JPH08264422A - X線露光装置 - Google Patents
X線露光装置Info
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- JPH08264422A JPH08264422A JP7067939A JP6793995A JPH08264422A JP H08264422 A JPH08264422 A JP H08264422A JP 7067939 A JP7067939 A JP 7067939A JP 6793995 A JP6793995 A JP 6793995A JP H08264422 A JPH08264422 A JP H08264422A
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- Japan
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- ray
- extraction window
- intensity
- window
- exposure apparatus
- Prior art date
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/70808—Construction details, e.g. housing, load-lock, seals or windows for passing light in or out of apparatus
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- Health & Medical Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Epidemiology (AREA)
- Public Health (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 複雑な構造を採用することなく、しかもX線
強度を減衰させることなく、X線取り出し窓の耐熱性を
向上させ、均一な高強度X線を利用できる耐久性の高い
X線露光装置を提供することにある。 【構成】 X線源であるSRリングから放射される高強
度X線を高真空ビームラインを介してその端部にあるX
線取り出し窓から大気圧側にあるX線マスクを有するウ
エハ上に均一に照射してレジストを露光する高強度均一
X線露光装置であって、上記高真空ビームラインの端部
に位置するX線取り出し窓の支持部材を銅等の熱伝導の
大きい材料で製造するとともに、該支持部材に冷却手段
を設け、該支持部材を介してX線取り出し窓を冷却する
ようにしてなるX線露光装置にある。
強度を減衰させることなく、X線取り出し窓の耐熱性を
向上させ、均一な高強度X線を利用できる耐久性の高い
X線露光装置を提供することにある。 【構成】 X線源であるSRリングから放射される高強
度X線を高真空ビームラインを介してその端部にあるX
線取り出し窓から大気圧側にあるX線マスクを有するウ
エハ上に均一に照射してレジストを露光する高強度均一
X線露光装置であって、上記高真空ビームラインの端部
に位置するX線取り出し窓の支持部材を銅等の熱伝導の
大きい材料で製造するとともに、該支持部材に冷却手段
を設け、該支持部材を介してX線取り出し窓を冷却する
ようにしてなるX線露光装置にある。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】この発明はX線源であるSRリン
グから放射される高強度X線による半導体露光装置の改
良に関するもので、特にSR光に含まれるX線を真空中
から大気へ取り出す取り出し窓みにおける耐熱性の向上
およびX線の均一化に関するものである。
グから放射される高強度X線による半導体露光装置の改
良に関するもので、特にSR光に含まれるX線を真空中
から大気へ取り出す取り出し窓みにおける耐熱性の向上
およびX線の均一化に関するものである。
【0002】
【従来の技術】X線リソグラフィーはLSIの高集積化
を目標にした技術であり、現在生産されている16MD
RAMの2世代後の1GDRAM以降の半導体加工法の
1つとして注目されており、例えば0.15μmの寸法
で大面積の加工を行う必要が生じており、そのためには
X線を均一に照射することが第1条件となっている。ま
た、実用化のためには単位時間あたりの生産量(高スル
ープット化)が重要であり、X線強度の強化、レジスト
の感度の改善が要望されている。したがって、X線露光
装置としては均一で高強度のX線を照射する機能が要求
されることになる。
を目標にした技術であり、現在生産されている16MD
RAMの2世代後の1GDRAM以降の半導体加工法の
1つとして注目されており、例えば0.15μmの寸法
で大面積の加工を行う必要が生じており、そのためには
X線を均一に照射することが第1条件となっている。ま
た、実用化のためには単位時間あたりの生産量(高スル
ープット化)が重要であり、X線強度の強化、レジスト
の感度の改善が要望されている。したがって、X線露光
装置としては均一で高強度のX線を照射する機能が要求
されることになる。
【0003】現在、このX線露光装置として図15に示
す代表的な取り出し窓が使用されている。これはカール
ズースステッパー(SUSS XRS200)の取扱い説
明書に記載されているもので、1は超高真空部、2はス
テンレスでできたスナウト丸パイプ部、3もステンレス
製のスナウト角パイプ部、4は厚さ20ミクロンのベリ
リウム箔である。ベリリウム箔4はスナウト角パイプ部
にエポキシ樹脂の接着剤で取り付けられている。
す代表的な取り出し窓が使用されている。これはカール
ズースステッパー(SUSS XRS200)の取扱い説
明書に記載されているもので、1は超高真空部、2はス
テンレスでできたスナウト丸パイプ部、3もステンレス
製のスナウト角パイプ部、4は厚さ20ミクロンのベリ
リウム箔である。ベリリウム箔4はスナウト角パイプ部
にエポキシ樹脂の接着剤で取り付けられている。
【0004】しかしながら、SR光はベリリウム箔4を
通過する際、その強度90%近くを失い、熱となる。し
かもベリリウム箔4はその厚さが薄いために熱伝導度が
悪く、SR光が当たっている部分だけが局所的に加熱さ
れるため、その機械的強度が落ち、変形して真空破壊へ
と進む恐れがある。例えば、大気圧下で厚さ15ミクロ
ンのベリリウム箔を加熱し、250℃以上になるとベリ
リウム箔が軟化し変形し始めるという結果を得ている。
また、ベリリウム箔4の温度が上がるとエポキシ樹脂系
接着剤の耐熱性という問題も発生する。したがって、S
R光の強度を強くして高強度X線を照射していくことが
できないという欠点がある。さらに、X線取り出し窓の
変形は均一なX線照射を困難とする。
通過する際、その強度90%近くを失い、熱となる。し
かもベリリウム箔4はその厚さが薄いために熱伝導度が
悪く、SR光が当たっている部分だけが局所的に加熱さ
れるため、その機械的強度が落ち、変形して真空破壊へ
と進む恐れがある。例えば、大気圧下で厚さ15ミクロ
ンのベリリウム箔を加熱し、250℃以上になるとベリ
リウム箔が軟化し変形し始めるという結果を得ている。
また、ベリリウム箔4の温度が上がるとエポキシ樹脂系
接着剤の耐熱性という問題も発生する。したがって、S
R光の強度を強くして高強度X線を照射していくことが
できないという欠点がある。さらに、X線取り出し窓の
変形は均一なX線照射を困難とする。
【0005】そこで、従来、高強度X線を使用し、レジ
ストに対し均一にX線を照射するため、図16に示す耐
久性に優れたX線の取り出し系が提案されている。これ
は、NTT SORソリグラフィーフォーラム p41
(1994).に記載されているもので、34は高真空
部、35は厚さ15ミクロンの第2ベリリウム箔、36
は1気圧のヘリウムガス部、37はシリコンナイトライ
ド薄膜、23はステッパーである。X線取り出し窓は第
1ベリリウム箔33、第2ベリリウム箔35とシリコン
ナイトライド薄膜37の3段から成り、X線は順に超高
真空部1、高真空部34、ヘリウムガス部36を通過
し、ステッパー23へ導かれる。したがって、かかるX
線取り出し系では、ミラーにより反射されたSR光は第
1ベリリウム箔33を通過する際、露光に必要な波長を
持つX線は約半分、露光に不必要な長波長成分はそのほ
とんどを失い、熱となるため、第1ベリリウム箔33は
加熱されるが、超高真空部1と高真空部34に挟まれて
いるため、第1ベリリウム箔33には力が加わらず変形
しない。また、第1ベリリウム箔33を通過したX線は
高真空部34を減衰することなく通過し、第2ベリリウ
ム箔35でさらに40%の光強度を失う。しかし、第2
ベリリウム箔35での発熱はほとんどなく高真空部34
とヘリウムガス部36の差圧に耐えることができる。こ
のような複雑な構造はSR光照射によりX線取り出し窓
が加熱され、その熱によるX線取り出し窓の変形及び破
壊を防ぐために対策されたもので、この対策によりSR
リングに蓄積電流として500mAが可能となってい
る。
ストに対し均一にX線を照射するため、図16に示す耐
久性に優れたX線の取り出し系が提案されている。これ
は、NTT SORソリグラフィーフォーラム p41
(1994).に記載されているもので、34は高真空
部、35は厚さ15ミクロンの第2ベリリウム箔、36
は1気圧のヘリウムガス部、37はシリコンナイトライ
ド薄膜、23はステッパーである。X線取り出し窓は第
1ベリリウム箔33、第2ベリリウム箔35とシリコン
ナイトライド薄膜37の3段から成り、X線は順に超高
真空部1、高真空部34、ヘリウムガス部36を通過
し、ステッパー23へ導かれる。したがって、かかるX
線取り出し系では、ミラーにより反射されたSR光は第
1ベリリウム箔33を通過する際、露光に必要な波長を
持つX線は約半分、露光に不必要な長波長成分はそのほ
とんどを失い、熱となるため、第1ベリリウム箔33は
加熱されるが、超高真空部1と高真空部34に挟まれて
いるため、第1ベリリウム箔33には力が加わらず変形
しない。また、第1ベリリウム箔33を通過したX線は
高真空部34を減衰することなく通過し、第2ベリリウ
ム箔35でさらに40%の光強度を失う。しかし、第2
ベリリウム箔35での発熱はほとんどなく高真空部34
とヘリウムガス部36の差圧に耐えることができる。こ
のような複雑な構造はSR光照射によりX線取り出し窓
が加熱され、その熱によるX線取り出し窓の変形及び破
壊を防ぐために対策されたもので、この対策によりSR
リングに蓄積電流として500mAが可能となってい
る。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】ところが、上記従来の
改良例では熱対策されているが、三段の取り出し窓で構
成されているため、構造が複雑であるばかりでなく、露
光装置へ取り出されるX線強度は第1ベリリウム箔3
3、第2ベリリウム箔35を通過することにより減衰
し、結果として高強度X線をX線取り出し窓からレジス
トに対して照射することが困難でとなるという欠点があ
る。そこで、本発明の第1の目的は複雑な構造を採用す
ることなく、しかもX線強度を減衰させることなく、X
線取り出し窓の耐熱性を向上させ、均一な高強度X線を
利用できる耐久性の高いX線露光装置を提供することに
ある。また、本発明の第2の目的はX線取り出し系のお
けるX線均一性を向上させることができるX線露光装置
を提供することにある。さらに、本発明の第3の目的
は、X線取り出し窓から照射されるX線の強度または強
度分布を監視し、修正することができるインターロック
機能を有するX線露光装置を提供することにある。本発
明のその他の目的は以下の説明により明らかになろう。
改良例では熱対策されているが、三段の取り出し窓で構
成されているため、構造が複雑であるばかりでなく、露
光装置へ取り出されるX線強度は第1ベリリウム箔3
3、第2ベリリウム箔35を通過することにより減衰
し、結果として高強度X線をX線取り出し窓からレジス
トに対して照射することが困難でとなるという欠点があ
る。そこで、本発明の第1の目的は複雑な構造を採用す
ることなく、しかもX線強度を減衰させることなく、X
線取り出し窓の耐熱性を向上させ、均一な高強度X線を
利用できる耐久性の高いX線露光装置を提供することに
ある。また、本発明の第2の目的はX線取り出し系のお
けるX線均一性を向上させることができるX線露光装置
を提供することにある。さらに、本発明の第3の目的
は、X線取り出し窓から照射されるX線の強度または強
度分布を監視し、修正することができるインターロック
機能を有するX線露光装置を提供することにある。本発
明のその他の目的は以下の説明により明らかになろう。
【0007】
【課題を解決するための手段】本発明は、X線源である
SRリングから放射される高強度X線を高真空ビームラ
インを介してその端部にあるX線取り出し窓から大気圧
側にあるX線マスクを有するウエハ上に均一に照射して
レジストを露光する高強度均一X線露光装置であって、
上記高真空ビームラインの端部に位置するX線取り出し
窓の支持部材を銅等の熱伝導の大きい材料で製造すると
ともに、該支持部材に冷却手段を設け、該支持部材を介
してX線取り出し窓を冷却するようにしてなることを特
徴とするX線露光装置にある。特に、上記X線取り出し
窓の冷却は、X線取り出し窓が高真空ビームライン側と
大気圧側の圧力差により損傷しない限界温度以下にある
ようにX線透過によるX線取り出し窓の昇温特性に応じ
て行われるのが好ましい。
SRリングから放射される高強度X線を高真空ビームラ
インを介してその端部にあるX線取り出し窓から大気圧
側にあるX線マスクを有するウエハ上に均一に照射して
レジストを露光する高強度均一X線露光装置であって、
上記高真空ビームラインの端部に位置するX線取り出し
窓の支持部材を銅等の熱伝導の大きい材料で製造すると
ともに、該支持部材に冷却手段を設け、該支持部材を介
してX線取り出し窓を冷却するようにしてなることを特
徴とするX線露光装置にある。特に、上記X線取り出し
窓の冷却は、X線取り出し窓が高真空ビームライン側と
大気圧側の圧力差により損傷しない限界温度以下にある
ようにX線透過によるX線取り出し窓の昇温特性に応じ
て行われるのが好ましい。
【0008】上記冷却手段はX線取り出し窓の支持部材
内部または内側に設けた冷却管である場合は、上記X線
取り出し窓近傍の支持部材を冷却するように構成するの
が好ましいが、X線取り出し窓の支持部材外部に付設さ
れた放熱用フィンまたは冷却管であってもよい。
内部または内側に設けた冷却管である場合は、上記X線
取り出し窓近傍の支持部材を冷却するように構成するの
が好ましいが、X線取り出し窓の支持部材外部に付設さ
れた放熱用フィンまたは冷却管であってもよい。
【0009】上記X線取り出し窓は、上記支持部材に接
合されるフレーム材上にベリリウム膜が蒸着され、該ベ
リリウム膜が蒸着されたフレーム材が窓部となる部分を
エッチングにより開口され、該フレーム材を上記支持部
材にロウ付けして形成されてすることができる。また、
上記X線取り出し窓の表面は薄膜コーティングを施すこ
とができる。
合されるフレーム材上にベリリウム膜が蒸着され、該ベ
リリウム膜が蒸着されたフレーム材が窓部となる部分を
エッチングにより開口され、該フレーム材を上記支持部
材にロウ付けして形成されてすることができる。また、
上記X線取り出し窓の表面は薄膜コーティングを施すこ
とができる。
【0010】上記X線取り出し窓は上記SRリングから
のX線を直接利用した光CVD法による成膜手段を設
け、均一なX線透過強度分布が得られるように膜厚分布
が調整可能である。特に、上記光CVD法による成膜手
段は、上記SRリングからのX線取り出し窓の大気圧側
に設置された光CVD用チャンバーから構成することが
できる。上記光CVD用チャンバーで用いる成膜用ガス
はアルカリ金属化合物および金属カルボニル化合物であ
るのが好ましく、特に上記アルカリ金属化合物としてジ
メチルベリリウムを用いるのがよい。
のX線を直接利用した光CVD法による成膜手段を設
け、均一なX線透過強度分布が得られるように膜厚分布
が調整可能である。特に、上記光CVD法による成膜手
段は、上記SRリングからのX線取り出し窓の大気圧側
に設置された光CVD用チャンバーから構成することが
できる。上記光CVD用チャンバーで用いる成膜用ガス
はアルカリ金属化合物および金属カルボニル化合物であ
るのが好ましく、特に上記アルカリ金属化合物としてジ
メチルベリリウムを用いるのがよい。
【0011】上記X線取り出し窓の支持部材上流にある
ビームライン中に出し入れ可能なX線以外の長波長成分
を除去するフィルタを設け、X線強度に応じて出し入れ
を行うようにすることができる。上記フィルタのビーム
ラインに対する出し入れ速度は調節可能であるのが好ま
しい。
ビームライン中に出し入れ可能なX線以外の長波長成分
を除去するフィルタを設け、X線強度に応じて出し入れ
を行うようにすることができる。上記フィルタのビーム
ラインに対する出し入れ速度は調節可能であるのが好ま
しい。
【0012】上記支持部材を介して冷却されるX線取り
出し窓の複数位置の温度を測定することによりX線強度
とX線強度分布を測定するモニター装置を備えることが
できる。X線取り出し窓の温度測定装置が赤外線検出器
である場合は、X線取り出し窓面に対しななめ配置し、
上記X線取り出し窓から放射される赤外線を検出するよ
うに構成することができる。X線取り出し窓の温度測定
装置が熱電対である場合は、X線取り出し窓外周に複数
配置し、各熱電対間の温度を測定するように構成するこ
とができる。
出し窓の複数位置の温度を測定することによりX線強度
とX線強度分布を測定するモニター装置を備えることが
できる。X線取り出し窓の温度測定装置が赤外線検出器
である場合は、X線取り出し窓面に対しななめ配置し、
上記X線取り出し窓から放射される赤外線を検出するよ
うに構成することができる。X線取り出し窓の温度測定
装置が熱電対である場合は、X線取り出し窓外周に複数
配置し、各熱電対間の温度を測定するように構成するこ
とができる。
【0013】上記X線強度及びX線強度分布の測定は上
記X線ビームライン上に出し入れ可能な、X線センサー
を取り付けた遮光板を設け、X線不使用時に上記遮光板
を上記ビームラインに挿入するようにして行うことをで
きる。
記X線ビームライン上に出し入れ可能な、X線センサー
を取り付けた遮光板を設け、X線不使用時に上記遮光板
を上記ビームラインに挿入するようにして行うことをで
きる。
【0014】また、X線によってX線取り出し窓から放
出される2次電子量からX線強度を測定する場合は、電
流計を用い、上記支持部材に絶縁物を介して取り付けら
れたX線取り出し窓に接続することにより構成すること
ができる。
出される2次電子量からX線強度を測定する場合は、電
流計を用い、上記支持部材に絶縁物を介して取り付けら
れたX線取り出し窓に接続することにより構成すること
ができる。
【0015】上記X線ビームラインにはフィルタ面を直
交して、ビームライン方向に湾曲可能なX線強度分布修
正フィルタを配置することができ、該フィルタの曲率半
径及びビームラインに対するフィルタ位置を調整可能と
することができる。
交して、ビームライン方向に湾曲可能なX線強度分布修
正フィルタを配置することができ、該フィルタの曲率半
径及びビームラインに対するフィルタ位置を調整可能と
することができる。
【0016】なお、上記X線取り出し窓は窓面に対して
垂直方向に移動可能とし、X線取り出し窓からX線マス
クまでの距離を調整するようにすることができる。
垂直方向に移動可能とし、X線取り出し窓からX線マス
クまでの距離を調整するようにすることができる。
【0017】
【作用】本発明によれば、X線源であるSRリングから
放射される高強度X線により加熱させるX線取り出し窓
を強制冷却することができるので、X線取り出し窓は熱
変形することなく、均一なX線取り出し機能が阻害され
ることがない。X線取り出し窓の冷却は、X線取り出し
窓が高真空ビームライン側と大気圧側の圧力差による熱
変形であるので、熱変形の限界温度以下にあるように制
御して冷却を行うのが好ましい。
放射される高強度X線により加熱させるX線取り出し窓
を強制冷却することができるので、X線取り出し窓は熱
変形することなく、均一なX線取り出し機能が阻害され
ることがない。X線取り出し窓の冷却は、X線取り出し
窓が高真空ビームライン側と大気圧側の圧力差による熱
変形であるので、熱変形の限界温度以下にあるように制
御して冷却を行うのが好ましい。
【0018】上記冷却手段としてX線取り出し窓の支持
部材内部または内側に設けた冷却管を利用すると、冷却
が必要なX線取り出し窓近傍の支持部材を冷却できるの
で、優れた冷却効率をえることができる。また、支持部
材外部に付設された放熱用フィンまたは冷却管の場合は
前者より冷却効率は落ちるが、構成容易である。
部材内部または内側に設けた冷却管を利用すると、冷却
が必要なX線取り出し窓近傍の支持部材を冷却できるの
で、優れた冷却効率をえることができる。また、支持部
材外部に付設された放熱用フィンまたは冷却管の場合は
前者より冷却効率は落ちるが、構成容易である。
【0019】上記X線取り出し窓は、上記支持部材に接
合されるフレーム材上にベリリウム膜が蒸着され、該ベ
リリウム膜が蒸着されたフレーム材が窓部となる部分を
エッチングにより開口され、該フレーム材を上記支持部
材にロウ付けして形成されると、支持部材からの冷却効
果が容易にベリリウム膜に伝達され易く、冷却効率を向
上させる。また、上記X線取り出し窓の表面は薄膜コー
ティングを施すことにより酸化劣化を防止し、耐久性を
向上させることができる。
合されるフレーム材上にベリリウム膜が蒸着され、該ベ
リリウム膜が蒸着されたフレーム材が窓部となる部分を
エッチングにより開口され、該フレーム材を上記支持部
材にロウ付けして形成されると、支持部材からの冷却効
果が容易にベリリウム膜に伝達され易く、冷却効率を向
上させる。また、上記X線取り出し窓の表面は薄膜コー
ティングを施すことにより酸化劣化を防止し、耐久性を
向上させることができる。
【0020】上記X線取り出し窓は上記SRリングから
のX線を直接利用した光CVD法による成膜手段を設け
ることにより、均一なX線透過強度分布が得られるよう
にX線取り出し窓の膜厚分布が調整することができ、常
に均一なX線を照射することが可能となる。
のX線を直接利用した光CVD法による成膜手段を設け
ることにより、均一なX線透過強度分布が得られるよう
にX線取り出し窓の膜厚分布が調整することができ、常
に均一なX線を照射することが可能となる。
【0021】上記X線取り出し窓の支持部材上流にある
ビームライン中に出し入れ可能なX線以外の長波長成分
を除去するフィルタを設け、X線強度に応じて出し入れ
を行うようにすると、X線以外の透過によるX線取り出
し窓の発熱を抑制することができ、より高強度のX線を
使用することができる(図6)。この際、上記フィルタ
のビームラインに対する出し入れ速度を調節することに
より、連続的にX線強度を変化させることができる(図
6(a),(b)比較参照)。
ビームライン中に出し入れ可能なX線以外の長波長成分
を除去するフィルタを設け、X線強度に応じて出し入れ
を行うようにすると、X線以外の透過によるX線取り出
し窓の発熱を抑制することができ、より高強度のX線を
使用することができる(図6)。この際、上記フィルタ
のビームラインに対する出し入れ速度を調節することに
より、連続的にX線強度を変化させることができる(図
6(a),(b)比較参照)。
【0022】上記X線取り出し窓の複数位置の温度を測
定することによりX線強度とX線強度分布を測定するモ
ニター装置を備えることができる。X線取り出し窓の温
度測定装置が赤外線検出器である場合は、取り出し窓か
らの赤外線輻射が金属窓表面に沿った方向に放射される
ので、X線取り出し窓面に対しななめ配置し、上記X線
取り出し窓から放射される赤外線を検出するように構成
することができる。X線取り出し窓の温度測定装置が熱
電対である場合は、X線取り出し窓外周に複数配置し、
各熱電対間の温度を測定するように構成することができ
る。
定することによりX線強度とX線強度分布を測定するモ
ニター装置を備えることができる。X線取り出し窓の温
度測定装置が赤外線検出器である場合は、取り出し窓か
らの赤外線輻射が金属窓表面に沿った方向に放射される
ので、X線取り出し窓面に対しななめ配置し、上記X線
取り出し窓から放射される赤外線を検出するように構成
することができる。X線取り出し窓の温度測定装置が熱
電対である場合は、X線取り出し窓外周に複数配置し、
各熱電対間の温度を測定するように構成することができ
る。
【0023】上記X線強度の測定は上記X線ビームライ
ン上に出し入れ可能な、X線センサーを取り付けた遮光
板を設け、X線不使用時に上記遮光板を上記ビームライ
ンに挿入するようにして行うことをできる。強度分布を
測定するときはX線センサーを複数個並べることにより
行うことができる。
ン上に出し入れ可能な、X線センサーを取り付けた遮光
板を設け、X線不使用時に上記遮光板を上記ビームライ
ンに挿入するようにして行うことをできる。強度分布を
測定するときはX線センサーを複数個並べることにより
行うことができる。
【0024】また、X線によってX線取り出し窓から放
出される2次電子量からX線強度を測定する場合は、電
流計を用い、上記支持部材に絶縁物を介して取り付けら
れたX線取り出し窓に接続することにより構成すること
ができる。
出される2次電子量からX線強度を測定する場合は、電
流計を用い、上記支持部材に絶縁物を介して取り付けら
れたX線取り出し窓に接続することにより構成すること
ができる。
【0025】上記X線ビームラインにはフィルタ面を直
交して、ビームライン方向に湾曲可能なX線強度分布修
正フィルタを配置することができ、該フィルタの曲率半
径及びビームラインに対するフィルタ位置を調整可能と
することにより、X線に均一性を持たせることができ
る。
交して、ビームライン方向に湾曲可能なX線強度分布修
正フィルタを配置することができ、該フィルタの曲率半
径及びビームラインに対するフィルタ位置を調整可能と
することにより、X線に均一性を持たせることができ
る。
【0026】なお、上記X線取り出し窓は窓面に対して
垂直方向に移動可能とし、X線取り出し窓からX線マス
クまでの距離を調整するようにすることにより所定のX
線強度を得ることができる。
垂直方向に移動可能とし、X線取り出し窓からX線マス
クまでの距離を調整するようにすることにより所定のX
線強度を得ることができる。
【0027】
実施例1 以下、この発明の好ましいの実施例によるX線取り出し
窓を図について説明する。図1は実施例1によるX取り
出し窓を示す構成図である。図において、1は超高真空
部、2は、3は熱伝導の良い銅、銀等で作られたスナウ
ト角パイプでX線取り出し窓支持部材を構成し、4は厚
さ20ミクロンのベリウム箔、5は冷却管、6はX線マ
スク、7はウエハである。
窓を図について説明する。図1は実施例1によるX取り
出し窓を示す構成図である。図において、1は超高真空
部、2は、3は熱伝導の良い銅、銀等で作られたスナウ
ト角パイプでX線取り出し窓支持部材を構成し、4は厚
さ20ミクロンのベリウム箔、5は冷却管、6はX線マ
スク、7はウエハである。
【0028】従来例1と異なる点はスナウト角パイプ3
を熱伝導の悪いものから良いものに置き換えた点であ
る。また冷却水パイプ5をスナウト角パイプ3の根元に
置くのは、スナウト角パイプ3の先端部分は露光装置内
に深く入り込み冷却管を置くスペースがないためであ
る。
を熱伝導の悪いものから良いものに置き換えた点であ
る。また冷却水パイプ5をスナウト角パイプ3の根元に
置くのは、スナウト角パイプ3の先端部分は露光装置内
に深く入り込み冷却管を置くスペースがないためであ
る。
【0029】SR光がベリリウム箔4を透過すると、発
熱するが、銅の熱伝導率はステンレスの熱伝導率よりも
23倍も良いので、ベリリウム箔4で発生する熱をスナ
ウト角パイプ3の根元で吸収することができる。図2に
ステンレス角パイプと銅角パイプした場合の蓄積電流と
ベリリウム中心の温度上昇の関係を示す。ただし、この
時の冷却水の温度は23℃である。
熱するが、銅の熱伝導率はステンレスの熱伝導率よりも
23倍も良いので、ベリリウム箔4で発生する熱をスナ
ウト角パイプ3の根元で吸収することができる。図2に
ステンレス角パイプと銅角パイプした場合の蓄積電流と
ベリリウム中心の温度上昇の関係を示す。ただし、この
時の冷却水の温度は23℃である。
【0030】一方、露光に必要なX線の強度は約半分に
落ちるだけなので、蓄積電流250mAでNTT方式の
500mA相当のX線強度が得られる。ベリリウム箔2
の温度が250℃の限界温度に達するのは、SRリング
蓄積電流300mAの時であるから、蓄積電流250m
Aは許容範囲内である。冷却管5に液体窒素、液化空
気、液体ヘリウム等の冷媒を用いるようにしても良い。
冷媒の温度が下がるに伴いベリリウム箔4の温度の下が
るので、そこの透過を許容できるX線強度を大きくする
ことができる。
落ちるだけなので、蓄積電流250mAでNTT方式の
500mA相当のX線強度が得られる。ベリリウム箔2
の温度が250℃の限界温度に達するのは、SRリング
蓄積電流300mAの時であるから、蓄積電流250m
Aは許容範囲内である。冷却管5に液体窒素、液化空
気、液体ヘリウム等の冷媒を用いるようにしても良い。
冷媒の温度が下がるに伴いベリリウム箔4の温度の下が
るので、そこの透過を許容できるX線強度を大きくする
ことができる。
【0031】実施例2 この実施例は冷却管を支持部材に内蔵する場合であり、
図3に示すように、水冷却方式とし、スナウト角パイプ
3内に冷却管5を埋め込み、ベリリウム箔4近くを冷却
するようにしている。このように熱源に近い所へ冷却源
をおくことにより、より効率良く冷却できる。
図3に示すように、水冷却方式とし、スナウト角パイプ
3内に冷却管5を埋め込み、ベリリウム箔4近くを冷却
するようにしている。このように熱源に近い所へ冷却源
をおくことにより、より効率良く冷却できる。
【0032】実施例3 この実施例では支持部材に外つけで、放熱フィンを取り
付ける場合であり、図4に示すように、スナウト角パイ
プ3のステンレス製のスナウト丸パイプ2側の外周に銅
等の熱伝導率のよい材料でできたフィン8を取り付けて
なる。以下のフィンを用いた空冷方式について説明す
る。例えば蓄積電流100mAの場合、ベリリウム箔4
に2.52WのSR光が照射され、その内2.3Wがベ
リリウム箔4に熱となって吸収される。上記冷却管5が
ない場合にスナウト角パイプ3とベリリウム箔4の継ぎ
目の温度を室温の20℃上程度に抑えることを考える。
空気の自然対流による冷却効率を3E−4W/(cm2
・K)とすると、銅の部分の表面積が380cm2必要
である。スナウト角パイプ3の表面積が204cm2あ
るので、不足する176cm2の面積をフィンを立て補
う。例えば、6cm×4cmのフィン8をつけると4枚
程度で冷却が可能となる。このようにして蓄積電流値が
増大してもフィン8の面積あるいは枚数を増やすことに
より放熱できる。
付ける場合であり、図4に示すように、スナウト角パイ
プ3のステンレス製のスナウト丸パイプ2側の外周に銅
等の熱伝導率のよい材料でできたフィン8を取り付けて
なる。以下のフィンを用いた空冷方式について説明す
る。例えば蓄積電流100mAの場合、ベリリウム箔4
に2.52WのSR光が照射され、その内2.3Wがベ
リリウム箔4に熱となって吸収される。上記冷却管5が
ない場合にスナウト角パイプ3とベリリウム箔4の継ぎ
目の温度を室温の20℃上程度に抑えることを考える。
空気の自然対流による冷却効率を3E−4W/(cm2
・K)とすると、銅の部分の表面積が380cm2必要
である。スナウト角パイプ3の表面積が204cm2あ
るので、不足する176cm2の面積をフィンを立て補
う。例えば、6cm×4cmのフィン8をつけると4枚
程度で冷却が可能となる。このようにして蓄積電流値が
増大してもフィン8の面積あるいは枚数を増やすことに
より放熱できる。
【0033】実施例4 これは、耐熱性の低いエポキシ樹脂の接着剤を用いない
でベリリウム箔4をスナウト角パイプ3に取り付ける方
法に関するものである。ベリリウム箔を製作する方法の
一つに、銅の基板にベリリウムを蒸着し、その後硝酸に
て銅のみ溶解させて薄膜化する方法がある。この時に銅
をすべて溶解させるのではなく、スナウト角パイプ3に
合うように銅基板の中央部のみエッチングし、銅フレー
ム付きベリリウム箔にする。その後ロウ付け等で銅フレ
ームをスナウト角パイプ3に取り付けることにより、作
業工程が簡略化されると共に、エポキシ樹脂の接着剤に
比べ熱伝導が良く、耐熱性の優れたX線取り出し窓を得
ることができる。
でベリリウム箔4をスナウト角パイプ3に取り付ける方
法に関するものである。ベリリウム箔を製作する方法の
一つに、銅の基板にベリリウムを蒸着し、その後硝酸に
て銅のみ溶解させて薄膜化する方法がある。この時に銅
をすべて溶解させるのではなく、スナウト角パイプ3に
合うように銅基板の中央部のみエッチングし、銅フレー
ム付きベリリウム箔にする。その後ロウ付け等で銅フレ
ームをスナウト角パイプ3に取り付けることにより、作
業工程が簡略化されると共に、エポキシ樹脂の接着剤に
比べ熱伝導が良く、耐熱性の優れたX線取り出し窓を得
ることができる。
【0034】実施例5 この実施例はビームラインにX線以外の長波長成分をカ
ットするためのフィルタ9を出し入れ可能に配置する場
合であり、図5に示すように、フィルタ9は熱伝導の良
い支持棒10で支えられ、支持棒はモータ駆動等で自由
に出し入れできる機構を備えるものである。実施例1に
示すようにSR蓄積電流値が限界(300mA)を越え
る場合、フィルタ10を挿入し、ベリリウム箔4の温度
上昇を防ぐようにする。フィルタ9の材料としてはベリ
リウム箔、ダイヤモンド薄膜、SiC薄膜等が考えられ
る。
ットするためのフィルタ9を出し入れ可能に配置する場
合であり、図5に示すように、フィルタ9は熱伝導の良
い支持棒10で支えられ、支持棒はモータ駆動等で自由
に出し入れできる機構を備えるものである。実施例1に
示すようにSR蓄積電流値が限界(300mA)を越え
る場合、フィルタ10を挿入し、ベリリウム箔4の温度
上昇を防ぐようにする。フィルタ9の材料としてはベリ
リウム箔、ダイヤモンド薄膜、SiC薄膜等が考えられ
る。
【0035】またフィルタ9を挿入した時点で、X線強
度が挿入前の強度よりも最小で80%程度弱くなること
が考えられる。このようにフィルタ挿入時のX線強度の
不連続な変化を緩和する方法について図6を用いて説明
する。図6(a)は何の対策もしていない普通のフィル
タ挿入法における蓄積電流値に対するX線強度であり、
実線で示す。X線取り出し窓は主にX線以外の長波長成
分を吸収し発熱するため、許容できるX線強度が存在す
る。蓄積電流を増加させていき、X線強度が許容限界に
達した時点でフィルタを挿入する。挿入直後はX線強度
が不連続的に弱まるばかりでなく、しばらくはフィルタ
挿入前よりも弱いX線強度となるという使い難さがあ
る。これに対しフィルタ挿入開始時に、フィルタ9をピ
ストン運動させ、徐々にその挿入時間を長くすることに
よって連続的にX線の強度を強くしていくことができ
る。図6(b)はフィルタ9をピストン運動させる方法
における蓄積電流値に対するX線強度を表す。普通のフ
ィルタを挿入するX線強度よりもやや弱いX線強度か
ら、フィルタを入れ始め、蓄積電流の増加とともに挿入
時間を長くしていき、許容X線強度に達した時点で常時
フィルタを置くように制御すればよい。
度が挿入前の強度よりも最小で80%程度弱くなること
が考えられる。このようにフィルタ挿入時のX線強度の
不連続な変化を緩和する方法について図6を用いて説明
する。図6(a)は何の対策もしていない普通のフィル
タ挿入法における蓄積電流値に対するX線強度であり、
実線で示す。X線取り出し窓は主にX線以外の長波長成
分を吸収し発熱するため、許容できるX線強度が存在す
る。蓄積電流を増加させていき、X線強度が許容限界に
達した時点でフィルタを挿入する。挿入直後はX線強度
が不連続的に弱まるばかりでなく、しばらくはフィルタ
挿入前よりも弱いX線強度となるという使い難さがあ
る。これに対しフィルタ挿入開始時に、フィルタ9をピ
ストン運動させ、徐々にその挿入時間を長くすることに
よって連続的にX線の強度を強くしていくことができ
る。図6(b)はフィルタ9をピストン運動させる方法
における蓄積電流値に対するX線強度を表す。普通のフ
ィルタを挿入するX線強度よりもやや弱いX線強度か
ら、フィルタを入れ始め、蓄積電流の増加とともに挿入
時間を長くしていき、許容X線強度に達した時点で常時
フィルタを置くように制御すればよい。
【0036】実施例6 この実施例はX線取り出し窓に表面コーティングを施す
場合を示す。大気雰囲気中での露光においてベリリウム
箔4はX線を照射することにより、照射時間と共に酸化
膜を堆積し機械的強度が劣化する。これを防ぐためにベ
リリウム箔4の表面にアモルファスカーボンのような緻
密な膜を形成する。
場合を示す。大気雰囲気中での露光においてベリリウム
箔4はX線を照射することにより、照射時間と共に酸化
膜を堆積し機械的強度が劣化する。これを防ぐためにベ
リリウム箔4の表面にアモルファスカーボンのような緻
密な膜を形成する。
【0037】実施例7 この実施例はX線取り出し窓における温度測定を赤外線
温度計で行い、X線強度およびその強度分布を測定する
ものである。図7はに示すように、X線取り出し窓のベ
リリウム箔4の温度分布を測定するため、赤外線温度計
11をベリリウム箔4に対し斜め配置し、X線取り出し
窓4から放射される温度を測定するようにしている。他
は同一部材には同一番号を付して説明を省略する。金属
表面から輻射される赤外線の強度は金属の温度に比例
し、SR光が強く当たる場所程強く発光する。ベリリウ
ム等の金属からの赤外線輻射は黒体輻射とは異なり、金
属表面に沿った方向に放射される。そのため図のように
露光面近傍に置くよりは離れた位置に置く方が検出効率
は高いからである。このようにしてSR光強度がウエハ
上のX線強度に比例するとして、X線強度及びその分布
を測定することができる。また測定したX線強度値を露
光装置へ送り、露光時間を決めるためのモニタに適用で
きる。
温度計で行い、X線強度およびその強度分布を測定する
ものである。図7はに示すように、X線取り出し窓のベ
リリウム箔4の温度分布を測定するため、赤外線温度計
11をベリリウム箔4に対し斜め配置し、X線取り出し
窓4から放射される温度を測定するようにしている。他
は同一部材には同一番号を付して説明を省略する。金属
表面から輻射される赤外線の強度は金属の温度に比例
し、SR光が強く当たる場所程強く発光する。ベリリウ
ム等の金属からの赤外線輻射は黒体輻射とは異なり、金
属表面に沿った方向に放射される。そのため図のように
露光面近傍に置くよりは離れた位置に置く方が検出効率
は高いからである。このようにしてSR光強度がウエハ
上のX線強度に比例するとして、X線強度及びその分布
を測定することができる。また測定したX線強度値を露
光装置へ送り、露光時間を決めるためのモニタに適用で
きる。
【0038】実施例8 この実施例は熱電対によりX線取り出し窓の温度測定を
行うことによりX線強度及びその強度分布を測定しよう
とするものである。図中12は熱電対で、熱電対12を
ベリリウム箔4の周囲に均等な間隔で置き、SR光照射
時の各熱電対の温度を測定する。他は図3と同様である
ので、同一部材には同一番号を付して説明を省略する。
行うことによりX線強度及びその強度分布を測定しよう
とするものである。図中12は熱電対で、熱電対12を
ベリリウム箔4の周囲に均等な間隔で置き、SR光照射
時の各熱電対の温度を測定する。他は図3と同様である
ので、同一部材には同一番号を付して説明を省略する。
【0039】実施例9 この実施例はX線ビームライン上に出し入れ可能な、X
線センサーを取り付けた遮光板を設け、X線不使用時に
上記遮光板を上記ビームラインに挿入し、X線強度及び
X線強度分布を測定する場合を示す。図9において、1
3は金属板等でできたX線遮光板で矩形筒をなし、透過
口13aと遮蔽面13bとを有し、回転軸13cにより
90度回転させて透過口13aと遮蔽面13bのいずれ
かを上記ビームライン上に位置させることができるよう
になっている。上記遮蔽面13bにはシリコンフォトダ
イオード等を用いたX線強度センサー14を配置し、リ
ード線15を介して信号を取り出すように構成されてい
る。したがって、露光装置が一つのフィールドを転写し
てから次のフィールドに移動するまでの間、X線遮光板
13の遮光面13bでX線を遮断するようにすると、X
線強度モニタ14にSR光が照射され、光強度測定をす
ることができるので、上記移動時間を利用してX線強度
に応じて次の露光時間を決めることができる。また、X
線強度センサー14を複数個並べることにより、SR光
の均一性も測定できる。
線センサーを取り付けた遮光板を設け、X線不使用時に
上記遮光板を上記ビームラインに挿入し、X線強度及び
X線強度分布を測定する場合を示す。図9において、1
3は金属板等でできたX線遮光板で矩形筒をなし、透過
口13aと遮蔽面13bとを有し、回転軸13cにより
90度回転させて透過口13aと遮蔽面13bのいずれ
かを上記ビームライン上に位置させることができるよう
になっている。上記遮蔽面13bにはシリコンフォトダ
イオード等を用いたX線強度センサー14を配置し、リ
ード線15を介して信号を取り出すように構成されてい
る。したがって、露光装置が一つのフィールドを転写し
てから次のフィールドに移動するまでの間、X線遮光板
13の遮光面13bでX線を遮断するようにすると、X
線強度モニタ14にSR光が照射され、光強度測定をす
ることができるので、上記移動時間を利用してX線強度
に応じて次の露光時間を決めることができる。また、X
線強度センサー14を複数個並べることにより、SR光
の均一性も測定できる。
【0040】実施例10 この実施例はX線取り出し窓から放出される2次電子量
からX線強度を測定しようとするもので、図10はその
X線取り出し窓の断面構成図を示す。図中15はセラミ
ック等の電気絶縁体、16は電流計である。スナウト角
パイプ3の先端にロウ付け等により電気絶縁体15を取
り付け、電気絶縁体15にベリリウム箔4を貼り付ける
ようにしている。ベリリウム箔4にSR光が当たると真
空中及び大気中へと二次電子が放出される。この放出さ
れた電子を補うためにアース側から電流計16を通って
電流値を測定すればSR光の強度及びその強度分布を知
ることができる。
からX線強度を測定しようとするもので、図10はその
X線取り出し窓の断面構成図を示す。図中15はセラミ
ック等の電気絶縁体、16は電流計である。スナウト角
パイプ3の先端にロウ付け等により電気絶縁体15を取
り付け、電気絶縁体15にベリリウム箔4を貼り付ける
ようにしている。ベリリウム箔4にSR光が当たると真
空中及び大気中へと二次電子が放出される。この放出さ
れた電子を補うためにアース側から電流計16を通って
電流値を測定すればSR光の強度及びその強度分布を知
ることができる。
【0041】実施例11 この実施例は、上記X線ビームラインにフィルタ面を直
交して配置され、ビームライン方向に湾曲可能なX線強
度分布修正フィルタを設け、該フィルタの曲率半径及び
ビームラインに対するフィルタ位置を調整可能とするも
ので、図11はそのX線取り出し窓の構成図を示す。図
中9は円弧状に曲げられる弾力性のあるフィルタで、1
7はフィルタを押さえるためのフレームで、下段フレー
ム17aと上段フレーム17bとの間に昇降フレーム1
7cを設け、昇降ネジ17dを介して上下段フレーム管
を昇降可能であり、上記フイルタ9の透過光に対する湾
曲度を変化させることができるようになっている。18
は集光系ミラーを使った場合のSR光の形状であり、X
線を含む連続的波長成分を持つ。したがって、昇降フレ
ーム17cを伸縮させることでフィルタ9の曲率半径が
変わる。また、フレーム17はフィルタ9をはさみつけ
たまま上下動できる。SR光18について、x方向の強
度分布は両端が強く中心部分が弱くなる傾向があるが、
次のようにして光の均一性を確保することができる。
交して配置され、ビームライン方向に湾曲可能なX線強
度分布修正フィルタを設け、該フィルタの曲率半径及び
ビームラインに対するフィルタ位置を調整可能とするも
ので、図11はそのX線取り出し窓の構成図を示す。図
中9は円弧状に曲げられる弾力性のあるフィルタで、1
7はフィルタを押さえるためのフレームで、下段フレー
ム17aと上段フレーム17bとの間に昇降フレーム1
7cを設け、昇降ネジ17dを介して上下段フレーム管
を昇降可能であり、上記フイルタ9の透過光に対する湾
曲度を変化させることができるようになっている。18
は集光系ミラーを使った場合のSR光の形状であり、X
線を含む連続的波長成分を持つ。したがって、昇降フレ
ーム17cを伸縮させることでフィルタ9の曲率半径が
変わる。また、フレーム17はフィルタ9をはさみつけ
たまま上下動できる。SR光18について、x方向の強
度分布は両端が強く中心部分が弱くなる傾向があるが、
次のようにして光の均一性を確保することができる。
【0042】フィルタ9を透過する光の経路長を考える
と、曲率半径の中心部分よりも端の方がフィルタ9中を
通過する距離が長い。従ってSR光18の両端部分がフ
ィルタ中を通過する距離が長くなるようにフレーム17
を上下に動かす。この時、SR光の弱いx方向の中心部
分は丁度フィルタ9の婉曲面の中心部にくるのでSR光
はあまり減衰しない。このようにフィルタ9の場所によ
る厚さの差を利用して、SR光の場所による減衰量の差
を生じさせるものである。
と、曲率半径の中心部分よりも端の方がフィルタ9中を
通過する距離が長い。従ってSR光18の両端部分がフ
ィルタ中を通過する距離が長くなるようにフレーム17
を上下に動かす。この時、SR光の弱いx方向の中心部
分は丁度フィルタ9の婉曲面の中心部にくるのでSR光
はあまり減衰しない。このようにフィルタ9の場所によ
る厚さの差を利用して、SR光の場所による減衰量の差
を生じさせるものである。
【0043】実施例12 この実施例は上記X線取り出し窓が上記SRリングから
のX線を直接利用した光CVD法による成膜手段を備
え、均一なX線透過強度分布が得られるように膜厚分布
が調整可能で、図12はそのX線取り出し系の概念構成
図である。図中、19はSRリング、20はSR光を導
くためのビームライン、21はX線を取り出すためのベ
リリウム窓、22はベリリウム窓の下流に置かれた光り
CVD装置、23は露光するためのステッパーである。
通常、SRリング19より発生したSR光はビームライ
ン20、ベリリウム窓21を通り抜けステッパー23へ
と導かれる。この実施例では、ベリリウム窓21直後に
光CVD装置22を置き、SR光を利用してベリリウム
窓21に薄膜を形成するものである。薄膜は光が強い所
ほど厚く堆積するため、ベリリウム窓21から不均一に
光が透過していても光CVDで形成される膜のためやが
ては均一化される。
のX線を直接利用した光CVD法による成膜手段を備
え、均一なX線透過強度分布が得られるように膜厚分布
が調整可能で、図12はそのX線取り出し系の概念構成
図である。図中、19はSRリング、20はSR光を導
くためのビームライン、21はX線を取り出すためのベ
リリウム窓、22はベリリウム窓の下流に置かれた光り
CVD装置、23は露光するためのステッパーである。
通常、SRリング19より発生したSR光はビームライ
ン20、ベリリウム窓21を通り抜けステッパー23へ
と導かれる。この実施例では、ベリリウム窓21直後に
光CVD装置22を置き、SR光を利用してベリリウム
窓21に薄膜を形成するものである。薄膜は光が強い所
ほど厚く堆積するため、ベリリウム窓21から不均一に
光が透過していても光CVDで形成される膜のためやが
ては均一化される。
【0044】図13により具体的な構成図を示す。図
中、24は取り外し可能な蓋、X線マスク6の下流にあ
る25はウエハ7に塗布されたレジスト、26はCVD
堆積膜、27はCVD原料ガスである。ビームラインの
末端部分のSR光の大気中への取り出し口のベリリウム
窓21(縦;10mm,横;30mm,厚さ;20μm
のベリリウム膜)の大気側に図に示すような薄型のCV
D装置22を取り付け、露光に使用するものと同じSR
光をベリリウム窓を介してCVD装置22に導入し、成
膜用の原料となるCVD用ガス27としてジメチルベリ
リウムを装置内に入れる。
中、24は取り外し可能な蓋、X線マスク6の下流にあ
る25はウエハ7に塗布されたレジスト、26はCVD
堆積膜、27はCVD原料ガスである。ビームラインの
末端部分のSR光の大気中への取り出し口のベリリウム
窓21(縦;10mm,横;30mm,厚さ;20μm
のベリリウム膜)の大気側に図に示すような薄型のCV
D装置22を取り付け、露光に使用するものと同じSR
光をベリリウム窓を介してCVD装置22に導入し、成
膜用の原料となるCVD用ガス27としてジメチルベリ
リウムを装置内に入れる。
【0045】しばらくするとベリリウム膜上にさらにベ
リリウム膜が堆積するのが認められる。CVD装置22
には水晶振動子による膜厚計が装備されており、100
Å以上の膜厚となったところで成膜を停止した。その
後、CVD装置のX線ステッパー側の蓋を取り外し、S
R光をステッパーに導入するようにした。このようにレ
ジスト25として化学増幅型ネガ型レジストSAL60
1(シプレイ社)を用い、現像後のレジスト膜厚を測定
することによってSR光の強度分布を測定した。CVD
成膜を施していないベリリウム膜を用いた場合のSR光
の強度均一性は±5〜9%であったが、±2〜3%に向
上しており、本発明の効果が顕著に認められた。
リリウム膜が堆積するのが認められる。CVD装置22
には水晶振動子による膜厚計が装備されており、100
Å以上の膜厚となったところで成膜を停止した。その
後、CVD装置のX線ステッパー側の蓋を取り外し、S
R光をステッパーに導入するようにした。このようにレ
ジスト25として化学増幅型ネガ型レジストSAL60
1(シプレイ社)を用い、現像後のレジスト膜厚を測定
することによってSR光の強度分布を測定した。CVD
成膜を施していないベリリウム膜を用いた場合のSR光
の強度均一性は±5〜9%であったが、±2〜3%に向
上しており、本発明の効果が顕著に認められた。
【0046】実施例13 この実施例は、X線取り出し窓を窓面に対して垂直方向
に可動させる機能を持ち、X線取り出し窓からX線マス
クまでの距離を調整することにより一定のX線強度を得
るもので、図14はこのX線取り出し窓を示す構成図を
示す。図中、6はX線マスク、28は可動フランジ、2
9は固定フランジ、30はベローズ、31はモータ等の
駆動装置、32はコントローラである。コントローラ3
2からの命令により駆動装置31が働き、真空を保つた
めのベローズ30を介して可動フランジ28を動かすこ
とにより、ベリリウム箔4とX線マスク16との距離を
変化させることができるようになっている。
に可動させる機能を持ち、X線取り出し窓からX線マス
クまでの距離を調整することにより一定のX線強度を得
るもので、図14はこのX線取り出し窓を示す構成図を
示す。図中、6はX線マスク、28は可動フランジ、2
9は固定フランジ、30はベローズ、31はモータ等の
駆動装置、32はコントローラである。コントローラ3
2からの命令により駆動装置31が働き、真空を保つた
めのベローズ30を介して可動フランジ28を動かすこ
とにより、ベリリウム箔4とX線マスク16との距離を
変化させることができるようになっている。
【0047】一方、ベリリウム箔4を透過したX線はX
線マスクへ到達するまでに、大気中で指数関数的に減衰
し、3.4mmで約半分のX線強度となる。SR光強度
は蓄積電流の減衰と共に低下するので、蓄積電流値ある
いは実施例7〜10の方法等により光源強度を測定した
ものをコントローラ32に取り込み減衰量に応じ駆動装
置31を働かせベリリウム箔4をX線マスク6に近づけ
て一定の光強度を得るものである。他は上記と同一部材
は同一番号を付して説明を省略する。
線マスクへ到達するまでに、大気中で指数関数的に減衰
し、3.4mmで約半分のX線強度となる。SR光強度
は蓄積電流の減衰と共に低下するので、蓄積電流値ある
いは実施例7〜10の方法等により光源強度を測定した
ものをコントローラ32に取り込み減衰量に応じ駆動装
置31を働かせベリリウム箔4をX線マスク6に近づけ
て一定の光強度を得るものである。他は上記と同一部材
は同一番号を付して説明を省略する。
【0048】
【発明の効果】以上のように、本発明によれば、X線取
り出し窓を支持部材を介して冷却することができるの
で、X線取り出し窓の周囲の寸法を変えることなく、高
強度の均一X線露光を可能にすることができる。
り出し窓を支持部材を介して冷却することができるの
で、X線取り出し窓の周囲の寸法を変えることなく、高
強度の均一X線露光を可能にすることができる。
【0049】また、X線の強度に応じてX線取り出し窓
の上流に置いた熱除去用フィルタを出し入れすることに
より、上記冷却能力を越えてX線取り出し窓が過熱され
ることがなく、より簡便に大強度のX線露光を可能にす
ることができる。
の上流に置いた熱除去用フィルタを出し入れすることに
より、上記冷却能力を越えてX線取り出し窓が過熱され
ることがなく、より簡便に大強度のX線露光を可能にす
ることができる。
【0050】また、熱除去用フィルタを回転あるいは振
動させることにより、フィルタを挿入した時点で生じる
X線強度の不連続性をなくし、均一露光可能とする効果
がある。
動させることにより、フィルタを挿入した時点で生じる
X線強度の不連続性をなくし、均一露光可能とする効果
がある。
【0051】また、本発明によれば、X線取り出し窓の
温度を測定することによりX線強度とX線強度分布を測
定する機能を兼ね備えるので、X線強度から露光時間を
決定し、X線強度分布からはSR光の軌道変化を検知す
ることができるという効果があり、高強度のX線均一露
光を達成することができる。赤外線検出器を利用すれ
ば、容易にX線取り出し窓の温度測定ができ、熱電対を
利用すれば、安価にX線取り出し窓の温度測定ができ
る。特にX線取り出し窓から放出される2次電子量を利
用すれば、簡便な測定方法が利用できる。
温度を測定することによりX線強度とX線強度分布を測
定する機能を兼ね備えるので、X線強度から露光時間を
決定し、X線強度分布からはSR光の軌道変化を検知す
ることができるという効果があり、高強度のX線均一露
光を達成することができる。赤外線検出器を利用すれ
ば、容易にX線取り出し窓の温度測定ができ、熱電対を
利用すれば、安価にX線取り出し窓の温度測定ができ
る。特にX線取り出し窓から放出される2次電子量を利
用すれば、簡便な測定方法が利用できる。
【0052】また、X線を一定時間毎に利用するX線露
光等の場合、X線不使用時にX線強度及びX線強度分布
を測定することにより、測定のための時間を特に設ける
ことなく信頼性の高い計測ができる。
光等の場合、X線不使用時にX線強度及びX線強度分布
を測定することにより、測定のための時間を特に設ける
ことなく信頼性の高い計測ができる。
【0053】また、X線取り出し窓は湾曲させたフィル
タを挿入し、フィルタの曲率半径及び位置を調整するこ
とにより、均一性のよいX線を得ることができる。
タを挿入し、フィルタの曲率半径及び位置を調整するこ
とにより、均一性のよいX線を得ることができる。
【0054】また、X線取り出し窓は、SRリングから
のX線取り出し口のベリリウム窓において、ベリリウム
膜上にSRリングからのX線を直接利用した光CVD法
による成膜により膜厚分布をつけることにより、均一性
のよいX線を得ることができる。
のX線取り出し口のベリリウム窓において、ベリリウム
膜上にSRリングからのX線を直接利用した光CVD法
による成膜により膜厚分布をつけることにより、均一性
のよいX線を得ることができる。
【0055】また、X線取り出し窓は、X線強度が時間
的に変動する場合に、X線取り出し窓を窓面に対して垂
直方向に可動させる機能を持せることにより、X線取り
出し窓からX線マスクまでの距離を調整するができ、一
定のX線強度を得ることができる。
的に変動する場合に、X線取り出し窓を窓面に対して垂
直方向に可動させる機能を持せることにより、X線取り
出し窓からX線マスクまでの距離を調整するができ、一
定のX線強度を得ることができる。
【図1】 この発明の実施例1によるX線取り出し窓を
示す構成図である。
示す構成図である。
【図2】 この発明の実施例1に係わるX線取り出し窓
の温度と蓄積電流の関係を示す図である。
の温度と蓄積電流の関係を示す図である。
【図3】 この発明の実施例2によるX線取り出し窓を
示す構成図である。
示す構成図である。
【図4】 この発明の実施例3によるX線取り出し窓を
示す構成図である。
示す構成図である。
【図5】 この発明の実施例5によるX線取り出し窓を
示す構成図である。
示す構成図である。
【図6】 この発明の実施例5に係わるX線強度と蓄積
電流の関係を示す図である。
電流の関係を示す図である。
【図7】 この発明の実施例7によるX線取り出し窓を
示す構成図である。
示す構成図である。
【図8】 この発明の実施例8によるX線取り出し窓を
示す構成図である。
示す構成図である。
【図9】 この発明の実施例9によるX線取り出し窓を
示す構成図である。
示す構成図である。
【図10】 この発明の実施例10によるX線取り出し
窓を示す構成図である。
窓を示す構成図である。
【図11】 この発明の実施例11によるX線取り出し
窓を示す構成図である。
窓を示す構成図である。
【図12】 この発明の実施例12に係わるX線取り出
し窓を製作するための概念構成図である。
し窓を製作するための概念構成図である。
【図13】 この発明の実施例12に係わるX線取り出
し窓を製作するためのより詳細な構成図である。
し窓を製作するためのより詳細な構成図である。
【図14】 この発明の実施例13によるX線取り出し
窓を示す構成図である。
窓を示す構成図である。
【図15】 従来例1として引用したX線取り出し窓を
示す断面図である。
示す断面図である。
【図16】 従来例2として引用したX線取り出し窓を
示す断面図である。
示す断面図である。
1 超高真空部、2 スナウト丸パイプ部、3 スナウ
ト角パイプ部、4 ベリリウム箔、5 冷却管、6 X
線マスク、7 ウエハ、8 フィン、9 フィルタ、1
0 支持棒、11 赤外温度計、12 熱電対、13
X線遮光板、14 X線強度モニタ、15 電気絶縁
体、16 電流計、17 フレーム、18 SR光、1
9 SRリング、20 ビームライン、21 ベリリウ
ム窓、22 光CVD装置、23 ステッパー、24
取り外し可能な蓋、25 レジスト、26 CVD堆積
膜、27 CVD原料ガス、28 可動フランジ、29
固定フランジ、30 ベローズ、31 駆動装置、3
2 コントローラ、33 第1ベリリウム箔、34 高
真空部、35 第2ベリリウム箔、36 ヘリウムガス
部、37 シリコンナイトライド薄膜。
ト角パイプ部、4 ベリリウム箔、5 冷却管、6 X
線マスク、7 ウエハ、8 フィン、9 フィルタ、1
0 支持棒、11 赤外温度計、12 熱電対、13
X線遮光板、14 X線強度モニタ、15 電気絶縁
体、16 電流計、17 フレーム、18 SR光、1
9 SRリング、20 ビームライン、21 ベリリウ
ム窓、22 光CVD装置、23 ステッパー、24
取り外し可能な蓋、25 レジスト、26 CVD堆積
膜、27 CVD原料ガス、28 可動フランジ、29
固定フランジ、30 ベローズ、31 駆動装置、3
2 コントローラ、33 第1ベリリウム箔、34 高
真空部、35 第2ベリリウム箔、36 ヘリウムガス
部、37 シリコンナイトライド薄膜。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 炭谷 博昭 兵庫県尼崎市塚口本町八丁目1番1号 三 菱電機株式会社半導体基礎研究所内
Claims (19)
- 【請求項1】 X線源であるSRリングから放射される
高強度X線を高真空ビームラインを介してその端部にあ
るX線取り出し窓から大気圧側にあるX線マスクを有す
るウエハ上に均一に照射してレジストを露光する高強度
均一X線露光装置であって、 上記高真空ビームラインの端部に位置するX線取り出し
窓の支持部材を銅等の熱伝導の大きい材料で製造すると
ともに、該支持部材に冷却手段を設け、該支持部材を介
してX線取り出し窓を冷却するようにしてなることを特
徴とするX線露光装置。 - 【請求項2】 X線取り出し窓が高真空ビームライン側
と大気圧側の圧力差により損傷しない限界温度以下にあ
るようにX線透過によるX線取り出し窓の昇温特性に応
じて上記支持部材を介して上記X線取り出し窓を冷却す
るようにしてなる請求項1記載のX線露光装置。 - 【請求項3】 上記冷却手段がX線取り出し窓の支持部
材内部または内側に設けた冷却管であって、上記X線取
り出し窓近傍の支持部材を冷却するように構成してなる
請求項1記載のX線露光装置。 - 【請求項4】 上記冷却手段がX線取り出し窓の支持部
材外部に付設された放熱用フィンまたは冷却管であっ
て、上記支持部材を冷却する請求項1記載のX線露光装
置。 - 【請求項5】 上記X線取り出し窓が、上記支持部材に
接合されるフレーム材上にベリリウム膜が蒸着され、該
ベリリウム膜が蒸着されたフレーム材が窓部となる部分
をエッチングにより開口され、該フレーム材を上記支持
部材にロウ付けして形成されている請求項1〜4のいず
れかに記載のX線露光装置。 - 【請求項6】 上記X線取り出し窓の表面を薄膜コーテ
ィングしてなる請求項1〜4のいずれかに記載のX線露
光装置。 - 【請求項7】 上記X線取り出し窓が上記SRリングか
らのX線を直接利用した光CVD法による成膜手段を備
え、均一なX線透過強度分布が得られるように膜厚分布
が調整可能である請求項1記載のX線露光装置。 - 【請求項8】 上記光CVD法による成膜手段が、上記
SRリングからのX線取り出し窓の大気圧側に設置され
た光CVD用チャンバーからなる請求項7記載のX線露
光装置。 - 【請求項9】 上記光CVD用チャンバーで用いる成膜
用ガスがアルカリ金属化合物および金属カルボニル化合
物である請求項8記載のX線露光装置。 - 【請求項10】 上記アルカリ金属化合物としてジメチ
ルベリリウムを用いる請求項9記載のX線露光装置。 - 【請求項11】 上記X線取り出し窓の支持部材上流に
あるビームライン中に出し入れ可能なX線以外の長波長
成分を除去するフィルタを設け、X線強度に応じて出し
入れを行う請求項1〜5のいずれかに記載のX線露光装
置。 - 【請求項12】 上記フィルタのビームラインに対する
出し入れ速度を調節可能である請求項11記載のX線露
光装置。 - 【請求項13】 上記支持部材を介して冷却されるX線
取り出し窓の複数位置の温度を測定することによりX線
強度とX線強度分布を測定する装置を備える請求項1記
載のX線露光装置。 - 【請求項14】 X線取り出し窓の温度測定装置が赤外
線検出器であり、X線取り出し窓面に対しななめ配置
し、上記X線取り出し窓から放射される赤外線を検出す
る請求項13記載のX線露光装置。 - 【請求項15】 X線取り出し窓の温度測定装置が熱電
対であって、X線取り出し窓外周に複数配置し、各熱電
対間の温度を測定する請求項13記載のX線露光装置。 - 【請求項16】 上記X線ビームライン上に出し入れ可
能な、X線センサーを取り付けた遮光板を設け、X線不
使用時に上記遮光板を上記ビームラインに挿入し、X線
強度及びX線強度分布を測定する請求項13記載のX線
露光装置。 - 【請求項17】 X線によってX線取り出し窓から放出
される2次電子量からX線強度を測定する手段を備え、
該手段が電流計であって、上記支持部材に絶縁物を介し
て取り付けられたX線取り出し窓に接続されている請求
項1記載のX線露光装置。 - 【請求項18】 上記X線ビームラインにフィルタ面を
直交して配置され、ビームライン方向に湾曲可能なX線
強度分布修正フィルタを備え、該フィルタの曲率半径及
びビームラインに対するフィルタ位置を調整可能である
請求項13〜17のいずれかに記載のX線露光装置。 - 【請求項19】 X線取り出し窓を窓面に対して垂直方
向に可動させる機能を持ち、X線取り出し窓からX線マ
スクまでの距離を調整することにより一定のX線強度を
得る請求項1記載のX線露光装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP06793995A JP3398511B2 (ja) | 1995-03-27 | 1995-03-27 | X線露光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP06793995A JP3398511B2 (ja) | 1995-03-27 | 1995-03-27 | X線露光装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH08264422A true JPH08264422A (ja) | 1996-10-11 |
JP3398511B2 JP3398511B2 (ja) | 2003-04-21 |
Family
ID=13359412
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP06793995A Expired - Fee Related JP3398511B2 (ja) | 1995-03-27 | 1995-03-27 | X線露光装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3398511B2 (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2004027842A1 (ja) * | 2002-09-09 | 2004-04-01 | Nikon Corporation | X線発生装置、x線露光装置及びx線フィルター |
JP2011129912A (ja) * | 2009-12-18 | 2011-06-30 | Asml Netherlands Bv | リソグラフィ装置および方法 |
US8059261B2 (en) | 2003-05-30 | 2011-11-15 | Asml Netherlands B.V. | Masking device, lithographic apparatus, and device manufacturing method |
-
1995
- 1995-03-27 JP JP06793995A patent/JP3398511B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2004027842A1 (ja) * | 2002-09-09 | 2004-04-01 | Nikon Corporation | X線発生装置、x線露光装置及びx線フィルター |
US8059261B2 (en) | 2003-05-30 | 2011-11-15 | Asml Netherlands B.V. | Masking device, lithographic apparatus, and device manufacturing method |
JP2011129912A (ja) * | 2009-12-18 | 2011-06-30 | Asml Netherlands Bv | リソグラフィ装置および方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP3398511B2 (ja) | 2003-04-21 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |