JP2798792B2 - レジスト処理装置 - Google Patents
レジスト処理装置Info
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- JP2798792B2 JP2798792B2 JP2182720A JP18272090A JP2798792B2 JP 2798792 B2 JP2798792 B2 JP 2798792B2 JP 2182720 A JP2182720 A JP 2182720A JP 18272090 A JP18272090 A JP 18272090A JP 2798792 B2 JP2798792 B2 JP 2798792B2
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- Japan
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- heater
- processing table
- wafer
- wafer processing
- resist
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/70858—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature
- G03F7/70866—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature of mask or workpiece
- G03F7/70875—Temperature, e.g. temperature control of masks or workpieces via control of stage temperature
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- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は、フォトレジストが塗布された半導体ウエハ
を加熱しながら紫外線を照射してレジスト処理する装置
に関するものである。
を加熱しながら紫外線を照射してレジスト処理する装置
に関するものである。
［従来の技術］ 半導体素子の製造工程において、フォトレジストパタ
ーンの形成工程は大きく分けると、レジスト塗布、プレ
ベーク、露光、現象、ポストベークの順に行われる。こ
の後、このフォトレジストパターンを用いて、イオン注
入、あるいはレジスト塗布前にあらかじめ半導体ウエハ
の表面に形成されたシリコン酸化膜、シリコン窒化膜、
アルミニウム薄膜などのプラズマエッチングなどが行わ
れる。このとき、イオン注入時にはフォトレジストが昇
温するので耐熱性が高い方が良く、プラズマエッチング
時では、「膜べり」が生じない耐久性が要求される。と
ころが、近年は半導体素子の高集積化、微細化などに伴
い、フォトレジストがより高分解能のものが使われるよ
うになったが、この場合フォトレジストはポジ型であ
り、一般的にネガ型より耐熱性が悪い。
ーンの形成工程は大きく分けると、レジスト塗布、プレ
ベーク、露光、現象、ポストベークの順に行われる。こ
の後、このフォトレジストパターンを用いて、イオン注
入、あるいはレジスト塗布前にあらかじめ半導体ウエハ
の表面に形成されたシリコン酸化膜、シリコン窒化膜、
アルミニウム薄膜などのプラズマエッチングなどが行わ
れる。このとき、イオン注入時にはフォトレジストが昇
温するので耐熱性が高い方が良く、プラズマエッチング
時では、「膜べり」が生じない耐久性が要求される。と
ころが、近年は半導体素子の高集積化、微細化などに伴
い、フォトレジストがより高分解能のものが使われるよ
うになったが、この場合フォトレジストはポジ型であ
り、一般的にネガ型より耐熱性が悪い。
フォトレジストの耐熱性や耐プラズマ性を高める方法
としてポストベークにおいて段階的に温度を上げ、充分
な時間加熱処理する方法や現像後のフォトレジストパタ
ーンに紫外線を照射する方法が検討されている。しか
し、前者の方法では十分な耐熱性や耐プラズマ性が得ら
れず、また処理時間が大幅に長くなるという欠点があ
る。そして、後者の方法においては、紫外線照射により
耐熱温度は上昇するものの、フォトレジスト膜が厚い場
合には、紫外線が内部まで到達せず、フォトレジストの
内部まで十分に耐熱性が向上しなかったり、処理時間が
長いという欠点がある。
としてポストベークにおいて段階的に温度を上げ、充分
な時間加熱処理する方法や現像後のフォトレジストパタ
ーンに紫外線を照射する方法が検討されている。しか
し、前者の方法では十分な耐熱性や耐プラズマ性が得ら
れず、また処理時間が大幅に長くなるという欠点があ
る。そして、後者の方法においては、紫外線照射により
耐熱温度は上昇するものの、フォトレジスト膜が厚い場
合には、紫外線が内部まで到達せず、フォトレジストの
内部まで十分に耐熱性が向上しなかったり、処理時間が
長いという欠点がある。
そのため最近は、例えば特開昭60−45247号「フォト
レジストの硬化方法及び硬化装置」に開示されているよ
うに「加熱」と「紫外線照射」を組合せることが提案さ
れている。そこで、フォトレジストが塗布された半導体
ウエハを、発熱体を内蔵した金属性ホットプレート上に
載置し、このホットプレートによって加熱しながら紫外
線を照射している。
レジストの硬化方法及び硬化装置」に開示されているよ
うに「加熱」と「紫外線照射」を組合せることが提案さ
れている。そこで、フォトレジストが塗布された半導体
ウエハを、発熱体を内蔵した金属性ホットプレート上に
載置し、このホットプレートによって加熱しながら紫外
線を照射している。
又、特開昭63−232331号等で知られているように、レ
ジストを短時間で硬化させるために減圧下で紫外線照射
する方法がある。
ジストを短時間で硬化させるために減圧下で紫外線照射
する方法がある。
第２図は従来のレジスト処理装置の概略構成を示す図
である。第２図において、21は高圧水銀灯、22は楕円集
光鏡、23は処理室、24はこの処理室23の上部に設けられ
た照射窓、25は処理室23を真空にするために不図示の真
空ポンプに接続される排気口、26はウエハ処理台、27は
このウエハ処理台26の間隙28に設置されたヒータ、29は
このヒータ28へのリード線、10は表面にフォトレジスト
（以下レジストという）11を塗布したウエハで、ウエハ
処理台26に載置されて、楕円集光鏡22を介してランプ21
からの光照射を受ける。
である。第２図において、21は高圧水銀灯、22は楕円集
光鏡、23は処理室、24はこの処理室23の上部に設けられ
た照射窓、25は処理室23を真空にするために不図示の真
空ポンプに接続される排気口、26はウエハ処理台、27は
このウエハ処理台26の間隙28に設置されたヒータ、29は
このヒータ28へのリード線、10は表面にフォトレジスト
（以下レジストという）11を塗布したウエハで、ウエハ
処理台26に載置されて、楕円集光鏡22を介してランプ21
からの光照射を受ける。
第２図において、レジスト11が塗布されたウエハ10
は、ヒータ27を配設したウエハ処理台26を介して加熱さ
れながら、ランプ21からの紫外線が照射されてレジスト
処理が行われる。それによってレジストの耐熱性や耐プ
ラズマエッチング性が高められる。
は、ヒータ27を配設したウエハ処理台26を介して加熱さ
れながら、ランプ21からの紫外線が照射されてレジスト
処理が行われる。それによってレジストの耐熱性や耐プ
ラズマエッチング性が高められる。
第２図の装置では、処理室23はステンレスまたはアル
ミニウム等であるが、ヒータ27を有するウエハ処理台26
は熱伝導及び熱の均一性を高めるために銅、アルミニウ
ム等を用いる。
ミニウム等であるが、ヒータ27を有するウエハ処理台26
は熱伝導及び熱の均一性を高めるために銅、アルミニウ
ム等を用いる。
ところが、ステンレス製の処理室23に対して、銅やア
ルミニウムのウエハ処理台26はクリーニング、ヒータ交
換等のメンテナンスのため取外し可能とする必要があ
り、溶接することができないので、処理室23とウエハ処
理台26の間をパッキン等を介在させて封止することが必
要であるが、250℃〜300℃程度の高温ではよい封止方法
はない。
ルミニウムのウエハ処理台26はクリーニング、ヒータ交
換等のメンテナンスのため取外し可能とする必要があ
り、溶接することができないので、処理室23とウエハ処
理台26の間をパッキン等を介在させて封止することが必
要であるが、250℃〜300℃程度の高温ではよい封止方法
はない。
そこで、第３図に示すようにウエハ処理台26を処理室
23の内部に配置する方法がある。この場合、冷却水を流
すパイプ30やヒータリード線29がウエハ処理台26から処
理室23を貫通しているが、これらは、ヒータから十分離
れており温度が低いため、パッキン等のシール部材を使
うことができる。
23の内部に配置する方法がある。この場合、冷却水を流
すパイプ30やヒータリード線29がウエハ処理台26から処
理室23を貫通しているが、これらは、ヒータから十分離
れており温度が低いため、パッキン等のシール部材を使
うことができる。
［発明が解決しようとする課題］ 上記のように、従来の装置におけるウエハ処理台の素
材として用いられる金属（銅、アルミニウム等）に対し
てヒータから熱を伝える際に、ウエハ処理台が大気中に
ある場合は空気の対流、伝導（処理台とヒータとの接
触）、放射の三つの伝達方法があるが、ウエハ処理台を
真空中に配設してしまった場合、ヒータとウエハ処理台
との間隙部も真空になってしまうので、空気の対流によ
る熱の伝達がなくなってしまう。
材として用いられる金属（銅、アルミニウム等）に対し
てヒータから熱を伝える際に、ウエハ処理台が大気中に
ある場合は空気の対流、伝導（処理台とヒータとの接
触）、放射の三つの伝達方法があるが、ウエハ処理台を
真空中に配設してしまった場合、ヒータとウエハ処理台
との間隙部も真空になってしまうので、空気の対流によ
る熱の伝達がなくなってしまう。
レジスト処理の方法としては、一般にウエハ処理台が
50℃〜300℃程度の範囲で急激な昇降温制御をするた
め、もし対流による熱の伝達方法がなくなってしまう
と、ヒータの加熱による熱の伝達は伝導と放射のみにな
ってしまい、ヒータからウエハ処理台への熱が伝わりに
くくなってしまう。その結果、ヒータとウエハ処理台と
の温度差が大きくなってしまう。このヒータとウエハ処
理台との温度差が大きいということは、ヒータ本体の加
熱温度を高くしないと、ウエハ処理台を所望の温度まで
加熱することができないことであり、結果としてヒータ
及びヒータ内部のヒータ線が高温となり、ヒータを短時
間に損傷する原因となり、ヒータの寿命を短くするとい
う欠点がある。
50℃〜300℃程度の範囲で急激な昇降温制御をするた
め、もし対流による熱の伝達方法がなくなってしまう
と、ヒータの加熱による熱の伝達は伝導と放射のみにな
ってしまい、ヒータからウエハ処理台への熱が伝わりに
くくなってしまう。その結果、ヒータとウエハ処理台と
の温度差が大きくなってしまう。このヒータとウエハ処
理台との温度差が大きいということは、ヒータ本体の加
熱温度を高くしないと、ウエハ処理台を所望の温度まで
加熱することができないことであり、結果としてヒータ
及びヒータ内部のヒータ線が高温となり、ヒータを短時
間に損傷する原因となり、ヒータの寿命を短くするとい
う欠点がある。
本発明はヒータの損傷を防止し、ウエハ処理台の急激
な昇降温制御をに行うことのできる、レジスト処理装置
を提供することを目的とする。
な昇降温制御をに行うことのできる、レジスト処理装置
を提供することを目的とする。
［課題を解決するための手段］ 上記の目的を達成するために、この発明のレジスト処
理装置は処理室と、この処理室底面より伸びる保持部材
で保持された処理台と、この処理台の内部に間隙を有し
て挿入されたヒータと、該処理室外部より不活性ガスを
該処理台まで導く手段と、この不活性ガスを該処理台内
の間隙に流す手段とを具備したものである。
理装置は処理室と、この処理室底面より伸びる保持部材
で保持された処理台と、この処理台の内部に間隙を有し
て挿入されたヒータと、該処理室外部より不活性ガスを
該処理台まで導く手段と、この不活性ガスを該処理台内
の間隙に流す手段とを具備したものである。
［作用］ 上記の構成を有することにより、ヒータの熱がウエハ
処理台に効率良く伝わり、ヒータの温度を低くおさえる
ことができるため、熱によるヒータ破損の心配もない。
処理台に効率良く伝わり、ヒータの温度を低くおさえる
ことができるため、熱によるヒータ破損の心配もない。
［実施例］ 第１図は本発明の一実施例であるレジスト処理装置の
主要部の概略構成を示す図で、同図（ａ）は側面図、同
図（ｂ）は同図（ａ）の線Ａ−Ａにおける平面断面図で
ある。
主要部の概略構成を示す図で、同図（ａ）は側面図、同
図（ｂ）は同図（ａ）の線Ａ−Ａにおける平面断面図で
ある。
第１図において、１はランプ、２は楕円集光鏡、３は
処理室、４は照射窓、５は処理室３を不図示の真空ポン
プへ連結する排気口、６はウエハ処理台、７はヒータ、
８はこのヒータ７を配設するための間隙、９はヒータ７
のリード線、12は間隙８に不活性ガスを導入するための
ガスパイプ、13は冷却用のパイプ、14は処理室３とガス
パイプ12及び冷却水用のパイプとの間に介在させたパッ
キン、15は貫通継手、16は処理台６の保持部材であり、
また、第１図において、第２図と同一符号は同一のもの
である。
処理室、４は照射窓、５は処理室３を不図示の真空ポン
プへ連結する排気口、６はウエハ処理台、７はヒータ、
８はこのヒータ７を配設するための間隙、９はヒータ７
のリード線、12は間隙８に不活性ガスを導入するための
ガスパイプ、13は冷却用のパイプ、14は処理室３とガス
パイプ12及び冷却水用のパイプとの間に介在させたパッ
キン、15は貫通継手、16は処理台６の保持部材であり、
また、第１図において、第２図と同一符号は同一のもの
である。
次に第１図の各構成要素についてさらに詳細に説明す
ると、ガスパイプ12内を流れるガスは窒素、アルゴン等
の不活性ガスで、流量10〜200CC/minであり、ヒータ７
は、定格電力500〜1000Wで、約50℃〜450℃の温度範囲
に加熱され、ウエハ処理台６は約30〜300℃まで昇温す
る。ヒータ７は、カートリッジヒータが適用される。
ると、ガスパイプ12内を流れるガスは窒素、アルゴン等
の不活性ガスで、流量10〜200CC/minであり、ヒータ７
は、定格電力500〜1000Wで、約50℃〜450℃の温度範囲
に加熱され、ウエハ処理台６は約30〜300℃まで昇温す
る。ヒータ７は、カートリッジヒータが適用される。
ウエハー処理台６は、銅あるいはアルミニウムで構成
される。ウエハ処理台６としては温度を均一にする必要
があり熱伝導度のすぐれたものがよい。また加熱処理は
温度が急激に昇降するので熱容量を小さくする必要があ
り、できるだけ小型のものがよい。
される。ウエハ処理台６としては温度を均一にする必要
があり熱伝導度のすぐれたものがよい。また加熱処理は
温度が急激に昇降するので熱容量を小さくする必要があ
り、できるだけ小型のものがよい。
さらに、ウエハ処理台６でのガスの流路は、ヒータ７
の外周とウエハ処理台６の間には、約0.05〜0.1mmの微
小な間隙８があり、ここに上記ガスが流れてヒータ７の
熱を対流によってウエハ処理台６に伝える。ヒータ７
は、その端部等で止めネジによってウエハ処理台６の内
周面に押えつけられるような構造で保持、あるいは抜け
止めされている（図示略）。
の外周とウエハ処理台６の間には、約0.05〜0.1mmの微
小な間隙８があり、ここに上記ガスが流れてヒータ７の
熱を対流によってウエハ処理台６に伝える。ヒータ７
は、その端部等で止めネジによってウエハ処理台６の内
周面に押えつけられるような構造で保持、あるいは抜け
止めされている（図示略）。
ウエハ10及びレジスト11は、例えば６インチのシリコ
ンウエハにレジスト（例えば東京応化製OFPR−800）が
３μｍの厚さでパターン化されている。このウエハ10は
図示略であるが処理台に載置されている。
ンウエハにレジスト（例えば東京応化製OFPR−800）が
３μｍの厚さでパターン化されている。このウエハ10は
図示略であるが処理台に載置されている。
ウエハ処理台６は、処理室３内で保持部材16で保持さ
れている。保持部材16のうち16aは断熱のためセラミッ
クで構成され、その他の部分は金属でできている。この
保持部材16によってウエハ処理台６は処理室底面より10
0mmぐらい離間されている。
れている。保持部材16のうち16aは断熱のためセラミッ
クで構成され、その他の部分は金属でできている。この
保持部材16によってウエハ処理台６は処理室底面より10
0mmぐらい離間されている。
ガスパイプ12は、ステンレスまたは銅製（熱伝導性の
悪いものがより好適）で、外径約7mmである。
悪いものがより好適）で、外径約7mmである。
冷却水用のパイプ13は、ステンレスまたは銅製で外径
10mmのものが用いられ、ウエハ処理台６の冷却に使用し
ており、上記両パイプの接合部は貫通継手15とフッソゴ
ム系のパッキンで図のように密閉されている。
10mmのものが用いられ、ウエハ処理台６の冷却に使用し
ており、上記両パイプの接合部は貫通継手15とフッソゴ
ム系のパッキンで図のように密閉されている。
また、処理室３はステンレス製で内部を排気口に接続
された不図示の真空ポンプによって、例えば10-1torrに
減圧させる。
された不図示の真空ポンプによって、例えば10-1torrに
減圧させる。
ランプ１は定格消費電力4KWの高圧放電灯等、あるい
は低圧放電灯や金属蒸気放電灯で220〜320nmの範囲の波
長を強く発光するものが用いられる。そして楕円集光鏡
２は紫外線を効率よくかつ均一に照射するために高反射
率のアルミニウムミラーを用いる。
は低圧放電灯や金属蒸気放電灯で220〜320nmの範囲の波
長を強く発光するものが用いられる。そして楕円集光鏡
２は紫外線を効率よくかつ均一に照射するために高反射
率のアルミニウムミラーを用いる。
その他、図示略であるがウエハ処理台６の温度制御機
構、あるいはウエハ搬送機構等がある。
構、あるいはウエハ搬送機構等がある。
また、加熱処理、紫外線照射処理の動作については、
第２図と同様であるので説明は省略する。
第２図と同様であるので説明は省略する。
第１図においては、処理室３の外部よりガスパイプ12
にてウエハ処理台６までガスを供給する。このガスがウ
エハ処理台６内でヒータ７の周囲を沿うように流れる。
このためヒータ７からの熱がガスの対流によってウエハ
処理台６に伝達されて、ウエハ10の加熱処理が行なわれ
る。
にてウエハ処理台６までガスを供給する。このガスがウ
エハ処理台６内でヒータ７の周囲を沿うように流れる。
このためヒータ７からの熱がガスの対流によってウエハ
処理台６に伝達されて、ウエハ10の加熱処理が行なわれ
る。
第４図（ａ）は、この発明の他の実施例であるリング
状ヒータを設けたウエハ処理台の主要部を示す断面図、
同図（ｂ）は同図（ａ）に用いられたリング状ヒータの
斜視図である。
状ヒータを設けたウエハ処理台の主要部を示す断面図、
同図（ｂ）は同図（ａ）に用いられたリング状ヒータの
斜視図である。
第４図においてはガスパイプ32から導入されたガスに
よって、ウエハ処理台36と底板40に囲まれた間隙38内の
リング状のヒータ37の熱が対流によってウエハ処理台36
に伝えられる。
よって、ウエハ処理台36と底板40に囲まれた間隙38内の
リング状のヒータ37の熱が対流によってウエハ処理台36
に伝えられる。
従来は、ヒータの熱を、放射とわずかな点接触による
伝導とによってウエハ処理台に伝えなければならなかっ
たので、ヒータが800℃位迄昇温していたが、第１図の
装置では不活性ガスによる対流によってヒータ７の熱の
大部分がウエハ処理台６に伝わるので、ヒータ７の加熱
温度も450℃程度までとなり、熱によるヒータの損傷も
少くなった。
伝導とによってウエハ処理台に伝えなければならなかっ
たので、ヒータが800℃位迄昇温していたが、第１図の
装置では不活性ガスによる対流によってヒータ７の熱の
大部分がウエハ処理台６に伝わるので、ヒータ７の加熱
温度も450℃程度までとなり、熱によるヒータの損傷も
少くなった。
また、特開昭58−32410号公報には、処理室内でのプ
ラズマエッチングによるウエハの温度上昇を抑える目的
でガスを流入することが開示されているが、この装置は
ヒータを設けたものではなく、本発明のようにヒータか
らの熱によりウエハを加熱する装置において、ヒータを
保護するためにガスを導入することにより熱を対流させ
て温度の上昇、均一化を促進させる点は、新規でありヒ
ータ保護の目的を充分に達せられるものである。
ラズマエッチングによるウエハの温度上昇を抑える目的
でガスを流入することが開示されているが、この装置は
ヒータを設けたものではなく、本発明のようにヒータか
らの熱によりウエハを加熱する装置において、ヒータを
保護するためにガスを導入することにより熱を対流させ
て温度の上昇、均一化を促進させる点は、新規でありヒ
ータ保護の目的を充分に達せられるものである。
［発明の効果］ 以上説明したとおり、本発明によればヒータとウエハ
処理台との温度差は少く、そのためウエハ処理台の加熱
速度は早く、その上ヒータを不必要に加熱することがな
いのでヒータの損傷は少い。
処理台との温度差は少く、そのためウエハ処理台の加熱
速度は早く、その上ヒータを不必要に加熱することがな
いのでヒータの損傷は少い。
第１図は本発明の一実施例であるレジスト処理装置の主
要部の概略構成を示す図で、同図（ａ）は側面図、同図
（ｂ）は同図（ａ）の線Ａ−Ａにおける平面断面図、第
２図は従来のレジスト処理装置の概略構成を示す図、第
３図は従来の他のレジスト処理装置の概略説明図、第４
図（ａ）はこの発明の他の実施例であるリング状ヒータ
を設けた、ウエハ処理台の主要部を示す断面図、同図
（ｂ）は同図（ａ）に用いられたリング状ヒータの斜視
図である。 図中． 1:ランプ、2:楕円集光鏡 3:処理室、4:照射窓 5:排気口、6:ウエハ処理台 7:ヒータ、8:間隙 9:リード線、10:ウエハ 11:レジスト、12:ガスパイプ 13:冷却水用パイプ、14:パッキン 15:貫通継手
要部の概略構成を示す図で、同図（ａ）は側面図、同図
（ｂ）は同図（ａ）の線Ａ−Ａにおける平面断面図、第
２図は従来のレジスト処理装置の概略構成を示す図、第
３図は従来の他のレジスト処理装置の概略説明図、第４
図（ａ）はこの発明の他の実施例であるリング状ヒータ
を設けた、ウエハ処理台の主要部を示す断面図、同図
（ｂ）は同図（ａ）に用いられたリング状ヒータの斜視
図である。 図中． 1:ランプ、2:楕円集光鏡 3:処理室、4:照射窓 5:排気口、6:ウエハ処理台 7:ヒータ、8:間隙 9:リード線、10:ウエハ 11:レジスト、12:ガスパイプ 13:冷却水用パイプ、14:パッキン 15:貫通継手
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) H01L 21/027 G03F 7/20 521
Claims (1)
- 【請求項１】減圧雰囲気下で光照射及び／又は加熱によ
り処理するレジスト処理装置において、 処理室と、この処理室底面より伸びる保持部材で保持さ
れた処理台と、この処理台の内部に間隙を有して挿入さ
れたヒータと、該処理室外部より不活性ガスを該処理台
まで導く手段と、この不活性ガスを該処理台内の間隙に
流す手段とを具備したことを特徴とするレジスト処理装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2182720A JP2798792B2 (ja) | 1990-07-12 | 1990-07-12 | レジスト処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2182720A JP2798792B2 (ja) | 1990-07-12 | 1990-07-12 | レジスト処理装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0471216A JPH0471216A (ja) | 1992-03-05 |
| JP2798792B2 true JP2798792B2 (ja) | 1998-09-17 |
Family
ID=16123265
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2182720A Expired - Lifetime JP2798792B2 (ja) | 1990-07-12 | 1990-07-12 | レジスト処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2798792B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3021264B2 (ja) * | 1993-12-13 | 2000-03-15 | アネルバ株式会社 | 基板加熱・冷却機構 |
| JP4506473B2 (ja) | 2005-01-14 | 2010-07-21 | アイシン精機株式会社 | ワイヤ、検出器及び金型 |
-
1990
- 1990-07-12 JP JP2182720A patent/JP2798792B2/ja not_active Expired - Lifetime
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| Publication number | Publication date |
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| JPH0471216A (ja) | 1992-03-05 |
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