JPS6328448A - 光反応装置 - Google Patents
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- JPS6328448A JPS6328448A JP16788586A JP16788586A JPS6328448A JP S6328448 A JPS6328448 A JP S6328448A JP 16788586 A JP16788586 A JP 16788586A JP 16788586 A JP16788586 A JP 16788586A JP S6328448 A JPS6328448 A JP S6328448A
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Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は光反応装置に係り、特に光反応剤に光を照射す
ることによって、光反応剤と基体との化学反応を助長さ
せる光反応装置に関する。
ることによって、光反応剤と基体との化学反応を助長さ
せる光反応装置に関する。
［従来技術］
従来、光反応装置としては、酸化剤に光を照射して基体
の酸化を助長させる光酸化装置、塩化剤に光を照射して
基体の塩化を助長させる光塩化装置７がある。以下、−
例として光酸化装置を取り上げ、その構成について説明
する。
の酸化を助長させる光酸化装置、塩化剤に光を照射して
基体の塩化を助長させる光塩化装置７がある。以下、−
例として光酸化装置を取り上げ、その構成について説明
する。
第３図は従来の光酸化装置を示す説明図である。
同図に示すように、数百℃に加熱されたプレートｌ上に
、有機物質２を塗布した基体３が置かれ、この基体３及
びプレートｌの少なくとも一部は大気圧または減圧され
た容器４に収納される。
、有機物質２を塗布した基体３が置かれ、この基体３及
びプレートｌの少なくとも一部は大気圧または減圧され
た容器４に収納される。
容器４にはノズル５から、酸化剤であるオゾン。
酸素、あるいはその混合気体が供給され、また光窓から
酸化を助長させる近紫外線が照射され、容塁内で原子状
酸素を発生させる。前記基体に塗布された有機物質２は
この原子状酸素によって、酸化除去される。
酸化を助長させる近紫外線が照射され、容塁内で原子状
酸素を発生させる。前記基体に塗布された有機物質２は
この原子状酸素によって、酸化除去される。
［発明が解決しようとする間閣つ、］
」−記光酸化装置は、酸化速度が１体ｍ／ｈｏｕｒ以下
とといため、スループ・ノドが１枚／ｈ ｏ ｕ ｒ以
下と８ｉ端に低く、生産性の面から問題４人をｔ＋シて
いた。また前記酸化剤の供、給方法が幼稚であるために
、基体面上の酸化の均一性（３σ・′Ｘ）が３００％以
上と悪く、基体面上−の有機物質の一部は酸化が進まず
残存し、他の一部は酸化が進みすぎて１基体３を酸化さ
せてしまう問題点を有していた。
とといため、スループ・ノドが１枚／ｈ ｏ ｕ ｒ以
下と８ｉ端に低く、生産性の面から問題４人をｔ＋シて
いた。また前記酸化剤の供、給方法が幼稚であるために
、基体面上の酸化の均一性（３σ・′Ｘ）が３００％以
上と悪く、基体面上−の有機物質の一部は酸化が進まず
残存し、他の一部は酸化が進みすぎて１基体３を酸化さ
せてしまう問題点を有していた。
本発明の目的は高いスループットと良好な光反応の均一
・性を低価格で実現する光反応装置を提供することにあ
る。
・性を低価格で実現する光反応装置を提供することにあ
る。
［問題点を解決するためのｆ段］
上記の問題点は、光反応剤に光を照射することによって
、光反応剤と基体との化学反応を助長さゼる光反応装こ
において、 前記光を透過させ、且つ前記光反応剤を吐出するマスク
を、前記基体上に一定の間隔をおいて配置し７たことを
特徴とする本発明の光反応装置によって解決される６ ［作用］ 本発明の光反応装置は、基体とを一定の間隔をおいて配
置［７たマスクから基体に前記光反応剤を吐出したこと
により、光反応剤を多着に、高速度［Ｌつ均一に基体り
に供給し、さらにマスクを通して化学反応を助長させる
光を照射したことにより、光反応剤の活性化を効率よく
均一に行わせ、基体上で均一に効率よく化学反応を行わ
せるものである。
、光反応剤と基体との化学反応を助長さゼる光反応装こ
において、 前記光を透過させ、且つ前記光反応剤を吐出するマスク
を、前記基体上に一定の間隔をおいて配置し７たことを
特徴とする本発明の光反応装置によって解決される６ ［作用］ 本発明の光反応装置は、基体とを一定の間隔をおいて配
置［７たマスクから基体に前記光反応剤を吐出したこと
により、光反応剤を多着に、高速度［Ｌつ均一に基体り
に供給し、さらにマスクを通して化学反応を助長させる
光を照射したことにより、光反応剤の活性化を効率よく
均一に行わせ、基体上で均一に効率よく化学反応を行わ
せるものである。
なお、前記光反応剤が気体または液体であり、この光反
応剤を導入する導入空間の少なくとも一部を遮光部とす
れば、光反応剤が導入経路で光反応を起すことがなく、
効率よく、基体上での化学反応を行わせることができる
。
応剤を導入する導入空間の少なくとも一部を遮光部とす
れば、光反応剤が導入経路で光反応を起すことがなく、
効率よく、基体上での化学反応を行わせることができる
。
また前記基体を加熱手段で加熱すれば、入（体−にの化
学反応の効率を高めることができる。
学反応の効率を高めることができる。
［実施例］
以下、本発明の実施例を図面を用いて詳細に説明する。
第１図は本発明による光酸化装置の一実施例の断面［号
である。
である。
第２図はＬ記実施例に用いるマスクのパターンを示す説
明図である。
明図である。
第１図において、有機物質７が塗布されたウェハー状の
基体８はプレート９上に置かれている。
基体８はプレート９上に置かれている。
このプレート９は、酸化速度をかせぐために２００℃に
加熱されている。マスク６はマスクホルダー１０に固定
されており、前記基体８とは５０μｍ隔ててモ行に配置
される。この間隔は、例えば重数のプロキシミティアラ
イナに採用されているギヤリブレータ法、レーザ干渉法
、エアーセンサ決算を用いれば容易に粘度を出すことが
できる。この状態で前記マスクホルダー１０を通して、
１ｉｉｉ記マスク６に酸化剤であるオゾン又は酸素ある
いはその混合気体（なお、ここではオゾンと酸素の混合
気体を用いる。）を供給する。なお基体８とマスク６と
は大気圧状態、減圧状態、加圧状５Ｂのいずれの状態に
置かれてもよい、前記マスク６は２枚のガラス板から構
成されており、Ｌ側のガラス板１１と下側のガラス板１
２は接着剤で固着されている。下側のガラス板１２には
、導入空間たる無数の細溝１３及び吐出口たる細孔１４
が設けられており、前記酸化剤を前記基体８の面上に均
一に輸送し、均一に吐出する働ｙをする。上側のガラス
板１１には、前記細溝１３と同一の形状のＣｒパターン
１５が設けられており、前記細溝１３を輸送中のオゾン
を照射光から遮光している。
加熱されている。マスク６はマスクホルダー１０に固定
されており、前記基体８とは５０μｍ隔ててモ行に配置
される。この間隔は、例えば重数のプロキシミティアラ
イナに採用されているギヤリブレータ法、レーザ干渉法
、エアーセンサ決算を用いれば容易に粘度を出すことが
できる。この状態で前記マスクホルダー１０を通して、
１ｉｉｉ記マスク６に酸化剤であるオゾン又は酸素ある
いはその混合気体（なお、ここではオゾンと酸素の混合
気体を用いる。）を供給する。なお基体８とマスク６と
は大気圧状態、減圧状態、加圧状５Ｂのいずれの状態に
置かれてもよい、前記マスク６は２枚のガラス板から構
成されており、Ｌ側のガラス板１１と下側のガラス板１
２は接着剤で固着されている。下側のガラス板１２には
、導入空間たる無数の細溝１３及び吐出口たる細孔１４
が設けられており、前記酸化剤を前記基体８の面上に均
一に輸送し、均一に吐出する働ｙをする。上側のガラス
板１１には、前記細溝１３と同一の形状のＣｒパターン
１５が設けられており、前記細溝１３を輸送中のオゾン
を照射光から遮光している。
この状ｊＥで前記マスク６を通して酸化を助長する近紫
外線を前記基体８上に照射する。この近紫外線は市仄の
ＵＶアライナの光学系を用いることによって容易に得る
ことができる。この近紫外線の照射により、前記オゾン
及び酸素から原子状酸素が発生し、前記有機物質７を光
酸化させる。
外線を前記基体８上に照射する。この近紫外線は市仄の
ＵＶアライナの光学系を用いることによって容易に得る
ことができる。この近紫外線の照射により、前記オゾン
及び酸素から原子状酸素が発生し、前記有機物質７を光
酸化させる。
本発明の光酸化装置は、北記構成により、＠進中のオゾ
ンが近紫外線の照射によって分解されることがなく、高
濃度のオゾンの輸送が可能である。高濃度オゾンはイオ
ナイザー、光照射、プラズマ放′屯、化学薬品あるいは
これらの組み合わせによって得ることができる。また従
来の装置がわずか数本のノズルによって、酸化剤を吐出
していたのに対して、本発明による光酸化装置は、マス
ク６から基体８全面に吐出されるために、多量の酸化剤
を供給することができる。加えて前記酸化剤を吐出する
細孔１４は基体８全面上に最適に配置することができ、
また前記マスク６と基体８の間隔がキャリブレータ等で
正確に調整することができるために、前記細孔１４から
の酸化剤を均一に拡散させることができ、過剰な酸化に
よる基体の品質低下を生じさせることはない。
ンが近紫外線の照射によって分解されることがなく、高
濃度のオゾンの輸送が可能である。高濃度オゾンはイオ
ナイザー、光照射、プラズマ放′屯、化学薬品あるいは
これらの組み合わせによって得ることができる。また従
来の装置がわずか数本のノズルによって、酸化剤を吐出
していたのに対して、本発明による光酸化装置は、マス
ク６から基体８全面に吐出されるために、多量の酸化剤
を供給することができる。加えて前記酸化剤を吐出する
細孔１４は基体８全面上に最適に配置することができ、
また前記マスク６と基体８の間隔がキャリブレータ等で
正確に調整することができるために、前記細孔１４から
の酸化剤を均一に拡散させることができ、過剰な酸化に
よる基体の品質低下を生じさせることはない。
これらの点の敬答により１本発明による光酸化装置は、
第３図に示した従来の光酸化装置と比べて、−桁以上高
い酸化速度と二指以上の良好な酸化の均一性（３σ／Ｘ
）が得られ、さらに本発明の光酸化装置は既存の設備を
一部改良するだけで作製することができるので、安価で
あるという長所も持っている。
第３図に示した従来の光酸化装置と比べて、−桁以上高
い酸化速度と二指以上の良好な酸化の均一性（３σ／Ｘ
）が得られ、さらに本発明の光酸化装置は既存の設備を
一部改良するだけで作製することができるので、安価で
あるという長所も持っている。
なお、上記光酸化装置においては、Ｃｒパターン１５が
入射光である近紫外線に対してマスクとして（動き、基
体８上に彩を形成し原子状酸素の発生を抑制してしまう
が、前記Ｃｒパターン１５及び細溝１３を２隼ｍ程度と
微細に形成し、マスク６と基体８との間隔を５０ｐｍ程
度と充分分離することにより、前記形の部分の発生を小
さくすることが可能であり、酸化の均一性の低下を最小
限に抑えることができる。
入射光である近紫外線に対してマスクとして（動き、基
体８上に彩を形成し原子状酸素の発生を抑制してしまう
が、前記Ｃｒパターン１５及び細溝１３を２隼ｍ程度と
微細に形成し、マスク６と基体８との間隔を５０ｐｍ程
度と充分分離することにより、前記形の部分の発生を小
さくすることが可能であり、酸化の均一性の低下を最小
限に抑えることができる。
上記実施例において、マスク６はカラス板２枚を貼り合
せる必要はなく、一体成形したものでもよく、材質は石
英等の光透過性の物であれば任意テヨい、Ｃｒパターン
１５はオゾンの保護を確実にするため、前記細ｙ１１３
のパターンと異なってもよい、また遮光材はＣｒ以外で
もよい。
せる必要はなく、一体成形したものでもよく、材質は石
英等の光透過性の物であれば任意テヨい、Ｃｒパターン
１５はオゾンの保護を確実にするため、前記細ｙ１１３
のパターンと異なってもよい、また遮光材はＣｒ以外で
もよい。
導入空間と吐出口は本実施例においては、細溝１３及び
細孔１４を用いているが基体８上に均一に酸化剤を供給
できれば、任意の形状でよく例えば、中空孔、メツシュ
であってもよい。
細孔１４を用いているが基体８上に均一に酸化剤を供給
できれば、任意の形状でよく例えば、中空孔、メツシュ
であってもよい。
近紫外線は、酸化を助長する例えば、遠紫外線であって
も良い。
も良い。
酸化剤は前述した酸素、オゾンに限られず、他の気体、
または液体、固体を用いることも可染であり、例えば過
塩素酸類、硝酸、亜硝酸類及びそれらの塩は良好な酸化
剤として用いることができる。またマスク６を上述した
固体の酸化剤で形成し加熱等の適当な方法で吐出させる
こともＯＴ能である。
または液体、固体を用いることも可染であり、例えば過
塩素酸類、硝酸、亜硝酸類及びそれらの塩は良好な酸化
剤として用いることができる。またマスク６を上述した
固体の酸化剤で形成し加熱等の適当な方法で吐出させる
こともＯＴ能である。
本発明の光反応装置は酸化剤を用いた光酸化装置だけに
限られず、例えば酸化剤を塩化剤に変えることで光塩化
装置、また酸化剤を所望の薬品に変えることで光除去装
置、光へ着装置等に容易に拡張することができる。
限られず、例えば酸化剤を塩化剤に変えることで光塩化
装置、また酸化剤を所望の薬品に変えることで光除去装
置、光へ着装置等に容易に拡張することができる。
［発明の効果］
以上詳細に説明したように、本発明によれば、基体とを
一定の間隔をおいて作こしたマスクから基体に前記光反
応剤を吐出したことにより、光反応剤を多量に、高速度
且つ均一に基体上に供給し、さらにマスクを通して化学
反応を助長させる光を照射したことにより、光反応剤の
活性化を効率よく均一に行わせ、基体との化学反応を高
速度で高均一性に行わせ、高品質で高生産性、低価格な
光反応装置を提供することができる。
一定の間隔をおいて作こしたマスクから基体に前記光反
応剤を吐出したことにより、光反応剤を多量に、高速度
且つ均一に基体上に供給し、さらにマスクを通して化学
反応を助長させる光を照射したことにより、光反応剤の
活性化を効率よく均一に行わせ、基体との化学反応を高
速度で高均一性に行わせ、高品質で高生産性、低価格な
光反応装置を提供することができる。
なお、前記光反応剤が気体または液体であり。
この光反応剤を導入する導入空間の少なくとも一部を遮
光部とすれば、光反応剤が導入経路で光反応を起すこと
がなく、効率よく、基体上での化学反応を行わせること
ができる。
光部とすれば、光反応剤が導入経路で光反応を起すこと
がなく、効率よく、基体上での化学反応を行わせること
ができる。
また前記基体を加熱手段で加熱すれば、基体上の化学反
応の効率を高めることができる。
応の効率を高めることができる。
第１図は本発明の光酸化装置の一実施例の断面図である
。 第２図は上記実施例に用いるマスクのパターンを示す説
明図である。 第３図は従来の光酸化装置を示す説明図である。 ７・・・・・有機物質 ８・・・・・基体 ９・１１＋１＠・プレート １０＠−・・−マスクホルグー １１．１２・・０・・カラス板 ｌ ３ ・ ・ ・ ・ ・細溝 １４・・・・・細孔 １５・・拳・・Ｃｒパターン 代理人 弁理士 山 下 穣 モ 第 １ 図 第２ 図 第３ 図
。 第２図は上記実施例に用いるマスクのパターンを示す説
明図である。 第３図は従来の光酸化装置を示す説明図である。 ７・・・・・有機物質 ８・・・・・基体 ９・１１＋１＠・プレート １０＠−・・−マスクホルグー １１．１２・・０・・カラス板 ｌ ３ ・ ・ ・ ・ ・細溝 １４・・・・・細孔 １５・・拳・・Ｃｒパターン 代理人 弁理士 山 下 穣 モ 第 １ 図 第２ 図 第３ 図
Claims (3)
- （１）光反応剤に光を照射することによって、光反応剤
と基体との化学反応を助長させる光反応装置において、 前記光を透過させ、且つ前記光反応剤を吐出するマスク
を、前記基体上に一定の間隔をおいて配置したことを特
徴とする光反応装置。 - （２）光反応剤が気体または液体であり、この光反応剤
を導入する導入空間の少なくとも一部を遮光部とした特
許請求の範囲第１項記載の光反応装置。 - （３）基体を加熱する加熱手段を有する特許請求の範囲
第１項記載の光反応装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16788586A JPS6328448A (ja) | 1986-07-18 | 1986-07-18 | 光反応装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16788586A JPS6328448A (ja) | 1986-07-18 | 1986-07-18 | 光反応装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6328448A true JPS6328448A (ja) | 1988-02-06 |
Family
ID=15857877
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16788586A Pending JPS6328448A (ja) | 1986-07-18 | 1986-07-18 | 光反応装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6328448A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06220655A (ja) * | 1992-09-09 | 1994-08-09 | Heraeus Noblelight Gmbh | 支持体上の保護層を製造する方法 |
| JPH0815537A (ja) * | 1990-03-16 | 1996-01-19 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | ポリマー状光学導波管及びこれを製造する方法 |
-
1986
- 1986-07-18 JP JP16788586A patent/JPS6328448A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0815537A (ja) * | 1990-03-16 | 1996-01-19 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | ポリマー状光学導波管及びこれを製造する方法 |
| JPH06220655A (ja) * | 1992-09-09 | 1994-08-09 | Heraeus Noblelight Gmbh | 支持体上の保護層を製造する方法 |
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