JPH0729888A - プラズマ処理装置 - Google Patents
プラズマ処理装置Info
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- JPH0729888A JPH0729888A JP17312993A JP17312993A JPH0729888A JP H0729888 A JPH0729888 A JP H0729888A JP 17312993 A JP17312993 A JP 17312993A JP 17312993 A JP17312993 A JP 17312993A JP H0729888 A JPH0729888 A JP H0729888A
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- Japan
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- heating element
- high frequency
- earth shield
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- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 プラズマ処理装置の試料支持体に供給される
高周波電力による高周波電界により発熱体導体に過大な
誘導電流が流れるのを防止する。 【構成】 真空容器１は、試料２を保持する試料支持体
３と該試料支持体３を加熱又は保温する発熱体８とを内
装する。試料支持体３と発熱体８の間にはア−スシ−ル
ド１１を設けると共に該アースシールド１１と試料支持
体３の間には絶縁壁１２が設けられる。高周波電源４か
ら試料支持体３に供給される高周波電力によって発生す
る高周波電界はア−スシ−ルド１１により遮断されるの
で発熱体８の導線に高周波誘導電流が発生しない。ま
た、絶縁壁１２は、試料支持体３とアースシールド１１
の間のアーク放電やグロー放電の発生を防止する。
高周波電力による高周波電界により発熱体導体に過大な
誘導電流が流れるのを防止する。 【構成】 真空容器１は、試料２を保持する試料支持体
３と該試料支持体３を加熱又は保温する発熱体８とを内
装する。試料支持体３と発熱体８の間にはア−スシ−ル
ド１１を設けると共に該アースシールド１１と試料支持
体３の間には絶縁壁１２が設けられる。高周波電源４か
ら試料支持体３に供給される高周波電力によって発生す
る高周波電界はア−スシ−ルド１１により遮断されるの
で発熱体８の導線に高周波誘導電流が発生しない。ま
た、絶縁壁１２は、試料支持体３とアースシールド１１
の間のアーク放電やグロー放電の発生を防止する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はプラズマ処理装置に係
り、特に試料表面に薄膜生成，エッチングあるいはスパ
ッタリング等を行うのに好適なプラズマ処理装置に関す
る。
り、特に試料表面に薄膜生成，エッチングあるいはスパ
ッタリング等を行うのに好適なプラズマ処理装置に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】高周波電力が印加される試料支持体と、
これを加熱又は保温する発熱体を備えた従来のプラズマ
処理装置は、例えば特開昭６４−３０２２６号公報に記
載されている。
これを加熱又は保温する発熱体を備えた従来のプラズマ
処理装置は、例えば特開昭６４−３０２２６号公報に記
載されている。
【０００３】従来のこの種のプラズマエッチング装置
は、図５及び図６に示すように、真空容器１内に試料２
を保持する試料支持体３を備える。この試料支持体３は
高周波電力を印加する高周波電源４に接続され、対向電
極５に対向している。真空容器１は排気系６によって１
Torr以下に排気され、ガス導入系７から反応ガスが導入
される。
は、図５及び図６に示すように、真空容器１内に試料２
を保持する試料支持体３を備える。この試料支持体３は
高周波電力を印加する高周波電源４に接続され、対向電
極５に対向している。真空容器１は排気系６によって１
Torr以下に排気され、ガス導入系７から反応ガスが導入
される。
【０００４】試料支持体３は、その内部に加熱又は保温
用の発熱体８及び水冷系９が設けられる。発熱体８は、
数個から数百個の発熱素子を碁盤の目状に均一に配置し
てセラミックス基材に埋設したもので、各発熱素子は独
立して発熱制御可能なようにそれぞれの可変電源１０に
接続して試料支持体３を均一な温度に加熱できるように
される。
用の発熱体８及び水冷系９が設けられる。発熱体８は、
数個から数百個の発熱素子を碁盤の目状に均一に配置し
てセラミックス基材に埋設したもので、各発熱素子は独
立して発熱制御可能なようにそれぞれの可変電源１０に
接続して試料支持体３を均一な温度に加熱できるように
される。
【０００５】このプラズマエッチング装置は、真空容器
１内を排気した後に反応ガスを導入して試料支持体３に
高周波電力を印加すると、真空中の電子が高周波振動し
て反応ガス分子と衝突することで反応ガス分子がイオン
化してプラズマが生成され、このイオンにより試料２が
エッチングされる。
１内を排気した後に反応ガスを導入して試料支持体３に
高周波電力を印加すると、真空中の電子が高周波振動し
て反応ガス分子と衝突することで反応ガス分子がイオン
化してプラズマが生成され、このイオンにより試料２が
エッチングされる。
【０００６】このように発熱体８を内装した試料支持体
３は、試料２を均一に加熱又は保温することができるの
で該試料２のエッチング性能を向上させることができ
る。
３は、試料２を均一に加熱又は保温することができるの
で該試料２のエッチング性能を向上させることができ
る。
【０００７】しかしながら、このプラズマエッチング装
置は、試料支持体３に印加される高周波電力により発生
する高周波電界が発熱体８の導線に作用して該導線に高
周波電圧を誘起する。そしてこの誘起電圧により導線に
流れる高周波電流は、試料支持体３に印加する高周波電
力を大きくするに伴って大きくなり、過大な高周波誘導
電流により該導線が焼損する危険がある。また、試料支
持体３が加熱されると熱伸縮が発生し、その応力によっ
て該試料支持体３が変形又は破損する危険がある。
置は、試料支持体３に印加される高周波電力により発生
する高周波電界が発熱体８の導線に作用して該導線に高
周波電圧を誘起する。そしてこの誘起電圧により導線に
流れる高周波電流は、試料支持体３に印加する高周波電
力を大きくするに伴って大きくなり、過大な高周波誘導
電流により該導線が焼損する危険がある。また、試料支
持体３が加熱されると熱伸縮が発生し、その応力によっ
て該試料支持体３が変形又は破損する危険がある。
【０００８】一方、発熱体を真空容器の外側に設置する
プラズマ処理装置は、試料支持体に印加する高周波電力
により発生する高周波電界が真空容器に遮られて発熱体
の導線に作用しないので、高周波誘導障害を避けること
ができる。しかしながらこのようなプラズマ処理装置
は、発熱体から試料支持体に供給すべき熱が真空容器に
拡散して試料支持体への伝熱効率が悪く、また、装置が
大型化する問題がある。
プラズマ処理装置は、試料支持体に印加する高周波電力
により発生する高周波電界が真空容器に遮られて発熱体
の導線に作用しないので、高周波誘導障害を避けること
ができる。しかしながらこのようなプラズマ処理装置
は、発熱体から試料支持体に供給すべき熱が真空容器に
拡散して試料支持体への伝熱効率が悪く、また、装置が
大型化する問題がある。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】従って本発明の第１の
目的は、試料支持体に印加される高周波電力により該試
料支持体内に設置された発熱体の導線に過大な誘導電流
が流れて該導線が焼損するのを防止することにより、該
試料支持体に印加する高周波電力を大きくすることがで
きるプラズマ処理装置を提供することにある。
目的は、試料支持体に印加される高周波電力により該試
料支持体内に設置された発熱体の導線に過大な誘導電流
が流れて該導線が焼損するのを防止することにより、該
試料支持体に印加する高周波電力を大きくすることがで
きるプラズマ処理装置を提供することにある。
【００１０】また、第２の目的は、前記第１の目的に加
えて、加熱により試料支持体に発生する熱変形応力を緩
和して該試料支持体の破損を防ぎ、試料を一層高温に加
熱できるプラズマ処理装置を提供することにある。
えて、加熱により試料支持体に発生する熱変形応力を緩
和して該試料支持体の破損を防ぎ、試料を一層高温に加
熱できるプラズマ処理装置を提供することにある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明は、試料を保持す
る試料支持体と、該試料支持体を加熱又は保温する発熱
体と、前記試料支持体及び発熱体を収納する真空容器
と、該真空容器内を排気する排気系と、該真空容器内に
反応ガスを導入するガス導入系とを備え、前記試料支持
体に高周波電力を印加するプラズマ処理装置において、
前記試料支持体と発熱体の間にア−スシ−ルドを設ける
と共に該試料支持体とアースシールドの間に絶縁壁を設
けたことを特徴とする。
る試料支持体と、該試料支持体を加熱又は保温する発熱
体と、前記試料支持体及び発熱体を収納する真空容器
と、該真空容器内を排気する排気系と、該真空容器内に
反応ガスを導入するガス導入系とを備え、前記試料支持
体に高周波電力を印加するプラズマ処理装置において、
前記試料支持体と発熱体の間にア−スシ−ルドを設ける
と共に該試料支持体とアースシールドの間に絶縁壁を設
けたことを特徴とする。
【００１２】更に、前記試料支持体は、筒状体の上端部
に弾性体で天板を摺動可能に結合するように挾持したこ
とを特徴とする。
に弾性体で天板を摺動可能に結合するように挾持したこ
とを特徴とする。
【００１３】
【作用】試料支持体から発生する高周波電界はア−スシ
−ルドにより遮断されて発熱体に作用しないので、発熱
体の導線に高周波誘導電流が発生しない。また、試料支
持体とアースシールドの間の絶縁壁は両者間の電位差に
よるアーク放電やグロー放電の発生を防止する。
−ルドにより遮断されて発熱体に作用しないので、発熱
体の導線に高周波誘導電流が発生しない。また、試料支
持体とアースシールドの間の絶縁壁は両者間の電位差に
よるアーク放電やグロー放電の発生を防止する。
【００１４】そして、試料支持体は温度に比例して伸縮
するが、筒状部と天板は摺動可能に結合しているので、
該熱伸縮による応力発生が緩和される。
するが、筒状部と天板は摺動可能に結合しているので、
該熱伸縮による応力発生が緩和される。
【００１５】
【実施例】以下、本発明になるプラズマ処理装置の実施
例を図面を参照して詳細に説明する。
例を図面を参照して詳細に説明する。
【００１６】図１は、本発明の第１の実施例であるプラ
ズマエッチング装置の縦断側面図である。この装置は、
プラズマ処理を行う真空容器１と、該真空容器１内に試
料２を載置するように設けられ、高周波電力が印加され
る中空円柱状の試料支持体３と、前記高周波電力を供給
する高周波電源４と、対向電極５と、真空容器１内を排
気する排気系６と、排気された真空容器１内に反応ガス
を導入するガス導入系７と、前記試料支持体３を加熱す
る円柱状の発熱体８と、真空容器１の下部に配置した水
冷系９と、前記発熱体８に給電する可変電源１０とを備
え、更に、前記発熱体８を間隙を保って包囲するその上
面が金網状あるいは格子状のアースシールド１１と、該
アースシールド１１を間隙を保って包囲する石英ガラス
の絶縁壁１２とを備える特徴を有する。
ズマエッチング装置の縦断側面図である。この装置は、
プラズマ処理を行う真空容器１と、該真空容器１内に試
料２を載置するように設けられ、高周波電力が印加され
る中空円柱状の試料支持体３と、前記高周波電力を供給
する高周波電源４と、対向電極５と、真空容器１内を排
気する排気系６と、排気された真空容器１内に反応ガス
を導入するガス導入系７と、前記試料支持体３を加熱す
る円柱状の発熱体８と、真空容器１の下部に配置した水
冷系９と、前記発熱体８に給電する可変電源１０とを備
え、更に、前記発熱体８を間隙を保って包囲するその上
面が金網状あるいは格子状のアースシールド１１と、該
アースシールド１１を間隙を保って包囲する石英ガラス
の絶縁壁１２とを備える特徴を有する。
【００１７】このプラズマエッチング装置によれば、試
料支持体３に供給された高周波電力により発生する高周
波電界はアースシールド１１に遮られて発熱体８に作用
しなくなるので、該発熱体８に高周波電界に起因する過
大な誘導電流が流れることがなく、導線が焼損するよう
なことがなくなる。また、絶縁壁１２は試料支持体３と
アースシールド１１間にアーク放電やグロー放電が発生
するのを防止する。そして、真空容器１内に位置して真
空状態にされる試料支持体３内は反応ガスが侵入すると
該部にプラズマが発生し易くなるが、絶縁壁１２はこの
プラズマの発生を防止する。従って、試料支持体３に印
加する高周波電力を大きくすることが可能になる。
料支持体３に供給された高周波電力により発生する高周
波電界はアースシールド１１に遮られて発熱体８に作用
しなくなるので、該発熱体８に高周波電界に起因する過
大な誘導電流が流れることがなく、導線が焼損するよう
なことがなくなる。また、絶縁壁１２は試料支持体３と
アースシールド１１間にアーク放電やグロー放電が発生
するのを防止する。そして、真空容器１内に位置して真
空状態にされる試料支持体３内は反応ガスが侵入すると
該部にプラズマが発生し易くなるが、絶縁壁１２はこの
プラズマの発生を防止する。従って、試料支持体３に印
加する高周波電力を大きくすることが可能になる。
【００１８】また、アースシールド１１は、その上面が
金網状あるいは格子状であるので発熱体８から試料支持
体３への伝熱効率の低下を軽減することができる。
金網状あるいは格子状であるので発熱体８から試料支持
体３への伝熱効率の低下を軽減することができる。
【００１９】図２は、本発明の第２の実施例であるプラ
ズマエッチング装置の縦断側面図である。この実施例
は、前記第１の実施例の試料支持体３の構造を更に改良
した装置であり、その他の構成は第１の実施例と同一で
ある。
ズマエッチング装置の縦断側面図である。この実施例
は、前記第１の実施例の試料支持体３の構造を更に改良
した装置であり、その他の構成は第１の実施例と同一で
ある。
【００２０】この実施例における試料支持体３は、円筒
状の電極３ａと円盤状の試料載置用の天板３ｂに分割さ
れ、電極３ａの上端部内側に形成した溝３ｃに天板３ｂ
の外縁を嵌合して複数のＵ字状の板バネ３ｄにより電気
的接続を維持した状態で摺動可能に結合するように挾持
する構成である。天板３ｂの外周端面と溝３ｃの外周底
面との間は、熱伸縮による寸法変化を吸収する間隙が形
成される寸法関係に構成される。
状の電極３ａと円盤状の試料載置用の天板３ｂに分割さ
れ、電極３ａの上端部内側に形成した溝３ｃに天板３ｂ
の外縁を嵌合して複数のＵ字状の板バネ３ｄにより電気
的接続を維持した状態で摺動可能に結合するように挾持
する構成である。天板３ｂの外周端面と溝３ｃの外周底
面との間は、熱伸縮による寸法変化を吸収する間隙が形
成される寸法関係に構成される。
【００２１】このプラズマエッチング装置によれば、前
記第１の実施例と同等な効果が得られると共に試料支持
体３の熱変形により発生する応力を緩和することができ
るので該試料支持体３の破損を防ぐことができ、従っ
て、試料２を一層高温（例えば６００℃以上）に加熱す
ることができる。
記第１の実施例と同等な効果が得られると共に試料支持
体３の熱変形により発生する応力を緩和することができ
るので該試料支持体３の破損を防ぐことができ、従っ
て、試料２を一層高温（例えば６００℃以上）に加熱す
ることができる。
【００２２】図３は、本発明の第３の実施例であるマイ
クロ波プラズマ処理装置の縦断側面図である。この実施
例は、前記第１の実施例における真空容器に対する反応
ガス導入位置を変更して磁界及びマイクロ波供給手段を
設けた装置であって、その他の構成は第１の実施例と同
一である。すなわち、このプラズマ処理装置は、真空容
器内に反応ガスを導入すると共にマイクロ波を導入し、
磁界とこのマイクロ波を電子サイクロトロン共鳴させて
該真空容器内にプラズマを発生させ、このプラズマによ
り反応ガスを化学反応させて加熱された試料上に成膜を
行うと共に試料支持体に高周波電力を印加して該試料を
プラズマエッチングする構成である。
クロ波プラズマ処理装置の縦断側面図である。この実施
例は、前記第１の実施例における真空容器に対する反応
ガス導入位置を変更して磁界及びマイクロ波供給手段を
設けた装置であって、その他の構成は第１の実施例と同
一である。すなわち、このプラズマ処理装置は、真空容
器内に反応ガスを導入すると共にマイクロ波を導入し、
磁界とこのマイクロ波を電子サイクロトロン共鳴させて
該真空容器内にプラズマを発生させ、このプラズマによ
り反応ガスを化学反応させて加熱された試料上に成膜を
行うと共に試料支持体に高周波電力を印加して該試料を
プラズマエッチングする構成である。
【００２３】この実施例における対向電極５は、ガス導
入系７に連通するガス吹き出し通路５ａを備える。ま
た、真空容器１の側壁にはマイクロ波導入窓１３ａを介
して該真空容器１内にマイクロ波を導入するマイクロ波
導波管１３ｂが接続され、更に、処理空間に磁界を供給
する磁界発生用コイル１４が設けられる。
入系７に連通するガス吹き出し通路５ａを備える。ま
た、真空容器１の側壁にはマイクロ波導入窓１３ａを介
して該真空容器１内にマイクロ波を導入するマイクロ波
導波管１３ｂが接続され、更に、処理空間に磁界を供給
する磁界発生用コイル１４が設けられる。
【００２４】このプラズマ処理装置は、真空容器１内を
１Torr以下に排気し、真空容器１内に反応ガスを導入す
ると共にマイクロ波導波管１３ｂからマイクロ波を導入
し、磁界発生用コイル１４による磁界とこのマイクロ波
を電子サイクロトロン共鳴させて該真空容器１内にプラ
ズマを発生させ、このプラズマにより反応ガスを化学反
応させて、発熱体８により加熱された試料２上に成膜を
行なうと共に試料支持体３に高周波電力を印加して試料
２をプラズマエッチングするものである。
１Torr以下に排気し、真空容器１内に反応ガスを導入す
ると共にマイクロ波導波管１３ｂからマイクロ波を導入
し、磁界発生用コイル１４による磁界とこのマイクロ波
を電子サイクロトロン共鳴させて該真空容器１内にプラ
ズマを発生させ、このプラズマにより反応ガスを化学反
応させて、発熱体８により加熱された試料２上に成膜を
行なうと共に試料支持体３に高周波電力を印加して試料
２をプラズマエッチングするものである。
【００２５】このプラズマ処理装置も、前記第１の実施
例と同等な効果が得られる。
例と同等な効果が得られる。
【００２６】図４は、本発明の第４の実施例であるプラ
ズマエッチング装置の縦断側面図である。この実施例
は、前記第１の実施例の試料支持体３と発熱体８とア−
スシ−ルド１１と絶縁壁１２とを一体化して小型化と伝
熱効率を向上するように改良した装置であって、その他
の構成は第１の実施例と同一である。この実施例におけ
る前記試料支持体３と発熱体８とア−スシ−ルド１１と
絶縁壁１２を密に嵌合する寸法に形成されて一体的に組
み合わされているが、成形材を使用して一体的に形成す
るようにしても良い。
ズマエッチング装置の縦断側面図である。この実施例
は、前記第１の実施例の試料支持体３と発熱体８とア−
スシ−ルド１１と絶縁壁１２とを一体化して小型化と伝
熱効率を向上するように改良した装置であって、その他
の構成は第１の実施例と同一である。この実施例におけ
る前記試料支持体３と発熱体８とア−スシ−ルド１１と
絶縁壁１２を密に嵌合する寸法に形成されて一体的に組
み合わされているが、成形材を使用して一体的に形成す
るようにしても良い。
【００２７】この装置は、前記第１の実施例と同等な効
果と共に発熱体８から試料支持体３への伝熱効率が一層
向上し、また、装置を一層小型化できる効果が得られ
る。
果と共に発熱体８から試料支持体３への伝熱効率が一層
向上し、また、装置を一層小型化できる効果が得られ
る。
【００２８】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、発熱体を
高周波電界から隔離できるので該発熱体の導線が過大な
高周波誘導電流により焼損するのを防止することがで
き、従って、試料支持体に印加する高周波電力を大きく
できる。
高周波電界から隔離できるので該発熱体の導線が過大な
高周波誘導電流により焼損するのを防止することがで
き、従って、試料支持体に印加する高周波電力を大きく
できる。
【００２９】また、試料支持体は温度に比例して伸縮す
るが、筒状部と天板は摺動可能に結合しているので、熱
伸縮による応力発生が緩和され、従って試料を一層高温
に加熱することができる。
るが、筒状部と天板は摺動可能に結合しているので、熱
伸縮による応力発生が緩和され、従って試料を一層高温
に加熱することができる。
【図１】本発明の第１の実施例であるプラズマエッチン
グ装置の縦断側面図である。
グ装置の縦断側面図である。
【図２】本発明の第２の実施例であるプラズマエッチン
グ装置の縦断側面図である。
グ装置の縦断側面図である。
【図３】本発明の第３の実施例であるマイクロ波プラズ
マ処理装置の縦断側面図である。
マ処理装置の縦断側面図である。
【図４】本発明の第４の実施例であるプラズマエッチン
グ装置の縦断側面図である。
グ装置の縦断側面図である。
【図５】従来のプラズマエッチング装置の縦断側面図で
ある。
ある。
【図６】従来のプラズマエッチング装置の発熱体の平面
図である。
図である。
１ 真空容器 ３ 試料支持体 ４ 高周波電源 ５ 対向電極 ６ 排気系 ７ ガス導入系 ８ 発熱体 １１ アースシールド １２ 絶縁壁
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 佐藤 淳二 茨城県日立市幸町三丁目１番１号 株式会 社日立製作所日立工場内
Claims (6)
- 【請求項１】 試料を保持する試料支持体と、該試料支
持体を加熱又は保温する発熱体と、前記試料支持体及び
発熱体を収納する真空容器と、該真空容器内を排気する
排気系と、該真空容器内に反応ガスを導入するガス導入
系とを備え、前記試料支持体に高周波電力を印加するプ
ラズマ処理装置において、 前記試料支持体と発熱体の間にア−スシ−ルドを設ける
と共に該試料支持体とアースシールドの間に絶縁壁を設
けたことを特徴とするプラズマ処理装置。 - 【請求項２】 請求項１において、前記ア−スシ−ルド
はその一部又は全部が金網状又は格子状であることを特
徴とするプラズマ処理装置。 - 【請求項３】 請求項１又は２において、前記アースシ
ールドは前記発熱体を包囲し、前記絶縁壁は前記アース
シールドを包囲し、前記試料支持体は前記絶縁壁を包囲
したことを特徴とするプラズマ処理装置。 - 【請求項４】 請求項３において、前記アースシールド
は間隙を保って前記発熱体を包囲し、前記絶縁壁は間隙
を保って前記アースシールドを包囲し、前記試料支持体
は間隙を保って前記絶縁壁を包囲したことを特徴とする
プラズマ処理装置。 - 【請求項５】 請求項３において、前記発熱体とアース
シールドと絶縁壁と試料支持体は一体化されたことを特
徴とするプラズマ処理装置。 - 【請求項６】 試料を保持する試料支持体と、該試料支
持体を加熱又は保温する発熱体と、前記試料支持体及び
発熱体を収納する真空容器と、該真空容器内を排気する
排気系と、該真空容器内に反応ガスを導入するガス導入
系とを備え、前記試料支持体に高周波電力を印加するプ
ラズマ処理装置において、 前記試料支持体と発熱体の間にア−スシ−ルドを設ける
と共に該試料支持体とアースシールドの間に絶縁壁を設
け、前記試料支持体は筒状体の上端部に弾性体で天板を
摺動可能に結合するように挾持したことを特徴とするプ
ラズマ処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17312993A JPH0729888A (ja) | 1993-07-13 | 1993-07-13 | プラズマ処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17312993A JPH0729888A (ja) | 1993-07-13 | 1993-07-13 | プラズマ処理装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0729888A true JPH0729888A (ja) | 1995-01-31 |
Family
ID=15954667
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17312993A Pending JPH0729888A (ja) | 1993-07-13 | 1993-07-13 | プラズマ処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0729888A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1998042012A1 (fr) * | 1997-03-17 | 1998-09-24 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Procede et dispositif permettant le traitement de plasma |
| WO2008038477A1 (fr) * | 2006-09-28 | 2008-04-03 | Covalent Materials Corporation | Chauffage planaire et appareil de traitement thermique de semi-conducteurs comportant le chauffage |
| JP2008243844A (ja) * | 2007-03-23 | 2008-10-09 | Tokyo Electron Ltd | 載置台構造及び処理装置 |
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1993
- 1993-07-13 JP JP17312993A patent/JPH0729888A/ja active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1998042012A1 (fr) * | 1997-03-17 | 1998-09-24 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Procede et dispositif permettant le traitement de plasma |
| US6177646B1 (en) | 1997-03-17 | 2001-01-23 | Matsushita Electric Industrial Co, Ltd. | Method and device for plasma treatment |
| KR100372317B1 (ko) * | 1997-03-17 | 2003-05-16 | 마쯔시다덴기산교 가부시키가이샤 | 플라즈마처리방법및장치 |
| CN1118090C (zh) * | 1997-03-17 | 2003-08-13 | 松下电器产业株式会社 | 等离子体处理方法及装置 |
| WO2008038477A1 (fr) * | 2006-09-28 | 2008-04-03 | Covalent Materials Corporation | Chauffage planaire et appareil de traitement thermique de semi-conducteurs comportant le chauffage |
| JP2008108703A (ja) * | 2006-09-28 | 2008-05-08 | Covalent Materials Corp | 面状ヒータ及びこのヒータを備えた半導体熱処理装置 |
| JP2008243844A (ja) * | 2007-03-23 | 2008-10-09 | Tokyo Electron Ltd | 載置台構造及び処理装置 |
| WO2008123133A1 (ja) * | 2007-03-23 | 2008-10-16 | Tokyo Electron Limited | 載置台構造及びこれを用いた処理装置 |
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