TWI611456B - 頂介電石英片及槽孔天線概念 - Google Patents

Abstract

本說明書中揭露之技術包含用於以電漿腔室中產生的電漿處理基板之裝置。在一實施例中，電漿系統之介電板可包含結構性特徵，其被配置以促進產生均勻之電漿。此類結構性特徵定義出朝向電漿的表面上之表面形狀。此類結構性特徵可包含一組具有近似非線性橫剖面的同心環，且突出至該介電板的表面中。此類結構性特徵可包含特徵深度、寬度、及可沿該同心環改變深度與寬度之週期性圖案。

Description

頂介電石英片及槽孔天線概念 〔相關申請案的交互參照〕

依照美國專利法施行細則(CFR,Code of Federal Regulations)第37篇第1.78條(a)項(4)款之規定，本申請案主張先申請於2014年6月3日之共同審理中之美國臨時專利申請案第62/007,250號的利益及優先權，此專利案之內容藉由參照其整體而併入於本文中。

本揭露內容係關於基板之電漿處理，包含使用電容耦合電漿系統之電漿處理。

在一半導體裝置製程中，電漿處理程序(如蝕刻、濺鍍、化學氣相沉積(CVD,chemical vapor deposition)、諸如此類等)係例行性地實施於待處理的基板上，如：半導體晶圓。在用於執行此類電漿處理程序之電漿處理裝置中，電容耦合平行板電漿處理裝置被廣泛使用。

在一電漿處理裝置中，一對平行板電極(一上部電極與一下部電極)可被置於一腔室中，且處理氣體可被引入該腔室。藉由施加功率(如：微波功率等)於至少一個電極上，高頻電場於電極之間形成，其導致處理氣體之電漿藉 由高頻電場產生。之後，藉由使用或操作該電漿，電漿處理程序執行於晶圓上。用來控制電漿處理程序遍布晶圓的均勻度之技術係極為所需。

本說明書揭露之技術包含一被配置以促進產生均勻電漿之電漿系統的元件。該電漿系統可包含與基板支持座相對之天線、及一可被置於該天線與該基板支持座之間的介電板，但不限於此。在一實例中，該介電板或介電質元件可包含定義表面形狀之結構性特徵，其位於朝向電漿之表面上，促進破壞駐波及/或防止駐波在電漿空間中形成。舉例而言，此類結構性特徵可包含一組具有近似弧形或非矩形橫剖面幾何結構之同心環，且突出至上部電極表面中或至上部電極表面外。該橫剖面的大小、形狀、尺寸、及環之間隔，可被配置或變化以在電漿系統中引起沿介電板及基板支持座之間的部份產生均勻密度的電漿之結果。

一實施例包含針對處理微電子基板之電漿處理裝置。該電漿處理裝置可包含形成處理空間以容納微電子基板之一處理腔室。該處理腔室與一處理氣體供應系統流體連通，其用以供應處理氣體進入處理腔室中。一連接處理腔室之排氣埠的排氣單元，其產生真空狀態以將氣體自處理腔室內排出。一第一電極和/或一第二電極在處理腔室中被配置為互為相對。該第一電極(如：天線)係為一上部電極而該第二電極係為一下部電極。該第二電極可藉由一載置台或基板支持座而被配置以支撐目標基板。一第一功率施加單元可被配置以施加第一功率(如：微波、射頻等)至該第一電極，而第二功率施加單元可被配置以施加 第二功率至該第二電極。介電板可為可固定於或緊鄰該第一電極。該介電板可具有與該第一電極相對之第一表面及可與該第一表面相反之第二表面。該介電板最厚的點之厚度係可小於30mm。該第二表面區域為實質上平面且包含一組可突出進入表面區域之同心凹槽、渠溝、或環。每一個同心凹槽可具有弧形的(或非線性的)橫剖面形狀，且該等同心環藉由一個或多個間隔距離而可對稱地或非對稱地彼此隔開。該等凹槽可包含一非線性橫剖面，且在該第二表面上可具有介於10mm與60mm間之寬度，及自該第二表面進入介電板、介於5mm與25mm間的深度。

該介電板可被併入電漿腔室，其使用多個與沿著該第二表面或突出進入介電板的凹槽尺寸與方向相關之不同的實施例。在一實施例中，該凹槽深度隨著沿形成一週期圖案之凹槽的位置可改變1%或更多。舉例而言，該凹槽深度可沿著該凹槽在相對於該介電板中心點之不同角度而變化。在另一實施例中，該凹槽深度可變化於兩個或多個凹槽間，然而在每一個凹槽內之深度可為相對固定。在另一實施例中，介於兩個或多個凹槽間之間隔距離可沿著環繞該介電板中心的凹槽而相對彼此變化。當該週期性圖案相較於其他凹槽時可為非對稱。另外，該凹槽之週期性圖案於其他實施例中可為對稱，如此一來該週期性圖案相對於彼此具有相同的圖案或圖案頻率，但該凹槽可位於離介電板中心不同距離的位置。在一特定實施例中，該介電板可包含至少兩個環繞介電板中心點之凹槽。第一凹槽可具有10mm的深度而第二凹槽可具有小於或等於25mm的深度。在另一特定實施例中，除了前一個實施例中的前兩個凹槽之外，該介 電板可包含一個或多個額外的凹槽。該額外的凹槽可包含介於10mm至25mm間之深度。再者，該額外的凹槽不須具有相同的深度。

在另一實施例中，該介電板可包括以一環狀方式排列的渠溝，如此一來該渠溝可為連續或非連續環繞該介電板之中心。該渠溝之深度與寬度可如上述凹槽的情形而變化。該渠溝可包含非線性橫剖面幾何結構，但亦可包含一非線性幾何結構及相對線性部分之組合。如此一來，部分渠溝可為平直的，但在該渠溝的表面之間可能缺少銳角或銳緣。

注意本發明內容並非具體指定各個實施例及/或本揭露內容或請求的發明之漸增性新穎態樣。反而，本發明內容只提供相對於習知技術之不同實施例及相應之新穎性特徵的一個初步討論。針對本發明及實施例附加的細節及/或可能的觀點，讀者可參考本揭露內容之實施方式及相應之圖，如以下進一步討論。

100‧‧‧電漿處理裝置

102‧‧‧電漿腔室

104‧‧‧氣體傳輸系統

106‧‧‧電源

108‧‧‧微波電源

109‧‧‧真空系統

110‧‧‧射頻電源

112‧‧‧電漿腔室之橫剖面圖示

114‧‧‧電源組件

116‧‧‧基板支持座

118‧‧‧氣體通道

120‧‧‧基板

122‧‧‧微波波導

124‧‧‧介電質元件

126‧‧‧環狀凹槽

128‧‧‧天線板/天線

200‧‧‧介電質元件之仰視圖

202‧‧‧凹槽

204‧‧‧介電質元件的上表面

206‧‧‧介電質元件之橫剖面側視圖

208‧‧‧介電質元件之立體圖

210‧‧‧第一表面

212‧‧‧第二表面

214‧‧‧介電質元件之深度線

216‧‧‧往外流動之電流

218‧‧‧往內流動之電流

300‧‧‧改變凹槽深度之介電質元件的橫剖面圖

302‧‧‧改變凹槽深度之介電質元件的立體圖

304‧‧‧靠近介電質元件中心之凹槽

306‧‧‧較靠近介電質元件中心之凹槽

400‧‧‧介電質元件中週期性環狀圖案之仰視圖

406‧‧‧週期性凹槽

408‧‧‧內側週期性凹槽

410‧‧‧最大半徑

412‧‧‧最小半徑

500‧‧‧可變深度之凹槽的仰視圖

502‧‧‧可變深度之凹槽的立體圖

504‧‧‧可變深度之凹槽

506‧‧‧可變深度之凹槽之最小深度部分

508‧‧‧可變深度之凹槽之最大深度部分

510‧‧‧內側凹槽

參照以下連同隨附之圖示一併考量之實施方式，對於本發明不同實施例及其隨附的許多優點之更加完整的理解將變得顯而易見。該圖示並不一定按照比例，反而將重點置於繪示該特徵、原則、及概念。

圖1依據本說明書揭露的實施例，係為電漿處理裝置之代表性實施例的示意圖，其包含電漿處理腔室的橫剖面圖。

圖2A-2B繪示該電漿處理腔室中之介電板的一實施例之仰視圖、橫剖面圖、及透視圖。

圖3繪示該電漿處理腔室中之介電板的另一實施例之橫剖面圖及透視圖。

圖4繪示該電漿處理腔室中之介電板的一個週期性圖案實施例之仰視圖。

圖5A-5B繪示針對該電漿處理腔室之介電板中之特徵的可變深度實施例之仰視圖及透視圖。

具體細節在以下敘述中提出，如一處理裝置之特定的幾何結構及此處使用之不同元件及程序之描述。然而應了解，本發明可在背離這些具體細節的其他實施例中被實施，且此類細節係針對說明之目的，而非限制。此處揭露之實施例將參考隨附之圖示來描述。相似地，為了說明之目的，提出特定數字、材料、及結構以提供透徹之了解。然而，實施例無須此類具體細節即可被實施。具有實質上相同的功能結構之元件藉由同樣的參考符號來表示，而重複的描述可被省略。

各種不同的技術將被描述為多個個別的操作，以促進了解各種不同的實施例。描述的順序不應被理解為用以暗示這些操作必須依照順序。確實，這些操作未必依照呈現的順序來實施。所描述之操作能以與所描述實施例不同的順序來實施。在額外的實施例中，可實施各種不同額外的操作及/或可省略所描述的操作。

如此處所使用之「基板」或「目標基板」一般指根據本發明之被處理的物體。該基板可包括任何材料部份或元件結構，特別是半導體或其他電 子元件，且可能，舉例而言，為一基底基板結構，如半導體晶圓；或在基底基板結構之上或上覆於基底基板結構之層，如薄膜。因此，基板並不被侷限於任何特定之基底結構，下覆層或上覆層，已圖案化或未圖案化，但更確切而言，係預期包括任何此類層或基底結構、及任何層和/或基底結構之組合。以下敘述可指涉基板之特定類型，但此僅針對說明性之目的。

此處揭露之技術包含一電漿處理裝置及隨附之結構化以使電漿均勻產生之電極板。該電極板具有一朝向電漿產生空間之表面，且該朝向電漿之表面包含促進電漿均勻度之結構，即使當使用特高頻(VHF,Very High Frequency)射頻(RF,radio frequency)功率來製造電漿。此類表面結構可包含突起的同心環、巢狀迴圈、或其他提供徑向阻隔層之突出構造。來自一組同心環中的每一個環可具有橫剖面高度、橫剖面寬度、及橫剖面形狀，且與相鄰的環間隔開，該每一個環被設計以促進巨觀及微觀之電漿均勻度。

有多個使用不同方法製造電漿之不同的電漿處理裝置。舉例而言，不同的方法可包含感應耦合電漿(ICP,inductively coupled plasma)、放射狀線槽孔天線(RLSA,radial line slot antenna)、及電容耦合電漿(CCP,capacitively coupled plasma)，及其他。為了方便起見，此處呈現之實施例將以放射狀線槽孔天線系統為背景來描述，儘管其他使用電極之方法亦可與各種不同的實施例一起使用。

圖1為一橫剖面圖，顯示根據此處實施例的電漿處理裝置之示意配置圖。圖1中該電漿處理裝置100為一使用在電漿腔室102產生之電漿(未顯示)處理基板之電漿蝕刻裝置。藉由將氣體傳輸系統104提供之氣體離子化，並將該 氣體暴露於由一個或多個電源106(如：微波電源108及/或射頻電源110)提供之電磁能量，可於電漿腔室102中產生電漿。真空系統109亦可於電漿產生期間在電漿腔室102中維持次大氣壓。氣體傳輸系統104可包含質流控制器、止逆閥、及其他用於控制流動氣體進入電漿腔室102中之類似裝置。該真空系統109可包含一或多個泵浦及控制系統(如：N2壓載系統、蝶閥系統)用以控制電漿腔室102中之壓力。

電漿的產生可藉由下列步驟而達成：施加電磁能量至一電中性氣體以使帶負電之電子由氣體分子中釋放，而該氣體分子則因失去電子而帶正電。隨時間經過，該電磁能量及該氣體中電子碰撞的增加可能提高該氣體中離子化分子之密度，如此一來，離子化分子在電漿腔室102中可能受到電位差的影響。舉例而言，電漿腔室102中的該電位差可將該離子化分子(或原子、或自由基)引導至一基板(未顯示於圖中)。該離子化分子可與基板交互作用，或以可移除一部份基板或沉積在基板上的方式處理基板。如此一來，圖案可被蝕刻至基板中。注意此處的技術可與其他如用於電漿清潔、電漿聚合、電漿輔助化學氣相沉積，諸如此類等等之電漿處理裝置一起使用。

橫剖面圖示112可描繪可使微波能量、射頻能量、及氣體傳輸進入基板支持座116鄰近區域之電源組件114的實施例。氣體可沿著氣體通道118，通過電源組件114的中心，被引入鄰近基板支持座116之電漿處理區域。在其他實施例中，氣體可自其他位置被引入電漿腔室102。電漿處理區域亦可接收來自電源組件114之能量以產生電漿，該電漿可用以處理可設置於基板支持座116上之基板120。該能量可包含微波能量及射頻能量之組合，其兩者皆以某種方式由 天線板128所傳輸，天線板128安置於微波波導122及與基板支持座116相對之介電質元件124之間。在此實施例中，天線板128、微波波導122、及介電質元件124可被安置於氣體通道118周圍。如此一來，繪示於氣體通道118每一側的前述元件，可能具有該元件之相同或連續配置。

天線板128可以使電磁能量散佈於電源組件114周圍的方式安置於一平面中，其可與基板支持座116實質上平行。該電磁能量可通過介電質元件124傳輸，且可與置於介電質元件124與基板支持座116之間的氣體交互作用。該氣體與電磁能量間之交互作用可藉介電質元件124的配置而最佳化或變化。舉例而言，藉由電磁能量產生的電漿之均勻度可基於(至少部分)在介電質元件124內或突出自介電質元件124之幾何特徵而變化。在圖1的實施例中，該介電質元件124可包含環狀凹槽126，其可具有非線性橫剖面幾何結構，且以一同心方式排列，具有自介電質元件124的中心起算變化的半徑。電磁能量的的分布亦可受介電質元件124的其他特徵所影響，其可包括厚度、組成、及/或折射的特性，但並不限於此。

在一實施例中，天線128可與微波電源108耦合，其可結合一匹配裝置以將來自處理腔室102之反射最小化。微波電源108可於500W至5000W間及高達5GHz的頻率操作。天線128及介電質元件124可以任何合適的材料組成以承受暴露於微波電源108所提供之電磁能量。在其他實施例中，電源106亦可包含一射頻電源(未顯示)用以替代微波電源108。

在一實施例中，該介電質元件可以石英組成，其亦可承受在電漿腔室102中暴露於電漿及/或用以產生電漿之化學物。在某些實施例中，非石英材 料可被用於介電質元件124，其可具有相同的對電漿/化學物之抗性及導電度，允許來自天線128的電磁能量可用於在電漿腔室102中產生電漿。

圖2A繪示可於電漿腔室102中使用之介電質元件124之實施例的仰視圖200。介電質元件124可被設計為具有同心凹槽突出進入介電質元件124或至介電質元件124表面外。一或多個凹槽202在離介電質元件中心(如：氣體通道118)不同之半徑上可被併入介電質元件124中。在該實施例中具有兩個或更多個凹槽202，該凹槽202可以同心方式排列，且根據需要分布以使能在電漿腔室102中有均勻的處理結果。在圖2A的實施例中，凹槽202可均勻地遍布介電質元件124。然而，在其他實施例中，凹槽202的密度可能會變化，如此一來，凹槽202較高的密集度可出現在靠近介電質元件的邊緣。在該實例中，半徑大於介電質元件124半徑的50%之凹槽的數量可多於半徑小於介電質元件124半徑的50%之凹槽的數量。在一特定實施例中，三個凹槽202可具有大於介電質元件124半徑的至少50%之半徑。舉例而言，當介電質元件124具有150mm之半徑，該三個凹槽202可具有至少75mm以上，150mm以下的半徑。在其他實施例中，凹槽202的密集度在較接近介電質元件124的中心處可較高。舉例而言，在該半徑150mm的實例中，半徑小於75mm之凹槽202會多於半徑大於75mm之凹槽202。

在一特定的實施例中，介電質元件124可包含以同心方式配置環繞介電質元件中心部分的十個凹槽。該十個凹槽202可均勻地遍布介電質元件124之表面。

在繪示於圖2A及圖2B的實施例中，凹槽突出進入介電質元件124，如此一來，凹槽202延伸至介電質元件124的上表面204之下。圖2A實施例 的橫剖面側視圖206及立體圖208繪示於圖2B中。立體圖208圖示意欲闡明顯示於擷取在橫剖面圖206及圖2A中之實施例中的特徵。

在橫剖面側視圖206中，介電質元件124可包含被配置於接近天線128之第一表面210、及可與第一表面210相反且被配置於第一表面及基板支持座116之間的第二表面212。第一表面210與第二表面212間的距離可介於10mm至30mm之間。在某些實施例中，該距離可由第一表面210與第二表面212間最厚的部分量測而得。在圖2B的實施例中，凹槽202可具非線性橫剖面幾何結構，並於第二表面212上具有開孔，且凹槽202延伸進入介電質元件124。非線性幾何結構可包含可自焦點沿中心線(未顯示)所量測的橢圓形圖案，該中心線自凹槽202最深部分朝向第二表面202延伸。舉例而言，該凹槽202橫剖面可自凹槽最深的部分維持一曲率半徑直到該橫剖面線與第二表面212相交。

在一實施例中，凹槽202的開孔可介於10mm至60mm間。該開孔可自緊鄰之橫剖面線與第二表面212之交點量測而得。凹槽202的深度可自第二表面212之平面量測至凹槽202延伸進入介電質元件124最深的部分。凹槽202最深的部分可自沿一平面延伸橫越介電質元件124之深度線214開始量測。凹槽202之深度可在介於5mm至25mm間變化。在該實施例中，遍及介電質元件124之凹槽的深度可為相似或相同。然而，凹槽202在其他實施例中可能不須具有相同的深度。

圖3繪示另一個改變凹槽202深度之介電質元件124的實施例之橫剖面圖300及立體圖302。凹槽202的深度可影響自天線128通過介電質元件124傳輸進入電漿腔室102之電磁能量的量或均勻度。

在一實施例中，凹槽202的深度至少改變最深的凹槽202之1%。凹槽深度可自外緣朝向介電質元件124的中心遞減變化。舉例而言，一個或更多的外側凹槽之第一區域可具有約25mm的深度。較靠近中心之一個或更多的凹槽304之第二區域可具有介於10mm至25mm間的深度，而更靠近中心的一個或更多的凹槽306之第三區域可具有小於10mm的深度。不同的凹槽深度可影響電漿腔室102中電漿之均勻度，如此一來，中心至邊緣的均勻度可依凹槽202的深度及其相對於介電質元件124的中心或邊緣之位置而改變。或者，介電質元件124不須具有三個有著不同深度的區域。舉例而言，可能只存在兩個或更多的凹槽，且在該兩個或更多的凹槽間可只具有兩種不同的深度(如：10mm或25mm)。

在另一個實施例中，凹槽深度在靠近介電質元件124之中心時較大，且隨著凹槽202接近介電質元件124的邊緣而減小。舉例而言，一或多個外側的凹槽之第一區域可具有小於10mm的深度，而可包含一或多個凹槽之第二區域可具有介於10mm至25mm間的深度。

圖4繪示一介電質元件124中的週期性環狀圖案實施例之仰視圖400。與前述圖2A-3的實施例相較之下，凹槽202未必須為一致的同心，且可具一週期性的圖案。當自第二表面觀察，週期性凹槽406可在最小半徑412及最大半徑410之間交替。在一實施例中，週期性凹槽406間最小及最大的點可對齊如圖4所顯示。然而，在其他實施例中，相鄰的週期性凹槽之最小及最大的點可能偏移高達90°。再者，週期性圖案之頻率亦可能與圖4所顯示的不同，且該頻率在不同的週期性凹槽406間亦可能變化。舉例而言，外側的週期性凹槽406可具有與內側週期性凹槽408不同的頻率(未顯示)。

圖5A至5B繪示針對電漿處理裝置100的介電質元件124中之凹槽504而言，可變深度實施例之仰視圖500及立體圖502。概括而言，凹槽202的深度可沿著其長度而變化。在圖5A至5B的實施例中，該深度能以週期性方式變化，其可包含由最小深度部分506朝向最大深度部分508之過渡轉變。由最小深度部分506朝向最大深度部分508間之過渡轉變可依循一波浪狀圖案，其可包含沿凹槽504重複之頻率。其他的凹槽(如：內側凹槽510)亦可具有可變深度，其不一定具相同頻率，且在某些實例中可能與相鄰的凹槽504有不同的最大深度及最小深度。最小深度部分506可變化深度介於5mm及20mm之間，而最大深度部分508可變化深度介於10mm與25mm之間。

在其他實施例中(未顯示)，凹槽202可使用圖4及圖5A-5B之實施例的組合來實施，如此一來，該凹槽可包含與凹槽深度及位置相關、環繞介電質元件之週期性圖案。舉例而言，圖4中之凹槽可能未具有固定之深度，且可如圖5A所顯示而變化。在其他實施例中，凹槽可包含一組合設計，其中該等凹槽的第一部分可具有與該等凹槽另一部份(未顯示)不同的特性。該特性可包括深度、開孔寬度、環繞介電質元件中心之週期性圖案(如：圖4)、或週期性深度圖案(如：圖5A)，但不限於此。舉例而言，較靠近介電質元件邊緣的凹槽可具有較高的變化程度，因其包含未包括於更靠近介電質元件124中心的凹槽中之週期性圖案。在一實施例中，外側的凹槽可包含與圖4及圖5A中的實施例相似之特徵，或兩者之結合，而內側凹槽可包含與繪示於圖2A及圖3中的實施例相似之特徵，或兩者之結合。同樣地，在另一個實施例中，內側凹槽可具有與圖4及圖5A中的實施例相似之特徵，或兩者之結合，而外側凹槽可包含與繪示於圖2A及圖3中的實施例 相似之特徵，或兩者之結合。然而，在某些情況下，於相鄰凹槽間交替凹槽特徵、或使遍布於介電質元件124上之凹槽彼此不同係為樂見的。舉例而言，該交替之凹槽可以一對一的方式改變設計，於此，兩種凹槽設計在遍布於介電質元件124之兩個或更多個凹槽間交替。舉例而言(且非為限制)，於一特定的實施例中，該兩個或更多個凹槽可交替於圖4實施例及圖5A實施例之間。在另一特定實施例中，緊鄰之凹槽(如：至少兩個凹槽)可具有相似的設計，且於相鄰凹槽兩側之凹槽皆可具有至少一個些微不同的設計。舉例而言，該差異可為不同的開孔寬度，但不限於此。然而，該差異可包含任何敘述於圖1-5B之描繪中的實施例之組合。

在某些實施例中，凹槽幾何結構中之變化程度可具有結合凹槽202非線性元素之線性元素。概括而言，該橢圓形圖案可具有一相對平坦區域，其轉變為一具有較大的曲率半徑之非線性區域；此可被稱為渠溝(未顯示)。就如圖1-5B之描繪中所敘述之渠溝深度及開孔寬度而言，渠溝可具有相同或相似的尺寸。然而，該渠溝之橫剖面幾何結構的線性部分可使該渠溝與凹槽202有所區別。

100‧‧‧電漿處理裝置

102‧‧‧電漿腔室

104‧‧‧氣體傳輸系統

106‧‧‧電源

108‧‧‧微波電源

109‧‧‧真空系統

110‧‧‧射頻電源

112‧‧‧電漿腔室之橫剖面圖示

114‧‧‧電源組件

116‧‧‧基板支持座

118‧‧‧氣體通道

120‧‧‧基板

122‧‧‧微波波導

124‧‧‧介電質元件

126‧‧‧環狀凹槽

128‧‧‧天線板/天線

Claims (20)

1. 一種針對微電子基板的電漿處理裝置，包含：一基板支持座，其可承接該微電子基板；一天線，設置為與該基板支持座相對；及一介電質元件，設置於該基板支持座與該天線之間，該介電質元件包含：一第一表面；一第二表面，其相反於第一表面，且相較於第一表面，其距離天線較遠；一小於30mm的厚度；兩個或更多個配置為環繞介電質元件之中心點之同心凹槽；其中該等同心凹槽包含：一非線性橫剖面；介電質元件之第二表面上介於10mm與60mm間之寬度；及自第二表面起算介於5mm與25mm間之深度，其中每一個同心凹槽包含由該等同心凹槽所形成之一週期性圖案，該週期性圖案係在一最小半徑與一最大半徑之間交替，其中該最小半徑及該最大半徑係定義為該介電質元件的中心點與該等同心凹槽的環狀位置之間的距離，且該最小半徑的距離小於該最大半徑的距離。
2. 如申請專利範圍第1項之針對微電子基板的電漿處理裝置，其中每一個同心凹槽形成一圍繞該中心點之連續環。
3. 如申請專利範圍第1項之針對微電子基板的電漿處理裝置，其中至少一個同心凹槽之深度隨著沿該凹槽的位置而改變1%或更多。
4. 如申請專利範圍第1項之針對微電子基板的電漿處理裝置，其中該等同心凹槽包含一週期性圖案，其環繞該中心點而改變凹槽之深度。
5. 如申請專利範圍第1項之針對微電子基板的電漿處理裝置，其中兩個或更多個同心凹槽間之距離隨著沿著凹槽的位置而改變。
6. 如申請專利範圍第1項之針對微電子基板的電漿處理裝置，其中每一個同心凹槽的深度皆互不相同。
7. 如申請專利範圍第1項之針對微電子基板的電漿處理裝置，其中該等同心凹槽包含：一包含小於10mm的第一深度之第一凹槽；及一包含小於25mm的第二深度之第二凹槽。
8. 如申請專利範圍第7項之針對微電子基板的電漿處理裝置，其中該等同心凹槽更包含一第三凹槽，該第三凹槽包含大於該第二深度之第三深度及大於第一凹槽或第二凹槽的圓周之圓周。
9. 一種用以處理基板的介電質元件，包含：一第一表面；一與第一表面相反之第二表面，該第二表面包含以一環狀方式排列之兩個或更多個凹槽，該等凹槽包含：一弧形的橫剖面幾何結構；及一隨著沿著第二表面的距離而改變之凹槽深度，該凹槽深度係小於25mm；一介電質材料，其可使電磁能量自第一表面傳輸至第二表面；及一介於第一表面及第二表面間之距離，該距離包含小於30mm， 其中每一個凹槽包含由該等凹槽所形成之一週期性圖案，該週期性圖案係在一最小半徑與一最大半徑之間交替，其中該最小半徑及該最大半徑係定義為該介電質元件的中心點與該等凹槽的環狀位置之間的距離，且該最小半徑的距離小於該最大半徑的距離。
10. 如申請專利範圍第9項之用以處理基板的介電質元件，其中每一個凹槽的開孔沿著凹槽的環狀位置改變其距離介電質元件的中心點之距離。
11. 如申請專利範圍第9項之用以處理基板的介電質元件，其中該等凹槽包含一最大寬度60mm。
12. 如申請專利範圍第11項之用以處理基板的介電質元件，其中該等凹槽包含一最小寬度10mm。
13. 如申請專利範圍第9項之用以處理基板的介電質元件，其中每一個凹槽的深度係不小於5mm。
14. 如申請專利範圍第9項之用以處理基板的介電質元件，其中該介電質材料包含石英。
15. 如申請專利範圍第9項之用以處理基板的介電質元件，其中該至少兩個凹槽包含：一第一凹槽；及一第二凹槽，其至少一或更多個以下特徵與第一凹槽不同：凹槽深度、寬度、或天線圖案。
16. 一種用以處理基板的介電質元件，包含：一第一表面；一與第一表面相反之第二表面，該第二表面包含以一環狀方式排列之兩個或更多個渠溝，該等渠溝包含： 一包含非線性部分及線性部分之橫剖面；一沿著第二表面之週期性圖案；第二表面上之渠溝開孔寬度，該渠溝開孔寬度包含介於10mm與60mm之間；一可使電磁能量自第一表面傳輸至第二表面之介電材料；一小於30mm的厚度，其中每一個渠溝包含由該等渠溝所形成之一週期性圖案，該週期性圖案係在一最小半徑與一最大半徑之間交替，其中該最小半徑及該最大半徑係定義為該介電質元件的中心點與該等渠溝的環狀位置之間的距離，且該最小半徑的距離小於該最大半徑的距離。
17. 如申請專利範圍第16項之用以處理基板的介電質元件，其中該等渠溝包含一隨著沿著第二表面之距離而變化之渠溝深度，該渠溝深度係小於25mm。
18. 如申請專利範圍第16項之用以處理基板的介電質元件，其中該等渠溝包含：一包含小於10mm的第一深度之第一渠溝；及一包含小於25mm的第二深度之第二渠溝。
19. 如申請專利範圍第18項之用以處理基板的介電質元件，其中該等渠溝更包含一第三渠溝，其包含大於該第二深度之第三深度及大於第一渠溝或第二渠溝的圓周之圓周。
20. 如申請專利範圍第16項之用以處理基板的介電質元件，其中該兩個或更多個渠溝之週期性圖案為對齊。