TWI555445B - Microwave introduction mechanism, microwave plasma source and microwave plasma processing device - Google Patents

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Description

微波導入機構、微波電漿源及微波電漿處理裝置
本發明是有關在進行電漿處理的腔室內導入微波的微波導入機構，利用如此的微波導入機構的微波電漿源，及微波電漿處理裝置。
在半導體裝置或液晶顯示裝置的製造工程中，為了對半導體晶圓或玻璃基板等的被處理基板實施蝕刻處理或成膜處理等的電漿處理，而使用電漿蝕刻裝置或電漿CVD成膜裝置等的電漿處理裝置。
最近，作為如此的電漿處理裝置，有可高密度均一地形成低電子溫度的電漿之RLSA(Radial Line Slot Antenna)微波電漿處理裝置受到注目(例如專利文獻1)。
RLSA微波電漿處理裝置是在腔室的上部設置以預定的圖案形成多數的狹槽的平面天線(Radial Line Slot Antenna)，使由微波產生源引導的微波從平面天線的狹槽放射，且經由設於其下之介電質所構成的微波透過板來放射至被保持於真空的腔室內，藉由此微波電場來使被導入至腔室內的氣體電漿化，藉由如此形成的電漿來處理半導體晶圓等的被處理體。
又，亦有將微波分配成複數，經由具有上述平面天線的複數個天線模組來把微波引導至腔室內，具有在腔室內空間合成微波的微波電漿源之微波電漿處理裝置被提案(專利文獻2)。
此種的微波電漿處理裝置是為了進行負荷(電漿)的阻抗的調諧，需要阻抗整合部(調諧器)。如此的阻抗整合部，有具有複數的芯塊的芯塊調諧器為人所知(專利文獻3等)。
芯塊調諧器是藉由管狀的外部導體及設於外部導體內的內部導體來構成同軸狀的微波傳送路，在外部導體的內面與內部導體的外面之間的間隙內沿著內部導體的長度方向移動自如地設有至少2個的介電質所構成的芯塊，藉由驅動機構來使該等芯塊移動，藉此進行阻抗調諧。藉此可實現小型低損失的調諧器。
[先行技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]　日本特開2007-109457號公報
[專利文獻2]　國際公開第2008/013112號Pamphlet
[專利文獻3]　日本特開2003-347808號公報
可是，如此的微波電漿源一但所投入的微波電力變大，則天線或微波透過板的溫度會因為來自電漿的入熱及微波的損失所產生的熱而變高，會擔心因為該熱影響芯塊調諧器(slug tuner)的芯塊的移動性。
於是，本發明的目的是在於提供一種可抑制熱對芯塊的移動性的影響之微波導入機構、微波電漿源、及微波電漿裝置。
本發明的第1觀點係提供一種微波導入機構，係設於微波傳送路，將微波導入至腔室內的微波導入機構，該微波傳送路係傳送從用以在腔室內形成微波電漿的微波電漿源的微波輸出部輸出的微波，其特徵係具備：天線部，其係具有經由上述微波傳送路來將微波放射至上述腔室內的平面天線；調諧器，其係設於上述微波傳送路，調整上述微波傳送路的阻抗；及放熱機構，其係用以將上述天線部的熱放熱，上述調諧器係具有：本體，其係具有形成筒狀的外側導體及同軸地設於其中形成筒狀的內側導體，成為微波傳送路的一部分；芯塊，其係設於上述外側導體與上述內側導體之間，可沿著內側導體的長度方向移動，形成環狀，由介電質所構成；及驅動機構，其係使上述芯塊移動，又，上述放熱機構係具有：熱管，其係具有入熱端及放熱端，上述入熱端係位於上述天線部，將上述天線部的熱從上述入熱端往上述放熱端輸送；及放熱部，其係設於上述熱管的上述放熱端，將上述放熱端的熱放熱。
在上述第1觀點中，上述熱管係設於上述內側導體內為理想。又，上述放熱部係由散熱片或冷卻構件所構成為理想。
又，上述驅動機構可具有：給予驅動力的驅動部、及將來自驅動部的驅動力傳達至上述芯塊的驅動傳達部、及引導上述芯塊的移動的驅動引導部、及將上述芯塊保持於上述驅動傳達部的保持部，上述驅動傳達部、上述驅動引導部、及上述保持部會被收容於上述內側導體的內部。
此情況，上述驅動機構可具有：滑動構件，其係被嵌入上述芯塊的內部，在接觸於上述內側導體的內周的狀態下滑移於上述內側導體的內部，具有螺孔；及芯塊移動軸，其係於上述內側導體的內部沿著長度方向設置，由被螺合於上述芯塊的上述滑動構件的螺孔的螺棒所構成，藉由上述芯塊移動軸及上述滑動構件來構成由螺合機構所形成的驅動傳達部，藉由上述滑動構件及上述內側導體的內周面來構成由滑動引導機構所形成的驅動引導部，上述滑動構件會構成上述保持部，上述驅動部係具有使上述芯塊移動軸旋轉的馬達，藉由上述馬達來使上述芯塊移動軸旋轉，藉此被保持於上述滑動構件的上述芯塊會在上述滑動構件被滑動引導於上述內側導體的內周的狀態下被驅動。
上述滑動構件係由具有滑動性的樹脂所構成為理想。
上述滑動構件可對上述芯塊藉由固定用螺絲來固定。
上述滑動構件的螺孔係在對應於藉由上述固定用螺絲來固定的部位之部分未形成有螺紋為理想。
上述滑動構件係於其兩端部的外周具有壓入用突起，藉由壓入來固定於上述芯塊，上述滑動構件的螺孔係在對應於上述壓入用突起的部分未形成有螺紋為理想。
上述熱管係設成在上述內側導體的內部插通上述滑動構件為理想。
若根據本發明的第2觀點，則提供一種微波電漿源，係具有：輸出微波的微波輸出部、傳送所被輸出的微波的微波傳送路、及設於上述微波傳送路將所被傳送的微波導入腔室內的微波導入機構，在上述腔室內導入微波而使被供給至上述腔室內的氣體電漿化，其特徵為：上述微波導入機構係具備：天線部，其係具有經由上述微波傳送路來將微波放射至上述腔室內的平面天線；調諧器，其係設於上述微波傳送路，調整上述微波傳送路的阻抗；及放熱機構，其係用以將上述天線部的熱放熱，上述調諧器係具有：本體，其係具有形成筒狀的外側導體及同軸地設於其中形成筒狀的內側導體，成為微波傳送路的一部分；芯塊，其係設於上述外側導體與上述內側導體之間，可沿著內側導體的長度方向移動，形成環狀，由介電質所構成；及驅動機構，其係使上述芯塊移動，又，上述放熱機構係具有：熱管，其係具有入熱端及放熱端，上述入熱端係位於上述天線部，將上述天線部的熱從上述入熱端往上述放熱端輸送；及放熱部，其係設於上述熱管的上述放熱端，將上述放熱端的熱放熱。
若根據本發明的第3觀點，則提供一種微波電漿處理裝置，係具備：腔室，其係收容被處理基板；氣體供給機構，其係於上述腔室內供給氣體；微波電漿源，其係具有：生成微波的微波生成機構、將所被輸出的微波傳送的微波傳送路、及設於上述微波傳送路將所被傳送的微波導入腔室內的微波導入機構，在上述腔室內導入微波而使被供給至上述腔室內的氣體電漿化，藉由電漿來對上述腔室內的被處理基板實施處理之微波電漿處理裝置，其特徵為：上述微波導入機構係具備：天線部，其係具有經由上述微波傳送路來將微波放射至上述腔室內的平面天線；調諧器，其係設於上述微波傳送路，調整上述微波傳送路的阻抗；及放熱機構，其係用以將上述天線部的熱放熱，上述調諧器係具有：本體，其係具有形成筒狀的外側導體及同軸地設於其中形成筒狀的內側導體，成為微波傳送路的一部分；芯塊，其係設於上述外側導體與上述內側導體之間，可沿著內側導體的長度方向移動，形成環狀，由介電質所構成；及驅動機構，其係使上述芯塊移動，又，上述放熱機構係具有：熱管，其係具有入熱端及放熱端，上述入熱端係位於上述天線部，將上述天線部的熱從上述入熱端往上述放熱端輸送；及放熱部，其係設於上述熱管的上述放熱端，將上述放熱端的熱放熱。
以下，參照附圖來詳細說明有關本發明的實施形態。圖1是表示搭載具有本發明之一實施形態的微波導入機構的微波電漿源之電漿處理裝置的概略構成的剖面圖，圖2是表示圖1的微波電漿源的構成的構成圖。
電漿處理裝置100是構成為對晶圓實施電漿處理例如蝕刻處理的電漿蝕刻裝置，具有：構成氣密，由鋁或不鏽鋼等的金屬材料所構成之大致圓筒狀被接地的腔室1、及用以在腔室1內形成微波電漿的微波電漿源2。在腔室1的上部形成有開口部1a，微波電漿源2是設成由此開口部1a來面臨腔室1的內部。
在腔室1內，用以支撐被處理體的晶圓W的基座11是在腔室1的底部中央藉由隔著絕緣構件12a所立設的筒狀的支撐構件12來支撐的狀態下設置。構成基座11及支撐構件12的材料是例如表面施以防蝕鋁處理(陽極氧化處理)的鋁等。
又，雖未圖示，但實際在基座11設有用以靜電吸附晶圓W的靜電吸盤、溫度控制機構、對晶圓W的背面供給熱傳達用的氣體的氣體流路、及為了搬送晶圓W而昇降的昇降銷等。而且，在基座11是經由整合器13來電性連接高頻偏壓電源14。由此高頻偏壓電源14來對基座11供給高頻電力，藉此在晶圓W側引入電漿中的離子。
在腔室1的底部連接排氣管15，在此排氣管15連接包含真空泵的排氣裝置16。然後，藉由使此排氣裝置16作動來將腔室1內排氣，腔室1內可高速減壓至預定的真空度。並且，在腔室1的側壁設有：用以進行晶圓W的搬出入的搬出入口17、及開閉此搬出入口17的閘閥18。
在腔室1內的基座11的上方位置，水平地設有將電漿蝕刻用的處理氣體朝晶圓W吐出的淋浴板20。此淋浴板20是具有：形成格子狀的氣體流路21、及形成於此氣體流路21的多數個氣體吐出孔22，格子狀的氣體流路21之間是形成空間部23。此淋浴板20的氣體流路21是連接延伸至腔室1的外側的配管24，此配管24是連接處理氣體供給源25。
另一方面，在腔室1的淋浴板20的上方位置，環狀的電漿生成氣體導入構件26會沿著腔室壁而設，在此電漿生成氣體導入構件26內周設有多數的氣體吐出孔。此電漿生成氣體導入構件26是經由配管28來連接供給電漿生成氣體的電漿生成氣體供給源27。適用Ar氣體等作為電漿生成氣體。
從電漿生成氣體導入構件26導入至腔室1內的電漿生成氣體是藉由從微波電漿源2導入至腔室1內的微波來電漿化，如此被生成的電漿例如Ar電漿會通過淋浴板20的空間部23，使從淋浴板20的氣體吐出孔22吐出的處理氣體激發，生成處理氣體的電漿。
微波電漿源2是藉由被設於腔室1的上部的支撐環29所支撐，該等之間是被氣密密封。如圖2所示，微波電漿源2是具有：分配成複數路徑來輸出微波的微波輸出部30、及用以將微波引導至腔室1的微波導入部40、及將從微波輸出部30輸出的微波供給至微波導入部40的微波供給部50。從微波輸出部30輸出的微波是被傳送於微波傳送路而經由微波供給部50及微波導入部40來導入至腔室1內。
微波輸出部30是具有：電源部31、微波振盪器32、放大所被振盪的微波的放大器33、及將所被放大的微波分配成複數的分配器34。
微波振盪器32是使預定頻率(例如、2.45GHz)的微波例如PLL振盪。在分配器34是以儘可能不會發生微波的損失之方式，一邊取輸入側及輸出側的阻抗整合，一邊分配在放大器33所被放大的微波。另外，微波的頻率，除了2.45GHz以外，可使用8.35GHz、5.8GHz、1.98GHz等。
微波供給部50是具有主要放大在分配器34所分配的微波之複數的放大器部42。放大器部42是具有：相位器45、可變增益放大器46、構成固態放大器的主放大器47、及隔離器48。
相位器45是構成可藉由芯塊調諧器來使微波的相位變化，可藉由調整此來使放射特性調變。例如按各天線模組來調整相位，藉此控制指向性來使電漿分布變化，或如後述般在相鄰的天線模組中各90°錯開相位，而可取得圓偏波。並且，相位器45可調整放大器內的零件間的延遲特性，以在調諧器內的空間合成作為目使用。但，當不需要如此的放射特性的調變或放大器內的零件間的延遲特性的調整時，不需要設置相位器45。
可變增益放大器46是用以調整輸入至主放大器47的微波的電力位準，調整各個天線模組的偏差或調整電漿強度的放大器。藉由使可變增益放大器46按各天線模組變化，亦可使分布產生於所發生的電漿。
構成固態放大器的主放大器47是例如可構成具有輸入整合電路、半導體放大元件、輸出整合電路、及高Q共振電路。
隔離器48是將在微波導入部40反射而朝主放大器47的反射微波予以分離者，具有循環器及虛擬負載(同軸終端器)。循環器是將在後述的天線部80反射的微波引導至虛擬負載，虛擬負載是將藉由循環器所引導的反射微波變換成熱。
微波導入部40是如圖2所示具有複數的微波導入機構41。而且，在各微波導入機構41是分別從2個的放大器部42供給微波電力，各微波導入機構41會將該等合成而放射至腔室1內。
圖3是表示微波導入機構41的剖面圖。如圖3所示，微波導入機構41是具有調諧器60及天線部80，該等會被一體構成。又，微波導入機構41更具有用以將天線部80的熱予以放熱的放熱機構90。調諧器60是調整微波傳送路的阻抗，而使腔室1內的負荷(電漿)的阻抗整合成微波輸出部30的微波電源的特性阻抗者，具有形成筒狀的外側導體52及在外側導體52之中同軸地設置形成筒狀的內側導體53，且具有成為微波傳送路的一部分的本體51。而且，本體51的基端側會成為給電‧電力合成部54。又，調諧器60具有設於給電‧電力合成部54之上的芯塊驅動部70。
給電‧電力合成部54是具有設於外側導體52的側面之用以導入微波電力的2個微波電力導入口55。在微波電力導入口55連接用以供給從放大器部42放大的微波之同軸線路56。而且，在同軸線路56的內側導體57的前端連接有朝本體51的外側導體52的內部水平延伸的給電天線58。給電天線58是藉由石英等的介電質所構成的介電質構件59a，59b來夾持其上下。然後從2個的給電天線58放射微波(電磁波)，藉此在外側導體52與內側導體53之間的空間給電，且由2個的給電天線58所放射的微波電力會被合成。然後，在給電‧電力合成部54所被空間合成的微波電力會朝天線部80傳播。
在本體51的給電‧電力合成部54的天線部80側(下方側)，由介電質所構成，形成圓環狀的2個芯塊61a，61b會被設成可在外側導體52與內側導體53之間移動於上下。該等芯塊之中，芯塊61a是設於芯塊驅動部70側，芯塊61b是設於天線部80側。並且，在內側導體53的內部空間，沿著其長度方向(鉛直方向)設有芯塊移動用的2根芯塊移動軸64a，64b，該等是例如由形成有梯形螺紋的螺棒所構成。
在芯塊61a，61b的內側嵌入固定有由具有滑動性的樹脂所構成的滑動構件63。如圖4所示，在被嵌入至芯塊61a的滑動構件63設有螺合芯塊移動軸64a的螺孔65a及插通芯塊移動軸64b的通孔65b。另一方面，在被嵌入至芯塊61b的滑動構件63也同樣設有螺孔65a及通孔65b。但，被嵌入至芯塊61b的滑動構件63是與被嵌入至芯塊61a的滑動構件63相反，螺孔65a是被螺合於芯塊移動軸64b，在通孔65b是插通芯塊移動軸64a。藉此，藉由使芯塊移動軸64a旋轉，芯塊61a會昇降移動，藉由使芯塊移動軸64b旋轉，芯塊61b會昇降移動。亦即，芯塊61a，61b會藉由芯塊移動軸64a，64b及滑動構件63所構成的螺合機構來昇降移動。
如圖4及圖5所示，在內側導體53沿著長度方向等間隔形成有3個的狹縫53a。滑動構件63是以能夠對應於該等狹縫53a的方式等間隔設有3個的突出部63a。而且，在該等突出部63a抵接於芯塊61a，61b的內周之狀態下，滑動構件63會被嵌入固定於芯塊61a，61b的內部。滑動構件63的外周面是形成與內側導體53的內周面無間隙接觸，藉由芯塊移動軸64a，64b被旋轉，滑動構件63會滑動於內側導體53而昇降。亦即內側導體53的內周面具有作為芯塊61a，61b的滑動引導之機能。另外，狹縫53a的寬度是5mm以下為理想。藉此，可實質上消除如後述般往內側導體53的內部漏洩的微波電力，可高度維持微波電力的放射效率。
構成滑動構件63的樹脂材料是具有良好的滑動性，加工比較容易的樹脂，例如可舉聚苯硫醚(PPS)樹脂(商品名：BEAREE AS5000(NTN股份有限公司製))為合適者。
如圖3所示，在本體51的上部，以能夠遮蔽上部開口的方式設有遮蔽板66。而且，芯塊移動軸64a，64b是貫通此遮蔽板66及後述的放熱機構90的放熱部92來延伸至芯塊驅動部70。在芯塊移動軸64a，64b與遮蔽板66之間設有軸承(未圖示)。並且，在內側導體53的下端設有由導體所構成的底板67。芯塊移動軸64a，64b的下端，為了吸收驅動時的振動，通常是形成開放端，離該等芯塊移動軸64a，64b的下端，2～5mm程度，設置底板67。另外，亦可使底板67具有作為支撐芯塊移動軸64a，64b的軸承構件之機能。
芯塊驅動部70是具有框體71，芯塊移動軸64a及64b是延伸於框體71內，在芯塊移動軸64a及64b的上端分別安裝有齒輪72a及72b。並且，在芯塊驅動部70設有：使芯塊移動軸64a旋轉的馬達73a、及使芯塊移動軸64b旋轉的馬達73b。在馬達73a的軸安裝有齒輪74a，在馬達73b的軸安裝有齒輪74b，齒輪74a會咬合於齒輪72a，齒輪74b會咬合於齒輪72b。因此，芯塊移動軸64a會利用馬達73a經由齒輪74a及72a來旋轉，芯塊移動軸64b會利用馬達73b經由齒輪74b及72b來旋轉。另外，馬達73a，73b是例如步進馬達。
另外，芯塊移動軸64b是比芯塊移動軸64a更長，到達更上方，因此齒輪72a及72b的位置會上下偏置，馬達73a及73b也會上下偏置。藉此，可縮小馬達及齒輪等的動力傳達機構的空間，可使收容該等的框體71與外側導體52形成同徑。
在馬達73a及73b之上，以能夠直接連結至該等的輸出軸之方式，分別設有用以檢測出芯塊61a及61b的位置之增量型的編碼器75a及75b。
增量型的編碼器是通常只可檢測與移動方向相對的位置關係，但在本實施形態是藉此掌握絕對的位置。其程序是以下那樣者。
首先，使芯塊移動軸64a慢慢地旋轉而使芯塊61a以一定速度邊看編碼器75a的計數器邊移動。一旦芯塊61a到達機械限動器(mechanical stop)(未圖示)，則馬達73a會脫調、停止。停止是可藉由編碼器75a的計數不變化來檢測得知，以該時的芯塊61a的位置、或從此偏移預定脈衝分的位置作為原點。以此原點位置作為基準計數來自原點的脈衝數，藉此可檢測得知芯塊61a的絕對的位置。芯塊61b亦可同樣藉由掌握原點來檢測得知絕對的位置。藉此不需要位置檢測用的感測器。
芯塊61a及61b的位置是藉由芯塊控制器68來控制。具體而言，芯塊控制器68會根據藉由未圖示的阻抗檢測器所檢測出的輸入端的阻抗值、及藉由編碼器75a及75b所檢測得知的芯塊61a及61b的位置資訊來傳送控制信號至馬達73a及73b，控制芯塊61a及61b的位置，藉此調整阻抗。芯塊控制器68是以終端例如形成50Ω的方式使實行阻抗整合。若只使2個芯塊的其中一方作動，則描繪通過史密斯圖的原點的軌跡，若雙方同時作動，則僅相位會旋轉。
另外，當芯塊移動軸64a，64b具有梯形螺紋時，恐有因反衝而芯塊61a及61b的位置精度降低之虞，但如此的情況，只要例如藉由線圈彈簧來賦予芯塊61a及61b彈壓力，便可解除反衝的影響。
天線部80是具有平面天線81，該平面天線81是具有作為微波放射天線的機能之形成平面狀的狹槽81a。並且，天線部80是具有：設於平面天線81的上面之漫波材82、及設於平面天線81的更前端側之真空密封用的介電質構件，例如由石英或陶瓷等所構成的頂板83。在漫波材82的中心是由導體所構成的圓柱構件82a會貫通而連接底板67及平面天線81。因此，內側導體53會經由底板67及圓柱構件82a來連接至平面天線81。另外，構成調諧器60的本體51之外側導體52的下端是延伸至平面天線81，漫波材82的周圍是以外側導體52所覆蓋。並且，平面天線81及頂板83的周圍是以被覆導體84所覆蓋。
漫波材82是具有比真空更大的介電常數，例如藉由石英、陶瓷、聚四氟乙烯等的氟系樹脂或聚醯亞胺系樹脂所構成，由於在真空中微波的波長會變長，所以具有使微波的波長變短，縮小天線的機能。漫波材82是可藉由其厚度來調整微波的相位，以平面天線81不會形成駐波的「腹」之方式調整其厚度。藉此，可形成反射最小，平面天線81的放射能量最大。
而且，在主放大器47所被放大的微波會通過內側導體53與外側導體52的周壁之間，從平面天線81的狹槽81a透過頂板83來放射至腔室1內的空間。狹槽81a是如圖6所示般扇形者為理想，設置圖示的2個、或4個為理想。藉此，可使微波以TEM模式來有效率地傳達。
在本實施形態中，主放大器47、調諧器60及平面天線81是接近配置。而且，調諧器60與平面天線81是構成存在於1/2波長內的集中定數型迴路(lumped constant circuit)，且平面天線81、漫波材82、頂板83是合成電阻被設定成50Ω，因此調諧器60對電漿負荷直接調諧，可效率佳地往電漿傳達能量。
放熱機構90是具有使天線部80的熱放熱的機能，如圖3、4所示般，在調諧器60的內側導體53的內部，具有沿著其長度方向設成直線狀的2根熱管91、及使熱管91從天線部80奪取的熱放熱的放熱部92。
放熱部92是設於遮蔽板66的上側，例如由散熱片所構成。散熱片亦可內藏風扇。又，放熱部92亦可以冷卻構件所構成，該冷卻構件是以能夠循環冷卻水等冷卻媒體的方式構成。
熱管91是一端位於天線部80，另一端貫通遮蔽板66而到達放熱部92的內部，具有將天線部80的熱往放熱部92輸送的機能。就本實施形態而言，熱管91的一端是貫通底板67而到達設於漫波材82的中心之圓柱構件82a的內部。而且，熱管91的天線部80側的一端會成為入熱端，放熱部92側的另一端會成為放熱端。
如圖7所示，熱管91是具有：容器94，其係作為閉塞兩端之筒狀的金屬例如銅或銅合金所構成的外殻構件；及芯95，其係設於其內周壁之多孔質構件或網狀構件所構成的芯95，具有其中被充填水等的作動液的密閉構造。
芯95是具有利用毛細管現象來使作動液移動的機能。熱管91是具有利用被充填於內部的作動液的蒸發現象及凝縮現象來容易從一端到另一端輸送大量的熱之機能。具體而言，在藉由來自電漿的入熱及微波的損失而形成高溫的天線部80所配置的入熱端，作動液會藉由來自天線部80的入熱而蒸發，成為蒸氣流，往被配置於放熱部92的放熱端高速移動，蒸氣流的熱會在放熱端與放熱部92熱交換，蒸氣流會被冷卻而成為凝縮液。凝縮液是藉由芯95的毛細管現象來回到入熱端。
如圖4所示，在上述滑動構件63形成有插通熱管91的2個插通孔93。插通孔93是具有熱管91不會接觸程度的大小的直徑。但，亦可形成熱管91與插通孔93的內周不會有間隙地接觸，此情況，可使熱管91具有作為滑動構件63的引導構件之機能。
如圖8~10所示，滑動構件63是藉由固定用螺絲120來固定於芯塊61a。對芯塊61b亦同樣藉由固定用螺絲120來固定。固定用螺絲120是陶瓷或樹脂等的介電質，較理想是與芯塊61a(61b)同組成的材料所構成，如圖8所示，在對應於3個突出部63a的位置設置3根。如圖9所示，此固定用螺絲120是在對應於芯塊61a的突出部63a的位置螺合於設成從外側往內側貫通的螺孔121，藉由鎖緊3個的固定用螺絲120，該等的前端會抵接於滑動構件63，滑動構件63會被均等地固定。藉此，即使芯塊61a受到熱的影響，還是可確實地保持滑動構件63。固定用螺絲120是以不會接觸於外側導體52的方式，設成其頭部會形成比芯塊61a(61b)的外周面更裡面的位置。另外，在圖8方便起見，省略滑動構件63內部的構造。
此情況，若在螺孔65a全部形成有螺紋(螺峰及螺溝)，則當受到熱的影響時，芯塊移動軸64a的旋轉會因為固定用螺絲120的鎖緊部分的施壓而受阻，恐有芯塊61a不動之虞。為了防止如此的情形，如圖9所示，不在對應於以螺孔65a的固定用螺絲120所固定的部位之部分132(包括包含3根固定用螺絲120的軸的平面與螺孔65a交叉的部分，受到固定用螺絲120的鎖緊影響的部分)形成螺紋，在其他的部分131形成螺紋為理想。
並且，藉由如此利用固定用螺絲120來固定滑動構件63，即使因為熱變形等，如圖10所示，在滑動構件63與芯塊61a之間形成間隙122，還是可藉由螺絲來確實地固定滑動構件63與芯塊61a。
又，滑動構件63亦可藉由壓入來固定於芯塊61a(61b)。此情況，如圖11所示，在滑動構件63的突出部63a的軸方向兩端部設置壓入用突起63b，對滑動構件63施加推入壓力來壓入芯塊61a內。藉此，滑動構件63會藉由從壓入用突起63b來加諸於芯塊61a的內面的壓力而被固定。
此情況，若在螺孔65a全部形成有螺紋(螺峰及螺溝)，則當受到熱的影響時，螺孔65a會因為被壓入的滑動構件63的壓入用突起63b的施壓而變形，恐有造成芯塊移動軸64a的旋轉被阻止而芯塊61a不動之虞。為了防止如此的情形，如圖11所示，不在對應於螺孔65a的壓入用突起63b的兩端部142形成螺紋，在其他的部分141形成螺紋為理想。
電漿處理裝置100的各構成部是可藉由具備微處理器的控制部110來控制。控制部110是具備記憶電漿處理裝置100的製程順序及控制參數的製程處方之記憶部、輸入手段及顯示器等，可按照所被選擇的製程處方來控制電漿處理裝置。
其次，說明有關以上那樣構成的電漿處理裝置100的動作。
首先，將晶圓W搬入腔室1內，載置於基座11上。然後，一面從電漿生成氣體供給源27經由配管28及電漿生成氣體導入構件26來導入電漿生成氣體例如Ar氣體至腔室1內，一面從微波電漿源2導入微波至腔室1內，而生成電漿。
如此生成電漿後，處理氣體例如Cl2氣體等的蝕刻氣體會從處理氣體供給源25經由配管24及淋浴板20來吐出至腔室1內。所被吐出的處理氣體會藉由通過淋浴板20的空間部23的電漿來激發而電漿化或自由基化，藉由此處理氣體的電漿或自由基來對晶圓W實施電漿處理，例如蝕刻處理。
在生成上述微波電漿時，就微波電漿源2而言，由微波輸出部30的微波振盪器32所被振盪的微波是在放大器33被放大後，藉由分配器34來分配成複數，所被分配的微波是經由微波供給部50來引導至微波導入部40。構成微波導入部40的各微波導入機構41為了取得充分的輸出，從2個放大器部42通過同軸線路56經由設於給電‧電力合成部54的2個微波電力導入口55及給電天線58來供給微波電力至本體51內合成。藉此，可一面抑制發熱，一面極簡易地進行電力合成。另外，當來自一個放大器部42的電力夠充分時，可省略上述的電力合成。又，亦可設置3個以上同樣的微波電力導入口55，將來自3個以上的放大器部42的電力合成。
然後，阻抗會在微波導入機構41的調諧器60被自動整合，在實質上無電力反射的狀態下，微波電力會經由天線部80的平面天線81及頂板83來放射至腔室1內。
如此，使被分配成複數的微波在構成固態放大器的主放大器47個別放大，利用平面天線81來個別放射後在腔室1內合成，因此不需要大型的隔離器或合成器。
又，由於微波導入機構41是形成天線部80及調諧器60被設於本體51內的構造，因此為極小型。所以，可使微波電漿源2本身小型化。而且，主放大器47、調諧器60及平面天線81接近設置，特別是調諧器60及平面天線81可構成為集中定數型迴路。因此，藉由將平面天線81、漫波材82、頂板83的合成電阻設計成50Ω，可藉由調諧器60高精度調諧電漿負荷。又，由於調諧器60是構成只移動2個的芯塊61a，61b便可進行阻抗整合的芯塊調諧器，因此小型，低損失。
而且，如此調諧器60與平面天線81會接近，構成集中定數型迴路，且具有作為共振器的機能，藉此可高精度解消至平面天線81的阻抗不整合，實質上可將不整合部分作為電漿空間，因此可藉由調諧器60來進行高精度的電漿控制。
而且，藉由相位器45來使各天線模組的相位變化，藉此可進行微波的指向性控制，可容易進行電漿等的分布調整。
並且，在調諧器60中，用以驅動阻抗整合的芯塊61a，61b的驅動機構，以往是設於調諧器60的本體部分的外側，需要馬達等的驅動部、滾珠螺桿等的驅動傳達部、LM引導等的驅動引導部、托架等的保持部，本身大型，且需要在外側導體設置用以保持部移動的狹縫，為了防止電磁波從此狹縫洩漏，需要非常大的屏蔽機構，馬達也需要大者，一但包含驅動機構或屏蔽機構，則會成為大型者。相對的，本實施形態是將相當於驅動傳達部、驅動引導部、保持部者設於內側導體53的內部，因此可縮小機械要素的重量及力矩，且不需要在外側導體52設置用以保持機構移動的狹縫，不需要用以防止電磁波漏洩的屏蔽機構。因此，可將芯塊61a，61b的驅動機構形成比以往更小型化，進而可使調諧器60全體小型化。
並且，在芯塊61a，61b本身安裝具有滑動性之樹脂構成的滑動構件63，在此滑動構件63的螺孔65a使芯塊移動軸64a或64b螺合而構成螺合機構，藉由馬達73a，73b來使芯塊移動軸64a，64b旋轉，藉此以滑動構件63的外周能夠滑動於內側導體53的內周之方式被引導而芯塊61a，61b移動，因此滑動構件63及芯塊移動軸64a，64b兼備驅動傳達機構、驅動引導機構、保持機構的3個機能，所以可使驅動機構顯著地形成小型，可使調諧器60更小型化。
可是，在如此的電漿處理時，一旦從微波輸出部30投入大電力密度的微波，則天線部80特別是由平面天線81及介電質構件所構成的頂板83的溫度會因為來自電漿的入熱及微波的損失所產生的熱而形成非常高。就不存在放熱機構90的構造而言，因為天線部80的熱只傳熱於內側導體53，所以內側導體53的溫度不得不變高。一但內側導體53的溫度變高，則會因為內側導體53的熱變形、或來自內側導體53的傳熱所造成芯塊61a，61b的熱膨脹等，使沿著內側導體53移動的芯塊61a、61b的移動性降低。特別是在本實施形態時，因為滑動構件63的外周面會與內側導體53的內周面無間隙地接觸，所以如此的內側導體53的熱變形等所造成的影響大。
就本實施形態而言，因為設置放熱機構90，藉由熱管91來將天線部80的熱放熱至放熱部92，所以如此的不良情況會被解消。亦即，熱管91是被設成在高溫的天線部80配置入熱端，在設於遮蔽板66的上面的放熱部92配置放熱端，所以在入熱端，來自天線部80的熱會進入而蒸發作動液，成為蒸氣流，往被配置於放熱部92的放熱端高速移動，蒸氣流的熱會在放熱端與放熱部92熱交換，藉此所被冷卻的蒸氣流會成為凝縮液。因此，可使大量的熱從天線部80往放熱部輸送。因此，天線部80的熱傳熱至內側導體53的情形會被抑制，內側導體53的熱變形或芯塊的熱膨脹會被抑制，所以可抑制熱對芯塊61a，61b的移動性的影響，而使該等的移動性形成良好。並且，藉由在內側導體53內部設置熱管91，可不影響傳送於微波傳送路的微波來使天線部80的熱往放熱部92傳達。
又，由於滑動構件63是利用固定用螺絲120來均等地固定於芯塊61a(61b)，因此即使芯塊61a受到熱的影響，例如在滑動構件63的突出部63a與芯塊61a之間形成間隙時，可確實地保持滑動構件63。此時，藉由將固定用螺絲120使用與芯塊61a(61b)同組成的材料，可縮小熱膨脹差，可減少熱所造成的影響。並且，藉由將固定用螺絲120使用與芯塊61a(61b)同組成的材料，可使固定用螺絲120所造成介電常數的變動幾乎變無。
並且，在螺合芯塊移動軸64a的螺孔65a中，藉由在對應於固定用螺絲120的部分132不形成螺紋，在受到熱的影響時，可防止芯塊移動軸64a的旋轉會因為固定用螺絲120的鎖緊部分的施壓而受阻，造成芯塊61a不動的事態。
如此，藉由固定用螺絲120來固定滑動構件63，可緩和熱所產生的影響，因此即使不設置放熱機構90，還是有可能迴避熱所造成對芯塊的移動性的影響。
利用壓入來將滑動構件63固定於芯塊61a(61b)時，藉由不在對應於螺孔65a的壓入用突起63b的兩端部142形成螺紋，當受到熱的影響時，可防止芯塊移動軸64a的旋轉會因為被壓入的滑動構件63的壓入用突起63b的施壓而受阻，造成芯塊61a不動的事態。此情況亦可緩和熱所造成的影響，因此即使不設置放熱機構90，還是有可能迴避熱所造成對芯塊的移動性的影響。
而且，上述構成是在滑動構件63設置通孔65b，使未被螺合於螺孔65a一方的芯塊移動軸通於此通孔65b，因此可在內側導體53內設置用以分別驅動芯塊61a及61b的2個芯塊移動軸64a及64b，可藉由螺合機構來使2個芯塊61a及61b獨立移動。並且，在芯塊驅動部70中，馬達73a及73b、以及動力傳達機構的齒輪72a及72b會上下偏置，因此可縮小馬達及齒輪等的動力傳達機構的空間，且可將收容該等的框體71形成與外側導體52同徑。因此，可使調諧器60形成更小型。
又，由於芯塊61a，61b是滑動構件63會滑移於內側導體53，所以移動的負荷小，因此芯塊移動軸64a，64b的螺紋是梯形螺紋即可，可為價格便宜者。此時所被擔心因為螺紋的反衝所造成位置精度降低的問題也可藉由設置線圈彈簧等的彈壓手段來解決。
而且，以能夠直接連結於馬達73a，73b的輸出軸之方式設置增量型的編碼器75a，75b，而進行芯塊61a，61b的位置檢測，因此不需要以往使用之位置檢測用的感測器，可迴避系統變複雜，或感測器設置的空間部分大型化。並且，增量型的編碼器要比ABSOLUTE型的編碼器便宜。因此，不會增加成本，可實現小型高精度的調諧器。
而且，在內側導體53設有用以滑動構件63的突出部63a移動的狹縫53a，雖會擔心微波電力從此狹縫53a往內側導體53的內部漏洩而形成電力損失，但藉由將狹縫53a的寬度設為5mm以下，可實質地消除往內側導體53的內部漏洩的微波電力，可高度維持微波電力的放射效率。
其次，說明有關微波導入機構41的其他實施形態。
上述實施形態是微波導入機構41為顯示空間結合從2個微波電力導入口55導入的微波，而使微波傳播至天線部80的例子，但本實施形態是從1處導入微波的例子。圖12是表示具有本發明的其他實施形態的微波導入機構的微波電漿源的構成圖，圖13是表示本發明的其他實施形態的微波導入機構的縱剖面圖，圖14是圖13的AA’線的橫剖面圖。另外，在本實施形態中，對與之前的實施形態相同者附上同樣的符號，而省略說明。
本實施形態，如圖12所示，微波電漿源2是在微波供給部50的一個放大器部42所被放大的微波會被供給至一個微波導入機構41。如圖13所示，在微波導入機構41的調諧器60的外側導體52的基端側設有供給微波的給電機構154。給電機構154是具有設於外側導體52的側面之用以導入微波電力的微波電力導入口155。在微波電力導入口155連接有由內側導體156a及外側導體156b所構成的同軸線路156，作為用以供給由放大器部42所放大的微波。然後，在同軸線路156的內側導體156a的前端連接有朝外側導體52的內部水平延伸的給電天線160。
給電天線160是例如在切削加工鋁等的金屬板之後，嵌在鐵氟龍(註冊商標)等的介電質構件的模子而形成。從反射板158到給電天線160之間設有用以縮短反射波的實效波長之鐵氟龍(註冊商標)等的介電質所構成的漫波材159。另外，在使用2.45G等頻率高的微波時，亦可不設置漫波材159。此時，使從給電天線160放射的電磁波反射於反射板158，藉此使最大的電磁波傳送至同軸構造的本體51內。此情況，將從給電天線160到反射板158的距離設定成約λg/4的半波長倍。但，就頻率低的微波而言，因為徑方向的限制，也會有不適合於此的情況。此情況，最好是使給電天線的形狀最適化，而使由給電天線160所發生的電磁波的腹不是誘發於給電天線160而是給電天線160的下方。
如圖14所示，給電天線160是在微波電力導入口155被連接至同軸線路156的內側導體156a，具有：天線本體161，其係具有被供給電磁波的第1極162及將所被供給的電磁波放射的第2極163、及反射部164，其係從天線本體161的兩側沿著內側導體53的外側延伸，形成環狀，構成以被射入至天線本體161的電磁波及在反射部164所反射的電磁波來形成駐波。天線本體161的第2極163會接觸於內側導體53。
藉由給電天線160放射微波，在外側導體52與內側導體53之間的空間供給微波電力。然後，被供給至給電機構154的微波電力會朝天線部80傳播。
另外，本發明並非限於上述實施形態，亦可在本發明的技術思想範圍內實施各種的變形。例如，微波輸出部30的電路構成或微波導入部40、主放大器47的電路構成等並非限於上述實施形態。具體而言，不需要進行由平面天線所放射的微波的指向性控制或形成圓偏波時，不要相位器。並且，微波導入部40並非一定以複數的微波導入機構41所構成，微波導入機構41亦可為1個。而且，平面天線81的狹槽81a為顯示扇形者設置2個或4個，但並非限於此，亦可按照條件來採用各種的狹槽圖案。又，上述實施形態是顯示設置2個芯塊的例子，但芯塊的數量亦可比2個多，且當調諧範圍預先被限定時亦可為1個。
而且，在上述實施形態是顯示有關將芯塊的驅動機構設為具有使驅動傳達部、驅動引導部及保持部收容於內側導體53的內部之構成的例子，該驅動傳達部是將來自驅動部的驅動力傳達至芯塊61a、61b，該驅動引導部是引導芯塊的移動，該保持部是將芯塊61a、61b保持於上述驅動傳達部，但並非限於此，亦可為具有將該等設於調諧器60的本體部分的外側之驅動機構者。並且，在上述實施形態中，芯塊的驅動機構為使用具有螺合機構者，該螺合機構是組合具有梯形螺紋的芯塊移動軸及螺合於彼之滑動構件，但並非限於此，螺紋亦可使用三角螺紋、角螺紋、鋸齒螺紋等。又，亦可不是芯塊移動軸與滑動構件直接螺合，而是使用滾珠螺桿，且亦可使用齒輪機構或傳動帶機構等其他的機構，作為驅動傳達機構。又，驅動引導機構並非限於滑動機構，亦可使用LM引導等的其他引導。並且，以齒輪機構來進行馬達與芯塊移動軸之間的動力傳達，但並非限於此，亦可以傳動帶機構等其他的機構來進行。
而且，在上述實施形態中是顯示在放熱機構使用2根熱管的例子，但並非限於此，熱管的根數是只要按照在天線部所產生的熱來適當地選擇即可。並且，熱管的入熱端的位置是只要能夠將天線部的熱予以有效地放熱即可，並非限於上述實施形態的位置。又，熱管並非一定要配置於內側導體，且放熱部的位置亦非限於上述實施形態所記載的位置。
而且，在上述實施形態中，電漿處理裝置為蝕刻處理裝置，氮並非限於此，可使用於成膜處理、氮氧化膜處理、灰化處理等其他的電漿處理。又，被處理基板並非限於半導體晶圓，亦可為以LCD(液晶顯示器)用基板為代表的FPD(平板顯示器)基板，或陶瓷基板等其他的基板。
1．．．腔室
1a．．．開口部
2．．．微波電漿源
11．．．基座
12．．．支撐構件
12a．．．絕緣構件
13．．．整合器
14．．．高頻偏壓電源
15．．．排氣管
16．．．排氣裝置
17．．．搬出入口
18．．．閘閥
20．．．淋浴板
21．．．氣體流路
22．．．氣體吐出孔
23．．．空間部
24．．．配管
25．．．處理氣體供給源
26．．．電漿生成氣體導入構件
27．．．電漿生成氣體供給源
28．．．配管
29．．．支撐環
30．．．微波輸出部
31．．．電源部
32．．．微波振盪器
33．．．放大器
34．．．分配器
40．．．微波導入部
41．．．微波導入機構
42．．．放大器部
45．．．相位器
46．．．可變增益放大器
47．．．主放大器
48．．．隔離器
50．．．微波供給部
51．．．本體
52．．．外側導體
53．．．內側導體
54．．．給電‧電力合成部
55．．．微波電力導入口
56．．．同軸線路
57．．．內側導體
58．．．給電天線
59a，59b．．．介電質構件
60．．．調諧器
61a，61b．．．芯塊
63．．．滑動構件
63a．．．突出部
63b．．．壓入用突起
64a，64b．．．芯塊移動軸
65a．．．螺孔
65b．．．通孔
66．．．遮蔽板
67．．．底板
68．．．控制器
70．．．芯塊驅動部
71．．．框體
72a、72b．．．齒輪
73a、73b．．．馬達
74a、74b．．．齒輪
80．．．天線部
81．．．平面天線
81a．．．狹槽
82．．．漫波材
82a．．．圓柱構件
83．．．頂板
90．．．放熱機構
91．．．熱管
92．．．放熱部
93．．．插通孔
94．．．容器
95．．．芯
100．．．電漿處理裝置
110．．．控制部
120．．．固定用螺絲
155．．．微波電力導入口
156．．．同軸線路
156a．．．內側導體
156b．．．外側導體
161．．．天線本體
162．．．第1極
163．．．第2極
164．．．反射部
158．．．反射板
159．．．漫波材
160．．．給電天線
W．．．晶圓
圖1是表示搭載具有本發明之一實施形態的微波導入機構的微波電漿源之電漿處理裝置的概略構成的剖面圖。
圖2是表示圖1的微波電漿源的構成的構成圖。
圖3是表示本發明之一實施形態的微波導入機構的縱剖面圖。
圖4是表示調諧器的本體之芯塊及滑動構件的水平剖面圖。
圖5是表示調諧器的本體之內側導體的立體圖。
圖6是被搭載於微波導入機構的平面天線的平面圖。
圖7是表示本發明之一實施形態的微波導入機構所使用的熱管的構造的模式圖。
圖8是表示將滑動構件固定至芯塊的狀態的水平剖面圖。
圖9是表示將滑動構件固定至芯塊的狀態的剖面圖。
圖10是擴大顯示滑動構件與芯塊的安裝部的圖。
圖11是表示滑動構件往芯塊的固定方法的其他例的剖面圖。
圖12是表示具有本發明的其他實施形態的微波導入機構的微波電漿源的構成圖。
圖13是表示本發明的其他實施形態的微波導入機構的縱剖面圖。
圖14是圖13的AA’線的橫剖面圖。
41．．．微波導入機構
51．．．本體
52．．．外側導體
53．．．內側導體
54．．．給電‧電力合成部
55．．．微波電力導入口
56．．．同軸線路
57．．．內側導體
58．．．給電天線
59a，59b．．．介電質構件
60．．．調諧器
61a，61b．．．芯塊
63．．．滑動構件
64a，64b．．．芯塊移動軸
66．．．遮蔽板
67．．．底板
68．．．控制器
70．．．芯塊驅動部
71．．．框體
72a、72b．．．齒輪
73a、73b．．．馬達
74a、74b．．．齒輪
75a、75b．．．編碼器
80．．．天線部
81．．．平面天線
81a．．．狹槽
82．．．漫波材
82a．．．圓柱構件
83．．．頂板
84．．．被覆導體
90．．．放熱機構
91．．．熱管
92．．．放熱部

Claims (13)

  1. 一種微波導入機構，係設於微波傳送路，將微波導入至腔室內的微波導入機構，該微波傳送路係傳送從用以在腔室內形成微波電漿的微波電漿源的微波輸出部輸出的微波，其特徵係具備：天線部，其係具有經由上述微波傳送路來將微波放射至上述腔室內的平面天線；調諧器，其係設於上述微波傳送路，調整上述微波傳送路的阻抗；及放熱機構，其係用以將上述天線部的熱放熱，上述調諧器係具有：本體，其係具有形成筒狀的外側導體及同軸地設於其中形成筒狀的內側導體，成為微波傳送路的一部分；芯塊，其係設於上述外側導體與上述內側導體之間，可沿著內側導體的長度方向移動，形成環狀，由介電質所構成；及驅動機構，其係使上述芯塊移動，上述驅動機構係具有：滑動構件，其係被嵌入上述芯塊的內部，在接觸於上述內側導體的內周的狀態下滑移於上述內側導體的內部，具有螺孔，又，上述放熱機構係具有：熱管，其係具有入熱端及放熱端，上述入熱端係位於上述天線部，將上述天線部的熱從上述入熱端往上述放熱 端輸送；及放熱部，其係設於上述熱管的上述放熱端，將上述放熱端的熱放熱。
  2. 如申請專利範圍第1項之微波導入機構，其中，上述熱管係設於上述內側導體內。
  3. 如申請專利範圍第1項之微波導入機構，其中，上述放熱部係由散熱片或冷卻構件所構成。
  4. 如申請專利範圍第1項之微波導入機構，其中，上述驅動機構係具有：給予驅動力的驅動部、及將來自驅動部的驅動力傳達至上述芯塊的驅動傳達部、及引導上述芯塊的移動的驅動引導部、及將上述芯塊保持於上述驅動傳達部的保持部，上述驅動傳達部、上述驅動引導部、及上述保持部會被收容於上述內側導體的內部。
  5. 如申請專利範圍第4項之微波導入機構，其中，上述驅動機構係具有：上述滑動構件；及芯塊移動軸，其係於上述內側導體的內部沿著長度方向設置，由被螺合於上述芯塊的上述滑動構件的螺孔的螺棒所構成，藉由上述芯塊移動軸及上述滑動構件來構成由螺合機構所形成的驅動傳達部，藉由上述滑動構件及上述內側導體的內周面來構成由滑動引導機構所形成的驅動引導部，上述滑動構件會構成上述保持部，上述驅動部係具有使上 述芯塊移動軸旋轉的馬達，藉由上述馬達來使上述芯塊移動軸旋轉，藉此被保持於上述滑動構件的上述芯塊會在上述滑動構件被滑動引導於上述內側導體的內周的狀態下被驅動。
  6. 如申請專利範圍第5項之微波導入機構，其中，上述滑動構件係由具有滑動性的樹脂所構成。
  7. 如申請專利範圍第5項之微波導入機構，其中，上述滑動構件係對上述芯塊藉由固定用螺絲來固定。
  8. 如申請專利範圍第7項之微波導入機構，其中，上述滑動構件的螺孔係在對應於藉由上述固定用螺絲來固定的部位之部分未形成有螺紋。
  9. 如申請專利範圍第5項之微波導入機構，其中，上述滑動構件係於其兩端部的外周具有壓入用突起，藉由壓入來固定於上述芯塊，上述滑動構件的螺孔係在對應於上述壓入用突起的部分未形成有螺紋。
  10. 如申請專利範圍第5項之微波導入機構，其中，上述熱管係設成在上述內側導體的內部插通上述滑動構件。
  11. 如申請專利範圍第10項之微波導入機構，其中，上述天線部係與上述調諧器一體構成。
  12. 一種微波電漿源，係具有：輸出微波的微波輸出部、傳送所被輸出的微波的微波傳送路、及設於上述微波傳送路將所被傳送的微波導入腔室內的微波導入機構，在上述腔室內導入微波而使被供給至上述腔室內的氣體電漿 化，其特徵為：上述微波導入機構係具備：天線部，其係具有經由上述微波傳送路來將微波放射至上述腔室內的平面天線；調諧器，其係設於上述微波傳送路，調整上述微波傳送路的阻抗；及放熱機構，其係用以將上述天線部的熱放熱，上述調諧器係具有：本體，其係具有形成筒狀的外側導體及同軸地設於其中形成筒狀的內側導體，成為微波傳送路的一部分；芯塊，其係設於上述外側導體與上述內側導體之間，可沿著內側導體的長度方向移動，形成環狀，由介電質所構成；及驅動機構，其係使上述芯塊移動，上述驅動機構係具有：滑動構件，其係被嵌入上述芯塊的內部，在接觸於上述內側導體的內周的狀態下滑移於上述內側導體的內部，具有螺孔，又，上述放熱機構係具有：熱管，其係具有入熱端及放熱端，上述入熱端係位於上述天線部，將上述天線部的熱從上述入熱端往上述放熱端輸送；及放熱部，其係設於上述熱管的上述放熱端，將上述放熱端的熱放熱。
  13. 一種微波電漿處理裝置，係具備：腔室，其係收容被處理基板；氣體供給機構，其係於上述腔室內供給氣體；微波電漿源，其係具有：生成微波的微波生成機構、將所被輸出的微波傳送的微波傳送路、及設於上述微波傳送路將所被傳送的微波導入腔室內的微波導入機構，在上述腔室內導入微波而使被供給至上述腔室內的氣體電漿化，藉由電漿來對上述腔室內的被處理基板實施處理之微波電漿處理裝置，其特徵為：上述微波導入機構係具備：天線部，其係具有經由上述微波傳送路來將微波放射至上述腔室內的平面天線；調諧器，其係設於上述微波傳送路，調整上述微波傳送路的阻抗；及放熱機構，其係用以將上述天線部的熱放熱，上述調諧器係具有：本體，其係具有形成筒狀的外側導體及同軸地設於其中形成筒狀的內側導體，成為微波傳送路的一部分；芯塊，其係設於上述外側導體與上述內側導體之間，可沿著內側導體的長度方向移動，形成環狀，由介電質所構成；及驅動機構，其係使上述芯塊移動， 上述驅動機構係具有：滑動構件，其係被嵌入上述芯塊的內部，在接觸於上述內側導體的內周的狀態下滑移於上述內側導體的內部，具有螺孔，又，上述放熱機構係具有：熱管，其係具有入熱端及放熱端，上述入熱端係位於上述天線部，將上述天線部的熱從上述入熱端往上述放熱端輸送；及放熱部，其係設於上述熱管的上述放熱端，將上述放熱端的熱放熱。
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