JPS58204526A - 化学気相生成装置のプラズマ発生装置 - Google Patents
化学気相生成装置のプラズマ発生装置Info
- Publication number
- JPS58204526A JPS58204526A JP8727182A JP8727182A JPS58204526A JP S58204526 A JPS58204526 A JP S58204526A JP 8727182 A JP8727182 A JP 8727182A JP 8727182 A JP8727182 A JP 8727182A JP S58204526 A JPS58204526 A JP S58204526A
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- JP
- Japan
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- electrodes
- electrode
- reaction tube
- tube
- plasma
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/50—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は半導体装置の製造過程において使用する化学気
相生成装置にプラズマ放電を利用する場合のプラズマ発
生装置に関するものである。
相生成装置にプラズマ放電を利用する場合のプラズマ発
生装置に関するものである。
従来プラズマ放電を利用した化学気相生成装置の反応管
部分は第１図、第２図才たは第６図、第４図にボすよう
な構成のものが一般的である。こ７ｔらは（ｉ］れも外
熱形のもので、反応管１の外側に環状ヒータ２を配置し
て反応管１の内部を加熱している。
部分は第１図、第２図才たは第６図、第４図にボすよう
な構成のものが一般的である。こ７ｔらは（ｉ］れも外
熱形のもので、反応管１の外側に環状ヒータ２を配置し
て反応管１の内部を加熱している。
第１図、第２図においては、）ＸＬｒ：、管１の内部に
水平に配置ざ１１た石英ボート９に複数の電極４−１．
４−２が垂直かつ実質的に等間隔に固設されている。こ
れらの電極４−１．’４−２は一つおきＰＣＩＪ−ド線
（図示せず）で接続されて２群の電極群を構成し、それ
ぞれの電極群はリードａ、７によって高周波電源８に接
続されている。これらの電極４−１．４−２の互に対向
する面上にはそれぞれ半導体基板３が取付けられており
、反応ガス導入口６から反応ガスを導入し、排気口５が
ら排気して反応管１の内部全所定の減圧状態に保持させ
ておく。このようにして温度、気圧ともに一定の状態に
維持しながら高周波電源８から高周波電力を両電極群間
に印加してプラズマを発生させ化学気相成長を行なうも
のである。
水平に配置ざ１１た石英ボート９に複数の電極４−１．
４−２が垂直かつ実質的に等間隔に固設されている。こ
れらの電極４−１．’４−２は一つおきＰＣＩＪ−ド線
（図示せず）で接続されて２群の電極群を構成し、それ
ぞれの電極群はリードａ、７によって高周波電源８に接
続されている。これらの電極４−１．４−２の互に対向
する面上にはそれぞれ半導体基板３が取付けられており
、反応ガス導入口６から反応ガスを導入し、排気口５が
ら排気して反応管１の内部全所定の減圧状態に保持させ
ておく。このようにして温度、気圧ともに一定の状態に
維持しながら高周波電源８から高周波電力を両電極群間
に印加してプラズマを発生させ化学気相成長を行なうも
のである。
第６図、第４図に示すものは電極１０−１゜１０−２が
第１図、第２図の場合と異り、反応管】の管軸にΔｒ行
に配置にｔされたもので、その他は第１図、第２図の場
合と同様である。
第１図、第２図の場合と異り、反応管】の管軸にΔｒ行
に配置にｔされたもので、その他は第１図、第２図の場
合と同様である。
以」−のような構造の装（」グでは次のような欠点刀・
ある。即ち １）反応管１内の電極４−１．＝１−２もしくは１０−
１．１０−２が不純物発生諒となり、半導体基板３に好
捷しくない不純物混入が考えられる。
ある。即ち １）反応管１内の電極４−１．＝１−２もしくは１０−
１．１０−２が不純物発生諒となり、半導体基板３に好
捷しくない不純物混入が考えられる。
２）プラズマが反応管１内の局部的に発生するので、反
応管１の内部空間の利用効率が低く、また電界分布の調
節か出来女い。
応管１の内部空間の利用効率が低く、また電界分布の調
節か出来女い。
；３）半導体基板３の出し入れ操作ｒ（、リード線の接
続処理を伴うのでその操作が複雑である。
続処理を伴うのでその操作が複雑である。
本発明はこのような欠点を解決するためになされたもの
である。以下、各実施例について図面によって詳細に説
明する。
である。以下、各実施例について図面によって詳細に説
明する。
各実施例を説明する前に本発明の装置の概略について説
明する。第５図は本発明の概略の構成図であり、■は石
英反応管、２は反応管ｌの外周にある環状のヒータ、３
は石英ボートＩＩ上に立て１−）ｔまたモ傳体基板、５
は排気口、６ ＆：！：反応ガス導入口、１２は石英反
応管１とヒータ２との間に設ＱＩられた環状もしくは円
弧状の市１極で−ある。次に各実施例ＶＣついて説明す
る。
明する。第５図は本発明の概略の構成図であり、■は石
英反応管、２は反応管ｌの外周にある環状のヒータ、３
は石英ボートＩＩ上に立て１−）ｔまたモ傳体基板、５
は排気口、６ ＆：！：反応ガス導入口、１２は石英反
応管１とヒータ２との間に設ＱＩられた環状もしくは円
弧状の市１極で−ある。次に各実施例ＶＣついて説明す
る。
実施例１゜
第６図および第７図はこの実施例の電極部分の構成図で
ある。第７図は石英反応管ｌの管軸方向から見た図で、
右半分を一部切り取って電極構造の詳細を示したもので
ある。図において、１３は絶縁物製の支持板、１４は電
極１２〜１．１２−２へのリード線を兼ねた電極固定用
ボルト、１５はスペーサである。電極１２−１．１２−
２はそれぞれ石英反応管１を遊挿出来る環状電極部と、
この環状電極部の一つの１０径方向の双方に環状電極部
より突出しまた取付脚部とよりなり、これらの複数の電
極１２−１．１２−２は一つおきに同極性となるように
交！五に・１本の電極固定用ポル）１４のうち対角線方
向の２本の電極固定用ボルトにスペーサ１５を挿入して
一定間隔に固定されている。
ある。第７図は石英反応管ｌの管軸方向から見た図で、
右半分を一部切り取って電極構造の詳細を示したもので
ある。図において、１３は絶縁物製の支持板、１４は電
極１２〜１．１２−２へのリード線を兼ねた電極固定用
ボルト、１５はスペーサである。電極１２−１．１２−
２はそれぞれ石英反応管１を遊挿出来る環状電極部と、
この環状電極部の一つの１０径方向の双方に環状電極部
より突出しまた取付脚部とよりなり、これらの複数の電
極１２−１．１２−２は一つおきに同極性となるように
交！五に・１本の電極固定用ポル）１４のうち対角線方
向の２本の電極固定用ボルトにスペーサ１５を挿入して
一定間隔に固定されている。
こＪｌらの市′極１２−１．１２−２の間隔はプラズマ
の発生状況からあらかじめ定められたスペーサ１５の長
さを調節することにより任意に設定することが出来る。
の発生状況からあらかじめ定められたスペーサ１５の長
さを調節することにより任意に設定することが出来る。
実施例２゜
第８図および第９図はこの実施例の電極部分の構成図で
ある。第９図は第７図と同様に石英反応・ｅｌの・Ｕ軸
方向から見た図で、右半分を一部切り取って電極構造の
詳細を示したものである。図において、１３は、絶縁物
製の支持板、１６−１゜１６−２は電極で、円弧状電極
部と！Ｉに直角方向に円弧状電極部より突出した取付脚
部とよりなる。
ある。第９図は第７図と同様に石英反応・ｅｌの・Ｕ軸
方向から見た図で、右半分を一部切り取って電極構造の
詳細を示したものである。図において、１３は、絶縁物
製の支持板、１６−１゜１６−２は電極で、円弧状電極
部と！Ｉに直角方向に円弧状電極部より突出した取付脚
部とよりなる。
ＩＪはスペーサ、■８は電極１６ １． １（ｉ ２
へのリード線を兼ねた電極固定用ボルトである。
へのリード線を兼ねた電極固定用ボルトである。
この′電極固定用ボルト１８は下側の２本と＋側の２本
を＝一群として電４ｉ１６ １．１６−２をスペーサ１
７を介して一定間隔に」−側および下側を交＜１． ＋
ｔＣ配置させるものである。なお、前記複数の円弧状電
極部はこの電極部で構成された円筒状空間に石莢反１？
、、・Ｕｌが遊挿出来るような曲率の円弧であること力
・必要である０また、スペーサ１７で決められる電極数
ト１位置はプラズマの発生状況からあらか「；め定めら
れた長さのスペーサ１７によっ−Ｃ調節することにより
、任意に設定することが出来る。第８図の例１寸上部軍
物群の各市ｆＭ１６−１の中間にド部軍極群の各市Ｗ１
６−２が位置するように配ＩＷした例である。
を＝一群として電４ｉ１６ １．１６−２をスペーサ１
７を介して一定間隔に」−側および下側を交＜１． ＋
ｔＣ配置させるものである。なお、前記複数の円弧状電
極部はこの電極部で構成された円筒状空間に石莢反１？
、、・Ｕｌが遊挿出来るような曲率の円弧であること力
・必要である０また、スペーサ１７で決められる電極数
ト１位置はプラズマの発生状況からあらか「；め定めら
れた長さのスペーサ１７によっ−Ｃ調節することにより
、任意に設定することが出来る。第８図の例１寸上部軍
物群の各市ｆＭ１６−１の中間にド部軍極群の各市Ｗ１
６−２が位置するように配ＩＷした例である。
この実施例では′電極群は上下位置すなわち双方の電極
Ｈの対向するｍｉか水平方向をなしているが、これか垂
直方向丑だはり、［め方向の面で対向するよりな電極７
１１：の配置に１でも差支えないことはもちろんである
。
Ｈの対向するｍｉか水平方向をなしているが、これか垂
直方向丑だはり、［め方向の面で対向するよりな電極７
１１：の配置に１でも差支えないことはもちろんである
。
実施例３゜
第１０図ｉｔこの太ｊＨ！１１ｙｌｌの′Ｅ程極部分の
構成図である。この実施例では１ｉｉｌ ＋ｊα実施例
２と同様に各電極＋９−１．１９−２６１円弧状電極部
を持っているか、！’Ｊ ＡＬ２ ”）ｆ：施例２と相
異する点は２群の電極群のうち、少くとも一１１箕はネ
ジＩ！！１１１２０によって設定体１６゛が連わ°じ［
り変出釆ることである。ｔなわちネジ軸２０１７こより
、この−！ＩＹの中の亀憬曲隔は一定Ｑ′こ保だ７Ｌで
いるか、不ジリζ１２０を時計方向もしくは反”’Ｊ’
＋ｉ ｌ’ ／Ｊ向に回転す小ことにより任意の位置
せで矢［４１ｊ、向（（移動することか出来る。こｉｔ
は実際に発生し７ているプラズマの状況を見て最適位置
に調節この実施例では前記の連続可変調節の′電極群は
一方のみで、他方の電極群は前記実施例２の半固定調節
の電極群であるが、双方の電極群をこの実施例の連続ｏ
Ｊ変調節の電極群としても良いことはもちろんである。
構成図である。この実施例では１ｉｉｌ ＋ｊα実施例
２と同様に各電極＋９−１．１９−２６１円弧状電極部
を持っているか、！’Ｊ ＡＬ２ ”）ｆ：施例２と相
異する点は２群の電極群のうち、少くとも一１１箕はネ
ジＩ！！１１１２０によって設定体１６゛が連わ°じ［
り変出釆ることである。ｔなわちネジ軸２０１７こより
、この−！ＩＹの中の亀憬曲隔は一定Ｑ′こ保だ７Ｌで
いるか、不ジリζ１２０を時計方向もしくは反”’Ｊ’
＋ｉ ｌ’ ／Ｊ向に回転す小ことにより任意の位置
せで矢［４１ｊ、向（（移動することか出来る。こｉｔ
は実際に発生し７ているプラズマの状況を見て最適位置
に調節この実施例では前記の連続可変調節の′電極群は
一方のみで、他方の電極群は前記実施例２の半固定調節
の電極群であるが、双方の電極群をこの実施例の連続ｏ
Ｊ変調節の電極群としても良いことはもちろんである。
以にの各実施例から明瞭なように、いずれも電極は石英
反応管ｌ外に設けられているので、従来の欠点であった
電極が不純物発生源となることが防げるはかりでなく、
プラズマが石英反応管１内全般に巨って発生するので、
反応管１の内部空間の利用効率か向上する。また特に実
施例乙の場合は電界分布の微調整が出来るので、プラズ
マ発生状況を最も好ましい状態に維持することが容易で
ある。さらに反ＬＬ、管ｌ内にはプラズマ発生装置が回
もないので、半導体基板３の出し入れ操作が極めて容易
であるなど、実□角上極めて有効である。
反応管ｌ外に設けられているので、従来の欠点であった
電極が不純物発生源となることが防げるはかりでなく、
プラズマが石英反応管１内全般に巨って発生するので、
反応管１の内部空間の利用効率か向上する。また特に実
施例乙の場合は電界分布の微調整が出来るので、プラズ
マ発生状況を最も好ましい状態に維持することが容易で
ある。さらに反ＬＬ、管ｌ内にはプラズマ発生装置が回
もないので、半導体基板３の出し入れ操作が極めて容易
であるなど、実□角上極めて有効である。
＋ １’Ｚｌ １１１１の簡単な説明
Ａ’ｙ ”図および第２図は従来のプラズマ化学気相牛
ＩＪｋ装置に′の反応管部分の構成図である。第６図お
よび第４図は従来の他のプラズマ化学気相生成装置白の
反しト４、・θ、ｉｔ、分の横ＩＡ図である。第５図は
本発明のプラズマ化学気相生成装置の反応管部分の構成
図である。第６図および第７図は本発明の一実施例の屯
惨部分の構成図である。−第８図および第９図は本発明
の他の夫７ｉｎ例の′ｌ１ｔＬ倦部分の構成図である。
ＩＪｋ装置に′の反応管部分の構成図である。第６図お
よび第４図は従来の他のプラズマ化学気相生成装置白の
反しト４、・θ、ｉｔ、分の横ＩＡ図である。第５図は
本発明のプラズマ化学気相生成装置の反応管部分の構成
図である。第６図および第７図は本発明の一実施例の屯
惨部分の構成図である。−第８図および第９図は本発明
の他の夫７ｉｎ例の′ｌ１ｔＬ倦部分の構成図である。
第１０図は本発明のさらに他の実施例の電極）−ＩＳ分
の＋＃ｊ ＩＪ！１！、図である０図において、１２ｆ
１環状′！ｌｌｆ極、１：３は絶縁物製支持板、Ｉ ＝
１ ？：を電極固定用ボルト、１５はスペーサ、１６ｔ
す円弧１ノＳ ”ｉｌＬ作、１７はスペーサ、１８は電
極固定用ポルト、１９は円弧状電極、２０はネジ軸−〇
ある。
の＋＃ｊ ＩＪ！１！、図である０図において、１２ｆ
１環状′！ｌｌｆ極、１：３は絶縁物製支持板、Ｉ ＝
１ ？：を電極固定用ボルト、１５はスペーサ、１６ｔ
す円弧１ノＳ ”ｉｌＬ作、１７はスペーサ、１８は電
極固定用ポルト、１９は円弧状電極、２０はネジ軸−〇
ある。
４、’＋ 、ｆ’ｌ出願人 国際電気株式会社代理人
ブ「理］・山几俊仁
ブ「理］・山几俊仁
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、横形の反応管を有するプラズマによる化学気相生成
装置しこおいて、前記反応管の外周に複数の環状電接が
反応管の管軸方向ｔ−こ並置配列さ１１、これらの環状
′＠ｉ、極は一つおきに電気的に接続されて互に対向す
る２群の電極群となされており、これら２群の電極群間
に高周波電源が接続されて構成されていることを特徴と
する化学気相生成装置のプラズマ発生装置。 ２、横形の反応￥ｆを勺するプラズマによる化学気相生
成装置＆ において、Ｎ’ｌ ＋ｉｒ：茂に、： Ｒの
Ｗ！ｉ！ｌＩＩを含む一つの平面の両側にそれぞれ反Ｌ
６管の外周にそって、かつ４いに電気的に接続されて群
となされた複数の円弧状電極が配置ＪＬ、こ）１ら２群
の電極群間に前周波電源が接続さ才１て（４成され、前
記円弧状電極か反応管のＩＭｈ ））向にｋＩＬｌ史１
で設けられた位置調節手段を介１て１°４；持さ！ｔて
いることを特徴とする化学気相生成装置のプラズマ発生
装置０３、特許請求の範囲第２項記載の化学気相生成装
置のプラズマ発生装置において、前記位置調節手段がス
ペーサによる半固定位置調節装置となされていることを
特徴とする前記装置。 ４、特許請求の範囲第２ ＪＪＪ記載の化学気相生成装
置のプラズマ発生装置において、前記位置調節手段がネ
ジ軸による連続可変位置調節装置となされていることを
特徴とする前記装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8727182A JPS58204526A (ja) | 1982-05-25 | 1982-05-25 | 化学気相生成装置のプラズマ発生装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8727182A JPS58204526A (ja) | 1982-05-25 | 1982-05-25 | 化学気相生成装置のプラズマ発生装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58204526A true JPS58204526A (ja) | 1983-11-29 |
Family
ID=13910095
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8727182A Pending JPS58204526A (ja) | 1982-05-25 | 1982-05-25 | 化学気相生成装置のプラズマ発生装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58204526A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5217560A (en) * | 1991-02-19 | 1993-06-08 | Tokyo Electron Limited | Vertical type processing apparatus |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5756311A (en) * | 1980-09-18 | 1982-04-03 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | Manufacture of film |
-
1982
- 1982-05-25 JP JP8727182A patent/JPS58204526A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5756311A (en) * | 1980-09-18 | 1982-04-03 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | Manufacture of film |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5217560A (en) * | 1991-02-19 | 1993-06-08 | Tokyo Electron Limited | Vertical type processing apparatus |
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