JP2009031587A - 光デバイスの製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】この光デバイスの製造方法では、SiO2膜2の厚さHとレジスト膜3の厚さとの関係が1.0≦L/Hを満たすようにしてSiO2膜2上にレジスト膜3をパターン形成している。また、レジスト膜3を紫外光照射及び熱処理によって硬化させることにより、レジスト膜3に対するSiO2膜の厚さ方向のエッチング選択比を2程度まで向上させている。したがって、SiO2膜のエッチングが完了するまで、厚さ方向から見たレジスト膜3のマスク幅WSの減少を防止でき、十分な加工精度をもってSiO2膜2を略垂直にエッチングすることが可能となる。これにより、所望の形状のコア部4が得られ、好適な特性を持つ平面型光導波路10を製造できる。
【選択図】図3
Description
Claims (3)
- 基板上にSiO2膜を形成するSiO2膜形成工程と、
前記SiO2膜上にレジスト膜をパターン形成するレジスト膜形成工程と、
前記レジスト膜に紫外光を照射しながら熱処理を加え、前記レジスト膜を硬化させるレジスト膜硬化工程と、
前記レジスト膜をマスクとして、反応性イオンエッチングによって前記SiO2膜をエッチングするSiO2膜エッチング工程とを備え、
前記レジスト膜形成工程において、前記SiO2膜の厚さをHとし、前記レジスト膜の厚さをLとしたときに、
前記SiO2膜の厚さHが1μm以上であり、かつL/H≧1.0を満たすように前記SiO2膜上に前記レジスト膜を形成することを特徴とする光デバイスの製造方法。 - 前記レジスト膜形成工程において、L/H≦2.5を満たすように前記SiO2膜上に前記レジスト膜を形成することを特徴とする請求項1記載の光デバイスの製造方法。
- 前記レジスト膜硬化工程において、前記レジスト膜の上面及び側面のそれぞれに向けて前記紫外光を照射することを特徴とする請求項1又は2記載の光デバイスの製造方法。
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