JPH0442821B2 - - Google Patents
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- JPH0442821B2 JPH0442821B2 JP57037665A JP3766582A JPH0442821B2 JP H0442821 B2 JPH0442821 B2 JP H0442821B2 JP 57037665 A JP57037665 A JP 57037665A JP 3766582 A JP3766582 A JP 3766582A JP H0442821 B2 JPH0442821 B2 JP H0442821B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- etching
- temperature
- chamber container
- etching stage
- upper electrode
- Prior art date
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Links
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 60
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 claims description 9
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 9
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 description 6
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- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 5
- 230000002542 deteriorative effect Effects 0.000 description 4
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 3
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 3
- NBVXSUQYWXRMNV-UHFFFAOYSA-N fluoromethane Chemical compound FC NBVXSUQYWXRMNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004809 Teflon Substances 0.000 description 1
- 229920006362 Teflon® Polymers 0.000 description 1
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
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- NVLRFXKSQQPKAD-UHFFFAOYSA-N tricarbon Chemical compound [C]=C=[C] NVLRFXKSQQPKAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/02—Details
- H01J37/20—Means for supporting or positioning the objects or the material; Means for adjusting diaphragms or lenses associated with the support
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/20—Positioning, supporting, modifying or maintaining the physical state of objects being observed or treated
- H01J2237/2001—Maintaining constant desired temperature
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は例えば四フツ化炭素（CF4）、八フ
ツ化三炭素（C3F8）などのフロロカーボン系の
ガスのプラズマにさらして半導体ウエーハ（以下
「ウエーハ」と略称する）を異方性エツチングす
るドライエツチング装置に関するものである。
ツ化三炭素（C3F8）などのフロロカーボン系の
ガスのプラズマにさらして半導体ウエーハ（以下
「ウエーハ」と略称する）を異方性エツチングす
るドライエツチング装置に関するものである。
第１図は従来のドライエツチング装置の一例を
示す断面図である。
示す断面図である。
図において、１はベース板、２はベース板１の
表面上の一部にテフロンなどの絶縁板３を介して
固定され下部電極を構成するエツチングステー
ジ、４はベース板１上にエツチングステージ２を
覆うようにかぶせられたコツプ状のチヤンバー容
器、５はチヤンバー容器４内にエツチングステー
ジ２との間に所定間隔をおいてこれと対向するよ
うに設けられチヤンバー容器４の天板にテフロン
などの絶縁体３を介して保持された上部電極、７
はチヤンバー容器４の天板にこれを貫通するよう
に固着されチヤンバー容器４内へCF4、C3F8など
のフロロカーボン系のガスを導入するためのガス
導入管、８は一方の端部側がベース板１にこれを
貫通しチヤンバー容器４の内側に開口するように
固着され他方の端部側が排気装置（図示せず）に
接続されたガス排気管である。なお、図示してい
ないが、エツチングステージ２および上部電極５
は高周波電源に接続されて、エツチングステージ
２と上部電極５との間にガス導入管７を通してチ
ヤンバー容器４内に導入されたガスのプラズマを
発生させるようになつている。
表面上の一部にテフロンなどの絶縁板３を介して
固定され下部電極を構成するエツチングステー
ジ、４はベース板１上にエツチングステージ２を
覆うようにかぶせられたコツプ状のチヤンバー容
器、５はチヤンバー容器４内にエツチングステー
ジ２との間に所定間隔をおいてこれと対向するよ
うに設けられチヤンバー容器４の天板にテフロン
などの絶縁体３を介して保持された上部電極、７
はチヤンバー容器４の天板にこれを貫通するよう
に固着されチヤンバー容器４内へCF4、C3F8など
のフロロカーボン系のガスを導入するためのガス
導入管、８は一方の端部側がベース板１にこれを
貫通しチヤンバー容器４の内側に開口するように
固着され他方の端部側が排気装置（図示せず）に
接続されたガス排気管である。なお、図示してい
ないが、エツチングステージ２および上部電極５
は高周波電源に接続されて、エツチングステージ
２と上部電極５との間にガス導入管７を通してチ
ヤンバー容器４内に導入されたガスのプラズマを
発生させるようになつている。
次に、この従来例の動作について説明する。
まず、エツチングステージ２の表面上にエツチ
ングすべきウエーハ５０を載置する。次に、ガス
排気管８を通してチヤンバー容器４内を排気しな
がらガス導入管７を通してチヤンバー容器４内へ
ガスを導入し、チヤンバー容器４内のガス圧を所
定値に保持する。しかるのち、エツチングステー
ジ２と上部電極５との間に高周波電源を接続して
ガスのプラズマを発生させると、ウエーハ５０が
このガスのプラズマにさらされてエツチングされ
る。
ングすべきウエーハ５０を載置する。次に、ガス
排気管８を通してチヤンバー容器４内を排気しな
がらガス導入管７を通してチヤンバー容器４内へ
ガスを導入し、チヤンバー容器４内のガス圧を所
定値に保持する。しかるのち、エツチングステー
ジ２と上部電極５との間に高周波電源を接続して
ガスのプラズマを発生させると、ウエーハ５０が
このガスのプラズマにさらされてエツチングされ
る。
ところで、この従来例の装置では、ウエーハ５
０へのエッチング時にウエーハ５０の温度が上昇
しえ、このウエーハ５０の表面上に設けられたエ
ツチングマスク用レジスト膜（図示せず）が劣化
し、精密な選択エツチングができなかつた。この
エツチングマスク用レジスト膜の劣化を防止する
ために、、エツチングステージ２のみを室温以下
になるように冷却し、この冷却されたエツチング
ステージ２の表面上にこれに密着して載置された
ウエーハ５０を冷却するようにした装置が開発さ
れている。
０へのエッチング時にウエーハ５０の温度が上昇
しえ、このウエーハ５０の表面上に設けられたエ
ツチングマスク用レジスト膜（図示せず）が劣化
し、精密な選択エツチングができなかつた。この
エツチングマスク用レジスト膜の劣化を防止する
ために、、エツチングステージ２のみを室温以下
になるように冷却し、この冷却されたエツチング
ステージ２の表面上にこれに密着して載置された
ウエーハ５０を冷却するようにした装置が開発さ
れている。
しかし、このエツチングステージ２のみを冷却
した装置では、ガスとプラズマによつてウエーハ
５０をエツチングする時に生成されるエツチング
反応生成物がガス排気管８を通して排出されると
同時に低温のチヤンバー容器４の内壁面上および
上部電極５の表面上に付着し、この付着したエツ
チング反応生成物から揮発性成分が蒸発するの
で、この揮発性成分の蒸発によつてチヤンバー容
器４内のガス圧が変動して、ガスのプラズマによ
るウエーハ５０への所望のエツチング速度を再現
性よき得ることが容易でないという欠点があつ
た。
した装置では、ガスとプラズマによつてウエーハ
５０をエツチングする時に生成されるエツチング
反応生成物がガス排気管８を通して排出されると
同時に低温のチヤンバー容器４の内壁面上および
上部電極５の表面上に付着し、この付着したエツ
チング反応生成物から揮発性成分が蒸発するの
で、この揮発性成分の蒸発によつてチヤンバー容
器４内のガス圧が変動して、ガスのプラズマによ
るウエーハ５０への所望のエツチング速度を再現
性よき得ることが容易でないという欠点があつ
た。
この発明は、上述の欠点に鑑みてなされたもの
で、エツチングステージ、チヤンバー容器の容器
壁および上部電極の温度制御をそれぞれ別個に行
い得るようにすることによつて、ウエーハの表面
上に設けられたエツチングマスク用レジスト膜の
劣化を防止するとともにウエーハへの所望のエツ
チング速度を再現性よく得られるようにしたドラ
イエツチング装置を提供することを目的とする。
で、エツチングステージ、チヤンバー容器の容器
壁および上部電極の温度制御をそれぞれ別個に行
い得るようにすることによつて、ウエーハの表面
上に設けられたエツチングマスク用レジスト膜の
劣化を防止するとともにウエーハへの所望のエツ
チング速度を再現性よく得られるようにしたドラ
イエツチング装置を提供することを目的とする。
第２図はこの発明の一実施例のドライエツチン
グ装置を示す断面図である。
グ装置を示す断面図である。
図において、第１図に示した従来と同一符号は
同等部分を示し、その説明は省略する。９はエツ
チングステージ２の内部に埋設されたエツチング
ステージ２を冷却するための低温の絶縁性液体が
流れるエツチングステージ冷却管、１０はエツチ
ングステージ冷却管９とベース板１との間を絶縁
するための絶縁体、１１はチヤンバー容器４の容
器壁の内部に埋設されチヤバー容器４の容器壁を
加熱するための高温の絶縁性液体が流れるチヤン
バー加熱管、１２は上部電極５の内部に埋設され
上部電極５を加熱するための高温の絶縁性液体が
流れる上部電極加熱管である。なお、図示してな
いが、エツチングステージ冷却管９、チヤンバー
加熱管１１および上部電極加熱管１２はそれぞれ
別個の温度制御可能な恒温槽に接続され、これら
の恒温槽内でそれぞれ所定温度値に制御された恒
温の絶縁性液体をエツチングステージ冷却管９、
チヤンバー加熱管１１および上部電極加熱管１２
に流して、エツチングステージ２、チヤンバー容
器４の容器壁および上部電極５の温度をそれぞれ
上記所定温度に制御保持するようになつている。
同等部分を示し、その説明は省略する。９はエツ
チングステージ２の内部に埋設されたエツチング
ステージ２を冷却するための低温の絶縁性液体が
流れるエツチングステージ冷却管、１０はエツチ
ングステージ冷却管９とベース板１との間を絶縁
するための絶縁体、１１はチヤンバー容器４の容
器壁の内部に埋設されチヤバー容器４の容器壁を
加熱するための高温の絶縁性液体が流れるチヤン
バー加熱管、１２は上部電極５の内部に埋設され
上部電極５を加熱するための高温の絶縁性液体が
流れる上部電極加熱管である。なお、図示してな
いが、エツチングステージ冷却管９、チヤンバー
加熱管１１および上部電極加熱管１２はそれぞれ
別個の温度制御可能な恒温槽に接続され、これら
の恒温槽内でそれぞれ所定温度値に制御された恒
温の絶縁性液体をエツチングステージ冷却管９、
チヤンバー加熱管１１および上部電極加熱管１２
に流して、エツチングステージ２、チヤンバー容
器４の容器壁および上部電極５の温度をそれぞれ
上記所定温度に制御保持するようになつている。
このように、この実施例の装置では、エツチン
グステージ２、チヤンバー容器４の容器壁および
上部電極５の温度をそれぞれ所定温度値に制御保
持することができるので、エツチングステージ２
の温度を低温度値に設定して、エツチングステー
ジ２上に載置されたウエーハ５０の表面上のエツ
チングマスク用レジスト膜が劣化しないようにす
るとともに、チヤンバー容器４の容器壁および上
部電極５の温度をそれぞれエツチングステージ２
の温度より高い温度値に設定して、チヤンバー容
器４の内壁面上および上部電極５の表面上にエツ
チング残渣が付着しないようにしてこのエツチン
グ反応生成物をガス排気管８を通して排出するこ
とができる。従つて、エツチング反応生成物から
の揮発性成分の蒸発によつてチヤンバー容器４内
のガス圧が変動することがないので、チヤンバー
容器４内のガス圧を最適値に設定してウエーハ５
０への所望のエツチング速度を再現性よく得るこ
とができる。
グステージ２、チヤンバー容器４の容器壁および
上部電極５の温度をそれぞれ所定温度値に制御保
持することができるので、エツチングステージ２
の温度を低温度値に設定して、エツチングステー
ジ２上に載置されたウエーハ５０の表面上のエツ
チングマスク用レジスト膜が劣化しないようにす
るとともに、チヤンバー容器４の容器壁および上
部電極５の温度をそれぞれエツチングステージ２
の温度より高い温度値に設定して、チヤンバー容
器４の内壁面上および上部電極５の表面上にエツ
チング残渣が付着しないようにしてこのエツチン
グ反応生成物をガス排気管８を通して排出するこ
とができる。従つて、エツチング反応生成物から
の揮発性成分の蒸発によつてチヤンバー容器４内
のガス圧が変動することがないので、チヤンバー
容器４内のガス圧を最適値に設定してウエーハ５
０への所望のエツチング速度を再現性よく得るこ
とができる。
なお、この実施例では、エツチングステージ
２、チヤンバー容器４の容器および上部電極５の
温度制御にそれぞれ所定温度値に制御された恒温
の絶縁性液体を用いたが、必ずしもこれは恒温の
絶縁性液体に限定する必要がなく、エツチングス
テージ２、チヤンバー容器４の容器壁および上部
電極５の温度をそれぞれ別個に制御可能なその他
の温度制御手段であつてもよい。
２、チヤンバー容器４の容器および上部電極５の
温度制御にそれぞれ所定温度値に制御された恒温
の絶縁性液体を用いたが、必ずしもこれは恒温の
絶縁性液体に限定する必要がなく、エツチングス
テージ２、チヤンバー容器４の容器壁および上部
電極５の温度をそれぞれ別個に制御可能なその他
の温度制御手段であつてもよい。
以上、説明したように、この発明のドライエツ
チング装置では、エツチングステージ、チヤンバ
ー容器の容器壁および上部電極にそれぞれ別個の
温度制御手段を設け、これらの温度制御手段によ
つてエツチング時に上記エツチングステージの温
度を低温度値に設定するとともに上記のチヤンバ
ー容器の容器壁および上記電極の温度をそれぞれ
上記エツチングステージの温度より高い温度値に
設定したので、上記エツチングステージ上に載置
されたウエーハの表面上のエツチングマスク用レ
ジスト膜が劣化しないようにするとともに上記チ
ヤンバー容器の内壁面上および上記上部電極の表
面上にエツチング反応生成物が付着しないように
してこのエツチング反応生成物を排出することが
できる。従つて、エツチング反応生成物からの揮
発性成分の蒸発によつて上記チヤンバー容器内の
ガス圧が変動することがないので、上記チヤンバ
ー容器内のガス圧を最適値に設定してウエーハへ
の所望のエツチング速度を再現性よく得ることが
できる。
チング装置では、エツチングステージ、チヤンバ
ー容器の容器壁および上部電極にそれぞれ別個の
温度制御手段を設け、これらの温度制御手段によ
つてエツチング時に上記エツチングステージの温
度を低温度値に設定するとともに上記のチヤンバ
ー容器の容器壁および上記電極の温度をそれぞれ
上記エツチングステージの温度より高い温度値に
設定したので、上記エツチングステージ上に載置
されたウエーハの表面上のエツチングマスク用レ
ジスト膜が劣化しないようにするとともに上記チ
ヤンバー容器の内壁面上および上記上部電極の表
面上にエツチング反応生成物が付着しないように
してこのエツチング反応生成物を排出することが
できる。従つて、エツチング反応生成物からの揮
発性成分の蒸発によつて上記チヤンバー容器内の
ガス圧が変動することがないので、上記チヤンバ
ー容器内のガス圧を最適値に設定してウエーハへ
の所望のエツチング速度を再現性よく得ることが
できる。
第１図は従来のドライエツチング装置の一例を
示す断面図、第２図はこの発明の一実施例のドラ
イエツチング装置を示す断面図である。 図において、１はベース板、２はエツチングス
テージ、３は絶縁板、４はチヤンバー容器、５は
上部電極、７はガス導入管、８はガス排気管、９
はエツチングステージ冷却管（温度制御手段）、
１１はチヤンバー加熱管（温度制御手段）、１２
は上部電極加熱管（温度制御手段）である。な
お、図中同一符号はそれぞれ同一もしくは相当部
分を示す。
示す断面図、第２図はこの発明の一実施例のドラ
イエツチング装置を示す断面図である。 図において、１はベース板、２はエツチングス
テージ、３は絶縁板、４はチヤンバー容器、５は
上部電極、７はガス導入管、８はガス排気管、９
はエツチングステージ冷却管（温度制御手段）、
１１はチヤンバー加熱管（温度制御手段）、１２
は上部電極加熱管（温度制御手段）である。な
お、図中同一符号はそれぞれ同一もしくは相当部
分を示す。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 半導体ウエハが装着される下部電極としての
エツチングステージと、ベース板状に上記エツチ
ングステージを覆うように配設されたチヤンバー
容器と、 このチヤンバー容器内に上記エツチングステー
ジとの間に所定間隔をおいてこれと対向するよう
に設けられ、上記チヤンバー容器の容器壁に絶縁
されて保持された上記電極とを備えたドライエツ
チング装置において、 上記エツチングステージ、上記チヤンバー容器
の容器壁および上記上部電極にそれぞれ別個の温
度制御手段が設けられ、これらの温度制御手段に
よつて上記エツチングステージの温度を室温以下
の低温度値に設定するとともに、上記チヤンバー
容器壁および上記上部電極の温度をそれぞれ上記
エツチングステージの温度より高い温度値に設定
することを特徴としたドライエツチング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3766582A JPS58153332A (ja) | 1982-03-08 | 1982-03-08 | ドライエツチング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3766582A JPS58153332A (ja) | 1982-03-08 | 1982-03-08 | ドライエツチング装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58153332A JPS58153332A (ja) | 1983-09-12 |
| JPH0442821B2 true JPH0442821B2 (ja) | 1992-07-14 |
Family
ID=12503922
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3766582A Granted JPS58153332A (ja) | 1982-03-08 | 1982-03-08 | ドライエツチング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58153332A (ja) |
Families Citing this family (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60140723A (ja) * | 1983-12-28 | 1985-07-25 | Oki Electric Ind Co Ltd | ドライエッチング方法 |
| JPS60154529A (ja) * | 1984-01-23 | 1985-08-14 | Mitsubishi Electric Corp | ドライエツチング装置 |
| JPS6163030A (ja) * | 1984-08-20 | 1986-04-01 | Kokusai Electric Co Ltd | プラズマエッチング装置の電極温度制御方法 |
| JPS61260637A (ja) * | 1985-05-15 | 1986-11-18 | Mitsubishi Electric Corp | ドライエツチング装置 |
| JPS6230329A (ja) * | 1985-07-31 | 1987-02-09 | Toshiba Corp | ドライエツチング装置 |
| JPH0773104B2 (ja) * | 1986-02-14 | 1995-08-02 | 富士通株式会社 | レジスト剥離方法 |
| JPH0834204B2 (ja) * | 1986-07-02 | 1996-03-29 | ソニー株式会社 | ドライエツチング方法 |
| JPH0719505B2 (ja) * | 1988-06-02 | 1995-03-06 | 株式会社東芝 | 断路器 |
| JPH04180222A (ja) * | 1990-11-15 | 1992-06-26 | Anelva Corp | エッチング方法および装置 |
| JP3257328B2 (ja) * | 1995-03-16 | 2002-02-18 | 株式会社日立製作所 | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3367303A (en) * | 1963-05-29 | 1968-02-06 | Monsanto Co | Chemical equipment |
| JPS53123669A (en) * | 1977-04-05 | 1978-10-28 | Fujitsu Ltd | Wafer holding method |
| JPS6056431A (ja) * | 1983-09-07 | 1985-04-02 | Tokyo Electric Power Co Inc:The | 硬銅線単線又は撚線の残留応力除去方法 |
-
1982
- 1982-03-08 JP JP3766582A patent/JPS58153332A/ja active Granted
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3367303A (en) * | 1963-05-29 | 1968-02-06 | Monsanto Co | Chemical equipment |
| JPS53123669A (en) * | 1977-04-05 | 1978-10-28 | Fujitsu Ltd | Wafer holding method |
| JPS6056431A (ja) * | 1983-09-07 | 1985-04-02 | Tokyo Electric Power Co Inc:The | 硬銅線単線又は撚線の残留応力除去方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS58153332A (ja) | 1983-09-12 |
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