JPS639744B2 - - Google Patents
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- JPS639744B2 JPS639744B2 JP57156459A JP15645982A JPS639744B2 JP S639744 B2 JPS639744 B2 JP S639744B2 JP 57156459 A JP57156459 A JP 57156459A JP 15645982 A JP15645982 A JP 15645982A JP S639744 B2 JPS639744 B2 JP S639744B2
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/50—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明はグロー放電を利用したホツトウオール
形のアモルフアスシリコン膜生成装置（以下生成
装置という）に関するものである。この形式の生
成装置は１回の基板処理枚数が多いため、従来か
ら多く利用されている。
形のアモルフアスシリコン膜生成装置（以下生成
装置という）に関するものである。この形式の生
成装置は１回の基板処理枚数が多いため、従来か
ら多く利用されている。
従来一般に使用されている生成装置は第１図の
ような構造で、石英反応管１の外周からヒータ２
で石英反応管１の内部挿入物が所定温度になるよ
うに加熱する。一方排気ポンプ３で石英反応管１
の内部を減圧するとともに反応ガス導入口４から
反応ガスを導入し、これらの排気量および導入量
の調節によつて石英反応管１の内部を一定圧力の
減圧状態に保持しておく。石英反応管１の内部に
は互に対向する２組の電極群の表面に基板５が係
着してあり、各電極群はリード線６で高周波電源
７に接続されている。互に対向する２組の電極群
の一例は第２図のようなものである。この例では
各電極板８は水平方向に列をなして等間隔に垂直
面に配列してあり、２本の絶縁棒９で保持してあ
る。さらに各電極板は１枚おきにリード線６−
１，６−２で接続して２組の電極群を構成し、こ
のリード線６−１，６−２で高周波電源７に接続
してある。
ような構造で、石英反応管１の外周からヒータ２
で石英反応管１の内部挿入物が所定温度になるよ
うに加熱する。一方排気ポンプ３で石英反応管１
の内部を減圧するとともに反応ガス導入口４から
反応ガスを導入し、これらの排気量および導入量
の調節によつて石英反応管１の内部を一定圧力の
減圧状態に保持しておく。石英反応管１の内部に
は互に対向する２組の電極群の表面に基板５が係
着してあり、各電極群はリード線６で高周波電源
７に接続されている。互に対向する２組の電極群
の一例は第２図のようなものである。この例では
各電極板８は水平方向に列をなして等間隔に垂直
面に配列してあり、２本の絶縁棒９で保持してあ
る。さらに各電極板は１枚おきにリード線６−
１，６−２で接続して２組の電極群を構成し、こ
のリード線６−１，６−２で高周波電源７に接続
してある。
このような生成装置でアモルフアスシリコン膜
の生成を行なうと、基板５や電極板８ばかりでな
く、絶縁棒９にもアモルフアスシリコン膜が生成
してしまう。このことは絶縁物表面に半導体膜が
生成してしまうことである。アモルフアスシリコ
ンはその性質上温度が上昇すると共に抵抗値が下
り、膜厚が厚くなるとさらに抵抗値が下り、印加
した高周波電力がグロー放電領域へ流れるほかに
リーク電流として絶縁物上の半導体膜にも流れて
しまうので、時間の経過とともにグロー放電領域
へ流れる電流が変化して、バツチ間の再現性が悪
くなる。さらにこのグロー放電領域の電流変化は
アモルフアスシリコン膜の生成速度の変化をきた
し、この結果Ｐ層、Ｎ層の生成においてはドーピ
ングレベルの変化を、Ｉ層の生成においては膜質
の変化をもたらしてしまう。このような方法で製
作されたアモルフアスシリコンの太陽電池は変換
効率が悪いという結果になる。またこのような装
置では金属膜をグロー放電を利用して生成するこ
とは全く不可能である。
の生成を行なうと、基板５や電極板８ばかりでな
く、絶縁棒９にもアモルフアスシリコン膜が生成
してしまう。このことは絶縁物表面に半導体膜が
生成してしまうことである。アモルフアスシリコ
ンはその性質上温度が上昇すると共に抵抗値が下
り、膜厚が厚くなるとさらに抵抗値が下り、印加
した高周波電力がグロー放電領域へ流れるほかに
リーク電流として絶縁物上の半導体膜にも流れて
しまうので、時間の経過とともにグロー放電領域
へ流れる電流が変化して、バツチ間の再現性が悪
くなる。さらにこのグロー放電領域の電流変化は
アモルフアスシリコン膜の生成速度の変化をきた
し、この結果Ｐ層、Ｎ層の生成においてはドーピ
ングレベルの変化を、Ｉ層の生成においては膜質
の変化をもたらしてしまう。このような方法で製
作されたアモルフアスシリコンの太陽電池は変換
効率が悪いという結果になる。またこのような装
置では金属膜をグロー放電を利用して生成するこ
とは全く不可能である。
本発明はこのような問題点を解決するためにな
されたもので、半導体膜生成の進度に関係なく一
定のグロー放電の状態を維持出来るとともに金属
膜の生成にも利用出来る生成装置を提供するもの
である。以下図面により詳細に説明する。
されたもので、半導体膜生成の進度に関係なく一
定のグロー放電の状態を維持出来るとともに金属
膜の生成にも利用出来る生成装置を提供するもの
である。以下図面により詳細に説明する。
本発明の生成装置の大要は第１図の場合と同様
であるが、石英反応管１の内部に挿入する電極装
置が新規のものであるので、以下の説明は電極装
置について行なう。第３図および第４図は何れも
本発明の電極装置の外観図である。第３図におい
て１０は電極板で水平に列をなして等間隔にそれ
ぞれ垂直面となるように配列してある。これらの
電極１０はこの電極の列に平行して電極列の上側
および下側に設けられた導体棒１１に１枚おきに
交互に固定されて２組の電極群１０−１，１０−
２を構成している。この上側および下側の導体棒
１１は両端部で電極支持器１２で一定間隔に保持
されている。導体棒１１はそれぞれリード線６で
高周波電源７に接続されていることは第１図と同
じである。
であるが、石英反応管１の内部に挿入する電極装
置が新規のものであるので、以下の説明は電極装
置について行なう。第３図および第４図は何れも
本発明の電極装置の外観図である。第３図におい
て１０は電極板で水平に列をなして等間隔にそれ
ぞれ垂直面となるように配列してある。これらの
電極１０はこの電極の列に平行して電極列の上側
および下側に設けられた導体棒１１に１枚おきに
交互に固定されて２組の電極群１０−１，１０−
２を構成している。この上側および下側の導体棒
１１は両端部で電極支持器１２で一定間隔に保持
されている。導体棒１１はそれぞれリード線６で
高周波電源７に接続されていることは第１図と同
じである。
第４図は各電極板１０の保持が絶縁物の上側電
極保持棒１３および下側電極保持棒１４でそれぞ
れの電極群に属する電極板１０−１，１０−２に
ついて行われているかつ上側電極保持棒１３で保
持された電極板１０−１は下側電極保持棒１４に
は接触してなく、下側電極保持棒１４で保持され
た電極板１０−２は上側電極保持棒１３には接触
していない。これらそれぞれの電極板１０−１，
１０−２はそれぞれで群をなしてリード線６で接
続されて高周波電源７に接続されている。これら
の両電極群の相対位置は前記上側および下側電極
保持棒１３および１４の両端部に設けられた電極
支持器により固定されている。
極保持棒１３および下側電極保持棒１４でそれぞ
れの電極群に属する電極板１０−１，１０−２に
ついて行われているかつ上側電極保持棒１３で保
持された電極板１０−１は下側電極保持棒１４に
は接触してなく、下側電極保持棒１４で保持され
た電極板１０−２は上側電極保持棒１３には接触
していない。これらそれぞれの電極板１０−１，
１０−２はそれぞれで群をなしてリード線６で接
続されて高周波電源７に接続されている。これら
の両電極群の相対位置は前記上側および下側電極
保持棒１３および１４の両端部に設けられた電極
支持器により固定されている。
第５図は第３図および第４図の電極支持器の構
造を示す断面図である。図の１５は下側の導体棒
１１もしくは下側電極保持棒１４の端部に垂直上
向に固定された石英などの絶縁物製の下側支柱
で、上端部は円管状１５−１となつている。１６
は石英などの絶縁物製の上側支柱で上側の導体棒
１１もしくは上側電極保持棒１３の端部に垂直下
向に固定されている。この上側支柱の下端には前
記下側支柱の円管１５−１の中に遊合する中心保
持部１６−１と、この中心保持部１６−１の上側
で少くとも前記下側支柱の円管１５−１の上側ま
でこの円管１５−１の内径より細い支柱部１６−
２と、この支柱部１６−２の上端から前記中心保
持部１６−１の下端までの間の適宜の位置まで前
記下側支柱１５の外周を間隔をおいて被う外とう
管１６−３が設けてある。この下側支柱１５の外
周と外とう管１６−３の内周との間隔は0.5mmな
いし１mm位が好ましい。第５図の１５および１６
で第３図および第４図の電極支持器１２を構成す
るものである。
造を示す断面図である。図の１５は下側の導体棒
１１もしくは下側電極保持棒１４の端部に垂直上
向に固定された石英などの絶縁物製の下側支柱
で、上端部は円管状１５−１となつている。１６
は石英などの絶縁物製の上側支柱で上側の導体棒
１１もしくは上側電極保持棒１３の端部に垂直下
向に固定されている。この上側支柱の下端には前
記下側支柱の円管１５−１の中に遊合する中心保
持部１６−１と、この中心保持部１６−１の上側
で少くとも前記下側支柱の円管１５−１の上側ま
でこの円管１５−１の内径より細い支柱部１６−
２と、この支柱部１６−２の上端から前記中心保
持部１６−１の下端までの間の適宜の位置まで前
記下側支柱１５の外周を間隔をおいて被う外とう
管１６−３が設けてある。この下側支柱１５の外
周と外とう管１６−３の内周との間隔は0.5mmな
いし１mm位が好ましい。第５図の１５および１６
で第３図および第４図の電極支持器１２を構成す
るものである。
このような電極支持器１２を設けた第３図もし
くは第４図の電極装置では基板５および各電極板
１０−１，１０−２以外の絶縁物の部分に半導体
膜もしくは金属膜が生成して導電性を帯びても次
に説明する電極支持器１２で両電極群間の絶縁が
保持されるので、リーク電流が発生することはな
い。
くは第４図の電極装置では基板５および各電極板
１０−１，１０−２以外の絶縁物の部分に半導体
膜もしくは金属膜が生成して導電性を帯びても次
に説明する電極支持器１２で両電極群間の絶縁が
保持されるので、リーク電流が発生することはな
い。
すなわち第５図に示すように下側支柱１５と上
側支柱１６との接触する場所は下側支柱１５の円
管１５−１の内部の底部で上側支柱１６の中心保
持部１６−１との間のみである。この部分から電
極支持器の外部までの間には円管１５−１の内周
と支柱部１６−２との間の間隙および円管１５−
１と外周と外とう管１６−３の内周との間の間隙
が存在する。しかもこれらの間隙は0.5mmないし
１mm位の狭いものであるので、反応ガスがこの間
隙を通して円管１５−１の底部と中心保持部１６
−１との接触部分にまで到達することはなく、こ
の部分に半導体膜もしくは金属膜が生成してリー
ク電流が発生することはない。ただ、外とう管１
６−３の開口部分（下端部）周辺には膜生成が行
われるが、この場合、この部分の間隙の半分まで
膜厚が成長してはじめて下部支柱１５と上部支柱
１６とが電気的に接触することになる。
側支柱１６との接触する場所は下側支柱１５の円
管１５−１の内部の底部で上側支柱１６の中心保
持部１６−１との間のみである。この部分から電
極支持器の外部までの間には円管１５−１の内周
と支柱部１６−２との間の間隙および円管１５−
１と外周と外とう管１６−３の内周との間の間隙
が存在する。しかもこれらの間隙は0.5mmないし
１mm位の狭いものであるので、反応ガスがこの間
隙を通して円管１５−１の底部と中心保持部１６
−１との接触部分にまで到達することはなく、こ
の部分に半導体膜もしくは金属膜が生成してリー
ク電流が発生することはない。ただ、外とう管１
６−３の開口部分（下端部）周辺には膜生成が行
われるが、この場合、この部分の間隙の半分まで
膜厚が成長してはじめて下部支柱１５と上部支柱
１６とが電気的に接触することになる。
したがつて従来のように１回ごとにエツチング
によつて生成した膜を除去する必要がなく、作業
効率が極めて良い。また前記のように多数回使用
した後、エツチングによつて清掃する場合も上側
および下側の電極群は簡単に分離出来るので、清
掃作業も容易であるなど、実用効果は極めて大き
い。
によつて生成した膜を除去する必要がなく、作業
効率が極めて良い。また前記のように多数回使用
した後、エツチングによつて清掃する場合も上側
および下側の電極群は簡単に分離出来るので、清
掃作業も容易であるなど、実用効果は極めて大き
い。
第１図は生成装置の一般的な構成図である。第
２図は従来の装置の電極装置の外観図である。第
３図は本発明の生成装置の電極装置の一実施例の
外観図である。第４図は本発明の生成装置の電極
装置の他の実施例の外観図である。第５図は本発
明の生成装置の電極装置の電極支持器の断面図で
ある。 図において、５は基板、１０−１，１０−２は
電極板、１１は導体棒、１２は電極支持器、１３
は上側電極保持棒、１４は下側電極保持棒であ
る。
２図は従来の装置の電極装置の外観図である。第
３図は本発明の生成装置の電極装置の一実施例の
外観図である。第４図は本発明の生成装置の電極
装置の他の実施例の外観図である。第５図は本発
明の生成装置の電極装置の電極支持器の断面図で
ある。 図において、５は基板、１０−１，１０−２は
電極板、１１は導体棒、１２は電極支持器、１３
は上側電極保持棒、１４は下側電極保持棒であ
る。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ グロー放電によるアモルフアスシリコン膜生
成用ホツトウオール成長装置の電極装置におい
て、水平方向に列をなしかつ互に対向する垂直面
の電極群と、この電極群の上側および下側で前記
電極群を１枚おきに保持する電極保持棒と、この
上側および下側の電極保持棒の両端にそれぞれ電
極支持器と、前記上側および下側の電極保持棒に
より保持された電極板をそれぞれ２つの電極群と
して接続するリード線とよりなり、前記電極支持
器には前記下側電極保持棒から垂直上方に設けら
れかつ先端部分が円管状をなした下側支柱と、前
記上側電極保持棒から垂直下方に設けられかつ先
端が前記下側支柱の先端の円管の内側に遊合する
中心保持部と、この中心保持部の上側で少くとも
前記下側支柱の先端円管の上側までこの円管内径
より細い支柱部と、この支柱部の上端から前記中
心保持部の下面までの間の適宜の長さに前記下側
支柱の外周を間隔をおいて被う外とう管とを具備
したことを特徴とするグロー放電によるアモルフ
アスシリコン膜生成用ホツトウオール成長装置の
電極装置。 ２ 特許請求の範囲第１項記載のグロー放電によ
るアモルフアスシリコン膜生成用ホツトウオール
成長装置の電極装置において、電極保持棒として
導電性材料を使用し、リード線と兼用したことを
特徴とする前記グロー放電によるアモルフアスシ
リコン膜生成用ホツトウオール成長装置の電極装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57156459A JPS5946022A (ja) | 1982-09-08 | 1982-09-08 | グロ−放電によるアモルフアスシリコン膜生成用ホツトウオ−ル成長装置の電極装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57156459A JPS5946022A (ja) | 1982-09-08 | 1982-09-08 | グロ−放電によるアモルフアスシリコン膜生成用ホツトウオ−ル成長装置の電極装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5946022A JPS5946022A (ja) | 1984-03-15 |
| JPS639744B2 true JPS639744B2 (ja) | 1988-03-01 |
Family
ID=15628207
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57156459A Granted JPS5946022A (ja) | 1982-09-08 | 1982-09-08 | グロ−放電によるアモルフアスシリコン膜生成用ホツトウオ−ル成長装置の電極装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5946022A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0561045U (ja) * | 1991-09-20 | 1993-08-10 | オオノ株式会社 | 提げ手付き合成樹脂製網袋 |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4820370A (en) * | 1986-12-12 | 1989-04-11 | Pacific Western Systems, Inc. | Particle shielded R. F. connector for a plasma enhanced chemical vapor processor boat |
| JP2678220B2 (ja) * | 1988-12-27 | 1997-11-17 | 東京エレクトロン株式会社 | 反応管の洗浄方法及びその装置 |
-
1982
- 1982-09-08 JP JP57156459A patent/JPS5946022A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0561045U (ja) * | 1991-09-20 | 1993-08-10 | オオノ株式会社 | 提げ手付き合成樹脂製網袋 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5946022A (ja) | 1984-03-15 |
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