JPH02142120A - プラズマ処理装置 - Google Patents
プラズマ処理装置Info
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- JPH02142120A JPH02142120A JP63295610A JP29561088A JPH02142120A JP H02142120 A JPH02142120 A JP H02142120A JP 63295610 A JP63295610 A JP 63295610A JP 29561088 A JP29561088 A JP 29561088A JP H02142120 A JPH02142120 A JP H02142120A
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Landscapes
- Plasma Technology (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明はプラズマ処理装置に関する。
［従来の技術及び発明が解決すべき課題］ウェハ上に半
導体集積回路素子を形成するためガス分子を励起させウ
ェハ表面上に薄膜を形成するのに熱エネルギーやプラズ
マ放電を用いてガス分子例えばＳｉＨ４または５ｉ）Ｉ
２ＣＱ２とＮＨ，を反応させてＳｉ、Ｎ４膜を、ＳｉＨ
，と０２を反応させてＳｉＯ□膜等を形成している。こ
の時、パッシベーション膜やＡＱ多層配線の眉間絶縁膜
を形成する場合は、ＡＱの融点（〜６５０℃）を越える
温度は許されないため、低温処理が行えるプラズマ放電
を用いたプラズマＣＶＤ装置が有効に用いられる。
導体集積回路素子を形成するためガス分子を励起させウ
ェハ表面上に薄膜を形成するのに熱エネルギーやプラズ
マ放電を用いてガス分子例えばＳｉＨ４または５ｉ）Ｉ
２ＣＱ２とＮＨ，を反応させてＳｉ、Ｎ４膜を、ＳｉＨ
，と０２を反応させてＳｉＯ□膜等を形成している。こ
の時、パッシベーション膜やＡＱ多層配線の眉間絶縁膜
を形成する場合は、ＡＱの融点（〜６５０℃）を越える
温度は許されないため、低温処理が行えるプラズマ放電
を用いたプラズマＣＶＤ装置が有効に用いられる。
プラズマＣＶＤ装置は平行平板形、同軸円筒形等がある
がバッチ処理量の大きい多極石英管型ＣＶＤ装置が用い
られている。例えば特公昭５６−１６５３９、実公昭５
７−３８９２２、実公昭５７−３８９２１、実公昭５７
−３８９２０、特開昭５５−３４４３１などで周知であ
る。多極石英管型ＣＶＤ装置はガスの流入口及び排気口
を有する反応管内に多数の電極板を互いに平行に且つ垂
直に保持した石英ボート例えば２台をフォークとに載置
するようになっている。ガスシステムに接続されたガス
流入口より反応ガスを導入し、第６図の構成図に示すよ
うに垂直に対向して設けた多数の電極板１をプラス・マ
イナス交互に帯電させることにより反応ガスのプラズマ
を発生させ、電極板１に密着されたウェハＷ上に薄膜を
形成させ未反応ガスは排気システムに接続される排気口
より排気される。しかし、このようなプラズマＣｖＤ装
置においてはバッチ処理量は大きいが電極板を多数枚収
納した石英ボートをフォークで支持するため、）−記ボ
ー１への重１４ｔは過大なものとなり、フォークが歪ん
で多数枚の電極板の中にはコンタクト部の接触が悪くな
り均一な薄１模形成ができないという欠点があった。
がバッチ処理量の大きい多極石英管型ＣＶＤ装置が用い
られている。例えば特公昭５６−１６５３９、実公昭５
７−３８９２２、実公昭５７−３８９２１、実公昭５７
−３８９２０、特開昭５５−３４４３１などで周知であ
る。多極石英管型ＣＶＤ装置はガスの流入口及び排気口
を有する反応管内に多数の電極板を互いに平行に且つ垂
直に保持した石英ボート例えば２台をフォークとに載置
するようになっている。ガスシステムに接続されたガス
流入口より反応ガスを導入し、第６図の構成図に示すよ
うに垂直に対向して設けた多数の電極板１をプラス・マ
イナス交互に帯電させることにより反応ガスのプラズマ
を発生させ、電極板１に密着されたウェハＷ上に薄膜を
形成させ未反応ガスは排気システムに接続される排気口
より排気される。しかし、このようなプラズマＣｖＤ装
置においてはバッチ処理量は大きいが電極板を多数枚収
納した石英ボートをフォークで支持するため、）−記ボ
ー１への重１４ｔは過大なものとなり、フォークが歪ん
で多数枚の電極板の中にはコンタクト部の接触が悪くな
り均一な薄１模形成ができないという欠点があった。
本発明はに記のような欠点に対処してなされたもので、
多数枚配列される電極板の重量を軽址化することにより
、重量による歪みを防止するようにしたプラズマ処理装
置を提供することを目的とする。
多数枚配列される電極板の重量を軽址化することにより
、重量による歪みを防止するようにしたプラズマ処理装
置を提供することを目的とする。
［課題を解決するための手段］
本発明のプラズマ処理装置αは、対向電極間に交流電圧
を印加してプラズマを発生させ処理する装置において、
上記電極に複数の孔又は溝を設けたものである。
を印加してプラズマを発生させ処理する装置において、
上記電極に複数の孔又は溝を設けたものである。
［実施例コ
本発明装置をプラズマＣＶＤ装置に適用した一実施例を
第１図の概略構成図を参照して説明する。
第１図の概略構成図を参照して説明する。
第１図において反応ガス流入口２及び排気口３を有する
石英製反応管４内に石英製ウェハボート５内に収納され
た電極板６がフォーク７に支持される。反応ガスはガス
システム８に接続された反応ガス流入口２より反応管４
内に導入さｈ、トラップやポンプ等を設けた排気システ
ム９に接続される排気口３から排気されるようになって
いる。
石英製反応管４内に石英製ウェハボート５内に収納され
た電極板６がフォーク７に支持される。反応ガスはガス
システム８に接続された反応ガス流入口２より反応管４
内に導入さｈ、トラップやポンプ等を設けた排気システ
ム９に接続される排気口３から排気されるようになって
いる。
そして反応管４の外部には高周波あるいはヒータ等の加
熱装置１０が設置される。
熱装置１０が設置される。
このようなＣＶＤ′ｇ２置内における電極板列６は第２
図の側面図に示すようにウェハＷを支持してウェハボー
ト５に収納され、さらにウェハボート５がフォーク７で
支持される。そして、高周波（ＲＦ）電源出力に接続さ
れる２本のロツ１り１１−１及び１１−２のどちらか一
方の溝に押入されて接続され、他方のロッドには非接触
になるよう周囲−カ所に欠損部６Ｋを有する。そして、
第３図の斜視図に示すように電極板６は欠損部６Ｋを交
互にロッド１１−１及び１１−２にあてはめられるよう
設置され、隣接する電極板６同志がプラス・マイナス交
互に帯電されるようになっている。
図の側面図に示すようにウェハＷを支持してウェハボー
ト５に収納され、さらにウェハボート５がフォーク７で
支持される。そして、高周波（ＲＦ）電源出力に接続さ
れる２本のロツ１り１１−１及び１１−２のどちらか一
方の溝に押入されて接続され、他方のロッドには非接触
になるよう周囲−カ所に欠損部６Ｋを有する。そして、
第３図の斜視図に示すように電極板６は欠損部６Ｋを交
互にロッド１１−１及び１１−２にあてはめられるよう
設置され、隣接する電極板６同志がプラス・マイナス交
互に帯電されるようになっている。
このように配列される電極板６はクラファイト製やアル
ミニウム製であって第４図の平面図に示すように上記電
極板６には、孔又は溝例えば小孔］２（例えば直径５＋
ａｍ）がウェハＷと対向する部分に多数（例えばＩ＋ｎ
ｎ＋ピッチ）穿孔される。ウェハが対接する範囲外に小
孔１２を穿孔するとＨｏｌｌｏｗＣａｔｈｏｄ ｔｌｉ
ｆｆＬの異常放電が起り、パーティクルの原因となり質
量の大きい物質を作り、ゴミの発生を促してしまう場合
があるので孔や溝の開孔幅及びその位置はＣＶＤなどの
処理ムラが発生しないよう選択される。従ってウェハＷ
の対接する部分に小孔を多数穿孔することにより電極板
６の重量を軽減でき、フォークの荷重を減少することが
できる。そのためフォーク７の荷重による歪みもなくな
り電極板６とロッド１１−１あるいは１１−２との接触
も一様に保持でき、全ての電極板６上のウェハＷの成膜
条件を一定に保つことができる。
ミニウム製であって第４図の平面図に示すように上記電
極板６には、孔又は溝例えば小孔］２（例えば直径５＋
ａｍ）がウェハＷと対向する部分に多数（例えばＩ＋ｎ
ｎ＋ピッチ）穿孔される。ウェハが対接する範囲外に小
孔１２を穿孔するとＨｏｌｌｏｗＣａｔｈｏｄ ｔｌｉ
ｆｆＬの異常放電が起り、パーティクルの原因となり質
量の大きい物質を作り、ゴミの発生を促してしまう場合
があるので孔や溝の開孔幅及びその位置はＣＶＤなどの
処理ムラが発生しないよう選択される。従ってウェハＷ
の対接する部分に小孔を多数穿孔することにより電極板
６の重量を軽減でき、フォークの荷重を減少することが
できる。そのためフォーク７の荷重による歪みもなくな
り電極板６とロッド１１−１あるいは１１−２との接触
も一様に保持でき、全ての電極板６上のウェハＷの成膜
条件を一定に保つことができる。
また、電極板６の熱容量も低減することができ、ウェハ
に対する温度制御性が向上出来る。
に対する温度制御性が向上出来る。
また、第５図の断面図に示すように小孔１２のうちウェ
ハＷの中心と電極板６の中心が一致させた時各ウェハＷ
の円周に対応した位置にある小孔１２Ｐを用いて組立て
ピン１３を使用すれば、電極板６にウェハＷの大きさに
応じて容易にウェハＷを密着することもできる。ウェハ
Ｗの大きさ４インチ、５インチ、６インチ等に応じた小
孔に１対の組立てピン１３を用いれば、簡東にウェハＷ
の中心と電極板６の中心を合致してウェハＷをセットす
ることができる。
ハＷの中心と電極板６の中心が一致させた時各ウェハＷ
の円周に対応した位置にある小孔１２Ｐを用いて組立て
ピン１３を使用すれば、電極板６にウェハＷの大きさに
応じて容易にウェハＷを密着することもできる。ウェハ
Ｗの大きさ４インチ、５インチ、６インチ等に応じた小
孔に１対の組立てピン１３を用いれば、簡東にウェハＷ
の中心と電極板６の中心を合致してウェハＷをセットす
ることができる。
［作用］
以上、説明したプラズマＣＶＤ装置の作用を説明する。
プラズマＣＶＤ装置の反応管４のフォーク７上にウェハ
Ｗを支持するようセラ１−シ多数の電極板６を支持した
石英ボート５を載置する。ガスシステム８から反応ガス
を反応ガス流入口２より反応管４に導入し、ＲＦ電源に
よりプラス・マイナス交互に約４００Ｖ前後の電圧を印
加された電極板６により反応ガスのプラズマを発生させ
る。発生したプラズマはウェハＷ上に反応物を生成し、
つエバＷ上に薄膜が形成される。この時、電極板は小孔
１２を穿孔されているため重量が軽減され。
Ｗを支持するようセラ１−シ多数の電極板６を支持した
石英ボート５を載置する。ガスシステム８から反応ガス
を反応ガス流入口２より反応管４に導入し、ＲＦ電源に
よりプラス・マイナス交互に約４００Ｖ前後の電圧を印
加された電極板６により反応ガスのプラズマを発生させ
る。発生したプラズマはウェハＷ上に反応物を生成し、
つエバＷ上に薄膜が形成される。この時、電極板は小孔
１２を穿孔されているため重量が軽減され。
すべての電極板とロッドとの電気的接続が均一に保持さ
れているため、しかも電極板が過剰に加熱されないため
、ＡＱ多層配線等を破壊することなく均一な膜を形成す
る。
れているため、しかも電極板が過剰に加熱されないため
、ＡＱ多層配線等を破壊することなく均一な膜を形成す
る。
以上のプラズマ装置によれば、電極板に小孔を穿孔した
ため電極板の重量が軽減でき、しかも熱容量を減少する
ことができる。このため、ＡＱ多層配線の層間絶縁膜で
あっても低温で容易に均一な薄膜を形成することが可能
となり従来のものの改善を企てることができるた。上記
実施例ではＣＶＤについて説明したが、プラズマ処理で
あれば他装置に適用してもよい。
ため電極板の重量が軽減でき、しかも熱容量を減少する
ことができる。このため、ＡＱ多層配線の層間絶縁膜で
あっても低温で容易に均一な薄膜を形成することが可能
となり従来のものの改善を企てることができるた。上記
実施例ではＣＶＤについて説明したが、プラズマ処理で
あれば他装置に適用してもよい。
［発明の効果］
多数の電極板に夫々多数の孔又は溝を形成するので、そ
の電極板列の重さを軽減することが可能である。又、熱
容量の低減により温度制御がより精度良〈実施される。
の電極板列の重さを軽減することが可能である。又、熱
容量の低減により温度制御がより精度良〈実施される。
第１図は本発明の一実施例のプラズマＣＶＤ装置の概略
構成図、第２図は一実施例の電極板の側面図、第３図は
同様の斜視図、第４図は同様の側面図、第５図は同様の
断面図、第６図は従来例の電極板概略構成図である。 ２・・・・・・・反応ガス流入口 ３・・・・・・・排気口 ４・・・・・・・反応管 ６・・・・・・・電極板 １２・・・・・穴（小孔） Ｗ・・Ｉ−・・静ウェハ
構成図、第２図は一実施例の電極板の側面図、第３図は
同様の斜視図、第４図は同様の側面図、第５図は同様の
断面図、第６図は従来例の電極板概略構成図である。 ２・・・・・・・反応ガス流入口 ３・・・・・・・排気口 ４・・・・・・・反応管 ６・・・・・・・電極板 １２・・・・・穴（小孔） Ｗ・・Ｉ−・・静ウェハ
Claims (1)
- 対向電極間に交流電圧を印加してプラズマを発生させ処
理する装置において、上記電極に複数の孔又は溝を設け
たことを特徴とするプラズマ処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63295610A JP2793821B2 (ja) | 1988-11-22 | 1988-11-22 | プラズマ処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63295610A JP2793821B2 (ja) | 1988-11-22 | 1988-11-22 | プラズマ処理装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02142120A true JPH02142120A (ja) | 1990-05-31 |
| JP2793821B2 JP2793821B2 (ja) | 1998-09-03 |
Family
ID=17822854
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63295610A Expired - Lifetime JP2793821B2 (ja) | 1988-11-22 | 1988-11-22 | プラズマ処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2793821B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN108368608A (zh) * | 2015-07-09 | 2018-08-03 | 韩华Qcells有限公司 | 用于成对容纳衬底的设备 |
Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58168236A (ja) * | 1982-03-18 | 1983-10-04 | インタ−ナシヨナル ビジネス マシ−ンズ コ−ポレ−シヨン | プラズマ反応装置 |
| JPS6012727A (ja) * | 1983-07-01 | 1985-01-23 | Hitachi Ltd | 薄膜形成装置 |
| JPS6039822A (ja) * | 1983-08-12 | 1985-03-01 | Hitachi Ltd | 薄膜形成装置 |
| JPS60123032A (ja) * | 1983-12-07 | 1985-07-01 | Dainamitsuku Internatl Kk | プラズマ処理方法および装置 |
| JPS62238371A (ja) * | 1986-04-09 | 1987-10-19 | Ulvac Corp | プラズマｃｖｄ装置 |
| JPS62281427A (ja) * | 1986-05-30 | 1987-12-07 | Teru Ramu Kk | 放電加工用電極 |
| JPS63182814A (ja) * | 1987-01-26 | 1988-07-28 | Nippon Ee S M Kk | プラズマｃｖｄ用ウエ−ハ載置ボ−トおよびこれを利用するウエ−ハ上の薄膜生成方法 |
-
1988
- 1988-11-22 JP JP63295610A patent/JP2793821B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58168236A (ja) * | 1982-03-18 | 1983-10-04 | インタ−ナシヨナル ビジネス マシ−ンズ コ−ポレ−シヨン | プラズマ反応装置 |
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Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN108368608A (zh) * | 2015-07-09 | 2018-08-03 | 韩华Qcells有限公司 | 用于成对容纳衬底的设备 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2793821B2 (ja) | 1998-09-03 |
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