으로써 수행되는
    디스플레이 제조 방법.
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 기판은 실리콘 물질을 포함하는
    디스플레이 제조 방법.
  4. 제 4 항에 있어서,
    상기 기판은 폴리실리콘 판을 포함하는
    디스플레이 제조 방법.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 기판은 실리콘 마이크로시브(microsieves)를 포함하는
    디스플레이 제조 방법.
  6. 제 4 항에 있어서,
    상기 기판은 실리콘 웨이퍼를 포함하는
    디스플레이 제조 방법.
  7. 제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 기판은 상기 디스플레이로 통과될 수 있는 높이 프로파일을 갖는
    디스플레이 제조 방법.
  8. 제 1 항 내지 제 7 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 에칭 및 온도 내성층은 Si3N4를 포함하는
    디스플레이 제조 방법.
  9. 제 1 항 내지 제 8 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 에칭 및 온도 내성층은 Si3N4 및 SiO2의 층(stack)을 포함하는
    디스플레이 제조 방법.
  10. 제 1 항 내지 제 9 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 에칭 및 온도 내성층은 SiON을 포함하는
    디스플레이 제조 방법.
  11. 제 1 항 내지 제 10 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 에칭 및 온도 내성층은 Si3N4 및 SiON의 층을 포함하는
    디스플레이 제조 방법.
  12. 제 1 항 내지 제 11 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 에칭 및 온도 내성층은 SiO2 및 SiON의 층을 포함하는
    디스플레이 제조 방법.
  13. 제 1 항 내지 제 12 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 에칭 및 온도 내성층은 Si3N4, SiO2 및 SiON의 층을 포함하는
    디스플레이 제조 방법.
  14. 제 1 항 내지 제 13 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제거 가능한 층은 SiO2를 포함하는
    디스플레이 제조 방법.
  15. 제 1 항 내지 제 14 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 에칭제는 HF-용액을 포함하는
    디스플레이 제조 방법.
  16. 제 1 항 내지 제 15 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 에칭제는 NH4F:HF를 포함하는
    디스플레이 제조 방법.
  17. 제 1 항 내지 제 16 항 중 어느 한 항에 기재된 방법을 이용하여 얻을 수 있는
    디스플레이.
  18. 제 1 항 내지 제 17 항 중 어느 한 항에 기재된 방법으로서,
    플라스틱 전자소자, MEMS(Micro-ElectroMechanical System) 및 수동 집적 소자와 같은 비(非)디스플레이용
    제조 방법.
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