JPH0410733B2 - - Google Patents
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- JPH0410733B2 JPH0410733B2 JP60239456A JP23945685A JPH0410733B2 JP H0410733 B2 JPH0410733 B2 JP H0410733B2 JP 60239456 A JP60239456 A JP 60239456A JP 23945685 A JP23945685 A JP 23945685A JP H0410733 B2 JPH0410733 B2 JP H0410733B2
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Landscapes
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
〔産業上の利用分野〕
この発明は、半導体ウエハに塗布されたフオト
レジストの処理方法に係り、特に紫外線照射によ
るフオトレジストの処理方法に関するものであ
る。 〔従来の技術〕 従来の紫外線照射によるとフオトレジストの処
理については、半導体ウエハに塗布されたフオト
レジストにマスクパターンを露光する処理、フオ
トレジスト表面に付着した有機汚染物を分解洗浄
する予備洗浄処理等において、紫外線照射が利用
されているが、最近レジスト処理工程のひとつで
あるベーキング工程への適用が注目されている。 ベーキング工程とは、フオトレジスト塗布、露
光、現像によるレジストパターンを形成する工程
とこのレジストパターンを用いてイオン注入やプ
ラズマエツチングなど行う工程との中間の工程
で、フオトレジストの半導体基板への接着性向
上、耐熱性の向上することなどを目的とした工程
である。最近現像後のベーキング工程の前、ある
いはベーキング時に紫外線をあてて、より短時間
に耐熱性、耐プラズマエツチング性を高める方法
が検討されている。 〔発明が解決しようとする問題点〕 このように最近、フオトレジストベーキング工
程においては、紫外線を照射することが検討され
ている。 ところが、例えば第３図に示されるような
SiO2層とSi層とからなる半導体ウエハに塗布さ
れたフオトレジストに短波長の紫外線を照射する
と、フオトレジストが膜べり半導体ウエハに塗布
されたフオトレジストの厚みが減少したり、膜の
形状が変化したりすることが起こる。 フオトレジストの膜べりや膜の形状の変化の原
因としては、短波長の紫外線を照射した場合に
は、オゾンO3が発生し、酸化作用が大きくなる
こと、あるいはフオトレジストを構成する高分子
化合物の結合が切断されて、低分子化合物化し、
蒸発すること等が考えられる。 また、短波長の紫外線を照射すると、例えば
SiO2膜のような絶縁膜の性質が変化することも
ある。 このように、短波長の紫外線を照射した場合に
は、フオトレジストの破壊される危険性があるこ
と、また短波長の紫外線により発生するオゾンを
処理するには複雑な装置が必要となる等の問題点
があつた。 この発明は、こうした問題点に鑑みて、紫外線
の照射によるフオトレジストの破壊を防止し、オ
ゾンの発生を防止すること等により、紫外線照射
によるフオトレジスト処理を効果的に行うことを
目的とするものである。 〔問題点を解決するための手段〕 この目的を達成するために、この発明では、波
長220nｍ以下の紫外線の放射光を遮断するガラ
スを、紫外線を放射するランプの発光管に使用す
る。 〔作用〕 この発明においては、220nｍ以下の紫外線の
放射が効果的にカツトされることにより、オゾン
の発生が防止され、フオトレジストに対する破壊
作用をもたらす紫外線がフオトレジストに照射さ
れない。しかも、フオトレジストの耐熱性、耐プ
ラズマエツチング性の向上に有効な紫外線成分は
依存として含まれているので、効果的なフオトレ
ジスト処理が可能となる。 〔実施例〕 第１図は、この発明によるフオトレジスト処理
方法の一実施例を説明するためのフオトレジスト
処理装置である。パターン化されたフオトレジス
ト４が半導体ウエハ５の上に形成されており半導
体ウエハ５は、ウエハ処理台６に載置される。ウ
エハ処理台６は、ヒータ１０で加熱あるいは冷却
孔１１に冷却水を流がすことによつて冷却され
る。この加熱と冷却機構により温度制御を行う機
能を有する。また、ウエハ処理台６には、真空吸
着孔７が付加されており、真空ポンプによつて連
通孔８を通し真空引きすることにより、半導体ウ
エハ５をウエハ処理台６上に密着かつ固定する機
能をも有する。 照射部は、高圧水銀灯１、凹面ミラー２、フイ
ルタ３などから構成されており、高圧水銀灯１か
ら放射された放射光は、フイルタ３等により、適
当な波長の紫外線を含む放射光として、フオトレ
ジスト４上に照射される。 紫外線の波長としては、既に述べたように、波
長220nｍ以下の短波長の放射光を遮断すること
により、紫外線照射によるフオトレジスト処理を
効果的に行うことができる。波長220nｍ以下の
短波長の放射光を遮断する手段としては、種々検
討した結果、高圧水銀灯１の発光管を、波長が
220nｍ以下の紫外線を遮断するガラスで構成す
ることが適当である。 このガラスの材料としては、耐熱性の点から石
英製ガラスが好適であるが、溶融石英と合成石英
は、220nｍ以下の波長の紫外線の透過率が高い
ので、オゾンレス石英が、波長が220nｍ以下の
紫外線をほとんど透過せず、かつレジスト処理に
効果的な350nｍより短波長の紫外線をよく透過
するので、ここではオゾンレス石英製ガラスを用
いた。 なお、以上の実施例では、水銀灯の発光管に石
英製ガラスを用いたが、これに限定されるもので
はなく、水銀灯と照射処理すべきフオトレジスト
との間の光通路の間に、波長220nｍ以下の紫外
線を遮断するガラスを設けても可能であることは
言うまでもない。 また、高圧水銀灯については、適当な波長の紫
外線を放射するものであればよく、他の金属を例
えばハライドの形で微量添加したものでも良く、
さらには稀ガス放電灯を用いることも可能であ
る。 本発明の効果を証明する客観的事実として、具
体的な実験結果を以下に記載する。この実験にお
いては、第１表に示すように、220nｍ以下の
波長光も放出することができる合成石英製の発光
管からなるランプと、220nｍ以下の波長光を
カツトするオゾンレス石英製ガラスの発光管から
なるランプとによつて、東京応化工業株式会社製
のOFPR−800のレジストを直径５インチのシリ
コンウエハ上に1.0μｍの膜厚に塗布したものを用
いて、温度100℃で10分間照射して膜べりを測定
した。 また、半導体ウエハ面でのオゾン濃度を、オゾ
ン濃度計で測定した。 その結果、上記第１表から明らかなように、
220nｍ以下の波長光の放射により、オゾンが発
生し、それにより膜べりが起きた。
レジストの処理方法に係り、特に紫外線照射によ
るフオトレジストの処理方法に関するものであ
る。 〔従来の技術〕 従来の紫外線照射によるとフオトレジストの処
理については、半導体ウエハに塗布されたフオト
レジストにマスクパターンを露光する処理、フオ
トレジスト表面に付着した有機汚染物を分解洗浄
する予備洗浄処理等において、紫外線照射が利用
されているが、最近レジスト処理工程のひとつで
あるベーキング工程への適用が注目されている。 ベーキング工程とは、フオトレジスト塗布、露
光、現像によるレジストパターンを形成する工程
とこのレジストパターンを用いてイオン注入やプ
ラズマエツチングなど行う工程との中間の工程
で、フオトレジストの半導体基板への接着性向
上、耐熱性の向上することなどを目的とした工程
である。最近現像後のベーキング工程の前、ある
いはベーキング時に紫外線をあてて、より短時間
に耐熱性、耐プラズマエツチング性を高める方法
が検討されている。 〔発明が解決しようとする問題点〕 このように最近、フオトレジストベーキング工
程においては、紫外線を照射することが検討され
ている。 ところが、例えば第３図に示されるような
SiO2層とSi層とからなる半導体ウエハに塗布さ
れたフオトレジストに短波長の紫外線を照射する
と、フオトレジストが膜べり半導体ウエハに塗布
されたフオトレジストの厚みが減少したり、膜の
形状が変化したりすることが起こる。 フオトレジストの膜べりや膜の形状の変化の原
因としては、短波長の紫外線を照射した場合に
は、オゾンO3が発生し、酸化作用が大きくなる
こと、あるいはフオトレジストを構成する高分子
化合物の結合が切断されて、低分子化合物化し、
蒸発すること等が考えられる。 また、短波長の紫外線を照射すると、例えば
SiO2膜のような絶縁膜の性質が変化することも
ある。 このように、短波長の紫外線を照射した場合に
は、フオトレジストの破壊される危険性があるこ
と、また短波長の紫外線により発生するオゾンを
処理するには複雑な装置が必要となる等の問題点
があつた。 この発明は、こうした問題点に鑑みて、紫外線
の照射によるフオトレジストの破壊を防止し、オ
ゾンの発生を防止すること等により、紫外線照射
によるフオトレジスト処理を効果的に行うことを
目的とするものである。 〔問題点を解決するための手段〕 この目的を達成するために、この発明では、波
長220nｍ以下の紫外線の放射光を遮断するガラ
スを、紫外線を放射するランプの発光管に使用す
る。 〔作用〕 この発明においては、220nｍ以下の紫外線の
放射が効果的にカツトされることにより、オゾン
の発生が防止され、フオトレジストに対する破壊
作用をもたらす紫外線がフオトレジストに照射さ
れない。しかも、フオトレジストの耐熱性、耐プ
ラズマエツチング性の向上に有効な紫外線成分は
依存として含まれているので、効果的なフオトレ
ジスト処理が可能となる。 〔実施例〕 第１図は、この発明によるフオトレジスト処理
方法の一実施例を説明するためのフオトレジスト
処理装置である。パターン化されたフオトレジス
ト４が半導体ウエハ５の上に形成されており半導
体ウエハ５は、ウエハ処理台６に載置される。ウ
エハ処理台６は、ヒータ１０で加熱あるいは冷却
孔１１に冷却水を流がすことによつて冷却され
る。この加熱と冷却機構により温度制御を行う機
能を有する。また、ウエハ処理台６には、真空吸
着孔７が付加されており、真空ポンプによつて連
通孔８を通し真空引きすることにより、半導体ウ
エハ５をウエハ処理台６上に密着かつ固定する機
能をも有する。 照射部は、高圧水銀灯１、凹面ミラー２、フイ
ルタ３などから構成されており、高圧水銀灯１か
ら放射された放射光は、フイルタ３等により、適
当な波長の紫外線を含む放射光として、フオトレ
ジスト４上に照射される。 紫外線の波長としては、既に述べたように、波
長220nｍ以下の短波長の放射光を遮断すること
により、紫外線照射によるフオトレジスト処理を
効果的に行うことができる。波長220nｍ以下の
短波長の放射光を遮断する手段としては、種々検
討した結果、高圧水銀灯１の発光管を、波長が
220nｍ以下の紫外線を遮断するガラスで構成す
ることが適当である。 このガラスの材料としては、耐熱性の点から石
英製ガラスが好適であるが、溶融石英と合成石英
は、220nｍ以下の波長の紫外線の透過率が高い
ので、オゾンレス石英が、波長が220nｍ以下の
紫外線をほとんど透過せず、かつレジスト処理に
効果的な350nｍより短波長の紫外線をよく透過
するので、ここではオゾンレス石英製ガラスを用
いた。 なお、以上の実施例では、水銀灯の発光管に石
英製ガラスを用いたが、これに限定されるもので
はなく、水銀灯と照射処理すべきフオトレジスト
との間の光通路の間に、波長220nｍ以下の紫外
線を遮断するガラスを設けても可能であることは
言うまでもない。 また、高圧水銀灯については、適当な波長の紫
外線を放射するものであればよく、他の金属を例
えばハライドの形で微量添加したものでも良く、
さらには稀ガス放電灯を用いることも可能であ
る。 本発明の効果を証明する客観的事実として、具
体的な実験結果を以下に記載する。この実験にお
いては、第１表に示すように、220nｍ以下の
波長光も放出することができる合成石英製の発光
管からなるランプと、220nｍ以下の波長光を
カツトするオゾンレス石英製ガラスの発光管から
なるランプとによつて、東京応化工業株式会社製
のOFPR−800のレジストを直径５インチのシリ
コンウエハ上に1.0μｍの膜厚に塗布したものを用
いて、温度100℃で10分間照射して膜べりを測定
した。 また、半導体ウエハ面でのオゾン濃度を、オゾ
ン濃度計で測定した。 その結果、上記第１表から明らかなように、
220nｍ以下の波長光の放射により、オゾンが発
生し、それにより膜べりが起きた。
以上の説明から明らかなように、この発明によ
れば、波長220nｍ以下の短波長放射光がカツト
されることにより、フオトレジストに対する破壊
作用をもたらす短波長放射光がフオトレジストに
照射されず、しかも簡単な構成でフオトレジスト
に有害な作用を及ぼすオゾンの発生も防止され
る。しかも、フオトレジストの耐熱性、耐プラズ
マ性の向上に有効な紫外線成分は依然として含ま
れているので、効果的なフオトレジスト処理が可
能となる。
れば、波長220nｍ以下の短波長放射光がカツト
されることにより、フオトレジストに対する破壊
作用をもたらす短波長放射光がフオトレジストに
照射されず、しかも簡単な構成でフオトレジスト
に有害な作用を及ぼすオゾンの発生も防止され
る。しかも、フオトレジストの耐熱性、耐プラズ
マ性の向上に有効な紫外線成分は依然として含ま
れているので、効果的なフオトレジスト処理が可
能となる。
第１図は、この発明によるレジスト処理方法の
一実施例を説明するためのレジスト処理装置、第
２図は、この発明によるレジスト処理方法に使用
する水銀灯の放射線スペクトルを示す図、第３図
は、フオトレジストが塗布された半導体ウエハの
断面図である。 図中、１：高圧水銀灯、２：凹面ミラー、３：
フイルタ、４：フオトレジスト、５：半導体ウエ
ハ、６：ウエハ処理台、７：真空吸着孔、８：連
通孔、９：ヒータリード線、１０：ヒータ、１
１：冷却孔。
一実施例を説明するためのレジスト処理装置、第
２図は、この発明によるレジスト処理方法に使用
する水銀灯の放射線スペクトルを示す図、第３図
は、フオトレジストが塗布された半導体ウエハの
断面図である。 図中、１：高圧水銀灯、２：凹面ミラー、３：
フイルタ、４：フオトレジスト、５：半導体ウエ
ハ、６：ウエハ処理台、７：真空吸着孔、８：連
通孔、９：ヒータリード線、１０：ヒータ、１
１：冷却孔。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 半導体ウエハに塗布されたフオトレジストを
処理する方法において、波長220nｍ以下の短波
長の放射光を遮断するガラスを、紫外線を放射す
るランプの発光管もしくはランプと被処理物間に
フイルタとして使用することを特徴とするフオト
レジストの処理方法。 ２ 紫外線を放射するランプとして水銀灯もしく
は稀ガス放電灯を用いることを特徴とする特許請
求の範囲第１項記載のフオトレジストの処理方
法。 ３ オゾンレス石英製ガラスをランプの発光管も
しくはフイルタに使用することを特徴とする特許
請求の範囲第１項もしくは第２項記載のフオトレ
ジストの処理方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23945685A JPS62111426A (ja) | 1985-10-28 | 1985-10-28 | フオトレジストの処理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23945685A JPS62111426A (ja) | 1985-10-28 | 1985-10-28 | フオトレジストの処理方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62111426A JPS62111426A (ja) | 1987-05-22 |
| JPH0410733B2 true JPH0410733B2 (ja) | 1992-02-26 |
Family
ID=17045032
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23945685A Granted JPS62111426A (ja) | 1985-10-28 | 1985-10-28 | フオトレジストの処理方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62111426A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4897287A (en) * | 1988-10-06 | 1990-01-30 | The Boc Group, Inc. | Metallization process for an integrated circuit |
| JP7035795B2 (ja) * | 2018-05-18 | 2022-03-15 | 日本電気硝子株式会社 | 膜付きガラス板及びパッケージ |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS51111072A (en) * | 1975-03-26 | 1976-10-01 | Hitachi Ltd | Photo etching method |
-
1985
- 1985-10-28 JP JP23945685A patent/JPS62111426A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS51111072A (en) * | 1975-03-26 | 1976-10-01 | Hitachi Ltd | Photo etching method |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS62111426A (ja) | 1987-05-22 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |