KR860007724A - 레지스트막 건조현상 방법 및 장치 - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 10
- 238000001035 drying Methods 0.000 title claims description 7
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims 4
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 claims 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims 4
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 claims 3
- 239000010453 quartz Substances 0.000 claims 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 claims 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 125000004218 chloromethyl group Chemical group [H]C([H])(Cl)* 0.000 claims 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims 1
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 claims 1
- 239000003507 refrigerant Substances 0.000 claims 1
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 claims 1
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Abstract
내용 없음
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제 1 도는 본 발명의 건조현상 방법에 적용되는 예시적인 장치의 개략 횡단면도.
제 2 도는 CMS 레지스트막의 건조현상시 두께감소와 노출시간간의 관계를 나타내는 그래프.
제3A 및 3C도는 본 발명에 의한 건조현상의 예시적인 방법을 나타내는 횡단면도,
Claims (12)
- 전자비임에 민감한 레지스트막을 기판상에 형성하는 단계와,소정패턴의 잠재영상을 형성하도록 상기 전자비임으로 상기 레지스트막을 선택적으로 노출시키는 단계와,그리고 대기압의 산화가스내에서 상기 레지스트막에 원UV(자외선)을 조사하는 단계를 포함하며, 상기 레지스트막은 상기 전자비임에 상기 선택적인 노출을 받아 상기 레지스트막이 상기 잠재영상에 대응하는 상기 소정 패턴을 형성하도록 제거되는 것을 특징인 레지스트막 건조현상 방법.
- 제 1 항에서, 상기 레지스트는 네가티브형인 것이 특징인 레지스트막 건조현상 방법.
- 제 2 항에서, 상기 레지스트는 클로로-메틸 폴리스티렌으로 조성되는 것이 특징인 레지스트막 건조현상 방법.
- 제 1 항에서, 상기 원 자외선은 2537Å 또는 단파장의 스펙트럼 성분을 갖는 것이 특징인 레지스트막 건조현상 방법.
- 제 4 항에서, 상기 원 자외선은 1849Å의 스택트럼 성분을 갖는 것이 특징인 레지스트막 건조현상 방법.
- 제 1 항에서, 상기 산화가스는 산소를 포함하는 것이 특징인 레지스트막 건조현상 방법.
- 제 1 항에서, 상기 산화가스는 대기인 것이 특징인 레지스트막 건조현상 방법.
- 제 1 항에서, 상기 레지스트막은 1,000Å 이상의 두께를 갖도록 형성되는 것이 특징인 레지스트막 건조현상 방법.
- 한실을 제 1 및 제 2 실로 분리시키는 석영판을 갖는 실과, 상기 석영판을 통해 상기 제 2 실내의 기판으로 상기 원자외선을 조사하도록 상기 제 1 실내에 고정되어 있는 원 자외선 소오스와,상기 소오스를 냉각시키기 위해 상기 제 1 실내로 냉매를 도입하기 위한 상기실의 제 1 실의 대향 측벽들에 각각 제공되는 인입구 및 출구와, 그리고상기 기판이 상기 제 2 실내로 들어오고 그리고 밖으로 나가도록 대기를 허락하기 위해 상기 실의 상기 제 2 실의 대향측벽들 각각상에 형성되는 적어도 하나의 문부분들을 포함하는 것이 특징인 레지스트막 건조 현상 장치.
- 제 9 항에서, 상기 실온 상기 기판을 상기 제 2 실내로 그리고 밖으로 이동시키기 위해 상기 제 2 실내에서 상기 문부분들을 따라 일렬로 정렬되어 배치된 콘베어를 더 갖고 있는 것이 특징인 레지스트막 건조현상 장치.
- 제 9 항에서, 상기 원 자외선의 상기 소오스는 저압수은 램프들인 것이 특징인 레지스트막 건조현상장치.
- 제 9 항에서, 상기 제 2 실은 상기 제 2 실내로 산화가스를 도입하기 위한 제 2 인입구를 더 갖고 있는 것이 특정인 레지스트막 건조현상 장치.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60-068286 | 1985-03-29 | ||
| JP60068286A JPS61234035A (ja) | 1985-03-29 | 1985-03-29 | 遠紫外線照射ドライ現像方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR860007724A true KR860007724A (ko) | 1986-10-15 |
| KR900001238B1 KR900001238B1 (ko) | 1990-03-05 |
Family
ID=13369368
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019860002300A KR900001238B1 (ko) | 1985-03-29 | 1986-03-27 | 레지스트막 건조현상 방법 및 장치 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0197286B1 (ko) |
| JP (1) | JPS61234035A (ko) |
| KR (1) | KR900001238B1 (ko) |
| DE (1) | DE3681478D1 (ko) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB2200219A (en) * | 1987-01-22 | 1988-07-27 | Rosser Roy J | Ultra-violet photo-ablative development of X-ray exposed photoresists |
| WO1989007286A1 (en) * | 1988-02-08 | 1989-08-10 | Stangl Guenther | Process for producing a structure on a substrate coated with a resist based on an organic polymer |
| EP0525721B1 (en) * | 1991-07-31 | 1996-03-06 | Texas Instruments Incorporated | High resolution lithography method |
| KR100504189B1 (ko) * | 1997-12-31 | 2005-10-21 | 매그나칩 반도체 유한회사 | 원자외선광발생장치및그발생방법 |
| KR102678588B1 (ko) | 2018-11-14 | 2024-06-27 | 램 리써치 코포레이션 | 차세대 리소그래피에서 유용한 하드 마스크들을 제조하기 위한 방법들 |
| CN114200776A (zh) | 2020-01-15 | 2022-03-18 | 朗姆研究公司 | 用于光刻胶粘附和剂量减少的底层 |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB1181114A (en) * | 1967-06-16 | 1970-02-11 | Foxcroft Inv S Proprietary Ltd | Improvements relating to the Photographic Production of Printing Plates and Relief Images |
| JPS5775426A (en) * | 1980-10-30 | 1982-05-12 | Toshiba Corp | Ultraviolet rays irradiator for transcription |
| JPS5814132A (ja) * | 1981-07-17 | 1983-01-26 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | ポジ形レジストパタン形成方法 |
| FR2522532A1 (en) * | 1982-03-02 | 1983-09-09 | Soenen Antoine | Microwave oven - with thermal extn. mechanism, used for emulsions |
| JPS6043824A (ja) * | 1983-08-20 | 1985-03-08 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法 |
-
1985
- 1985-03-29 JP JP60068286A patent/JPS61234035A/ja active Pending
-
1986
- 1986-02-28 DE DE8686102665T patent/DE3681478D1/de not_active Expired - Fee Related
- 1986-02-28 EP EP86102665A patent/EP0197286B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1986-03-27 KR KR1019860002300A patent/KR900001238B1/ko not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE3681478D1 (de) | 1991-10-24 |
| JPS61234035A (ja) | 1986-10-18 |
| KR900001238B1 (ko) | 1990-03-05 |
| EP0197286B1 (en) | 1991-09-18 |
| EP0197286A2 (en) | 1986-10-15 |
| EP0197286A3 (en) | 1987-10-21 |
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